JPS6148269A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPS6148269A JPS6148269A JP16890884A JP16890884A JPS6148269A JP S6148269 A JPS6148269 A JP S6148269A JP 16890884 A JP16890884 A JP 16890884A JP 16890884 A JP16890884 A JP 16890884A JP S6148269 A JPS6148269 A JP S6148269A
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- JP
- Japan
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- switch
- turned
- photodiode
- block
- image
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 ゛本発明は、
ファクシミリ装置等の画像読取装置に係り、とくに走査
時間を短かくした画像読取装置に関する。
ファクシミリ装置等の画像読取装置に係り、とくに走査
時間を短かくした画像読取装置に関する。
ファクシミリ装置の原稿読取部等、画像処理装置の画像
読取手段には、ラインイメージセンサによ多画像の１ラ
インを画素に分解して光電変換する装置が広く用いられ
てい名。
読取手段には、ラインイメージセンサによ多画像の１ラ
インを画素に分解して光電変換する装置が広く用いられ
てい名。
ラインイメージセンサは、複数の受光セル（例えばフォ
トダイオード）を−列に配置した受光部と、各受光セル
の′受光信号を順次選択して出力する信号選択部からな
り、その基原的な構成を第３図に示す０゛ 図において、静電容量Ｃ６は受光セルであるフォトダイ
オードＰ Ｄ’の接合合量を示し、静電容量ＣＬはフォ
トダイオ−）′ＰＤから次段回路上例えげアンプ等）ま
での配線等に生じる容量を示す。なお、抵抗Ｒは出力を
読み出すため′の電流制限抵抗で″あシ、スイッチＳＷ
はＭＯＳスイッチ等の半導体素子等からなる。
ｊず１スイツチＳＷをオンして静電
容量ｃｄおよびＣＸ、を充電し、そののちにスイッチＳ
Ｗをオフして画信号の蓄積状態に子る・ この蓄積状態では、受光量すなわち読取画像の対応する
画素輝度に応じた大きさの光電流■がフオドダイオード
ＰＤに発生して静電容量ｃｄに充電された電荷が放電さ
れる。
トダイオード）を−列に配置した受光部と、各受光セル
の′受光信号を順次選択して出力する信号選択部からな
り、その基原的な構成を第３図に示す０゛ 図において、静電容量Ｃ６は受光セルであるフォトダイ
オードＰ Ｄ’の接合合量を示し、静電容量ＣＬはフォ
トダイオ−）′ＰＤから次段回路上例えげアンプ等）ま
での配線等に生じる容量を示す。なお、抵抗Ｒは出力を
読み出すため′の電流制限抵抗で″あシ、スイッチＳＷ
はＭＯＳスイッチ等の半導体素子等からなる。
ｊず１スイツチＳＷをオンして静電
容量ｃｄおよびＣＸ、を充電し、そののちにスイッチＳ
Ｗをオフして画信号の蓄積状態に子る・ この蓄積状態では、受光量すなわち読取画像の対応する
画素輝度に応じた大きさの光電流■がフオドダイオード
ＰＤに発生して静電容量ｃｄに充電された電荷が放電さ
れる。
そして、再度スイッチＳＷをオンしたどき、このオン間
隔（すなわち画情報の蓄積期間）をＴとすると、電荷保
存則によりフォトダイオードＰＤの出力電圧Ｖ。ｕｔは
次式（Ｉ）であられされる。
隔（すなわち画情報の蓄積期間）をＴとすると、電荷保
存則によりフォトダイオードＰＤの出力電圧Ｖ。ｕｔは
次式（Ｉ）であられされる。
ｖｏｕｔ”ＶＤ （工ｐ・Ｔ／（Ｃ，＋ＣＬ））
・・・・・・・・・・べ■）一方、蓄積期間Ｔで
流れた光電流工、によって静電容量Ｃ４に充電された電
荷が全て放電される場合のフォトダイオードＰＤの出力
Ｖ。ｕｔすなわち飽和出力ｖｓａｔは、次式（Ｉ［）で
あられされる。
・・・・・・・・・・べ■）一方、蓄積期間Ｔで
流れた光電流工、によって静電容量Ｃ４に充電された電
荷が全て放電される場合のフォトダイオードＰＤの出力
Ｖ。ｕｔすなわち飽和出力ｖｓａｔは、次式（Ｉ［）で
あられされる。
■ｓ ａ ｔ ＝”Ｌ ＠ｖｒｌ（Ｃｔ、＋ Ｃ，１）
−・・・・・・・・・・・（［Ｉ）したが
って、蓄積期間Ｔで流れた光電流ＩＰすなわち当該画素
の輝度に対応して、フォトダイオードＰＤの出力Ｖ
がＶから■ｓａｔまで変化する。
−・・・・・・・・・・・（［Ｉ）したが
って、蓄積期間Ｔで流れた光電流ＩＰすなわち当該画素
の輝度に対応して、フォトダイオードＰＤの出力Ｖ
がＶから■ｓａｔまで変化する。
ｏｕｔ Ｄ・
これによシ、画素濃度に対応した画信号を得ることがで
きる。
きる。
さて、Ａ４判原稿を８ト９ツト／咽で読み取るラインイ
メージセンサは、読取幅’ｆｃ ２１６ ｍｍとすると
１７２８組の上述したフォトダイオードＰＤおよびスイ
ッチＳＷから構成されている。
メージセンサは、読取幅’ｆｃ ２１６ ｍｍとすると
１７２８組の上述したフォトダイオードＰＤおよびスイ
ッチＳＷから構成されている。
このようなラインイメージセンサを、まとめて１つの素
子とみなして駆動した場合、上述した静電容量ＣＬが非
常に大きくなる。上式（ｎ）を参照すれば、このように
静電容量ｃｄに比べて静電容量ＣＬが大きくなると飽和
出力ｖａｎｔのレベルが低下するので、ダイナミックレ
ンジが狭くカシ好ましくない。
子とみなして駆動した場合、上述した静電容量ＣＬが非
常に大きくなる。上式（ｎ）を参照すれば、このように
静電容量ｃｄに比べて静電容量ＣＬが大きくなると飽和
出力ｖａｎｔのレベルが低下するので、ダイナミックレ
ンジが狭くカシ好ましくない。
そこで従来、ラインイメージセンサの受光セルを複数の
ブロックに分割し、それぞれのブロック２毎に駆動する
ことでダイナミックレンジの低下を防止していた。例え
ば、１７２８個のフォトダイオ−）”ＰＤとスイッチｓ
ｗの組を、６４個ずつ２７のブロックに分割していた。
ブロックに分割し、それぞれのブロック２毎に駆動する
ことでダイナミックレンジの低下を防止していた。例え
ば、１７２８個のフォトダイオ−）”ＰＤとスイッチｓ
ｗの組を、６４個ずつ２７のブロックに分割していた。
このよう々従来装置の一例を第４図に示す。この例では
、フォトダイオードＰＤとスイッチＳＷｆｍ個ずつｎ個
のブロックＢＬＩ〜ＢＬｎに分割しており、それぞれの
ブロックＢＬＩ〜ＢＬｎの出力はアンプＡＭｉ〜ＡＭｎ
に加えられて増幅されたのち、スイッチ５ＬＩ−８Ｌｎ
に加えられていずれか１つが選択される。
、フォトダイオードＰＤとスイッチＳＷｆｍ個ずつｎ個
のブロックＢＬＩ〜ＢＬｎに分割しており、それぞれの
ブロックＢＬＩ〜ＢＬｎの出力はアンプＡＭｉ〜ＡＭｎ
に加えられて増幅されたのち、スイッチ５ＬＩ−８Ｌｎ
に加えられていずれか１つが選択される。
これらのスイッチＳＬＩ 〜ＳＬｎ 、 ５ＷＩＩ 〜
ＳＷｎｍは、制御部（図示路）によって第５図（ａ）〜
（１）に示したように作動され、第５図（ｊ）に示した
ように画信号ｖａが１ライン分出力される。
ＳＷｎｍは、制御部（図示路）によって第５図（ａ）〜
（１）に示したように作動され、第５図（ｊ）に示した
ように画信号ｖａが１ライン分出力される。
まず、ブロックＢＬＩを選択するスイッチＳＬＩをオン
した状態で、スイッチＳＷＩ １〜ＳＷ１ｍを順次充電
期間（後述）だけオンし各フォトダイオードＰＤの出力
信号を順次アンプＡＭに加える〇ブロックＢＬ１の読出
しを終えると、スイッチＳＬＩ ’ｔ”オフすると同時
にスイッチＳＬ２ ｉオンし、ブロックＢＬ２について
の読出しを行ない、この後は同様にして順次ブロック・
ＢＬｎ ’ｉでの各ブロックに対する読出制御がなされ
る。
した状態で、スイッチＳＷＩ １〜ＳＷ１ｍを順次充電
期間（後述）だけオンし各フォトダイオードＰＤの出力
信号を順次アンプＡＭに加える〇ブロックＢＬ１の読出
しを終えると、スイッチＳＬＩ ’ｔ”オフすると同時
にスイッチＳＬ２ ｉオンし、ブロックＢＬ２について
の読出しを行ない、この後は同様にして順次ブロック・
ＢＬｎ ’ｉでの各ブロックに対する読出制御がなされ
る。
ところで、各受光セルから信号を読み出すさい、上述し
たように静電容量ｃｄとＣＬを充電するため、スイッチ
ＳＷのオン状態をある時間（以下これを充電時間という
）持続させる必要がある。この充電時間は、静電容量Ｃ
６とＣＬの和に抵抗Ｒ（の値）を乗じて得られる時定数
によって定まる。
たように静電容量ｃｄとＣＬを充電するため、スイッチ
ＳＷのオン状態をある時間（以下これを充電時間という
）持続させる必要がある。この充電時間は、静電容量Ｃ
６とＣＬの和に抵抗Ｒ（の値）を乗じて得られる時定数
によって定まる。
通常、受光セルからの出力幅をある程度確保する必要が
あるため、抵抗Ｒの値をあまシ小さくすることができず
、したがって、充電時間もある程度以下にすることがで
きない。
あるため、抵抗Ｒの値をあまシ小さくすることができず
、したがって、充電時間もある程度以下にすることがで
きない。
したがって、従来、ラインイメージセンサを１回走査す
るために要する時間はかなシ長くなり、画像読取時間が
長くなるという不都合を生じていたＯ 〔目的〕 本発明は、上述した従来技術の問題を解消するためにな
されたものであシ、読取時間が短かい画像読取装置を提
供することを目的としている。
るために要する時間はかなシ長くなり、画像読取時間が
長くなるという不都合を生じていたＯ 〔目的〕 本発明は、上述した従来技術の問題を解消するためにな
されたものであシ、読取時間が短かい画像読取装置を提
供することを目的としている。
本発明は、上述した目的を達成するために、受光セルを
充電する充電手段を備え、この充電手段を受光セルの信
号読出期間終了後に作動させることで受光セルの充電時
間を短縮している〇以下、添付図面を参照しながら本発
明の実施例を詳細に説明する。
充電する充電手段を備え、この充電手段を受光セルの信
号読出期間終了後に作動させることで受光セルの充電時
間を短縮している〇以下、添付図面を参照しながら本発
明の実施例を詳細に説明する。
第４図は、本発明の一実施例を示している。
図において、ラインイメージセンサをなすフォトダイオ
ードＰＤおよびフォトダイオードを選択するスイッチＳ
Ｗ１１〜８Ｗｎｍは、ｍ個ずつｎ個のブロックＢＬＩ〜
ＢＬｎに分割されておシ、それぞれのブロックＢＬＩ〜
ＢＬｎは抵抗Ｒ１〜Ｒｎを介して電源ＶＤに接続され、
また、抵抗Ｒ１〜Ｒｎには急速充電用のスイッチＳＣ１
〜ＳＣｎがそれぞれ・並列接続されている。
ードＰＤおよびフォトダイオードを選択するスイッチＳ
Ｗ１１〜８Ｗｎｍは、ｍ個ずつｎ個のブロックＢＬＩ〜
ＢＬｎに分割されておシ、それぞれのブロックＢＬＩ〜
ＢＬｎは抵抗Ｒ１〜Ｒｎを介して電源ＶＤに接続され、
また、抵抗Ｒ１〜Ｒｎには急速充電用のスイッチＳＣ１
〜ＳＣｎがそれぞれ・並列接続されている。
ブロックＢＬＩ〜ＢＬｎの出力信号はアンプＡＭＩ〜Ａ
Ｍｎにそれぞれ加えられて増幅されたのちスイッチＳＬ
Ｉ〜ＳＬｎ Ｋそれぞれ加えられ、これらのスイッチＳ
ＬＩ〜ＳＬｎの共通端子の出力信号ｖ、Ｌは画信号とし
てサンプル・ホールド回路等の次段回路に出力される。
Ｍｎにそれぞれ加えられて増幅されたのちスイッチＳＬ
Ｉ〜ＳＬｎ Ｋそれぞれ加えられ、これらのスイッチＳ
ＬＩ〜ＳＬｎの共通端子の出力信号ｖ、Ｌは画信号とし
てサンプル・ホールド回路等の次段回路に出力される。
これらのスイッチ５ＷＩＩ 〜ＳＷｎｍ 、 ＳＬＩ
〜ＳＬｎおよびＳＣ１〜ＳＣｎは、図示しない制御部に
よって以下のようにオンオフ制御され、１ラインの走査
がなされる。なお、上記次段回路と制御部は同期して作
動し、あるいは次段回路は制御部に含まれる。
〜ＳＬｎおよびＳＣ１〜ＳＣｎは、図示しない制御部に
よって以下のようにオンオフ制御され、１ラインの走査
がなされる。なお、上記次段回路と制御部は同期して作
動し、あるいは次段回路は制御部に含まれる。
まず、スイッチＳＬ１がオンされて（第２図（、）参照
）ブロックＢＬＩが選択され、所定時間経過して最初の
フォトダイオードＰＤを選択するスイッチＳＷＩ １が
オンされる（第２図（ｄ）参照）。この瞬間このフォト
ダイオードＰＤの出力レベルは、その受光レベルに対応
して立ち下がったのちに抵抗Ｒ１を介してその接合容量
ｃｄおよび分布静電容量ＣＬが充電されて徐々に立ち上
がる。これに伴なって、画信号Ｖが変化する（第２図（
ｋ）参照）。
）ブロックＢＬＩが選択され、所定時間経過して最初の
フォトダイオードＰＤを選択するスイッチＳＷＩ １が
オンされる（第２図（ｄ）参照）。この瞬間このフォト
ダイオードＰＤの出力レベルは、その受光レベルに対応
して立ち下がったのちに抵抗Ｒ１を介してその接合容量
ｃｄおよび分布静電容量ＣＬが充電されて徐々に立ち上
がる。これに伴なって、画信号Ｖが変化する（第２図（
ｋ）参照）。
次段回路ではスイッチ５ＷＩＩのオンタイミングから期
間τ の間に画信号Ｖ をサンプリングして、当ｒ
ａ該フォトダイ
オードＰＤからの出力信号を得る。
間τ の間に画信号Ｖ をサンプリングして、当ｒ
ａ該フォトダイ
オードＰＤからの出力信号を得る。
この期間τ を経過した所定の時点で、スイッチＳＣＩ
がオンされ（第２図（ｊ）参照）、これによシスイッチ
Ｓ０１を介してフォトダイオードＰＤの接合容量Ｃ４お
よび分布静電容量ＣＬが充電される。このとき、スイッ
チＳＣ１のオン抵抗は極く小さいのでこの充電の時定数
は小さく、シたがってフォトダイオードＰＤの出力レベ
ルは急速に立ち上がシ、その結果、フォトダイオ−ｒＰ
Ｄ接合容量Ｃ４および分布静電容量ＣＬの充電時間は大
幅に短縮される。
がオンされ（第２図（ｊ）参照）、これによシスイッチ
Ｓ０１を介してフォトダイオードＰＤの接合容量Ｃ４お
よび分布静電容量ＣＬが充電される。このとき、スイッ
チＳＣ１のオン抵抗は極く小さいのでこの充電の時定数
は小さく、シたがってフォトダイオードＰＤの出力レベ
ルは急速に立ち上がシ、その結果、フォトダイオ−ｒＰ
Ｄ接合容量Ｃ４および分布静電容量ＣＬの充電時間は大
幅に短縮される。
゛この充電時間を経過した所定の時点でスイッチＳＷＩ
１がオフされ、スイッチＳ０１がオフされ、この後洗
のフォトダイオードＰＤを選択するスイッチｓｗｉ ２
がオンされる（第２図（、）参照）。
１がオフされ、スイッチＳ０１がオフされ、この後洗
のフォトダイオードＰＤを選択するスイッチｓｗｉ ２
がオンされる（第２図（、）参照）。
スイッチｓ′ｗ１２がオンされて、画信号ｖ８が次段回
路でサンプリングされたのち、上述と同様にスイッチＳ
Ｃ１がオンされてこのフォトダイオードＰＤが急速充電
される。そして、この充′電が終るとスイッチ５Ｗ１２
、ＳＣ１が順次オフされ、次のスイッチＳＷＩ ３がオ
ンされる。
路でサンプリングされたのち、上述と同様にスイッチＳ
Ｃ１がオンされてこのフォトダイオードＰＤが急速充電
される。そして、この充′電が終るとスイッチ５Ｗ１２
、ＳＣ１が順次オフされ、次のスイッチＳＷＩ ３がオ
ンされる。
このようにして、ブロックＢＬＩの、各スイッチＳＷＩ
１〜ＳＷＩ ｍが順次オンされるとともにこれに同期
してスイッチＳ０１がオンされて各フォトダイオ−）Ｐ
Ｄの接合容量ｃｄおよび分布静電容量ＣＬが急速充電さ
れる。
１〜ＳＷＩ ｍが順次オンされるとともにこれに同期
してスイッチＳ０１がオンされて各フォトダイオ−）Ｐ
Ｄの接合容量ｃｄおよび分布静電容量ＣＬが急速充電さ
れる。
ブロックＢＬＩの最後のスイッチＳＷ１ｍがオフされる
タイミングで、ブロックＢＬＩを選択するスイッチＳＬ
Ｉがオフされると同時に次のブロックＢＬ２を選択する
スイッチＳＬ２がオンされ（第２図（ｂ）参照）、ブロ
ックＢＬ２の各スイッチ５Ｗ２１〜ＳＷ２ｍ （第２図
（ｇ） 〜（ｉ）参照）が上述したスイッチ５Ｗ１１〜
ＳＷ１ｍと同様にオンオフ制御されるとともにこれに同
期してスイッチＳＣ２がオンオフ制御され、ブロックＢ
Ｌ２の走査がなされる。
タイミングで、ブロックＢＬＩを選択するスイッチＳＬ
Ｉがオフされると同時に次のブロックＢＬ２を選択する
スイッチＳＬ２がオンされ（第２図（ｂ）参照）、ブロ
ックＢＬ２の各スイッチ５Ｗ２１〜ＳＷ２ｍ （第２図
（ｇ） 〜（ｉ）参照）が上述したスイッチ５Ｗ１１〜
ＳＷ１ｍと同様にオンオフ制御されるとともにこれに同
期してスイッチＳＣ２がオンオフ制御され、ブロックＢ
Ｌ２の走査がなされる。
ブロックＢＬ２の最後のスイッチＳＷ２ｍがオフされる
タイミングで、ブロックＢＬ２を選択するスイッチＳＬ
２がオフされると同時に次のブロックＢＬ３を選択する
スイッチＳＬ３がオンされ（第２図（ｃ）参照）、ブロ
ックＢＬ３の走査がなされる。
タイミングで、ブロックＢＬ２を選択するスイッチＳＬ
２がオフされると同時に次のブロックＢＬ３を選択する
スイッチＳＬ３がオンされ（第２図（ｃ）参照）、ブロ
ックＢＬ３の走査がなされる。
そしてこの後、順次各ブロックＢＬ４〜ＢＬｎがスイッ
チＳＬ４〜ＳＬｎで選択されるとともに走査され、これ
によって１ライン分の画信号ｖａが順次出力される。
チＳＬ４〜ＳＬｎで選択されるとともに走査され、これ
によって１ライン分の画信号ｖａが順次出力される。
さて、比較のために従来装置において１つのフォトダイ
オードに対応した画信号の波形を第２図（４に、示す。
オードに対応した画信号の波形を第２図（４に、示す。
この場合、充電時間ｔ２は第２図（ｋ）に示した本実施
例での充電時間ｔ１よシ約２倍になシ、シたがって、本
発明による走査時間短縮の効果が大きいことがわかる。
例での充電時間ｔ１よシ約２倍になシ、シたがって、本
発明による走査時間短縮の効果が大きいことがわかる。
なお、各スイッチＳＬ１〜５Ｌｎ１ＳＣ１〜５Ｃｎ１謂
Ｈ〜ＳＷｎｍには半導体スイッチング素子等を用いるこ
′とができる。また、第２図（ａ）〜（ｊ） Ｖ
４おいては、図の低レベルがスイッチのオン状態全あら
れし、高レベルがスイッチのオフ状態を示している。
Ｈ〜ＳＷｎｍには半導体スイッチング素子等を用いるこ
′とができる。また、第２図（ａ）〜（ｊ） Ｖ
４おいては、図の低レベルがスイッチのオン状態全あら
れし、高レベルがスイッチのオフ状態を示している。
ところで、上述した実施例では各ブロックＢＬｌ〜ＢＬ
ｎ−ｔ７選択された受光セル（フォトダイオードＰＤ）
を急速充電するためのスイッチＳＣ１〜ＳＣｎを全て同
タイミングで作動しているが、各々のスイッチＳＣＩ
〜Ｓ９ｎ ’ｆ−それぞれスイッチＳＬ１〜ＳＬｎと同
期して作動させてもよい。
ｎ−ｔ７選択された受光セル（フォトダイオードＰＤ）
を急速充電するためのスイッチＳＣ１〜ＳＣｎを全て同
タイミングで作動しているが、各々のスイッチＳＣＩ
〜Ｓ９ｎ ’ｆ−それぞれスイッチＳＬ１〜ＳＬｎと同
期して作動させてもよい。
〔効果〕 。
以上説明したように、本発明によれば、受光セルを急速
充電するため１の充電手段を設けているため受光セルの
充電時間が短かくなりて１ラインの走査にかかる時間が
大幅に短縮するという利点を得る。 ′
充電するため１の充電手段を設けているため受光セルの
充電時間が短かくなりて１ラインの走査にかかる時間が
大幅に短縮するという利点を得る。 ′
第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第２図（ａ
）〜（ｋ）は第１図に示した装置の動作を示した波形図
、第２図（４は比較のために画信号の従来例を示した波
形図、第３図はイメージ、センサの基本構成を示す等価
回路図、第４図は画像読取装置の従来例を示したブロッ
ク図、第５図（ａ）〜（ｊ）は第４図に示した装置の動
作を示す波形図である。 ＰＤ・・・フォトダイオード、ＢＬ１〜ＢＬｎ・・・ブ
ロック、ＡＭ１〜ＡＭｎ・・・アンプ、ＳＣ１〜５Ｃｎ
ｌＳＬ１〜ＳＬｎ ＃ ５ＷＩＩ 〜、ＳＷｎｍ ＝−
スイッチ、Ｒ１〜Ｒｎ−抵抗Ｏ
）〜（ｋ）は第１図に示した装置の動作を示した波形図
、第２図（４は比較のために画信号の従来例を示した波
形図、第３図はイメージ、センサの基本構成を示す等価
回路図、第４図は画像読取装置の従来例を示したブロッ
ク図、第５図（ａ）〜（ｊ）は第４図に示した装置の動
作を示す波形図である。 ＰＤ・・・フォトダイオード、ＢＬ１〜ＢＬｎ・・・ブ
ロック、ＡＭ１〜ＡＭｎ・・・アンプ、ＳＣ１〜５Ｃｎ
ｌＳＬ１〜ＳＬｎ ＃ ５ＷＩＩ 〜、ＳＷｎｍ ＝−
スイッチ、Ｒ１〜Ｒｎ−抵抗Ｏ
Claims (1)
- ラインイメージセンサ内に一列に配置されている複数個
の受光セルを所定数のブロックに分割し、順次各ブロッ
クを選択するとともに選択したブロック内の受光セルを
順次駆動して画信号を出力する画像読取装置において、
選択された受光セルを急速充電する充電手段を各ブロッ
クにそれぞれ設け、受光セルからの信号読出期間終了後
に上記充電手段を作動して当該受光セルを急速充電する
ことを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16890884A JPS6148269A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 画像読取装置 |
| DE19853525572 DE3525572A1 (de) | 1984-07-18 | 1985-07-17 | Bildleser fuer eine bildverarbeitungseinrichtung |
| US06/756,314 US4646155A (en) | 1984-07-18 | 1985-07-18 | Image reader for image processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16890884A JPS6148269A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148269A true JPS6148269A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15876790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16890884A Pending JPS6148269A (ja) | 1984-07-18 | 1984-08-14 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148269A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6359254A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 | Nippon Denso Co Ltd | 一次元イメ−ジセンサ装置 |
| JPH0235876A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Sony Corp | ラインセンサ |
| JP2010032211A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックグロープラグ及びそのシリンダヘッドへの取付け構造 |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP16890884A patent/JPS6148269A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6359254A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 | Nippon Denso Co Ltd | 一次元イメ−ジセンサ装置 |
| JPH0235876A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Sony Corp | ラインセンサ |
| JP2010032211A (ja) * | 2009-11-11 | 2010-02-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックグロープラグ及びそのシリンダヘッドへの取付け構造 |
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