JPS6145222A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6145222A JPS6145222A JP59167045A JP16704584A JPS6145222A JP S6145222 A JPS6145222 A JP S6145222A JP 59167045 A JP59167045 A JP 59167045A JP 16704584 A JP16704584 A JP 16704584A JP S6145222 A JPS6145222 A JP S6145222A
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- Japan
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- liquid crystal
- insulator
- crystal display
- display device
- mim element
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶表示装置に関する。本発明は特にＭＩＭ素
子を各表示画素毎に設ける事により、マルチプレックス
駆動特性を向上させた液晶表示装置に関する。
子を各表示画素毎に設ける事により、マルチプレックス
駆動特性を向上させた液晶表示装置に関する。
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置は公知であり、例えば
特開昭５５−１６１２７３号公報に原理や効果、製造方
法等が記載されている。
特開昭５５−１６１２７３号公報に原理や効果、製造方
法等が記載されている。
従来のＭＩＭ素子を設置した基板の概略を第１図に示す
。１は基板である。２は、Ｍ 工Ｍ素子の第１の金属で
、同一ラインの配線および外部ドライバー回路との接続
端子を兼ねている。３はＭＩＭ素子の絶縁体であり、Ｍ
ＩＭ素子の第１の金属２の端子を除いた部分の表面に形
成されている。４はＭＩＭ素子の＠２の金属で、ＭＩＭ
素子の絶縁体３と交わるように形成されている。すなわ
ち、ＭＩＭ素子の絶縁体３とＭｘＭ素子の第２の金属４
の交わりた部分がＭｔＭ素子となる。５は透明画素電極
で、ＭＩＭ素子と電気的に直列になる様に形成されてい
る。
。１は基板である。２は、Ｍ 工Ｍ素子の第１の金属で
、同一ラインの配線および外部ドライバー回路との接続
端子を兼ねている。３はＭＩＭ素子の絶縁体であり、Ｍ
ＩＭ素子の第１の金属２の端子を除いた部分の表面に形
成されている。４はＭＩＭ素子の＠２の金属で、ＭＩＭ
素子の絶縁体３と交わるように形成されている。すなわ
ち、ＭＩＭ素子の絶縁体３とＭｘＭ素子の第２の金属４
の交わりた部分がＭｔＭ素子となる。５は透明画素電極
で、ＭＩＭ素子と電気的に直列になる様に形成されてい
る。
第２図は第１図の一部の拡大図である。また第３図は、
第２図の線αにおける断面図である。第２図、第５図よ
り、個々のＭＩＭ素子の構造がよく理解できる。
第２図の線αにおける断面図である。第２図、第５図よ
り、個々のＭＩＭ素子の構造がよく理解できる。
従来の例では、ＭＩＭ素子の絶縁体として陽極酸化によ
って作られた五酸化タンタルの膜が用いられている。陽
極酸化法による五酸化メンタル膜を用いたＭＩＭ素子は
その作成時の面積が大きくなればなる程、特性のばらつ
きを実用上問題のないレベル以下におさえる事が難かし
くなる。一方ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置は一般に
表示画素数が多く、そのため画面の面積が大きい。従っ
て、従来の方法は歩留まりが悪く、製造コストが高くな
るという欠点があった。
って作られた五酸化タンタルの膜が用いられている。陽
極酸化法による五酸化メンタル膜を用いたＭＩＭ素子は
その作成時の面積が大きくなればなる程、特性のばらつ
きを実用上問題のないレベル以下におさえる事が難かし
くなる。一方ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置は一般に
表示画素数が多く、そのため画面の面積が大きい。従っ
て、従来の方法は歩留まりが悪く、製造コストが高くな
るという欠点があった。
本発明は、表示画面の面積が大きい場合でもＭＩＭ素子
の特性のばらつきがほとんど生じない、新しいＭＩＭ素
子を用いる事によ′って、歩留りをあげ、安価な液晶表
示装置を作る事を目的としている。
の特性のばらつきがほとんど生じない、新しいＭＩＭ素
子を用いる事によ′って、歩留りをあげ、安価な液晶表
示装置を作る事を目的としている。
本発明の液晶表示装置は、ＭＩＭ素子の絶縁体として、
有機物よりなる薄膜を用いる事を特徴としている。
有機物よりなる薄膜を用いる事を特徴としている。
〔実施例１〕
本発明の液晶表示装置に用いるＭＩＭ素子の絶縁体の具
体例の一つは、両親媒性の有機物を用いた累積膜である
。例えばステアリン酸や、パルミチン酸などの脂肪酸を
、ラングミエア・プロジェット法により累積膜化したも
のなどである。
体例の一つは、両親媒性の有機物を用いた累積膜である
。例えばステアリン酸や、パルミチン酸などの脂肪酸を
、ラングミエア・プロジェット法により累積膜化したも
のなどである。
ラングミエア・プロジェット法による累積膜（以下′Ｌ
Ｂ膜と略記する〕の手法は公知であり、例えば、「化学
と工業」誌第３６巻第８号７８〜８０ページに記載され
ている。
Ｂ膜と略記する〕の手法は公知であり、例えば、「化学
と工業」誌第３６巻第８号７８〜８０ページに記載され
ている。
ＬＢ膜を絶縁体としたＭＩＭ素子の断面図を第４図に示
した。第４図は従来の例の第３図に対応した図である。
した。第４図は従来の例の第３図に対応した図である。
第４図のＭＩＭ素子の製造法を以下に説明する。まず基
板１の表面に、第１の金属となる金属層を形成する。用
いる金属としては銅、アルミニウム、タンタル、クロム
、ニッケル、金等のうち、少くとも一種類、あるいはこ
れらの金属を含む合金が用いられる。金属層の形成法と
しては、真空蒸着かスパッタリングか一般的であるが、
必ずしもこれらの方法に限らない。
板１の表面に、第１の金属となる金属層を形成する。用
いる金属としては銅、アルミニウム、タンタル、クロム
、ニッケル、金等のうち、少くとも一種類、あるいはこ
れらの金属を含む合金が用いられる。金属層の形成法と
しては、真空蒸着かスパッタリングか一般的であるが、
必ずしもこれらの方法に限らない。
第１の金属層が形成されたら、これを所定の形状に加工
しなければならない。所定の形状というツバ、例えば第
１図に示された第１の金Ｊ＠２のような形状のことであ
る。この加工は通常フォトリソグラフィーによって行な
われる。
しなければならない。所定の形状というツバ、例えば第
１図に示された第１の金Ｊ＠２のような形状のことであ
る。この加工は通常フォトリソグラフィーによって行な
われる。
第１の金属の加工が終ったら、ＭＩＭ素子の絶縁体３の
形成を行う。本実施例では前記したように、絶縁体とし
てＬＢ膜を用いる。ＬＢＭは基板全面に形成されるので
、＠４図３に示されたようＩ Ｋ４６・１１°、！：
５Ｋｂｇｌ＠は４”“８ゝ５゛の下部にも形成されるが
ＴＪＢ膜の厚みは薄く、又本発明の場合形成する材料が
透明であるので表示に影響はない。ＬＢ膜の材料として
は様々のものが考えられるが、ＬＢ膜形成の手法上、全
て親水性部分と疎水性部分とを合わせ持つた両親媒性物
質となる。具体的には、パルミチン酸やステア・リン酸
などの脂肪酸が代表的なものとしてあげられる。ＬＢ膜
の形成の容易さから、炭素数が１０から４０の間の脂肪
酸が特に適している。またＬＢ膜の安定性を高めるため
、脂肪酸塩の形でＬＢ膜化する事は有効であることが知
られている。特にカドミウム塩は非常に安定した膜とな
る。
形成を行う。本実施例では前記したように、絶縁体とし
てＬＢ膜を用いる。ＬＢＭは基板全面に形成されるので
、＠４図３に示されたようＩ Ｋ４６・１１°、！：
５Ｋｂｇｌ＠は４”“８ゝ５゛の下部にも形成されるが
ＴＪＢ膜の厚みは薄く、又本発明の場合形成する材料が
透明であるので表示に影響はない。ＬＢ膜の材料として
は様々のものが考えられるが、ＬＢ膜形成の手法上、全
て親水性部分と疎水性部分とを合わせ持つた両親媒性物
質となる。具体的には、パルミチン酸やステア・リン酸
などの脂肪酸が代表的なものとしてあげられる。ＬＢ膜
の形成の容易さから、炭素数が１０から４０の間の脂肪
酸が特に適している。またＬＢ膜の安定性を高めるため
、脂肪酸塩の形でＬＢ膜化する事は有効であることが知
られている。特にカドミウム塩は非常に安定した膜とな
る。
さらにＩＩＢ膜の安定化のため、Ｋ、？ｕｋｕｄａ等、
’Ｉ’ｈｉｎ ５ｏｌｉｄ ＩＦｉｌｍ 誌ＶＯ
１９９ＰＦ８７〜９４（８３年）に記載されているよう
にＬＢ膜を構成している分子を層内で、あるいは層間で
重合させる事は非常に大きな効果を発揮する。例えば、
グリシンヘキサデシルエステルや、ｄ 、 ｔ−アミノ
オクタデシルエステル、あるいはオクタデシ、ルアクリ
レートなどのＬＢ膜にガンマ−線を照射する事によって
、層内重合、あるいは層間重合させると、できた膜は非
常に安定なものとなる ＬＢ膜の重合という手法は、ＭＩＭ素子の安定化のため
に非常に重要な手法である。七ツマー分子としては前記
したものの他にもいろいろあるが、重合法も、ガンマ−
線による重合だけでなく、電子線やエックス線、または
紫外線を照射する事により重合させる方法もある。
’Ｉ’ｈｉｎ ５ｏｌｉｄ ＩＦｉｌｍ 誌ＶＯ
１９９ＰＦ８７〜９４（８３年）に記載されているよう
にＬＢ膜を構成している分子を層内で、あるいは層間で
重合させる事は非常に大きな効果を発揮する。例えば、
グリシンヘキサデシルエステルや、ｄ 、 ｔ−アミノ
オクタデシルエステル、あるいはオクタデシ、ルアクリ
レートなどのＬＢ膜にガンマ−線を照射する事によって
、層内重合、あるいは層間重合させると、できた膜は非
常に安定なものとなる ＬＢ膜の重合という手法は、ＭＩＭ素子の安定化のため
に非常に重要な手法である。七ツマー分子としては前記
したものの他にもいろいろあるが、重合法も、ガンマ−
線による重合だけでなく、電子線やエックス線、または
紫外線を照射する事により重合させる方法もある。
以上述べたような手法により、ＬＢ膜による絶縁体２が
形成されたら、その上に第２の金属４を形成する。これ
の形成法も第１の金属の形成法と全く同様である。
形成されたら、その上に第２の金属４を形成する。これ
の形成法も第１の金属の形成法と全く同様である。
最後に表示画素と°なる透明画素電極５を形成して完成
となる。このようにして作成したＭＩＭ素子の電圧に対
する抵抗の非線形性は良好であり、これを用いて作成し
た液晶表示装置も、良好な表示品位でありた。
となる。このようにして作成したＭＩＭ素子の電圧に対
する抵抗の非線形性は良好であり、これを用いて作成し
た液晶表示装置も、良好な表示品位でありた。
〔実施例２〕
本発明の液晶表示装置に用いるＭＩＭ素子の絶縁体の作
成法の他の実施例として、スパッタリング法により形成
した有機薄膜がある。例えば、ポリエチレン、ポリアミ
ド、ポリイミドなどのターゲットを用い、高周波スパッ
タリング法により、均一な簿膜を形成できる。この方法
によるＭＩＭ素子の製造法は第１の実施例で述べたやり
方と全く同一である。
成法の他の実施例として、スパッタリング法により形成
した有機薄膜がある。例えば、ポリエチレン、ポリアミ
ド、ポリイミドなどのターゲットを用い、高周波スパッ
タリング法により、均一な簿膜を形成できる。この方法
によるＭＩＭ素子の製造法は第１の実施例で述べたやり
方と全く同一である。
〔実施例３〕
ＭＩＭ素子の絶縁体の他の作成法として、真空蒸着法が
ある。例えば、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド
等の真空蒸着により均一な薄膜が形成できる。
ある。例えば、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド
等の真空蒸着により均一な薄膜が形成できる。
〔実施例４〕
ＭＩＭ素子の絶縁体のその他の作成法として、溶液中に
溶けた高分子を析出させる事により有機薄膜を作成する
方法がある。又プラズマ重合法による有機薄膜の作成法
も均一な膜を得るのに有効な手法である。
溶けた高分子を析出させる事により有機薄膜を作成する
方法がある。又プラズマ重合法による有機薄膜の作成法
も均一な膜を得るのに有効な手法である。
以上述べたいずれの実施例による液晶表示装置も、良好
な表示特性を示した。
な表示特性を示した。
以上実施例で述べた種々の有機薄膜は、いずれの作成法
のものも、特に大きな極性基のない有機材料である。こ
のため誘電率は大体３から４程度と小さい。このため従
来の、陽極酸化法による五酸化タンタルの絶縁膜に比べ
、同一膜厚での電気容量が約１０分の１程度の非常に小
さな値になる。これはＭＩＭ素子を液晶表示装置に用い
る時間類になる、液晶部分とのインピーダンスのマツチ
ングに大きな利点となる。なぜなら、一般的にはＭＩＭ
素子の電気容量は小さいほうが有利であるからである。
のものも、特に大きな極性基のない有機材料である。こ
のため誘電率は大体３から４程度と小さい。このため従
来の、陽極酸化法による五酸化タンタルの絶縁膜に比べ
、同一膜厚での電気容量が約１０分の１程度の非常に小
さな値になる。これはＭＩＭ素子を液晶表示装置に用い
る時間類になる、液晶部分とのインピーダンスのマツチ
ングに大きな利点となる。なぜなら、一般的にはＭＩＭ
素子の電気容量は小さいほうが有利であるからである。
又仮に同−容量にした場合、本発明のほうがＭＩＭ素子
の面積が大きくできる。従って７オトリソグラフのパタ
ーン精度が従来のものよりラフでもよくなり歩留りが向
上する。
の面積が大きくできる。従って７オトリソグラフのパタ
ーン精度が従来のものよりラフでもよくなり歩留りが向
上する。
また本発明の効果の最も大きなものは、広い面積にわた
って特性の均一な絶縁体が容易に得られる事である。例
えばＬＢ膜による絶縁体の場合、累積した膜の層数によ
って膜厚は厳密に制御できる。しかもその膜厚は広い面
積の基板上のどのｉ所でも全く同一となる。ＬＢＭ以外
の手法でも同様である。
って特性の均一な絶縁体が容易に得られる事である。例
えばＬＢ膜による絶縁体の場合、累積した膜の層数によ
って膜厚は厳密に制御できる。しかもその膜厚は広い面
積の基板上のどのｉ所でも全く同一となる。ＬＢＭ以外
の手法でも同様である。
このような本発明による絶縁膜の本質的な特徴により、
広い面積にわたって特性のパラつきのないＭＩＭ素子が
歩留りよく作成できる。このため本発明による液晶表示
装置は安価に作成する事ができる。
広い面積にわたって特性のパラつきのないＭＩＭ素子が
歩留りよく作成できる。このため本発明による液晶表示
装置は安価に作成する事ができる。
第１図は従来方式のＭＩＭ素子を設置した基板の概略図
である。 第２図は第１図の部分拡大図である。 第３図は第２図の線αにおける断面図である。 第４図は本発明によるＭＩＭ素子の断面図である。 １・・・・・・基 板 ２・・・・・・ＭＩＭ素子の第１の金属、又同一ライン
の配線および外部ドライバーとの接続端子も兼ねている
。 ５・・・・・・ＭＩＭ素子の絶縁体 ４・・・・・・ＭＩＭ素子の第２の金属５・・・・・・
透明画素電極 第゛２図
である。 第２図は第１図の部分拡大図である。 第３図は第２図の線αにおける断面図である。 第４図は本発明によるＭＩＭ素子の断面図である。 １・・・・・・基 板 ２・・・・・・ＭＩＭ素子の第１の金属、又同一ライン
の配線および外部ドライバーとの接続端子も兼ねている
。 ５・・・・・・ＭＩＭ素子の絶縁体 ４・・・・・・ＭＩＭ素子の第２の金属５・・・・・・
透明画素電極 第゛２図
Claims (12)
- （１）少くとも、２枚の基板、該基板間に挾持された液
晶層、２枚の基板の液晶層と接する面上の各々に形成さ
れた透明電極の重なり部分により構成された画素群、お
よびこれらの画素の各々に作られた、金属−絶縁体−金
属の構造を有する非線形素子（以下ＭＩＭ素子と略記す
る）より構成される液晶表示装置において、ＭＩＭ素子
の絶縁体として、有機物よりなる薄膜を用いた事を特徴
とする液晶表示装置。 - （２）ＭＩＭ素子の絶縁体として、両親媒性物質の累積
膜を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示装置。 - （３）両親媒性物質として、炭素原子数が１０から４０
の間の脂肪酸、あるいは脂肪酸塩を用いた事を特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の液晶表示装置。 - （４）ＭＩＭ素子の絶縁体として、両親媒性物質の累積
膜を層内重合、あるいは層間重合させた膜を用いた事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （５）ＭＩＭ素子の絶縁体として、グリシンヘキサデシ
ルエステルや、ｄ、ｌ−アミノオクタデシルエステルや
、オクタデシルアクリレート等の累積膜を層内重合、あ
るいは層間重合させた膜を用いた事を特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の液晶表示装置。 - （６）累積膜の重合法として、累積膜にガンマー線、エ
ックス線、電子線、紫外線の少くとも一つを照射する事
により重合させる事を特徴とした特許請求の範囲第４項
又は第５項記載の液晶表示装置。 - （７）ＭＩＭ素子の絶縁体として、プラズマ開始重合に
よる配向性有機薄膜を用いた事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （８）ＭＩＭ素子の絶縁体としてスパッタリング法によ
る有機膜を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の液晶表示装置。 - （９）ＭＩＭ素子の絶縁体として真空蒸着法による有機
薄膜を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の液晶表示装置。 - （１０）ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド等の真
空蒸着による薄膜を用いた事を特徴とする特許請求の範
囲第８項又は第９項記載の液晶表示装置。 - （１１）ＭＩＭ素子の絶縁膜として溶媒中に溶けた、高
分子を析出させる事により作成した有機薄膜を用いた事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
。 - （１２）溶媒中に溶けたポリエチレン、ポリアミド、ポ
リイミドなどを析出させる事により作成した有機薄膜を
用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167045A JPS6145222A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167045A JPS6145222A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145222A true JPS6145222A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15842364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167045A Pending JPS6145222A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145222A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02831A (ja) * | 1987-12-18 | 1990-01-05 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| US5069534A (en) * | 1989-04-19 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display with series-connected MIM structures as a switching element |
| JPH04226428A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-08-17 | Canon Inc | 液晶素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646584A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-27 | Hitachi Ltd | Multilayer thin film functional element and manufacture thereof |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167045A patent/JPS6145222A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646584A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-27 | Hitachi Ltd | Multilayer thin film functional element and manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02831A (ja) * | 1987-12-18 | 1990-01-05 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| US5485294A (en) * | 1987-12-18 | 1996-01-16 | Seiko Epson Corporation | Process for producing MIM elements by electrolytic polymerization |
| US5069534A (en) * | 1989-04-19 | 1991-12-03 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display with series-connected MIM structures as a switching element |
| JPH04226428A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-08-17 | Canon Inc | 液晶素子 |
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