JPS6143293Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6143293Y2 JPS6143293Y2 JP2466880U JP2466880U JPS6143293Y2 JP S6143293 Y2 JPS6143293 Y2 JP S6143293Y2 JP 2466880 U JP2466880 U JP 2466880U JP 2466880 U JP2466880 U JP 2466880U JP S6143293 Y2 JPS6143293 Y2 JP S6143293Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- transistor
- variable capacitance
- capacitance element
- semiconductor variable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 37
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電子チユーナの局部発振回路の半導体
可変容量素子に重畳される発振電圧を低くおさ
え、トラツキングエラーを軽減させる事を目的と
した発振回路に関する。
可変容量素子に重畳される発振電圧を低くおさ
え、トラツキングエラーを軽減させる事を目的と
した発振回路に関する。
最近アンテナ同調回路及び局部発振回路に半導
体可変容量素子を用いた電子チユーナが広く使用
されてきたが、前記半導体可変容量素子に大きな
高周波電圧を重畳させたとき、第2図曲線Aで示
す如く変曲点が生じる。この変曲点はトラツキン
グエラーとして受信機の感度減衰をまねくばかり
でなく、選択度及びスプリアス特性も悪くする。
斯る欠点を除去させるため、発振回路全体の発振
電圧を低くおさえ、半導体可変容量素子に加えら
れる高周波電圧も低くすることが考えられるが、
使用するトランジスタの周波数特性のバラツキに
よる安定性に問題が生じ、又、集積回路を用いた
場合は発振強度が定められているので、発振電圧
を低くできないことがある。
体可変容量素子を用いた電子チユーナが広く使用
されてきたが、前記半導体可変容量素子に大きな
高周波電圧を重畳させたとき、第2図曲線Aで示
す如く変曲点が生じる。この変曲点はトラツキン
グエラーとして受信機の感度減衰をまねくばかり
でなく、選択度及びスプリアス特性も悪くする。
斯る欠点を除去させるため、発振回路全体の発振
電圧を低くおさえ、半導体可変容量素子に加えら
れる高周波電圧も低くすることが考えられるが、
使用するトランジスタの周波数特性のバラツキに
よる安定性に問題が生じ、又、集積回路を用いた
場合は発振強度が定められているので、発振電圧
を低くできないことがある。
本考案は斯る欠点を除去した発振回路を提供す
るもので、以下図面に従つて説明をする。
るもので、以下図面に従つて説明をする。
1,2は発振トランジスタ、3は一次巻線4及
び二次巻線8とを有する発振トランスで、前記二
次巻線8の一端9にはコンデンサー15を介し半
導体可変容量素子11が接続され、二次巻線8、
コンデンサー14,15、及び半導体可変容量素
子11にて同調回路を形成し定められた周波数の
高周波信号に同調される。又前記二次巻線8の中
間タツプ7は前記端子9に加えられる高周波電圧
を低く抑圧するための抵抗5及びコンデンサー6
を介し発振トランジスタ1の出力端子に接続され
ている。前述において二次巻線8の端子9に加え
られる高周波電圧を低く抑圧するため抵抗5を接
続したが、中間タツプ7と端子9及び端子10と
の巻数比を選択することによつて前記抵抗5を省
略することもできる。12は前記半導体可変容量
素子11のチユーニング電圧源、13はベースが
発振用トランス3の一次巻線4に、コレクタが発
振用トランジスタ2のベースに接続された帰還用
トランジスタである。
び二次巻線8とを有する発振トランスで、前記二
次巻線8の一端9にはコンデンサー15を介し半
導体可変容量素子11が接続され、二次巻線8、
コンデンサー14,15、及び半導体可変容量素
子11にて同調回路を形成し定められた周波数の
高周波信号に同調される。又前記二次巻線8の中
間タツプ7は前記端子9に加えられる高周波電圧
を低く抑圧するための抵抗5及びコンデンサー6
を介し発振トランジスタ1の出力端子に接続され
ている。前述において二次巻線8の端子9に加え
られる高周波電圧を低く抑圧するため抵抗5を接
続したが、中間タツプ7と端子9及び端子10と
の巻数比を選択することによつて前記抵抗5を省
略することもできる。12は前記半導体可変容量
素子11のチユーニング電圧源、13はベースが
発振用トランス3の一次巻線4に、コレクタが発
振用トランジスタ2のベースに接続された帰還用
トランジスタである。
次に本考案の動作について説明をすると、発振
用トランジスタ1,2にて増幅された高周波信号
は抵抗5、コンデンサー6を通つて発振用トラン
ス3の中間タツプ7に加えられる。前記中間タツ
プ7に加えられた高周波信号は二次巻線8のイン
ダクタンス、コンデンサー14,15の容量及び
そのときの半導体可変容量素子11の容量で定ま
る共振周波数と同周波数を有するもののみが一次
巻線4に伝えられ、さらに帰還用トランジスタ1
3で増幅され、その一部は出力端子17より取出
され、残部はコンデンサー16を介して発振用ト
ランジスタ2のベースに帰還される。帰還された
高周波信号は再び発振用トランジスタ1,2で増
幅され、前述と同様発振トランス3に加えられる
ので発振動作を行う。ところで半導体可変容量素
子11には発振トランス3の端子9の高周波信号
が加えられるが、前述の如く抵抗5によつて、又
はタツプ7間の巻線比を選択し前記高周波信号を
低く抑えてあるので、第2図曲線Bで示す如く変
曲点を生じない。しかも一次巻線4への伝達後、
帰還用トランジスタ13で増幅しているので、発
振用トランジスタ1,2には大きな帰還信号が加
えられる。
用トランジスタ1,2にて増幅された高周波信号
は抵抗5、コンデンサー6を通つて発振用トラン
ス3の中間タツプ7に加えられる。前記中間タツ
プ7に加えられた高周波信号は二次巻線8のイン
ダクタンス、コンデンサー14,15の容量及び
そのときの半導体可変容量素子11の容量で定ま
る共振周波数と同周波数を有するもののみが一次
巻線4に伝えられ、さらに帰還用トランジスタ1
3で増幅され、その一部は出力端子17より取出
され、残部はコンデンサー16を介して発振用ト
ランジスタ2のベースに帰還される。帰還された
高周波信号は再び発振用トランジスタ1,2で増
幅され、前述と同様発振トランス3に加えられる
ので発振動作を行う。ところで半導体可変容量素
子11には発振トランス3の端子9の高周波信号
が加えられるが、前述の如く抵抗5によつて、又
はタツプ7間の巻線比を選択し前記高周波信号を
低く抑えてあるので、第2図曲線Bで示す如く変
曲点を生じない。しかも一次巻線4への伝達後、
帰還用トランジスタ13で増幅しているので、発
振用トランジスタ1,2には大きな帰還信号が加
えられる。
尚半導体可変容量素子11の容量値は選局する
ため、チユーニング電圧源12のチユーニング電
圧を変化することによつて変化され、前記共振周
波数が変えられるから、全体の発振周波数も変化
される。
ため、チユーニング電圧源12のチユーニング電
圧を変化することによつて変化され、前記共振周
波数が変えられるから、全体の発振周波数も変化
される。
本考案の発振回路は上述した如く、発振用トラ
ンジスタから発振用トランスに加えられる高周波
信号を低圧としたので、半導体可変容量素子には
低圧の高周波信号のみしか加えられない故、変曲
点を生じることがない。又発振用トランジスタに
帰還される帰還用の高周波信号は帰還用トランジ
スタで増幅されるので、発振用トランジスタには
十分大なる帰還信号が得られる。
ンジスタから発振用トランスに加えられる高周波
信号を低圧としたので、半導体可変容量素子には
低圧の高周波信号のみしか加えられない故、変曲
点を生じることがない。又発振用トランジスタに
帰還される帰還用の高周波信号は帰還用トランジ
スタで増幅されるので、発振用トランジスタには
十分大なる帰還信号が得られる。
第1図は本考案の発振回路図、第2図は半導体
可変容量素子の容量と印加電圧の関係を示す特性
図である。 1,2……発振用トランジスタ、3……発振用
トランス、4……一次巻線、5……抵抗、7……
中間タツプ、8……二次巻線、11……半導体可
変容量素子。
可変容量素子の容量と印加電圧の関係を示す特性
図である。 1,2……発振用トランジスタ、3……発振用
トランス、4……一次巻線、5……抵抗、7……
中間タツプ、8……二次巻線、11……半導体可
変容量素子。
Claims (1)
- 帰還電圧を増幅し出力する発振用トランジス
タ、一次巻線と半導体可変容量素子を含む同調回
路を有し且つ中間タツプが抵抗を介してあるいは
巻線比を調整し前記発振用トランジスタの出力電
極に接続された二次巻線とを備える発振用トラン
スと、入力電極が前記発振用トランスの一次巻線
に接続され出力電極が発振用トランジスタの入力
電極に接続された帰還用トランジスタとよりなる
発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2466880U JPS6143293Y2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2466880U JPS6143293Y2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56125616U JPS56125616U (ja) | 1981-09-24 |
JPS6143293Y2 true JPS6143293Y2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=29620736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2466880U Expired JPS6143293Y2 (ja) | 1980-02-26 | 1980-02-26 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6143293Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-02-26 JP JP2466880U patent/JPS6143293Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56125616U (ja) | 1981-09-24 |
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