JPS6148773B2 - - Google Patents
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- JPS6148773B2 JPS6148773B2 JP54140718A JP14071879A JPS6148773B2 JP S6148773 B2 JPS6148773 B2 JP S6148773B2 JP 54140718 A JP54140718 A JP 54140718A JP 14071879 A JP14071879 A JP 14071879A JP S6148773 B2 JPS6148773 B2 JP S6148773B2
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- quartz tube
- wafer holder
- tube
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- electrode
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体ウエハにプラズマCVD膜
を形成するのに用いられる半導体装置の製造装置
に関するものである。
を形成するのに用いられる半導体装置の製造装置
に関するものである。
ICなどの半導体装置の製造過程において、薄
膜生成技術として、真空蒸着法、スパツタリング
法、CVD法、電解酸化法などが一般に行なわれ
ている。このうち、プラズマCVD法は、低温で
の膜の堆積が可能であること、膜の性質がドライ
プロセスに最適であることから、最近注目されて
いる。
膜生成技術として、真空蒸着法、スパツタリング
法、CVD法、電解酸化法などが一般に行なわれ
ている。このうち、プラズマCVD法は、低温で
の膜の堆積が可能であること、膜の性質がドライ
プロセスに最適であることから、最近注目されて
いる。
第１図は従来のプラズマCVD法に用いられる
平行平板形の半導体装置の製造装置を示し、１は
チエインバ、２はチエインバ１内に設けられた
RF電極、３はサセプタである。上記RF電極２か
らプラズマガスａが発生し、このガスａによつ
て、サセプタ３上の半導体ウエハ４上にCVD膜
が形成される。
平行平板形の半導体装置の製造装置を示し、１は
チエインバ、２はチエインバ１内に設けられた
RF電極、３はサセプタである。上記RF電極２か
らプラズマガスａが発生し、このガスａによつ
て、サセプタ３上の半導体ウエハ４上にCVD膜
が形成される。
ところが、上記構成では、プラズマガスａの流
れが不均一であるため、CVD膜の厚さのばらつ
きが大きくなるばかりか、１バツチ当りの処理数
が少なくなる。またプラズマガスａの密度が小さ
いため、CVD膜の堆積速度が遅く、１バツチ当
りの処理時間が長くなる。さらにチエインバ１内
の温度管理が因難でCVD膜の膜質が安定しな
い。しかも、温度分布が不均一であるから電極に
フレークが成生しやすく、そのクリーニングに要
する時間が多大であるほか、このフレークがウエ
ハの主面に落下して、良好な膜質が安定的に得ら
れない。
れが不均一であるため、CVD膜の厚さのばらつ
きが大きくなるばかりか、１バツチ当りの処理数
が少なくなる。またプラズマガスａの密度が小さ
いため、CVD膜の堆積速度が遅く、１バツチ当
りの処理時間が長くなる。さらにチエインバ１内
の温度管理が因難でCVD膜の膜質が安定しな
い。しかも、温度分布が不均一であるから電極に
フレークが成生しやすく、そのクリーニングに要
する時間が多大であるほか、このフレークがウエ
ハの主面に落下して、良好な膜質が安定的に得ら
れない。
この発明は、石英管の外側に磁石を設定し、プ
ラズマガスを管内に長時間封じ込めて密度を高く
かつ均一とすることによつて膜質の向上および処
理時間を短縮し、またウエハホルダを磁石中を移
動させることによつて効率的にCVD膜を堆積さ
せることのできる半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
ラズマガスを管内に長時間封じ込めて密度を高く
かつ均一とすることによつて膜質の向上および処
理時間を短縮し、またウエハホルダを磁石中を移
動させることによつて効率的にCVD膜を堆積さ
せることのできる半導体装置の製造装置を提供す
ることを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて
説明する。
説明する。
第２図はこの発明に係る拡散炉形の半導体装置
の製造装置を示すもので、５は石英管、６は原料
ガスの注入孔、７は排出孔、８はフランジ、９は
シールド用Ｏリングである。１０は複数の半導体
ウエハ１１を管軸方向に並べて配置する半円筒形
のウエハホルダで、グラフアイトもしくはアルミ
でできており石英管５内をその長手方向、つま
り、管軸方向に移動できるように構成されてい
る。１２はウエハホルダ１０に直結された金属製
の支持棒で、この支持棒１２を動かすことにより
ウエハホルダ１０を移動させる。また支持棒１２
は接地され、ウエハホルダ１０をアースする。１
３はフレキシブルベローで、支持棒１２の移動の
際、石英管１内を外部環境から遮断する作用があ
る。
の製造装置を示すもので、５は石英管、６は原料
ガスの注入孔、７は排出孔、８はフランジ、９は
シールド用Ｏリングである。１０は複数の半導体
ウエハ１１を管軸方向に並べて配置する半円筒形
のウエハホルダで、グラフアイトもしくはアルミ
でできており石英管５内をその長手方向、つま
り、管軸方向に移動できるように構成されてい
る。１２はウエハホルダ１０に直結された金属製
の支持棒で、この支持棒１２を動かすことにより
ウエハホルダ１０を移動させる。また支持棒１２
は接地され、ウエハホルダ１０をアースする。１
３はフレキシブルベローで、支持棒１２の移動の
際、石英管１内を外部環境から遮断する作用があ
る。
１４は円筒状のRF電極で、石英管１の外側に
密着させて配置されている。１５は永久磁石もし
くは電磁石で、石英管１の外側を囲むようにドー
ナツ形をしており、石英管１内に磁場を発生させ
る。なお、図示とは逆に、磁石１５をRF電極１
４の内側に設けてもよい。１６は保温剤を含めた
ヒータである。
密着させて配置されている。１５は永久磁石もし
くは電磁石で、石英管１の外側を囲むようにドー
ナツ形をしており、石英管１内に磁場を発生させ
る。なお、図示とは逆に、磁石１５をRF電極１
４の内側に設けてもよい。１６は保温剤を含めた
ヒータである。
上記構成では、石英管１の外側に磁石１５が設
定されているので、プラズマガスが、たとえば１
×10-2torrのような低圧でも石英管１内に長時間
封じ込められることになり、ガスの密度が高くな
る。したがつて、半導体ウエハ１１へのCVD膜
の堆積速度が早くなり１バツチ当りの処理時間が
短縮される。また、半導体ウエハ１１の処理中
に、半導体ウエハ１１が磁石１５の中を移動する
から、複数のウエハ１１に対してプラズマガスが
均一して分布することになり、各ウエハ１１に形
成されたCVD膜の厚さのばらつきが小さくなる
ので、複数のウエハ１１に効率的に高品質の
CVD膜を形成することができる。さらに、石英
管１内の温度管理が行ないやすく膜質が安定する
とともに、温度分布が均一となり電極へのフレー
クの発生が少なくなる。
定されているので、プラズマガスが、たとえば１
×10-2torrのような低圧でも石英管１内に長時間
封じ込められることになり、ガスの密度が高くな
る。したがつて、半導体ウエハ１１へのCVD膜
の堆積速度が早くなり１バツチ当りの処理時間が
短縮される。また、半導体ウエハ１１の処理中
に、半導体ウエハ１１が磁石１５の中を移動する
から、複数のウエハ１１に対してプラズマガスが
均一して分布することになり、各ウエハ１１に形
成されたCVD膜の厚さのばらつきが小さくなる
ので、複数のウエハ１１に効率的に高品質の
CVD膜を形成することができる。さらに、石英
管１内の温度管理が行ないやすく膜質が安定する
とともに、温度分布が均一となり電極へのフレー
クの発生が少なくなる。
また、ウエハホルダ１０に対し半導体ウエハ１
１を縦長にして配置している、つまり、半導体ウ
エハ１１を、その主面が石英管１の管軸に対して
垂直となるように配置しているので、ウエハホル
ダ１０の移動距離が短かくなり、装置全体が小形
に構成でき、さらに、電極に僅かのフレークが発
生しても、それが落下するので推奨される。
１を縦長にして配置している、つまり、半導体ウ
エハ１１を、その主面が石英管１の管軸に対して
垂直となるように配置しているので、ウエハホル
ダ１０の移動距離が短かくなり、装置全体が小形
に構成でき、さらに、電極に僅かのフレークが発
生しても、それが落下するので推奨される。
以上のように、この発明に係る半導体装置の製
造装置によれば、CVD膜の膜質が向上し、処理
時間も短縮される。
造装置によれば、CVD膜の膜質が向上し、処理
時間も短縮される。
第１図は従来の半導体装置の製造装置の断面
図、第２図はこの発明に係る半導体装置の製造装
置の断面図である。 ５……石英管、１０……ウエハホルダ、１１…
…半導体ウエハ、１２……支持棒、１４……RF
電極、１５……磁石。
図、第２図はこの発明に係る半導体装置の製造装
置の断面図である。 ５……石英管、１０……ウエハホルダ、１１…
…半導体ウエハ、１２……支持棒、１４……RF
電極、１５……磁石。
Claims (1)
- １ 石英管と、石英管内を管軸方向に移動するウ
エハホルダと、半導体ウエハの処理中にウエハホ
ルダを移動させ接地電極を兼ねた支持棒と、石英
管を外側から囲み石英管内にプラズマガスを発生
させるRF電極と、石英管を外側から囲み石英管
内に磁場を発生させる磁石とを具備し、上記ウエ
ハホルダに対し、半導体ウエハを管軸方向に沿つ
て複数並べ、かつ、半導体ウエハの主面が管軸に
対して垂直となるように設定した半導体装置の製
造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14071879A JPS5664441A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Manufacture of semiconductor device |
| US06/201,115 US4487161A (en) | 1979-10-30 | 1980-10-28 | Semiconductor device manufacturing unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14071879A JPS5664441A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5664441A JPS5664441A (en) | 1981-06-01 |
| JPS6148773B2 true JPS6148773B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=15275088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14071879A Granted JPS5664441A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4487161A (ja) |
| JP (1) | JPS5664441A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058617A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
| US4751895A (en) * | 1985-09-03 | 1988-06-21 | Yates Cleon R | Door closure apparatus for encapsulating a wafer paddle |
| JPS62166624U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | ||
| US4733631B1 (en) * | 1986-09-30 | 1993-03-09 | Apparatus for coating substrate devices | |
| JPS6453544A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US4946714A (en) * | 1987-08-25 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor devices |
| US5093557A (en) * | 1989-05-16 | 1992-03-03 | Microscience, Inc. | Substrate heater and heating element |
| JP3106172B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の封止構造 |
| KR950006969B1 (ko) * | 1992-01-06 | 1995-06-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 튜브장치 |
| US5587207A (en) * | 1994-11-14 | 1996-12-24 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Arc assisted CVD coating and sintering method |
| US5478608A (en) * | 1994-11-14 | 1995-12-26 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Arc assisted CVD coating method and apparatus |
| US5582649A (en) * | 1996-02-29 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wafer transfer apparatus for use in a film deposition furnace |
| US6112695A (en) * | 1996-10-08 | 2000-09-05 | Nano Scale Surface Systems, Inc. | Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container |
| US6303908B1 (en) * | 1999-08-26 | 2001-10-16 | Nichiyo Engineering Corporation | Heat treatment apparatus |
| KR100402395B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-10-22 | 준 신 이 | 중공의 음극과 플라즈마를 이용한 태양전지 양산용 실리콘질화막의 제조장치 |
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| WO2008030047A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Seoul National University Industry Foundation | Apparatus and method of depositing films using bias and charging behavior of nanoparticles formed during chemical vapor deposition |
| CN101603169B (zh) * | 2008-06-11 | 2012-01-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483376A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment equipment |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB1104935A (en) * | 1964-05-08 | 1968-03-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound |
| US3916034A (en) * | 1971-05-21 | 1975-10-28 | Hitachi Ltd | Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target |
| GB1342544A (en) * | 1971-10-28 | 1974-01-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Method of forming glass layers |
| US3875068A (en) * | 1973-02-20 | 1975-04-01 | Tegal Corp | Gaseous plasma reaction apparatus |
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| JPS53112066A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment apparatus |
| US4223048A (en) * | 1978-08-07 | 1980-09-16 | Pacific Western Systems | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers |
-
1979
- 1979-10-30 JP JP14071879A patent/JPS5664441A/ja active Granted
-
1980
- 1980-10-28 US US06/201,115 patent/US4487161A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483376A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5664441A (en) | 1981-06-01 |
| US4487161A (en) | 1984-12-11 |
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