JPS6143850B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6143850B2 JPS6143850B2 JP54062831A JP6283179A JPS6143850B2 JP S6143850 B2 JPS6143850 B2 JP S6143850B2 JP 54062831 A JP54062831 A JP 54062831A JP 6283179 A JP6283179 A JP 6283179A JP S6143850 B2 JPS6143850 B2 JP S6143850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid composition
- silicon
- organic
- ethyl alcohol
- organic compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
一般にMOS型、あるいはバイポーラ型集積回
路素子を形成する場合、シリコン基板上に所定の
トランジスタ、ダイオード、抵抗等の素子を形成
した後、上記素子を接続するための配線が、アル
ミニウム（以下Alと略す）等の金属の蒸着によ
つてなされている。このような素子が形成された
Si基板を所定の寸法に切断するスクライブの工程
で、上記アルミニウムの蒸着膜に傷がつきやす
く、また上記Alは空気中の水分を吸着して腐蝕
するといつた問題点があつた。
路素子を形成する場合、シリコン基板上に所定の
トランジスタ、ダイオード、抵抗等の素子を形成
した後、上記素子を接続するための配線が、アル
ミニウム（以下Alと略す）等の金属の蒸着によ
つてなされている。このような素子が形成された
Si基板を所定の寸法に切断するスクライブの工程
で、上記アルミニウムの蒸着膜に傷がつきやす
く、また上記Alは空気中の水分を吸着して腐蝕
するといつた問題点があつた。
そこで上記した問題点を除去する方法として耐
水性があり、上記素子の封入容器の材料中から飛
散するα線をも遮蔽する効果があるポリミイド樹
脂を、パターニングせるAlの蒸着膜上に塗布し
たのち加熱して硬化するといつた方法がとられて
いた。
水性があり、上記素子の封入容器の材料中から飛
散するα線をも遮蔽する効果があるポリミイド樹
脂を、パターニングせるAlの蒸着膜上に塗布し
たのち加熱して硬化するといつた方法がとられて
いた。
しかし上記したポリミイド樹脂は、硬化する際
にひび割れを生じやすく、またAl配線パターン
間隙のシリコン酸化膜との密着性が悪いことから
容易にはがれるといつた難点があつた。
にひび割れを生じやすく、またAl配線パターン
間隙のシリコン酸化膜との密着性が悪いことから
容易にはがれるといつた難点があつた。
本発明は上記の欠点を除去し、ひび割れを生ず
ることなく、また電極配線パターン間隙のシリコ
ン酸化膜上に強固に被着する保護膜を用いた半導
体装置の製造方法を提供するもので、シリコン基
板上に形成せる半導体素子のアルミニウム電極配
線上に有機高分子化合物とガラス形成用有機化合
物とを含んだ液状組成物を被覆した後、加熱硬化
させることにより上記アルミニウム電極配線上に
保護被膜を形成するようにしたことを特徴とする
新規な半導体装置の製造方法を提供せんとするも
のである。
ることなく、また電極配線パターン間隙のシリコ
ン酸化膜上に強固に被着する保護膜を用いた半導
体装置の製造方法を提供するもので、シリコン基
板上に形成せる半導体素子のアルミニウム電極配
線上に有機高分子化合物とガラス形成用有機化合
物とを含んだ液状組成物を被覆した後、加熱硬化
させることにより上記アルミニウム電極配線上に
保護被膜を形成するようにしたことを特徴とする
新規な半導体装置の製造方法を提供せんとするも
のである。
本発明による保護被膜の組成は、容量比で有機
化合物としてのポリイミド樹脂を40〜80％、上記
有機化合物の希釈剤としてのジメチルアセトアミ
ドを４〜８％、ガラス形成用有機化合物としての
メチルシリケートを16〜40％、エチルアルコール
を1.6〜12％、それぞれ混合したものである。
化合物としてのポリイミド樹脂を40〜80％、上記
有機化合物の希釈剤としてのジメチルアセトアミ
ドを４〜８％、ガラス形成用有機化合物としての
メチルシリケートを16〜40％、エチルアルコール
を1.6〜12％、それぞれ混合したものである。
ここで塗布する保護被膜の厚さを約10μ以上の
厚さにするためには、容量比でポリイミド樹脂を
78.4％、ジメチルアセトアミドを４％、メチルシ
リケートを16％、エチルアルコールを1.6％混合
させて高粘度状態とし、保護被膜の厚さを約10μ
以下と薄くするためには容量比でポリイミド樹脂
を40％、ジメチルアセトアミドを８％、メチルシ
リケートを40％、エチルアルコールを12％混合し
て低粘度状態として塗布すれば良い。
厚さにするためには、容量比でポリイミド樹脂を
78.4％、ジメチルアセトアミドを４％、メチルシ
リケートを16％、エチルアルコールを1.6％混合
させて高粘度状態とし、保護被膜の厚さを約10μ
以下と薄くするためには容量比でポリイミド樹脂
を40％、ジメチルアセトアミドを８％、メチルシ
リケートを40％、エチルアルコールを12％混合し
て低粘度状態として塗布すれば良い。
上記保護膜を形成する液状の組成物を、アルミ
ニウム配線をパターニングしたシリコンウエハー
上に滴下したのち、上記ウエハーを高速回転させ
て該ウエハー上に均一に該組成物を塗布する。
ニウム配線をパターニングしたシリコンウエハー
上に滴下したのち、上記ウエハーを高速回転させ
て該ウエハー上に均一に該組成物を塗布する。
その後上記ウエハーをベーキング炉で480℃の
温度で約30分間熱処理して上記塗布した液状の組
成物を硬化させる。
温度で約30分間熱処理して上記塗布した液状の組
成物を硬化させる。
このようにして形成した保護被膜は、従来のよ
うにひび割れすることもなく、またAl電極配線
パターン間隙のシリコン酸化膜との密着性も良く
また上記被膜が耐水性を有し、放射線、特にα線
に対しての遮蔽効果を有することは、ポリイミド
樹脂単体とほとんど変わらないのでAl配線の保
護被膜として有効である。
うにひび割れすることもなく、またAl電極配線
パターン間隙のシリコン酸化膜との密着性も良く
また上記被膜が耐水性を有し、放射線、特にα線
に対しての遮蔽効果を有することは、ポリイミド
樹脂単体とほとんど変わらないのでAl配線の保
護被膜として有効である。
また上記した実施例の他に容量比でポジのホト
レジスト膜を50〜80％、ガラス形成用有機化合物
としてのメチルシリケートを19〜45％、エチルア
ルコールを１〜５％混合した混合液を前述したの
と同じように、Al配線をパターニングしたSiウエ
ハー上に塗布して約480℃で30分加熱して前記混
合液を硬化させたものを保護被膜として用いて
も、前述したポリイミド樹脂を主体とせる保護被
膜と同様な効果がある。
レジスト膜を50〜80％、ガラス形成用有機化合物
としてのメチルシリケートを19〜45％、エチルア
ルコールを１〜５％混合した混合液を前述したの
と同じように、Al配線をパターニングしたSiウエ
ハー上に塗布して約480℃で30分加熱して前記混
合液を硬化させたものを保護被膜として用いて
も、前述したポリイミド樹脂を主体とせる保護被
膜と同様な効果がある。
以上述べたように本発明の方法による保護被膜
をパターニングせるAl配線上に被着することでSi
基板のスクライブ工程でAl配線に傷が入ること
がなくなり、またAlが空気中の水分によつて腐
蝕されることもなくなる。
をパターニングせるAl配線上に被着することでSi
基板のスクライブ工程でAl配線に傷が入ること
がなくなり、またAlが空気中の水分によつて腐
蝕されることもなくなる。
更に放射線、特にα線の半導体素子への侵入を
防止することができるので、信頼度の高い半導体
装置が高歩留りで得られる利点を生ずる。
防止することができるので、信頼度の高い半導体
装置が高歩留りで得られる利点を生ずる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン基板上に形成せる半導体素子のアル
ミニウム電極配線、もしくは該基板上に形成せる
シリコン酸化膜上に有機高分子化合物とガラス形
成用のシリコンアルコキシドからなる有機化合物
とを含んだ液状組成物を被覆した後、加熱硬化さ
せることにより上記アルミニウム電極配線、もし
くは上記シリコン酸化膜上に保護被膜を形成する
半導体装置の製造方法に於いて、上記液状組成物
が容量比で有機高分子化合物としてのポリイミド
樹脂を40〜80％、上記有機高分子化合物の希釈剤
としてのジメチルアセトアミドを４〜８％、ガラ
ス形成用のシリコンアルコキシドからなる有機化
合物としてのメチルシリケートを16〜40％、エチ
ルアルコールを1.6〜12％それぞれ混合したもの
であるか、もしくは上記液状組成物が容量比でポ
ジのホトレジストを50〜80％、ガラス形成用のシ
リコンアルコキシドからなる有機化合物としての
メチルシリケートを19〜45％、エチルアルコール
を１〜５％混合した混合液であることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 ２ 上記加熱硬化を480℃の熱処理で行なう第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6283179A JPS55154751A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6283179A JPS55154751A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154751A JPS55154751A (en) | 1980-12-02 |
| JPS6143850B2 true JPS6143850B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13211651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6283179A Granted JPS55154751A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154751A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211243A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60246652A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Nec Corp | 平坦化導電体配線の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940077A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-15 | ||
| JPS53140973A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of semiconductor insulation film |
-
1979
- 1979-05-22 JP JP6283179A patent/JPS55154751A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940077A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-15 | ||
| JPS53140973A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of semiconductor insulation film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154751A (en) | 1980-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5145723A (en) | Process for coating a substrate with silica | |
| US5114757A (en) | Enhancement of polyimide adhesion on reactive metals | |
| US5043789A (en) | Planarizing silsesquioxane copolymer coating | |
| JP3543669B2 (ja) | 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法 | |
| US3928225A (en) | Glass forming mixture with boron as the doping material for producing conductivity zones in semiconductor bodies by means of diffusion | |
| JPS6143850B2 (ja) | ||
| US4868096A (en) | Surface treatment of silicone-based coating films | |
| JPS5893240A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07157537A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0925179A (ja) | シリカと金の付着方法 | |
| JPS6338381B2 (ja) | ||
| JP2001106768A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPS62122133A (ja) | 溶液塗布による薄膜の形成方法 | |
| US4038430A (en) | Protection of glass from aqueous attack | |
| EP0849240A1 (en) | Method of producing low dielectric ceramic-like materials | |
| JPS6232163A (ja) | 接着剤及び接着方法 | |
| JPS60247947A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6376335A (ja) | 半導体装置の絶縁膜形成方法 | |
| EP0857705B1 (en) | Method of producing coatings on electronic substrates | |
| JPH0460143B2 (ja) | ||
| JP2894565B2 (ja) | 接着性耐熱コーティング剤 | |
| JPH0673339A (ja) | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 | |
| JPH0456134A (ja) | スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤 | |
| JPH03111470A (ja) | 接着方法 | |
| JPS6450533A (en) | Wiring board |