JPS6150949A - トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法 - Google Patents
トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6150949A JPS6150949A JP17035384A JP17035384A JPS6150949A JP S6150949 A JPS6150949 A JP S6150949A JP 17035384 A JP17035384 A JP 17035384A JP 17035384 A JP17035384 A JP 17035384A JP S6150949 A JPS6150949 A JP S6150949A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
9産業上の利用分野〕
本発明は、医薬品合成中間体として有用なトラ/スー1
.2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法に関す
る。
.2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法に関す
る。
従来、l+2−ジアミノシクロヘキサンの製造方法とし
ては、たとえばa−クロロシクロヘキサノ/を出発原料
とする方法(米国特許2850532号明細占)など、
各種の方法が提案されているスー1.2−ジアミノシク
ロヘキサンの立体選択(特公昭45−29655号公報
)。また、トラン的合成法としては、l、2−イミノシ
クロへキサ 5ンをアジドイオンで開裂させた後
、還元する方法(J、(Jrg、Chem、、 32.
511 (1967) ) すどかある。
ては、たとえばa−クロロシクロヘキサノ/を出発原料
とする方法(米国特許2850532号明細占)など、
各種の方法が提案されているスー1.2−ジアミノシク
ロヘキサンの立体選択(特公昭45−29655号公報
)。また、トラン的合成法としては、l、2−イミノシ
クロへキサ 5ンをアジドイオンで開裂させた後
、還元する方法(J、(Jrg、Chem、、 32.
511 (1967) ) すどかある。
しかしながら、一般的な非選択的合成法では、生成物は
、シス体及びトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を特徴とする特許には効率が悪い。
、シス体及びトランス体の混合物として得られ、トラン
ス体の取得を特徴とする特許には効率が悪い。
一方、立体選択的合成法は、目的物を選択的に与えるが
、複雑かつ多段階の工程?要し、工業的に有利な方法と
は言い雉い。
、複雑かつ多段階の工程?要し、工業的に有利な方法と
は言い雉い。
本発明は、かかる従来技術の欠点に濫み、トランス体生
成比率の高い1.2−ジアミノシクロヘキサン誘導体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
成比率の高い1.2−ジアミノシクロヘキサン誘導体を
容易に製造する方法を提供することを目的とする。
本発明の1肥目的は、下記一般式中
(ただし前記(1)式及び下記(1)式におけるRは、
低級アルキル基、あるいはアリール基をそれぞれ示す。
低級アルキル基、あるいはアリール基をそれぞれ示す。
)
で表わされる2−7フルアミノシクロへキサノンオキ/
ム誘導体を、無水酢酸及び金属触媒の共存下で接触水薬
添加することを特徴とする、下記一般式帽)で表わされ
るトランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体 の製造方法を採用することによって達成される。
ム誘導体を、無水酢酸及び金属触媒の共存下で接触水薬
添加することを特徴とする、下記一般式帽)で表わされ
るトランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体 の製造方法を採用することによって達成される。
以下、本発明の構成の詳り40を説明する。
本発明に用いられる2−アシルアミツノタコへキサノン
オキ/ム誘導体は、2−アミノシクロヘキ′す゛ノンオ
キシム塩酸塩を適当なアシル化剤、たとえばカルボ/酸
無水物やハロゲン化アシル等でアシル化することによっ
て得られる。
オキ/ム誘導体は、2−アミノシクロヘキ′す゛ノンオ
キシム塩酸塩を適当なアシル化剤、たとえばカルボ/酸
無水物やハロゲン化アシル等でアシル化することによっ
て得られる。
なお前記一般式(I)1こおけるRで示される低級アル
キル基としては、直鎖状または分枝状の炭素数1〜7の
アルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、i
−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n
−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル誌が好ましい
。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル
基、トリール基、キソリル基などがあげられる。これら
の低級アルキル基、アリール基は、反応に支障のない限
り適宜の置換基、例えばハロゲン原子、アルコキシ、ア
リールオキン、置換アミノ基などを有していてもよい。
キル基としては、直鎖状または分枝状の炭素数1〜7の
アルキル基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、i
−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n
−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル誌が好ましい
。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル
基、トリール基、キソリル基などがあげられる。これら
の低級アルキル基、アリール基は、反応に支障のない限
り適宜の置換基、例えばハロゲン原子、アルコキシ、ア
リールオキン、置換アミノ基などを有していてもよい。
さらに、これらのRの中では、対応するアシル化剤の入
手の容易さの点で、メチル基、エチル基、クロロメチル
基、フェニル基などが特に好ましい。
手の容易さの点で、メチル基、エチル基、クロロメチル
基、フェニル基などが特に好ましい。
本発明において出発原料となる2−アミノシクロへキサ
ン/オキシム塩酸塩は、特公昭48−10789号公報
等記載の方法により、シクロヘキセンを原料として火星
にかつ奪価に製造される。
ン/オキシム塩酸塩は、特公昭48−10789号公報
等記載の方法により、シクロヘキセンを原料として火星
にかつ奪価に製造される。
本発明の接融水素添加反応なこおいて、無水酢酸は、ア
セチル化剤及び脱水剤として作用す4無水酢酸の使用量
は、通常2−アシルアミノシクロへキサノンオキシム1
モルに対して2〜lOモル、好ましくは4〜6モルであ
る。
セチル化剤及び脱水剤として作用す4無水酢酸の使用量
は、通常2−アシルアミノシクロへキサノンオキシム1
モルに対して2〜lOモル、好ましくは4〜6モルであ
る。
接触水素添加反応は、通常金属触媒の存在下に行なわれ
る。触媒としては、窒累官能仏によって被毒され雉いも
のなら何でも良いが、触媒活性が高いことから、白金−
活性炭触媒が持eこ好ましく用いられる。触媒の匣用批
は、通常2−アンルアミノシクロへキサノンオキシム1
00部に対して、3〜50這計部、好ましくは5〜20
亜量部である。
る。触媒としては、窒累官能仏によって被毒され雉いも
のなら何でも良いが、触媒活性が高いことから、白金−
活性炭触媒が持eこ好ましく用いられる。触媒の匣用批
は、通常2−アンルアミノシクロへキサノンオキシム1
00部に対して、3〜50這計部、好ましくは5〜20
亜量部である。
接触水素添加反応は、適当な溶1aを用いて行なっても
よい。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反
応しないもので、かつ水素添加され雉いものなら同でも
良いが、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成す
ることがら酢酸がIfましい。溶棹の使用量は、池の条
件に好ましくは7〜15MjM部である。
よい。溶媒としては、無水酢酸、アミン及びアミドと反
応しないもので、かつ水素添加され雉いものなら同でも
良いが、接触水素添加反応の進行に伴って酢酸が生成す
ることがら酢酸がIfましい。溶棹の使用量は、池の条
件に好ましくは7〜15MjM部である。
接触水素添加反応は、通常20〜80℃、好ましくは4
0〜50℃の温度で行なわれる。反応時の水素圧は、通
常1〜50 kq/d 、好ましくは2〜20λg/c
dである。反応時間は、反応条件によって兄なるが、通
常1〜24時間、好ましくは;3〜8時間である。
0〜50℃の温度で行なわれる。反応時の水素圧は、通
常1〜50 kq/d 、好ましくは2〜20λg/c
dである。反応時間は、反応条件によって兄なるが、通
常1〜24時間、好ましくは;3〜8時間である。
接触水素添加反応反応によって得らIするl、 2−ビ
ス(アシルアミノ)フクロヘキサン中のトランス体の含
酊比・t(は、80〜85%であり、必要に応じ、再債
晶精裂できる。このものを常法に従って加水分)ψ1す
ればトランス−1,2−ジアミノ/クロヘキサンとなる
。
ス(アシルアミノ)フクロヘキサン中のトランス体の含
酊比・t(は、80〜85%であり、必要に応じ、再債
晶精裂できる。このものを常法に従って加水分)ψ1す
ればトランス−1,2−ジアミノ/クロヘキサンとなる
。
次に本発明法を実施例をもって説明する。
〔実施例〕
最初1こ本発明に使用する出発原料の一製法を参考例と
して述べる。
して述べる。
参考例
2−アセトアミドシクロへキサノンオキシムの製造
4N−水酸化ナトリウム水溶液650 dとクロロホル
ム600層lの二相系溶媒に2−アミ/’/pロヘキサ
ノンオキシム塩酸塩180Fを溶解させた。この溶液を
10℃に保ち、塩化アセチル80111をL5時間かけ
て滴下した。滴下後10℃でさらにL5時間攪拌した後
、生成した結晶をi1取した。P液の有41層を分取し
、水層はクロロホルム500騨tで抽出した。有4j−
は、まとめて濃縮し、析出した結晶と先の結晶をあわせ
て再結晶積装し、2−アセトアミド7りaヘキサノ/オ
キシム125Fを得た。
ム600層lの二相系溶媒に2−アミ/’/pロヘキサ
ノンオキシム塩酸塩180Fを溶解させた。この溶液を
10℃に保ち、塩化アセチル80111をL5時間かけ
て滴下した。滴下後10℃でさらにL5時間攪拌した後
、生成した結晶をi1取した。P液の有41層を分取し
、水層はクロロホルム500騨tで抽出した。有4j−
は、まとめて濃縮し、析出した結晶と先の結晶をあわせ
て再結晶積装し、2−アセトアミド7りaヘキサノ/オ
キシム125Fを得た。
実施例」
トランス−1,2−ビス(アセトアミド)シクロヘキサ
ンの製造 酢酸300 weと無水酢酸9 Q 譚lの混合溶液に
2−アセトアミドシクロへキサノンオキシム40f及び
5%白金−活性炭触媒2.0gを加えた。
ンの製造 酢酸300 weと無水酢酸9 Q 譚lの混合溶液に
2−アセトアミドシクロへキサノンオキシム40f及び
5%白金−活性炭触媒2.0gを加えた。
この混合物を、20 kg/dの水素加圧下に50℃で
5.5時間攪拌した。反応混合物から触媒をi濾過除去
した後、F液を減圧下にa縮した。残渣は、クロロホル
ムL6gに希釈し、2096水酸化ナトリウム水溶液3
00 weで洗浄した後、無水゛硫酸ナト17ウムで乾
燥し、減圧下にilA縮して、1、2−ビス(アセトア
ミド)シクロヘキサン42.7gを得た。このものをガ
スクロマトグラフィー(’[’hermon−3000
,3wwx1.Otn、 215℃。
5.5時間攪拌した。反応混合物から触媒をi濾過除去
した後、F液を減圧下にa縮した。残渣は、クロロホル
ムL6gに希釈し、2096水酸化ナトリウム水溶液3
00 weで洗浄した後、無水゛硫酸ナト17ウムで乾
燥し、減圧下にilA縮して、1、2−ビス(アセトア
ミド)シクロヘキサン42.7gを得た。このものをガ
スクロマトグラフィー(’[’hermon−3000
,3wwx1.Otn、 215℃。
トランス1ド:8.9分、シス体:111分)で分析し
たところ、トランス体対シス体の比率は81対19であ
った。
たところ、トランス体対シス体の比率は81対19であ
った。
実施例2
トランス−N−アセチル−N′−クロロアセチル−1,
2−ジアミノ/クロヘキサンの製造実施例1と同法の方
法で、5%白金−活性炭触媒0.15Fの存在下に、酢
酸24 mlと無水酢酸5.5膚lの混合溶液中で2−
クロロアセトアミドシクロへキサノンオキシム3.Of
を接触水素添刀口し、N−アセチル−N′−クロロアセ
チル−1,2−ジアミノ/りaヘキサ73.2 Fを得
た。この生成物を常法により、2N−塩0で加水分解し
、1.2−ジアミノシクロヘキサ/二塩酸塩2.41を
得た。このもののトランス体対シス体の比率は88対1
2であった。
2−ジアミノ/クロヘキサンの製造実施例1と同法の方
法で、5%白金−活性炭触媒0.15Fの存在下に、酢
酸24 mlと無水酢酸5.5膚lの混合溶液中で2−
クロロアセトアミドシクロへキサノンオキシム3.Of
を接触水素添刀口し、N−アセチル−N′−クロロアセ
チル−1,2−ジアミノ/りaヘキサ73.2 Fを得
た。この生成物を常法により、2N−塩0で加水分解し
、1.2−ジアミノシクロヘキサ/二塩酸塩2.41を
得た。このもののトランス体対シス体の比率は88対1
2であった。
実施例3
トランス−N−アセチル−N′−ベンゾイル−1,2−
ジアミノシフaへキサンの製造 実施例1と開鎖の方法で、5%白金−活性炭触啄0.1
5Fの存在下、酢酸25 mlと無水酢酸5.0mlの
u 合m H中で、2−ベンズアミドシクロへキサノン
オキシム3.Ofを接噛水′4添加し、N−7セチルー
N’−ベンゾイル−1,2−ジアミノシクロヘキサン3
.31を得た。この生成物を常法により、2N−塩酸で
加水分解し、l、 2−ジアミノシクロヘキサ/二塩酸
塩2.31を得た。このもののトランス体対シス体の比
率は87:13であった。
ジアミノシフaへキサンの製造 実施例1と開鎖の方法で、5%白金−活性炭触啄0.1
5Fの存在下、酢酸25 mlと無水酢酸5.0mlの
u 合m H中で、2−ベンズアミドシクロへキサノン
オキシム3.Ofを接噛水′4添加し、N−7セチルー
N’−ベンゾイル−1,2−ジアミノシクロヘキサン3
.31を得た。この生成物を常法により、2N−塩酸で
加水分解し、l、 2−ジアミノシクロヘキサ/二塩酸
塩2.31を得た。このもののトランス体対シス体の比
率は87:13であった。
本発明は次のよプな効果を有する。
■ 本発明法の出発原料となる2−アシルアミ
□ノンクロへキサノンオキシム誘導体は、比軟的簡単な
プロセスで大量に製造されるので安■ 本発明法によれ
ば、トランス体の含有比率 □価に入手できる。
□ノンクロへキサノンオキシム誘導体は、比軟的簡単な
プロセスで大量に製造されるので安■ 本発明法によれ
ば、トランス体の含有比率 □価に入手できる。
の高いI、 2−ジアミノシクロヘキサン誘導体が、接
触水薬?ム加反応で、安易に得ら6るので、工業的に有
利である。
触水薬?ム加反応で、安易に得ら6るので、工業的に有
利である。
■ 本発明法によれば、互いに異なる保護基を持ったl
、 2−ジアミノシクロヘキサン誘導体が得られるので
、さらに高次の誘4体化が可能である。
、 2−ジアミノシクロヘキサン誘導体が得られるので
、さらに高次の誘4体化が可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・( I ) (ただし前記( I )式及び下記(II)式におけるRは
低級アルキル基あるいはアリール基をそれぞれ示す。) で表わされる2−アシルアミノシクロヘキサノンオキシ
ム誘導体を、無水酢酸及び金属触媒の共存下で接触水素
添加することを特徴とする下記一般式(II)で表わされ
るトランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の
製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・(II)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17035384A JPS6150949A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17035384A JPS6150949A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6150949A true JPS6150949A (ja) | 1986-03-13 |
Family
ID=15903357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17035384A Pending JPS6150949A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6150949A (ja) |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP17035384A patent/JPS6150949A/ja active Pending
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