JPH02166718A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体
基板上へのホトレジスト膜パターンの形成方法に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and particularly to a method of forming a photoresist film pattern on a semiconductor substrate.
（従来の技術）
従来、ホトリソグラフィ技術における微細ホトレジスト
膜パターンを用いて、半導体基板上に金属層の微細パタ
ーンを形成するリフトオフ・プロセスという方法がある
。この方法の概要としては、半導体Ｗ板上にホトレジス
トを塗布し、ステッパー（縮小投影露光装置）により該
ホトレジストを露光し、然る後、現像液にて現像するこ
とにより、微細ホトレジスト膜パターンを形成し、さら
に全面に金属層を蒸着させ、この微細ホトレジスト膜パ
ターン上に形成された金属層を、剥離液により、ホトレ
ジスト共々剥がすことで、半導体基板上に金属層の微細
パターン、例えばゲート電極、パッド電極等を形成する
ものである。(Prior Art) Conventionally, there is a method called a lift-off process in which a fine pattern of a metal layer is formed on a semiconductor substrate using a fine photoresist film pattern in photolithography technology. The outline of this method is to form a fine photoresist film pattern by applying photoresist onto a semiconductor W plate, exposing the photoresist to light using a stepper (reduction projection exposure device), and then developing it with a developer. Then, a metal layer is further deposited on the entire surface, and the metal layer formed on the fine photoresist film pattern is peeled off together with the photoresist using a stripping solution, thereby forming fine patterns of the metal layer, such as gate electrodes and pads, on the semiconductor substrate. It forms electrodes and the like.
このリフトオフ参プロセスでは、ホトレジスト共々金属
層を剥がすために、半導体基板上の金属層をエツチング
除去する方法よりも、基板に与えるダメージは少なく、
かつ微細パターンの形成が容易である。In this lift-off process, since the metal layer is removed along with the photoresist, it causes less damage to the substrate than a method that removes the metal layer on the semiconductor substrate by etching.
Moreover, it is easy to form fine patterns.
以下、第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）を参照して、リフ
トオフ・プロセスについて説明する。The lift-off process will be described below with reference to FIGS. 2(a) to 2(c).
まず、第２図（ａ）において、半導体基板１０１上に、
例えばポジ型ホトレジスト１０２を塗布する。このポジ
型ホトレジスｌ−１０２には、例えばベース・ポリマー
にフェノール脅ノボラック樹脂、感光剤にジアゾナフト
キノンを用いた、ホトレジストを用いる。このホトレジ
スト１０２の塗布された基板１０１をプリベーク処理し
た後、このホトレジスト１０２が塗布された基板１０１
上に、マスク１０３を当て、図示しないステッパー（縮
小投影露光装置）により、紫外線光量１３５ｆｆｌｊ／
Ｃｌ１１２の紫外線１０４を当て露光する。First, in FIG. 2(a), on the semiconductor substrate 101,
For example, a positive photoresist 102 is applied. This positive type photoresist 1-102 uses, for example, a photoresist in which a phenol-threated novolac resin is used as a base polymer and diazonaphthoquinone is used as a photosensitizer. After prebaking the substrate 101 coated with this photoresist 102, the substrate 101 coated with this photoresist 102 is
A mask 103 is placed on the top, and an amount of ultraviolet light of 135 fflj/ is applied using a stepper (not shown) (reduction projection exposure device).
It is exposed to ultraviolet light 104 of Cl112.
この露光により、ホトレジスト１０２の感光した部分に
おいて、含有されるナフトキノンジアジドが、窒素ガス
１０７を放出し、ホトレジスト１０２中の水分や、空気
中の水分等と結合することにより、アルカリ可溶性のイ
ンデンカルボン酸となる。前シ己ジアゾナフトキノンは
、ベース・ポリマーのフェノール・ノボラック樹脂のア
ルカリ可溶性を抑制しているが、インデンカルボン酸と
なることにより、その抑制力を失い、アルカリ可溶性と
なる。By this exposure, the naphthoquinonediazide contained in the photoresist 102 releases nitrogen gas 107 in the exposed portion of the photoresist 102 and combines with moisture in the photoresist 102 and moisture in the air, thereby converting the alkali-soluble indene carboxylic acid becomes. The precipitated diazonaphthoquinone suppresses the alkali solubility of the base polymer phenol/novolac resin, but by becoming indenecarboxylic acid, it loses its suppressing power and becomes alkali soluble.
次に第２図（ｂ）において、この抑制力を失つた、レジ
スト１０２の感光部分をアルカリ水溶液である貌像液に
浸漬することにより除去し、現像する。この時、残留し
たホトレジスト１０２は、この例において、その端面が
逆テーパーになるように形成されている。Next, in FIG. 2(b), the photosensitive portions of the resist 102 which have lost their suppressing power are removed by immersing them in an aqueous alkaline imaging solution and developed. At this time, the remaining photoresist 102 is formed so that its end face is reversely tapered in this example.
次に、第２図（ｃ）において、第２図（ｂ）の状態の装
置をポストベーク処理した後、全体に金属層１０５を蒸
着させる。この時、金属層１０５の蒸着工程の熱により
、ホトレジスト１０２から気体が発生する。特にホトレ
ジスト１０２内に含有されているジアゾナフトキノンか
ら窒素ガスが放出され、半導体基板１０１とレジスト１
０２の界面に、空間１０６が形成される。この形成され
た空間１０６により、レジスト１０２の膨れ、もしくは
剥がれが生じる。次に、ホトレジスト１０２を剥がす為
、剥離液中に基板１０１を浸漬する。この時、ホトレジ
スト１０２と基板１０１との界面に形成された空間１０
６による脹れの為、ホトレジスト１０２が反り、本来な
ら、露出するはずの逆テーパーを形成したホトレジスト
１０２の端面が、基板１０１に密着してしまい、剥離液
がホトレジスト１０２に浸透しない。あるいは、基数上
に蒸着された金属層１０５と、ホトレジスト１０２上の
金属層１０５とが接触して剥離液の浸透すべき隙間が塞
がり、同様に、剥離液がレジスト１０２に浸透しない等
の問題を生じ、確実にリフトオフできず、歩留りの低下
を招いていた。Next, in FIG. 2(c), after post-baking the device in the state of FIG. 2(b), a metal layer 105 is deposited over the entire device. At this time, gas is generated from the photoresist 102 due to the heat of the vapor deposition process of the metal layer 105. In particular, nitrogen gas is released from diazonaphthoquinone contained in the photoresist 102, and the semiconductor substrate 101 and the resist 1
A space 106 is formed at the interface of 02. This formed space 106 causes blistering or peeling of the resist 102. Next, in order to peel off the photoresist 102, the substrate 101 is immersed in a stripping solution. At this time, a space 10 formed at the interface between the photoresist 102 and the substrate 101
Due to the swelling caused by 6, the photoresist 102 is warped, and the end face of the photoresist 102 formed with the reverse taper, which should normally be exposed, comes into close contact with the substrate 101, and the stripping liquid does not penetrate into the photoresist 102. Alternatively, the metal layer 105 deposited on the base and the metal layer 105 on the photoresist 102 may come into contact with each other, closing the gap in which the stripping solution should penetrate, and similarly causing problems such as the stripping solution not penetrating into the resist 102. Therefore, lift-off could not be performed reliably, leading to a decrease in yield.
また、レジストの剥がれにあっては、その剥がれ部分に
、余分な金属層１０５が蒸着されてしまい、回路の短絡
等の問題を生じ、同様に歩留りの低下を招いていた。Further, when the resist peels off, an extra metal layer 105 is deposited on the peeled part, causing problems such as short circuits, and similarly causing a decrease in yield.
（発明が解決しようとする課題）
この発明は上記のような点に鑑み為されたもので、金属
層を基板上とホトレジスト上の双方に蒸着する際、金属
層蒸着時の輻射熱によりホトレジスト内に残留している
感光剤から気体が発生し、基板とホトレジストの界面に
空間が形成され、ホトレジストの脹れ、あるいは剥がれ
が生じ、ホトレジスト剥離液の未浸透によるホトレジス
ト上の金属層の不除去、あるいは金属層同士の短絡の点
を改善し、前記気体の発生を抑制し、ホトレジストと基
板との界面に空間が形成されることが無いようにホトレ
ジスト層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned points. When a metal layer is deposited on both a substrate and a photoresist, radiant heat generated during the metal layer deposition causes damage to the inside of the photoresist. Gas is generated from the remaining photosensitizer, and a space is formed at the interface between the substrate and the photoresist, causing swelling or peeling of the photoresist, and the metal layer on the photoresist is not removed due to non-penetration of the photoresist stripper, or To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can improve the short circuit between metal layers, suppress the generation of gas, and form a photoresist layer so that no space is formed at the interface between the photoresist and the substrate. With the goal.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明による半導体装置の製造方法によれば、ホトレ
ジストに第１の露光を行い、感光した部分から、まず輻
射熱により放出されやすい気体を放出させて現像液に対
し、可溶性の物質へと変化させる。次にベータ処理を行
なうことにより、この感光した部分を、現像液に不溶性
の物質へ変化させる。次に第２の露光を行なうことによ
り、第１の露光において現像液に可溶性の物質へと変化
しなかった部分を、可溶性の物質へと変化させ、画像反
転を行い、この部分を現像液にて現像し、所定のレジス
ト・プロファイルを得る。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a first exposure is performed on a photoresist, and a gas that is easily released by radiant heat is first released from the exposed portion. It is converted into a substance that is soluble in the developer. Next, beta processing is performed to convert this exposed area into a substance insoluble in the developer. Next, by performing a second exposure, the part that did not change into a substance soluble in the developer in the first exposure is changed into a soluble substance, image reversal is performed, and this part is converted into a substance soluble in the developer. and develop to obtain a predetermined resist profile.
（作用）
上記のようなホトレジストの形成方法によれば、第１の
露光工程、第２の露光工程によって、ホトレジスト全体
から、輻射熱にて放出されやすい気体を全て放出させる
ことにより、ホトレジスト上部に金属層を蒸着してもそ
の輻射熱によりホトレジストから気体が発生することは
ない。よって、ホトレジストと基板との界面に気体発生
による空間形成が無い。(Function) According to the method for forming a photoresist as described above, by releasing all the gases that are easily released by radiant heat from the entire photoresist through the first exposure step and the second exposure step, metal is formed on the upper part of the photoresist. As the layer is deposited, the radiant heat does not generate gas from the photoresist. Therefore, no space is formed at the interface between the photoresist and the substrate due to gas generation.
（実施例）
以下、第１図、および第２図を参照して、この発明の実
施例に係わる半導体装置の製造方法について説明する。(Example) Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は、この発明の第１の実
施例に係わる半導体装置の製造方法について、製造工程
順に示した断面図である。FIGS. 1(a) to 1(e) are cross-sectional views showing the manufacturing process order of a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
まず、第１図（ａ）において、半導体基板１１上に、ポ
ジ型ホトレジスト１２を塗布する。このポジ型ホトレジ
スト１２には、例えばベース・ポリマーにフェノール・
ノボラック樹脂、感光剤にジアゾナフトキノンのホトレ
ジスト（長面産業；ＮＰＲ８２０ＤＸ）を用いる。この
ホトレジスト１２の塗布された基板１１をプリベーク処
理した後、マスク１３を当て、図示しないステッパーに
より、紫外線光ｍ ６００ ｍＪ／ｃｍ ２の紫外線１
４を当てて露光する。この露光により、ホトレジスト１
２の感光した部分において、含有されるジアゾナフトキ
ノンが窒素ガス１５を放出し、ホトレジスト１２中の水
分や、空気中の水分等と結合することにより、アルカリ
可溶性のインデンカルボン酸となる。First, in FIG. 1(a), a positive photoresist 12 is applied onto a semiconductor substrate 11. As shown in FIG. This positive photoresist 12 includes, for example, a base polymer containing phenol.
A novolac resin and a diazonaphthoquinone photoresist (Chomen Sangyo; NPR820DX) are used as the photosensitizer. After pre-baking the substrate 11 coated with the photoresist 12, a mask 13 is applied and a stepper (not shown) is used to apply ultraviolet light 1 of m 600 mJ/cm 2 .
4 and expose. Through this exposure, the photoresist 1
In the exposed portion 2, the diazonaphthoquinone contained releases nitrogen gas 15 and combines with moisture in the photoresist 12, moisture in the air, etc., thereby becoming an alkali-soluble indenecarboxylic acid.
前記ジアゾナフトキノンは、ベース・ポリマーのフェノ
ール・ノボラック樹脂のアルカリ可溶性を抑制している
が、インデンカルボン酸となることにより、その抑制力
を失い、アルカリ可溶性となる。The diazonaphthoquinone suppresses the alkali solubility of the base polymer phenol/novolak resin, but by becoming indenecarboxylic acid, it loses its suppressing power and becomes alkali soluble.
次に第１図（ｂ）において、この第１図（ａ）に示ス装
置をアンモニアガス１８雰囲気中でヘ一り処理すること
により、前記アルカリ可溶性のインデンカルボン酸が、
脱炭酸し、炭酸ガス１６を放出してアルカリ不溶性のイ
ンデンとなる。Next, in FIG. 1(b), the alkali-soluble indenecarboxylic acid is
It is decarboxylated, releases carbon dioxide gas 16, and becomes alkali-insoluble indene.
次に、第１図（ｃ）において、紫外線光量１５００ＬＩ
ｌｊｌｃ１２の紫外線１４にて全面露光することにより
、第１図（ａ）で未露光部であった部分をも感光させ、
未露光部分のジアゾナフトキノンをインデンカルボン酸
に変化させ、この部分をアルカリ可溶性とする。この時
、窒素ガス１５を放出する。また、第１図（ａ）の段階
で感光し、窒素ガス１５を放出した部分においても、残
留窒素ガス１５′があった場合に、この全面露光時に放
出される。従って、全てのレジスト１２から窒素ガス１
５および１５′が放出されたこととなる。Next, in FIG. 1(c), the amount of ultraviolet light is 1500LI.
By exposing the entire surface to ultraviolet light 14 of ljlc12, the unexposed area in FIG. 1(a) is also exposed,
Diazonaphthoquinone in the unexposed area is changed to indenecarboxylic acid, making this area soluble in alkali. At this time, nitrogen gas 15 is released. Furthermore, if there is residual nitrogen gas 15' in the portion exposed to light at the stage of FIG. 1(a) and from which nitrogen gas 15 was released, it will be released during this entire surface exposure. Therefore, from all the resists 12, the nitrogen gas 1
5 and 15' were released.
次ニ、第１図（ｄ）において、アルカリ水溶液である現
像液に浸漬し、アルカリ可溶性部分を除去、現像し、所
定のレジスト・プロファイル１２を得る。実施例では、
レジスト・プロファイル１２に逆テーパを形成している
。このように逆テーパを形成することにより、後工程で
、レジスト剥離液がレジストに浸透しやすくなる。Next, in FIG. 1(d), the resist is immersed in a developer which is an alkaline aqueous solution, the alkali-soluble portion is removed, and the resist is developed to obtain a predetermined resist profile 12. In the example,
A reverse taper is formed in the resist profile 12. By forming the reverse taper in this manner, the resist stripping liquid can easily penetrate into the resist in a subsequent process.
第１図（ｅ）において、基板１１全而に、例えばチタン
−プラチナ−金からなる金属層１７を蒸着させる。この
時、ホトレジスト１２からは、既に窒素が放出されてい
ることにより、金属層１７蒸着の輻射熱によりホトレジ
スト１２から窒素が発生して、ホトレジスト１２と基板
１１との界面に空間が形成されることはない。In FIG. 1(e), a metal layer 17 made of, for example, titanium-platinum-gold is deposited over the entire substrate 11. At this time, since nitrogen has already been released from the photoresist 12, nitrogen will be generated from the photoresist 12 due to the radiant heat of the metal layer 17 vapor deposition, and a space will not be formed at the interface between the photoresist 12 and the substrate 11. do not have.
以上のような、ホトレジスト１２の形成方法によれば、
ホトレジストのパターニング時に、ホトレジ、スト１２
中の感光剤から放出される気体を、ホトレジスト１２全
体から放出させておくことにより、この上部に金属層を
蒸着しても、蒸芒時の輻射熱により、前記気体がもはや
放出されることはない。従って、この気体発生によって
、ホトレジスト上２と基板１１との界面に空間が形成さ
れる恐れはなく、ホトレジスト１２に脹れや、剥がれが
生じることがないので、リフトオフが確実に行われ、歩
留りの向上が図れる。According to the method of forming the photoresist 12 as described above,
When patterning photoresist, photoresist, photoresist 12
By allowing the gas released from the photosensitive agent inside to be released from the entire photoresist 12, even if a metal layer is deposited on top of the photoresist, the gas will no longer be released due to the radiant heat during vaporization. . Therefore, there is no fear that a space will be formed at the interface between the photoresist top 2 and the substrate 11 due to this gas generation, and the photoresist 12 will not swell or peel, so lift-off is performed reliably and the yield is reduced. Improvements can be made.
また、上記ホトレジスト１２にイミダゾール等のアミン
系化合物を含む、例えばヘキスト；ＡＺ５２１４Ｂを用
いれば、第１図（ｂ）に示すような、アンモニアガス１
８雰囲気中でベーク処理を行なわなくても、通常の空気
中でベーク処理を行なえば、第１回の露光部分がアルカ
リ不溶性となる。Furthermore, if Hoechst AZ5214B containing an amine compound such as imidazole is used as the photoresist 12, the ammonia gas 1 as shown in FIG.
Even if the baking process is not performed in an atmosphere of 8, if the baking process is performed in normal air, the first exposed area becomes alkali-insoluble.
［発明の効果］
以上説明したように、金属層蒸着時以前のパタニング時
に、ホトレジスト全体から、気体を放出させておくこと
により、後でホトレジスト上に金属層を蒸着しても、レ
ジストと基板との界面に気体発生による空間が形成され
ず、密着した状態で形成できる。よって、歩留りが向上
し、かつ金属層蒸着時の輻射熱の温度制御の幅も広がり
、層、蒸着金属の種類、および蒸着条件の幅が広がる。[Effects of the Invention] As explained above, by releasing gas from the entire photoresist during patterning prior to metal layer deposition, even if a metal layer is later deposited on the photoresist, the resist and substrate will remain intact. No space is formed at the interface due to gas generation, and they can be formed in close contact. Therefore, the yield is improved, and the range of temperature control of radiant heat during metal layer deposition is expanded, and the range of layers, types of deposited metals, and deposition conditions is expanded.
従って、半導体装置製造工程上の取扱いが容品、かつ歩
留りの向上からコスト低減を図ることのできる半導体装
置の製造方法が提供される。Therefore, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device that can be handled in a semiconductor device manufacturing process with ease, and can reduce costs by improving yield.
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は、この発明の実施例に
係わる半導体装置の製造方法を製造工程順に示した断面
図、第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）は、従来技術による
半導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。
・・・炭酸ガス、１７・・・金属層、１８・・・アンモ
ニアガス、１′０１・・・甲導体基板、１０２・・・ホ
トレジスト、１０３・・・マスク、１０４・・・紫外線
、１０５・・・金属層、１０６・・・空間、１０７・・
・窒素ガス。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
・・・マスク、１４・・・紫外線、１ ｒ窒素ガス、１
６〜 、ｃ” ８〜〜
ＩＩ
↓
１！１１ ト１４FIGS. 1(a) to 1(e) are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention in the order of manufacturing steps, and FIGS. 2(a) to 2(c) are FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art in order of steps. ... Carbon dioxide gas, 17 ... Metal layer, 18 ... Ammonia gas, 1'01 ... A conductor substrate, 102 ... Photoresist, 103 ... Mask, 104 ... Ultraviolet light, 105. ...Metal layer, 106...Space, 107...
・Nitrogen gas. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue...Mask, 14...Ultraviolet light, 1 r Nitrogen gas, 1
6~, c" 8~~ II ↓ 1!11 t14
Claims (2)
、このポジ型レジストの塗布された半導体基板をプリベ
ーク処理する工程と、このプリベーク処理されたポジ型
レジストをステッパーにてパターン露光し、露光部分の
ポジ型レジスト中の感光剤から窒素等の気体を発生させ
る工程と、この窒素等の気体の発生したポジ型レジスト
の形成された半導体基板全体をアンモニア雰囲気中にて
ベーク処理し、露光部分を硬化させて二酸化炭素等の気
体を発生させる工程と、このアンモニア雰囲気中にてベ
ーク処理されたポジ型レジストを紫外線により全面露光
し、ポジ型レジスト中に残存している感光剤から、窒素
等の気体を発生させて未露光部分を軟化させ、画像反転
させる工程と、この全面露光したポジ型レジストを現像
してパターニングを行なう工程と、この現像されたポジ
型レジストの形成された半導体基板をポストベークする
工程と、この半導体基板上、並びにパターニングされた
ポジ型レジスト上に金属層を蒸着する工程と、ポジ型レ
ジスト上の金属層をポジ型レジスト共々剥離することを
特徴とする半導体装置の製造方法。(1) A step of applying a positive resist onto a semiconductor substrate, a step of pre-baking the semiconductor substrate coated with this positive resist, and a stepper exposing the pre-baked positive resist to pattern light. A process of generating a gas such as nitrogen from the photosensitizer in the positive resist of the portion, and baking the entire semiconductor substrate on which the positive resist in which the gas such as nitrogen has been generated is baked in an ammonia atmosphere to remove the exposed portion. The positive resist that has been baked in this ammonia atmosphere is fully exposed to ultraviolet rays, and nitrogen, etc. are removed from the photosensitizer remaining in the positive resist. A process of generating a gas to soften the unexposed area and inverting the image, a process of developing and patterning this entire exposed positive resist, and a process of processing the semiconductor substrate on which the developed positive resist is formed. A semiconductor device comprising: a step of post-baking, a step of vapor depositing a metal layer on the semiconductor substrate and a patterned positive resist, and a step of peeling off the metal layer on the positive resist together with the positive resist. Production method.
ストを塗布する工程と、このアミン系化合物を含むポジ
型レジストの塗布された半導体基板をプリベーク処理す
る工程と、このプリベーク処理されたアミン系化合物を
含むポジ型レジストをステッパーにてパターン露光し、
露光部分のアミン系化合物を含むポジ型レジスト中の感
光剤から窒素等の気体を発生させる工程と、この窒素等
の気体の発生したアミン系化合物を含むポジ型レジスト
の形成された半導体基板全体をベーク処理し、露光部分
を硬化させる工程と、このベーク処理されたアミン系化
合物を含むポジ型レジストを紫外線により全面露光し、
アミン系化合物を含むポジ型レジスト中に残存している
感光剤から窒素等の気体を発生させて、未露光部分を軟
化させて画像反転させる工程と、この全面露光したアミ
ン系化合物を含むポジ型レジストを現像してパターニン
グを行なう工程と、この現像されたアミン系化合物を含
むポジ型レジストの形成された半導体基板をポストベー
クする工程と、この半導体基板上に、並びにアミン系化
合物を含むパターニングされたポジ型レジスト上に金属
層を蒸着する工程と、アミン系化合物を含むポジ型レジ
スト上の金属層をアミン系化合物を含むポジ型レジスト
共々剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。(2) A step of applying a positive resist containing an amine compound on a semiconductor substrate, a step of prebaking the semiconductor substrate coated with the positive resist containing the amine compound, and a step of prebaking the semiconductor substrate coated with the positive resist containing the amine compound; A positive resist containing a compound is exposed in a pattern using a stepper,
A process of generating a gas such as nitrogen from the photosensitizer in a positive resist containing an amine compound in the exposed area, and a step of generating a gas such as nitrogen from the photosensitive agent in the positive resist containing the amine compound in the exposed area, and then removing the entire semiconductor substrate on which the positive resist containing the amine compound from which the gas such as nitrogen has been generated is formed. A step of baking to harden the exposed portion, and exposing the entire surface of the baked positive resist containing the amine compound to ultraviolet light.
A process in which a gas such as nitrogen is generated from the photosensitizer remaining in the positive resist containing an amine compound to soften the unexposed areas and reverse the image, and a positive resist containing the amine compound that has been fully exposed. A step of developing the resist and patterning it, a step of post-baking the semiconductor substrate on which the developed positive resist containing the amine compound is formed, and a step of post-baking the semiconductor substrate on which the developed positive resist containing the amine compound is patterned. 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: depositing a metal layer on a positive resist containing an amine compound; and peeling off the metal layer on the positive resist containing an amine compound together with the positive resist containing an amine compound.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322313A JPH02166718A (en) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322313A JPH02166718A (en) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166718A true JPH02166718A (en) | 1990-06-27 |
| JPH0529301B2 JPH0529301B2 (en) | 1993-04-30 |
Family
ID=18142234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322313A Granted JPH02166718A (en) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166718A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875419B2 (en) | 2002-10-29 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2024128279A1 (en) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日産化学株式会社 | Peeling agent composition for photoirradiation-based peeling, laminate, and method for producing processed semiconductor substrate or electronic device layer |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322313A patent/JPH02166718A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875419B2 (en) | 2002-10-29 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2024128279A1 (en) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日産化学株式会社 | Peeling agent composition for photoirradiation-based peeling, laminate, and method for producing processed semiconductor substrate or electronic device layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529301B2 (en) | 1993-04-30 |
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Legal Events
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