JPS6143155A - シクロヘキノン誘導体、その製造法及び該化合物を有効物質として含有する除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野： 本発明は、シクロヘキセノン誘導体、その製造法及び該
化合物を有効物質とし工含有する除草剤に関する。

従来技術ニ ジクロヘキセノン誘導体を濶葉の栽培植物中の望ましか
らぬイネ科植物を防除するために使用することは、公知
である（ドイツ連邦共和国特許出願公開第２４３９１０
４号明細書）。更に、５位にパラ置換すれたフェニル環
を有するシクロヘキセノン−１−オン誘導体がトウモロ
コシ及びコムギ中のイネ科植物の雑草を防除することは
、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３２４８５５４号明
細書から公知である。

作用： ところで、式（■）： 〔式中、 Ｒ１ハ水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、メチル基又はシアノ基を異わし、ＲＱｔ　１
〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ３は１〜４個のＣ−原子を令するアルキル基、３もし
くは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしくは
４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を有する
ハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし、 Ｒ４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を令するアルキ
ル基を辰わし、 Ｒ５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を有
する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原子
な市するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアルキ
ルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくは
アルコキシによつ℃置換されていてもよいベンゾイル基
、アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル
基、フェノキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル
基、Ｎ、Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アルキル
カルバモイル基、シクロアルキル基中に５〜８個のＣ−
原子を弔するＮ−シクロアルキルカルバモイル基、Ｎ−
アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイル基、ニトロ、ハ
ロゲン、アルキル、アルコキシもしくはハロアルキルに
よって置換されていテモよいＮ−フェニルカルバモイル
基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基、
ノ１０ゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
ファモイル基、Ｎ、Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシルー
Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ノ・ロ
ゲン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はア
ルコキシオキサリル基を表わし、 Ｒ６はアルキル基、ノ・ロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
基又はアミノ基を衣わす〕で示されるシクロヘキセノン
誘導体及びこの化合物の塩は、特にイネ科植物（Ｇｒａ
ｍｌｎａｅｒ）からの種類に対して、良好な除草作用を
有することが見い出された。この化合物は、濶葉の栽培
植物におい１ならびにイネ科植物に数えられない単子葉
植物において認容性であると同時に選択性である。更Ｋ
、その中の幾つかの化合物は、コムギ及びイネのような
栽培用のイネ科植物におい又も選択的に挙動し、同時に
望ましからぬイネ科植物を防除する。

式（１）のシクロヘキセノン誘導体は、特許請求の範囲
によって全部包含される多数の形で生じることができる
： 式（１）中で、１１は、水素原子、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、メチル基又はシアン基を懺
わし、この場合には、水素原子が好ましい。

式（１）中で、Ｂ２は、１〜４個のＣ−原子を有する非
分枝鎖状又は分枝鎖状アルキル基、ｊなわちメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、第ニブチル基、イソブチル基、第三ブチル基を表
わす。２又は３個のＣ−原子なＭするアルキル基は好ま
しい。

式（１）中のＲ３に対する基は、グロノくルギル、１〜
４個のＣ−原子なＭするアルキル、３もしくは４個のＣ
−原子を令するアルケニル又は３個までのハロゲン置換
分を金層するアルキル基は好ましい０ 式（１）中のＲ３に対する基＆工、グロノくルギル、１
〜４個のＣ−原子を有するアルキル、３もしくは４個の
Ｃ−原子を壱するアルケニル又は３個までのハロゲン置
換分を含有することができる３もしくは４個のＣ−原子
を壱するノ〜ロゲン化アルケニル、％にクロルアルケニ
ル、例えはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−フｆｌＬ’、第ニブチル、イソブチル、第三ブ
チル、アリル、ｌ−クロルプロプ−１−エン−３−イル
、２−クロルプロプ−１−エン−３−イル、１．３−ジ
ク゛ロルプロプー１−エンー３−イル、１．１．２−ト
リクロルプロプ−１−エン−３−イルである。

式（１）中のＲ４に対する基は、水素原子であるか又は
１〜４個のＣ−原子を令するアルキル、すなわちメチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第ニ
ブチル、イソブチル、第三ブチルであり、この場合には
、水素原子が好ましい。

式（１）中の８５は、水素原子、アルキル基、２〜８個
のＣ−原子を１する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜
７個のＣ−原子を１゛するシクロアルキルカルボニル基
、３〜７個のＣ−原子な市するメトキシアルキルカルボ
ニル基、ニトロ、ハロゲン、アルチルもしくはアルコキ
シによつ″１：置換され又いてもよいベンゾイル基、ア
ルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、
フェノキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、
ＮＩＮ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アルキルカル
バモイル基、シクロアルキル基中に５〜８個のＣ−原子
を有するＮ−７クロアルキルカルバモイル基、Ｎ−フル
フキシーＮ−フルキルカルバモイル基、ニトロ、ハロゲ
ン、アルキル、アルコキシもしくはハロアルキルによっ
て置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイル基、
アルキルスルホニル基、２〜４個のＣ−原子をＭするア
ルケニルスルホニル基、ハロゲン化アルキルスルホニル
基、２〜４個のＣ−原子を肴するノ・ロゲン化アルケニ
ルスルホニル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ、
Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、アシル基中に２〜５
個のＣ−原子を市するＮ−アシル−Ｎ−アルキルスルフ
ァモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メトキシカルボニルス
ルファモイル基、ジアルコキシホスホリル基、ジアルコ
キシチオホスホリル基、２〜５個のＣ−原子を有する２
−ハロゲン化アルカノイル基、アシル基中に２〜４個の
Ｃ−原子を１するアシルオキシアセチル基、アルコキシ
オキサリル基な表わし、この場合には、水素原子、２〜
８個のＣ−原子を１する脂肪族アシル基及ヒ二トロ、ハ
ロゲン、アルキル又はアルコキシによつ℃置換されてい
又もよいベンゾイル基が好ましい。特に好ましいのは、
水素原子、アセチル基及びベンゾイル基である。

式（１）中のＲ６は、オルト−、メタ−又はパラ位にあ
り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、それぞれ４個までの
炭素原子を有するアルキル基、アルコキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アルキニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
ルキルスルフィニル基又はアルキルスルホニル基、ニト
ロ基、アミノ基を我わし、この場合には、ハロゲン原子
、殊に弗素原子又は塩素原子が好ましい。

Ｒ６及びＲ６に対するアルキル基ならびにＢＳ及びＲ６
に対して記載された基中のアルキル基及びアルコキシ基
は、非分枝鎖状又は分枝鎖状であることができ、伺も別
記しない限り、１〜４個のＣ−原子を有し、すなわちア
ルキル基又はアルコキシ基には、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、れ−ブチル基、第ニ
ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソブトキシ基、ｎ−
ブトキシ基、イソブトキシ基、第二ブトキシ基及び第三
ブトキシ基が該当する。

Ｒ５の例は、水素原子、メチル基、エチル基、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ホルミ
ル基、シクロプロピルカルボニル基、シクロペンチルカ
ルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、メトキシア
セチル基、２−メトキシプロピオニル基、３−メトキシ
プロピオニル基、ベンゾイル基、３−ニトロベンソイル
基、２−１０ルペンゾイル基、４−メチルベンゾイル基
、４−メトキシベンゾイル基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、
フェノキシカルボニル基、メチルチオカルボニル基、エ
チルチオカルボニル基、イソプロピルチオカルボニルＭ
、Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ−メチルカルバ
モイル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイル基、Ｎ−メ
トキシ−Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−（４−ニトロ
フェニル）−カルバモイルｆｉ、Ｎ−（２−クロルフェ
ニルクーカルバモイル基、Ｎ−（３−メチルフェニル）
−カルバモイル基、Ｎ−（３−メトキ７フェニル）−カ
ルバモイル基、Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ、Ｎ−
ジメチルスルファ七イル基、Ｎ、Ｎ−ジエチルスルファ
モｆイルＭ、Ｎ−アセチル−Ｎ−メチルスルファそイル
基、Ｎ−ブチリル−Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−
メトキシカルボニル−Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ
−イソプロピル−Ｎ−メトキシカルボニルスルファモイ
ル基、メチルスルホニル基、クロルメチルスルホニル基
、トリフルオルメチルスルホニル基、プロプ−２−エン
−イルスルホニルｆｉ％　２．３ｔ３−トリクロルプロ
プ−２−エン−イルスルホニル基、ジェトキシホスホリ
ル基、ジェトキシチオホスホリル基、クロルアセチル基
、２−ブロムプロピオニル基、アセトキシアセチル基、
エトキシオキサリル基である。

Ｒ６０例は、メチル基、エチル基、れ−プロピル基、ｎ
−ブチル基、イソプロピル基、第ニブチル基、イソブチ
ル基、第三ブチル基、弗素原子、塩素原子、沃素原子、
ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキ
シ基、第二ブトキシ基、第三ブトキシ基、アリルオキシ
基、プロプ−２−イニルオキシ基、メチルチオ基、エチ
ルチオ基、メチルスルフィニル基、エチルスルフィ、ニ
ル基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ニト
ロ基、アミノ基である。

式（１）の化合物の塩としては、農業にＭ用な塩、例え
ばアルカリ金属塩、殊にカリウム−又はナトリウム塩、
アルカリ土類金属塩、殊にカルシウム−、マグネ７ウム
ー又はバリウム塩ならびにマンガン−１銅−１亜鉛−又
は鉄塩、ならびにアンモニウム塩及びホスホニウム塩、
例えばアルキルアンモニウム−、ジアルキルアンモニウ
ム−、トリアルキル−又はテトラアルキルアンモニウム
塩、ベンジルトリアルキルアンモニウム！、トリフェニ
ルホスホニウム塩、トリアルキルスルホニウム［Ｘはト
リアルキルスルホオキソニウム塩がこれに該当する。

式（１）の除草作用を弔するシクロヘキセノン誘導体は
、式（■）： 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、ＢＳ及びＲ６はそれぞれ前
記のものを我わす〕で示されるトリカルボニル化合物を
、アンモニウム化合物Ｂ３０−ＮＨ，Ｙ　　（但し、Ｒ
３は前記のものを衣わし、Ｙはアニオンを懺わす）と反
応させることによって得ることができる。

この反応は、有利に不均一相中で不活性の希釈剤中で０
℃〜８０℃の間又は０℃と反応混合物の沸点との間の温
度で塩基の存在下に実施される。適当な塩基は、例えば
アルカリ金属又はアルカリ土類金＾、殊にナトリウム、
カリウム、マグネシウム、カルシウムの炭酸塩、炭酸水
素塩、酢酸塩、アルコラード、水酸化物又は酸化物であ
る。更ζピリジン又は第三アミンのような自機塩基を使
用することもできる。

この反応は、２〜９のｐｉｉ範囲内、殊に４．５〜５．
５のｐｇ範囲内で特に良好に進行する。ｐＨ範囲の調節
は、酢酸塩、例えばアルカリ金属酢酸塩、殊に酢酸ナト
リウムもしくは酢酸カリウム又は双方の塩からの混合物
を添加することによって行なうのが好ましい。アルカリ
金属酢酸塩は、式：　Ｒ”０−ＮＨ５Ｙ（但し、Ｒ３及
びＹは前記のものを表わす）のアンモニウム化合物に対
し℃、例えば０．５〜２モルの量で添加される。

溶剤とし又は、例えばジメチルスルホキシド、アルコー
ル、例えはメタノール、エタノール、イソプロパツール
、ペンゾール、場合によっテハ塩素化された炭化水素、
例えばクロロホルム、ジクロルエタン、ヘキサン、シク
ロヘキサン、エステル、例えば酢酸エチルエステル、エ
ーテル、例工ばジオキサン、テトラヒドロフランが適当
である。

反応は、数時間後に終結し、さらに反応生成物は、混合
物を濃縮し、水を添加し、塩化メチレンのような非極性
溶剤で抽出し、かつ溶剤を減圧下で留去することＫより
℃単離することかできる。

更に、式（１）の化合物は、式ＣＩりのトリカルボニル
化合物を式：　Ｒ”０−Ｎｌ２　（但し、Ｒｓは前記の
ものを衣わす）のヒドロキシルアミンと、不活性の希、
釈剤中で０℃と反応混合物の沸点との間、殊に１５℃〜
７０℃の間の温度で反応させることによつ１得ることが
できる。場合によつ又は、ヒドロキシルアミンは、水溶
液として使用することができる。

この反応に適当な溶剤は、例えばアルコール、例えばメ
タノール、エタノール、インプロパツール、シクロヘキ
サノール、場合によっては塩素化された炭化水素、例え
はヘキサン、シクロヘキサン、塩化メチレン、ドルオー
ル、ジクロルエタン、エステル、例えハ酢酸エチルエス
テル、ニトリル、例えばアセトニトリル、環式エーテル
、例えはテトラヒドロフランである。

式（１）の化合物のアルカリ金属塩は、この化合物を水
酸化ナトリウム又は水酸化カリウムで水溶液中又は有機
溶剤中、例えばメタノール、エタノール、アセトン中で
処理することによつ１得ることができる。また、ナトリ
ウムアルコラード及びカリウムアルコラードも塩基とし
て使用することができる。

他の金属塩、例えばマンガン塩、銅塩、亜鉛塩、鉄塩、
カルシウム塩、マグネシウム塩及びバリウム塩は、ナ）
　ＩＪウム塩から相当する金属塩化物との反応によつ工
水溶液で得るこ、とができる。アンモニウム塩、ホスホ
ニウム塩、スルホニウム塩及びスルホオキンニクム塩は
、式（１）の化合物を水酸化アンモニウム、水酸化ホス
ホニウム、水酸化スルホニウム又は水酸化スルホオキソ
ニウムと反応させることによって、場合によつ又は水溶
液で得ることができる。

式ＣＤ）の新規のトリカルボニル化合物は、式〔式中、
Ｂｌ　、　１４、Ｈｆ＋及びＲ６はそれぞれ前記のもの
を衣ワす〕で示されるシクロヘキサン−１，３−ジオン
から刊行物に公知の方法〔“テトラヘドロン・レターズ
（Ｔｅｔｒａｂｓｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　）”、第
２９巻、第２４９１頁（１９７５年）〕により得ること
ができる。

式Ｃｍ）の新規の化合物は、式（■）の化合物なアシル
化する際に場合によっては異性体混合物として生じかつ
イミダゾール−又はピリジン誘導体の存在下で転移され
る（特開昭５４−６３０５２公報）エノールエステルの
中間段階により製造することもできる。

前記の記載から明らかなよ５に、式（ＩＩ）の新規のト
リカルボニル化合物は、式（１）の除草作用を１する化
合物を製造するために重要な中間生成物として使用され
る。

式（■）の化合物は、再び次の反応過程図からも明らか
なように刊行物に公知の方法により得られる： 式ＣＩ＆）　： で示されるシクロヘキセノン誘導体及び式（田）；で示
されるトリカルボニル化合物〔但し、上記式中　Ｂｌ及
びＲ４は水素原子な懺わし、Ｂ２は１〜４個のＣ−原子
なＭするアルキル基を衣わし、 Ｒ３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３もし
くは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしくは
４個のＣ−原子及０１〜３個の））ロゲ７Ｒ換分をＭす
るノ１０ゲン化アルケニル基又はプロバルギル基を異わ
し、 ＲＢ＆！　２〜８個のＣ−原子−を有する脂肪族アシル
基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原子な情するシクロア
ルキルカルボニル基、メトキシアルキルカルボニル基、
ニトロ、ノーロゲン、アルキルモジ＜はアルコキシによ
って置換されてい又もよいベンソイル基、アルコキシカ
ルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェノキシ
カルボニル基、アルキルチオカルボニル基、Ｎ、Ｎ−ジ
アルキルカルバモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−プルキ
ルカルバモイル基、アルキルスルホニル基、アルケニル
スルホニル基、ハロゲン化アルキルスルホニルＭ、Ｎ−
フルキルスルファモイルｍ、ＮｘＮ−ジアルキルスルフ
ァモイル基、アシル基中に２〜５個のＣ−原子を令する
Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アル
キル−Ｎ−メトキシカルボニルスルファモイル基、ジア
ルコキシホスホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基
、２−ハロゲン化アルカノイル基、アクルオキシアセチ
ル基又はアルコキシオキサリル基を異わし、ＲＱＸ　７
　ルキル基、ノ・ロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキ
シ基、アルケニルオキ７基、アルキニル、オキシ基、ア
ルキルチオ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスル
ホニル基、ニトロ基又はアミノ基を表わすものとする６
〕は、Ｒ＋１が水素原子な懺わすような式（夏＆）ない
しは（Ｉ［）の化合物を、Ｒｈが前記のものを衣わしか
つＹが離脱基、例えば塩素原子、臭素原子又はカルボキ
シレート基であるような式二Ｒ”Ｙ　（ｉｎ）の求電子
試薬と反応させることによって得ることができる。

この反応は、場合によっては不活性の有機溶剤中で実施
される。適当なものは９例えば炭化水素。

例エバリグロイン、ベンジン、ドルオール、ペンタン、
シクロヘキサン、ノ１０ゲン化炭化水素９例えば塩化メ
チレン、り四ロホルム、ジクロルエタン、クロルベンゾ
ール、　　Ｑ−、ｍ−もしくはｐ−ジクｐルベンゾール
、ニトロ炭化水素１例えばニドｐペンゾール、ニトロメ
タン、ニトリル、例工ばアセトニトリル、ブチロニトリ
ル、ベンゾニトリル、エーテル、例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エステル、例え
ば酢酸エチルエステル、プロピオン酸メチルエステ／Ｌ
／、ケトン、例えばアセトン、メチルエチルケトン、又
はアミド、例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド又はホ
ルムアミドである。また、これらの溶剤の混合物を使用
することもできる。溶剤の量は、使用したアニリン誘導
体に対して１００〜５０００重景％である０ 重量は、常用の酸受容体の存在下で実施するのが好まし
い。該当するのは、アルカリ土属水酸化物、アルカリ金
属炭酸環、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ土類金属
水醸化物、アルカリ土類金が炭酸環、アルカリ土類金属
炭酸水素塩、アルカリ土類金属酸化物又はアミン、例え
ば炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン、ピリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
ニリン、’Ｎ、Ｎ−ジメチルーＮ−シクロヘキシルアミ
ン、キノリンである。酸受容体の量は、使用したアニリ
ン誘導体１モルに対して１〜４モルである。

反応温度は、−２０°Ｃ〜＋１５０℃の間、特に２０℃
〜８０℃の間にある。求電子試薬Ｒ５Ｙと１式（Ｉａ）
ないしは（ＩＩ）の開始剤組成物として使用される化合
物は１等モル比で使用するのが好ましい。

式：１５Ｙ（但し　ＢＳ及びＹは前記のものを表わす）
の化合物の例は、カルボン醗ハロゲン化物。

カルボン酸無水物、クロル蟻酸エステル、アルキルチオ
カルボニルクロリド、Ｎ、Ｎ−ジアルキルカルバモイル
クロリド、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイル
クロリド、Ｎ−アルキルスル７アモイルク四リド、Ｎ−
アシル−Ｎ−アルキルスル７アモイルクロリド、例えば
式： ％式％ 〔式中、Ｒ８は１〜７個のＣ−原子を有するアルキル基
、３〜５個のＣ−原子を有するシクロアルキル基、２〜
４個のＣ−原子を有するメトキシアルキル基又はニトロ
、ハロゲン、１〜４伊のＣ−原子を有するアルキルもし
くは１〜３個のＣ−原子を有するアルコキシによって置
換されていてもよイフエ＝Ａ４を表わす〕で示されるカ
ルボン酸ハロゲン化物１式： で示される酢酸ホルミル無水物９式： Ｂ９０−００−０１ 〔式中、Ｒ９は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基
、ベンジル基又はフェニル基を表わす〕で示されるクロ
ル−酸エステル、式。

ＲＩＧ　Ｓ−００−０１ 〔式中　ＢＩＧは１〜４個のＣ−原子を有するアルキル
基を表わす〕で示されるアルキルチオカルボニルクロリ
ド、式： 〔式中　Ｂｌｌ及びＢ１０は１〜４個の〇一原子を有す
るアルキルチオ表わす〕で示されるＮ、Ｎ−ジアルキル
アミノカルバモイルクロリド、式：〔式中　１１３は１
〜４個の〇一原子を有するアルキル基を表わし　Ｂ１４
は１〜４個の〇一原子を有するアルコキシ基を表わす〕
で示されるＮ−アルフキシーＮ−アルキルカルバモイル
クロリド、式：％式％ 〔式中、Ｒ１５は１〜４伊の〇一原子を有するアルキル
基、３又は４個の〇一原子を有するアルケニルスルホニ
ル基、３僻までのハロゲン原子を有するハロゲン化アル
キルスルホニル基を表わす〕で示される塩化スルホニル
、式： 〔式中、Ｒ１６は１〜４個の〇一原子を有するアルキル
基を表わし、Ｒ１７は水素原子、１〜４個の〇一原子を
有するアルキル基、２〜５個のＣ−原子を有するアシル
基又はメトキシカルボニル基を表わす〕で示される塩化
スルファモイル、式：〔式中、Ｘは０原子又はＳ原子を
表わし　１１８゜Ｒ１９はｌ−４個の〇一原子を有する
アルキル基を表わす〕で示されるジアルコキシホスホリ
ルクルリド及びジアルコキシチオホスホリルクロリド、
式：〔式中、ＦＰ、Ｒ２ｔはＨ原子又は１〜４個の〇一
原子を有するアルキル基を表わし、　Ｈａｌは弗素原子
。

Ｈｉ素原子、臭素原子又は沃素原子を表わす〕で示、さ
れる２−ハ四ゲン化アルカノイルクロリド、式：〔式中
、Ｒ２２は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表
゛わす〕で示されるアシルオキシアセチルクロリド、式
： 〔式中、Ｒ２３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル
基を表わす〕で示されるアルコキシオキサリルクロリド
である。

更に１式（Ｉｃ）　： で示されるシクロヘキセノン誘導体及び式（Ｉｔ）：で
示されるトリカルボニル化合物〔但し、上記式Ｒ１及び
？は水素原子を表わし。

Ｒ２は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし
。

Ｒ５はＮ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基
中に５〜８個の〇一原子を有するＮ−シクロアルキルカ
ルバモイル基又はニドｐ、ハロゲン。

アルキルもしくはアルコキシによって置換されていても
よいＮ−７エニルカルバモイル基を表わし。

プはアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基。

アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ
基、アルキルチオ基、アルキルスルフィニル基、アルキ
ルスルホニル基、ニトロ基又はアミノ基を表わすものと
する〕は、相当するアミノ誘導体を９式： ％式％（） 〔式中　Ｒ７は反応を行なった後に式（１）及び（ＩＩ
）中の相当する基Ｒ５を生じるような基を表わす〕で示
されるイソシアネートと反応させることによって得られ
る。゛ この反応は、場合によってはイソシアネート反応に用い
られる触媒９例えば第三アミン、例えばトリエチルアミ
ン、１．４−ジアザジシク四−〔２，２，２）−オクタ
ン、窒素含有複素環式化合物２例えばピリジン、１，２
−ジメチルイミダゾ□−ル、又は有機錫化合物１例えば
ジブチル錫ジアセテート、ジメチル錫ジクｐリドの存在
下及び場合によっては反応条件下で不活性の溶剤９例え
ば炭化水素１例えばリグ四イン、ベンジン、ドルオール
、ペンタン、シクロヘキサン、ハロゲン化炭化水素１例
えば環化メチレン、クロ四ホルム、ジク四ルエタン、ク
ロルベンゾール、ｏ−、ｍ二もしくはｐ−ジクロルペン
ゾール、ニトロ化炭化水５１ＥＩＮ、ｔＧｆニトロペン
ゾール、ニトロメタン、ニトリル、例えばアセトニトリ
ル。ブチロニトリル。

ベンゾニトリル、エーテル、例えばジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エステル、　酢Ｅ１
？エチルエステル、プロピオン酸メチルエステル、ケト
ン、例えばアセトン、メチルエチルケトン又はアミド、
例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドもしくはホルムア
ミドの存在下で実施される〔７−ベン−ワイル（Ｈｏｕ
ｂｅｎ−Ｗｅｙｌ　）の”メトーデン・デル・オルガニ
ツシエン・ヘミ−（Ｍｅｔｈｏｄｅｎ　６ｅｒ　ｏｒｇ
ａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｏｈｅｍｉｅ　）”、第１巻。

第１３２頁、ゲオルク・ティーメ社（Ｇｅｏｒｇ　Ｔｈ
ｉｅｍｅ。

Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ在）刊、第４版、　１９５２年、参
照〕。

触媒の量は、使用したアニリン誘導体に対して０．１〜
５モル％である。溶剤の量は、　　１００〜１００００
重量％の間を変動する。反応温度は、−２０℃〜＋１５
０℃の間、特に０８Ｃ〜１００℃の間を変動することが
できる。

式（Ｖ）のニトロ化合物を接触的水素添加することによ
り９式（Ｉｂ）の相当するアミノ化合物が導かれる： ｎＴＪ この場合には、場合によっては例えばテトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、Ｃ８〜０．−アルコール。

エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、Ｎ、ＩＪ−ジメチルホルム
アミド、ピリジン、酢酸エステル、アセトン、水又はこ
れらの溶剤の混合物のような不活性の溶剤の存在下で、
１〜５バールの圧力下。

特に常圧下で、パラジウム、白金、ニッケルのような常
用の水素添加触媒を添加しなからｏ℃〜８０℃の温度、
特に室温で作柴される。

化合物Ｖを製造するのに必要とされる式（Ｍ）の誘導体
は、神々の方法により得ることができる：（Ｍ） この場合、″ジカルボニルー又はトリカルボニル段階”
でのニド四基の侵入の個所は、求電子性芳香族化合物の
置換を決定的な方法で制御することによりｔに依存する
。例えば： ０　　　　　　痔Ｎ 実施例： 次に９式（１）のシクロヘキセン誘導体の製造を実施例
につき詳説する。

実施例１ ２、−ブチリル−（３−ニトロ−４−メトキシフェニル
）−、シクロヘキサン−１，３−ジオン５．３ｇをテト
ラヒト四フラン３００１１／中でＰ６７木炭（１０％）
３ｇの存在下に常圧下で２５℃で水素添加する。水素０
．９１の吸収後、この溶液を硫酸す）　ＩＪウム上で乾
燥し、濾過し、これに炭酸水素ナトＩＪウム１．３ｇを
添加し、かつ塩化ア七チル１．２ｇと反応させる。１６
時間の攪拌後、この反応溶液を濾過し、かつ濃縮する。

残留する油をジエチルエーテルで結晶させ、かつ吸引濾
過する。融点１０２℃〜１０６℃の５−（３−アセチル
アミノ−４−メトキシ−フェニル）−２−ブチリル−３
−ヒドロキシ−シフ四ヘキセー２−エン−１−オン３ｇ
（収率５５％）が得られる。

実施例２ ５−（３−アセチルアミノ−４−メトキシ−フェニル）
−２−ブチリル−３−ヒト四キシーシクロヘキセー２−
エン−１−オン３ｇをＯ−アリルヒドシキシルアミン塩
酸塩０．９５ｇ及び炭酸水素ナトリウム０．８　ｇと一
緒にメタノール４０ｄ中で１６゜時間攪拌する。濃縮後
、この反応混合物に塩化メチレンを添加し、これを水で
洗浄し、乾燥し、かつ濃縮する。残留する残渣をジイソ
ブロビルエーチルと一緒に攪拌し、かつ吸す］濾過する
。融点１３６°Ｃ〜１３７℃の５−（３−アセチルアミ
ノ−４−メトキシ−フェニル）−２−（１−アリルオキ
シイミノブチル）−３−ヒドロキシ−シクロヘキセ−２
−エン−１−オン２．０　ｇ　（収率５７％）が得られ
る（化合物Ａ　１１　）。

実施例３ ２−（１−エトキシイミノブチル）−３−とド四キシ−
５−（３−アミノ−４−メトキシ−７エ二ル）−シクロ
ヘキセ−２−エン−１−オン４ｇにピリジン５０ｒｄ中
で２５℃でメタンスルホニルクロリド１．３　ｇを添加
し、これを１６時間攪拌する。

この反応溶液を氷上に入れ、かつ塩酸でｐＨ１にする。

この反応溶液を塩化メチレンで抽出し、有機相を乾燥し
、濃縮し、かつ融点１０８６Ｃ−１１６℃（分解）の２
−（１−エトキシイミノブチル）−３−ヒドロキシ−５
−（４−メトキシ−３−メチルスルホンアミドフェニル
）−シクロヘキセ−２−エン−１−オン３．６　ｇ　（
収率７４％）を得る（化合物煮６４）。

実施例４ ５−（３−アミノ−４−メトキシフェニル）−２−（１
−エトキシイミノブチル）−３−ヒドロキシ−シクロヘ
キセ−２−エン−１−オン４ｇをピリジン５ｏｍ中で２
５℃でジェトキシチオホスホリルクロリド２．２ｇと一
緒に１６時間攪拌する。この反応溶液を氷上に入れ、か
つ塩酸でｐＨ１にする。

この反応溶液を塩化メチレンで抽出し、シリカゲル上で
濾過し、濃縮し、かつ５−（３−ジェトキシチオホスホ
リルアミノ−４−メトキシ−フェニル）−２−（１−エ
トキシイミノブチル）−３−ヒドロキシ−シクロヘキセ
−２−エン−１−オンからなる油４ｇ（収率６９％）を
得る（化合物扁７６）。

実施例５ ５−（３−アミノボ、４−メトキシフェニル）−２−（
１−エトキシイミノブチル）−３−ヒドロキシ−シクロ
ヘキセ−２−エン−１−オン４ｇをピリジン５０１１１
７中で２５℃でメチルアミノスルホニルクルリド１．５
ｇと一緒に１６時間攪拌する。この反応溶液を氷上に入
れ、かつ塩酸でｐＨ１にする。

この反応溶液を塩化メチレンで抽出し、有機相を乾燥し
、濃縮し、かつ融点５６℃〜５８℃の２−（１−エトキ
シイミノブチル）−３−ヒドロキシ−５−（４−メトキ
シ−３−Ｎ−メチル−スル７アモイルアミド）−シクロ
ヘキセ−２−エン−１−オン２．２　ｇ　（収率４３％
）を得る（化合物Ａ７５）。

実施例６ ２−アセチル−３−ヒドロキシ−５−（２−メトキシフ
ェニル）−シクロヘキ七−２−エンー１−オン３１ｇを
氷酢酸１４０コに溶解し、この溶液に２５℃で冷却下に
濃硫酸１４０−を添加し、９８％の硝酸７．７ｇを迅速
に滴加した後に３０分間攪拌し。

次いで氷／壌化メチレンー混合物中に注入し、有機相を
分離し、水で洗浄し、かつ値酸ナトリウム上で乾燥する
。濃縮後に得られる暗色の油を塩化メチレン中でシリカ
ゲル上で濾過し、かつ濃縮する。黄色の結晶２７．５　
ｇ　（収率７６％）が得られ。

それは２０％が２−アセチル−３−ヒドロキシ−５−（
２−メ）キシー蘂−エトロフェニル）−シクロヘキ七−
２−エンー１−オン（Ａ）、８０％が２−アセチル−３
−ヒドロキシ−５−（２−メトキシ−５−ニトロフェニ
ル）−シクロヘキセ−２−エン−１−オン（Ｂ）からな
る、混合融点１４５°Ｇ−１５１’Ｃ０（Ａ）　　　　
　　　　　　　（Ｂ） ＡとＢ（１：４）からなる上記生成混合物１５ｇを炭酸
水素ナトリウム４．２ｇ及び〇−エチルヒドロキシルア
ンモニウムクロリド４．６ｇと一緒にメタノール中で１
６時間攪拌し、濃縮し、塩化メチレンにり１き取り、水
で振出し、乾燥し、かつ濃縮する。

この残渣をジイソプロピルエーテル中で磨砕し。

かつ吸引濾過する。更に、相当する０−エチルオキシム
エーテル０及びＤの１：４混合物１５．５ｇ（収率９１
％）が得られる。混合融点１３２℃〜１４２℃。

生成混合物０　：　Ｄ＝ｌ　：　４１０．３ｇをテトラ
ヒドロフラン５００ｍ／中で木炭（１０％）上のパラジ
ウム３ｇの存在下で２５℃で常圧下で水素添加する。水
素３１の吸収後、この混合物を硫酸ナトリウム上で乾燥
し、濾過し、かつ濃縮する。相当するアニリンＥ及びＦ
の油状の１：４混合物９．５ｇが定量的な収量で得られ
る。

（Ｅ）（Ｆ） このアニリン混合物９ｇをテトラヒドロフラン５０ｍ１
／に溶解し、この溶液に炭酸水素ナトリウム２．４ｇを
添加し、これを攪拌下に塩化アセチル２．２ｇと反応さ
せる。１６時間の攪拌ケ、この反応溶液を吸引濾過し、
濃縮し、かつ残留する油を酢酸エステルを用いてシリカ
ゲルでクロマトグラフィー処理する。純粋な異性体の５
−（３−アセトアミド−２−メトキシフェニル）−２−
（１−エトキシイミノエチル）−３−ヒドロキシ−シク
ロヘキセ−２−エン−１−オン０．９　ｇ　（収率９％
）。

及び純粋な異性体の５−（５−アセトアミド−２−メト
キシフェニル）−２−（１−エトキシイミノエチル）−
３−ヒドロキシ−シフ四ヘキセー２−二ンー１−オン３
．６　ｇ　（収率３５％）。

が得られる。

実施例７ ５−（２−フルオルフェニル）−シフ四ヘキサンー１．
３−ジオン６０　ｇを一２０℃で濃硫酸５００ｍ１に溶
解し、この溶液を９８％の硝酸１８．３　ｇで一２０℃
で６０分間で二）ｏ化する。この反応混合物を氷水５１
中に攪拌混入する。沈殿した結晶を吸引濾過し、かつ乾
燥する。融点１７１’ｃ〜１７３℃の５−（２−フルオ
ル−５−ニトロフェニル）−シクロヘキサンー１．３−
ジオン６０．５　ｇ（収率８３％）が得られる。

５−（２−フルオル−５−ニトロフェニル）−シクロヘ
キサン−１，３−ジオン５４ｇｅ環化メチレン５００フ
に溶解し、この溶液にピリジン１８．７ｇを添加し、こ
れを室温で１時間で塩化酪酸２５．２ｇで０−アシル化
する。１６時間の攪拌後、この反応溶液を氷水で振出し
、５％の炭酸水素ナトリウム溶液で振出し、再び氷水で
振出し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、かつ濃縮する。残
留する油を酢酸エステに約５ｏｏｒｎｔに引き取り、か
つ４−ジメチルアミノピリジン３ｇと一緒に５日間放置
する。この有機相を２回５％の塩酸で振出し、乾燥し、
かつ濃縮する。残留する残渣をインプロパツールから再
結晶させる。融点１３２℃の２−ブチリル−５−（２−
フルオル−５−ニトロフェニル）−３−ヒドロキシ−シ
クロヘキセ−２−エン−１−オン３３ｇ（収率４８％）
が得られる。

２−ブチリル−５−（２−フルオル−５−二トロフェニ
ル）−３−ヒドロキシ−シクロヘキセ−２−エン−１−
オン２５ｇ、炭酸水素ナトリウム７．４　ｇ　及び０−
エチルヒドロキシルアンモニウムクロリド８．６ｇをメ
タノール１００−中で１６時間攪拌し、濃縮し、塩化メ
チレンに引き取り、水で洗浄し、乾燥し、再び濃縮する
。２−（１−エトキシイミノブチル）−５−（２−フル
オル−５−二トロフェニル）−３−ヒドロキシ−シクロ
ヘキセ−２−エン−１−オン２４ｇ（収率８４％）が粘
稠な油として得られる。

この油２３ｇをテトラヒドロ７ラン５００　ｍｌ中で木
炭（１０％）上のパラジウム５ｇの存在下で２５°Ｃで
常圧下で水素添加する。水素４．５１の吸収後。

この油を乾燥し、吸引濾過し、かつ濃縮する。５−（５
−アミノ−２−フルオルフェニル）−２−（１−エトキ
シイミノブチル）−３−ヒドロキシ−シクロヘキセ−２
−エン−１−オン１９．６ｇ（収率９３％）が粘稠な油
として得られる。

この油の中の５．５ｇをテトラヒドロフラン５０ｍ１中
でメチルイソシアネート１ｇ及び１滴のジブチル錫ジア
セテートと一緒に室温で４日間放置する。

濃縮後、この残渣をエーテルと一緒に攪拌し、かつ乾燥
する。融点１２０°ＣＮ１２２℃の２−（１−エトキシ
イミノブチル）−５−（２−フルオル−５−（３−メチ
ルウレイド）−フェニル〕−３−ヒドロキシ−シクロヘ
キセ−２−エン−１−オン４．４　ｇ　（収率６９％）
が得られる（化合物＆　１１６　）　。

相応して２式（Ｉ）の次のシクロヘキセノン誘導体が得
られる： 閑　調　＋！ｌＩ　閑　匡　匡　川　工　頃　淵　閤　
閑ガ ミ　ロ　ミ　国　ミ　閑　工　川　頴　閑　ミ　閤０ｌ
−ＩＣＩ２１１）　　　呻　　ｎ　　　ｔｏ　　　ｅ−
ωト　　の　　０）ｌ−ＩＦ４＋−１１−ＩＰＩＦＩＨ
Ｆ−１１−１１１０Ｉ１０　　　閤　　国　　１）　頴
　　１）　川　　閑　　ミ　　エ　　工閤　　１）　川
　　川　　川　　川　　閤　　閣　　閤　　ミ　　工　
　閤頴　　閤　　工　　閤　　閤　　閑　　閑　　１）
　１）　川　　閑　　田岬 ０１＋　　川　　閤　　閑　　工　　０　　閑　　１）
　閑　　閑　　閑　　頴ヱ　　閑　　置　　ｔｌｌｌ　
　　ミ　　閑　　工　　国　　国　　■　　１）　閤の
　　リ　　ｔｏ　　　ｔｏ　　　）　　　の　　■　　
ＯＳ　　　〜　　υ　　寸寸　　寸　　寸　　寸　　寸
　　寸　　寸　　唖　　Ｏｒ　　　ｖ　　　ｙ国　閑　
置　川　閑　　置　閑　ｍ　濁　閏　閤ＩＯリ　　ト　
　の　　０１０　　　　　Ｆ−１へ　　つ　　リ　　□
１１’）１０Ｍ）１１’）１１’）１０　　　４０１０
１０１０１０閤　渕　　工　　国　川　　閑　　工　ミ
　　閑　　閤　　国　　閤？ δ 〇 ０　　工　　工　　悶　　川　　閑　　大間　　頴 閑　　国　　国　　匡　　閤　　閤　　閑　　閑　　閑
　　閑　　閑　　開開　　閑　　閑　　川　　渕　　黒
　　頴　　ミ　　工　　国　　開開　　ミ　　頴　　１
ｌＩｌ＋　　工　　冒　　匡　　閑　　工　　工　　匡
さ 頃　　閤　　国　　閑　　閑　　頴　　閤　　置　　ｍ
　　工　　工　　開開　　川　　閑　　川　　１）　頴
　　頴　　置　　工　　工　　罵　　国！ｌＩ２　　　
閾　　閑　　閑　　閾　　閤　　閤　　閑　　閑ガ Ｉ 閑 川　　大　　悶　　工　　閤　　輿　　国　　匡　　間
開　　　川　　頴　　閑　　冒　　閑　　冒　　頴　　
大　　頴　　開国　　　　１）　１）　＋１ｌｌｌ　　
　閑　　閑　　頴　　閑　　閑　　工　　閤閑　ミ　川
　閃　閑　置　閾　閤　ミ　閑　閑　閣＋１Ｉ１８　　
工　１）国　頴　閑　国　閤　閤　国　閑　田１）閤　
閑　閤　閑　閑　閤　国　工　蟹　間開　閑　ミ　閣　
閤　置　工　１）工　ヱ　ミｅ　　　＠　　　ｔ’−（
Ｏｏｌｏ　　ｒ４　　　ＣＶ　　　ＩＱ　　　寸ｔ１’
）ｏ　　ｏ　　ロ　　ｏ　　ｏ　　ｄ　　Ｉ−Ｉ　　−
Ｉ−Ｉ　　Ｓ　　Ｈ〜　〜　〜　〜　〜　　〜　〜　　
〜　　〜　　〜　　〜ε ガ δ 閤　　閑 夜 セ は 飄 、、、′Ｓ γ ′【 大　　閤 閤　　閤　　国　　国　　国　　工　　ヱ　　工　　１
）　匡　　田１）　１）　匡　　匡　　１）　１）　国
　　１）　工　　匡　　工き ダ δ 閑　　ヱ　　閑　　　工　　頴　　閑　　閑　　工　　
閤　　顧　　国国　　匡　　頴　　閤　　頴　　閤　　
諷　　国♂ Ｃｖｃｖ　　　　Ｃ１ｌ　　　　Ｎ　　　〜　　　へ　
　　〜　　　へ閑 閑　　閑　　０１＋０ＩＩ０ＩＩ　　　匡　　−淵　　
閤　　工　　工閤 ＝ １）　■　　１）　閑　　閃　　閑　　閤　　国　　悶
　　工　　民間　　工　　閤　　匡　　国 ガ δ ガ δ １）　匡　　閑　　匡　　田 閤　　１）　工　　１）　閤　　ミ　　１）　真　　図
　　匡　　開平　　閑　　工　　工　　国　　工　　工
　　工　　エ　　顧　　ヱ閑　　頴　　工　　１）　置
　　閑　　■　　工　　国　　冒　　間開　　１１１＋
　　頴　　閤　　頴　　凰　　閑　　川　　国　　工　
　開開　　閑　　１）　川　　閑　　匡　　頴閑　　国
　　１）　工　　閑　　頴　　国さ 閑　　工　　１）　国　　工　　冒　　工　　田１）　
匡　　閃　　図　　国　　国　　工　　閑さ 吟　　　の　　　の　　　リ　　　の　　　の　　　リ
　　　１式（Ｉ）のシクロヘキセノン誘導体は、特有の
ＩＨ−核磁気共鳴スペクトルのデータ（０ＤＯＩｓ中の
δ値（ｐｐｍ　）での化学シフト、内部標準としてのテ
トラメチルシランに対して；８＝−重項、ａ＝二重項、
ｑ−四重項、ｍ＝多重項）を示すことができる： 化合物扁　特性信号 ７６　　　　１、ｏ（ｔ、　３Ｈ）；　３．９（８，３
Ｈ）；　４．０−４．４（ｍ。

６Ｈ） ？’７　　　　１．０（ｔ、　３Ｈ）：　３．８５（ｓ
、　３Ｈ）：　４．０−４．３（ｍ、６Ｈ） ９１　　　　２．２（８，３Ｈ）；　２．４５（ＩＩ、
　３Ｈ）；　３．７５（８，３Ｈ）；６．９５（ｄ、　
ＬＨ）；　７．１５（ｔ、　ＬＨ）；　８．２０（（１
，ＬＨ）９５　　　　２．２（ｓ、　３Ｈ）；　２．４
（ｓ、　３Ｈ）；　３．８（ｓ、　３Ｈ）；６、ｓ（ｄ
、　ｌａ）；　ｑ、４５（ａ、　ＩＨ）１ｏｓ　　　　
ｏ、９ａ（ｔ、　３Ｈ）；　４．１（（１，２Ｈ）；　
６．５５（ａ、　ＬＨ）；６．７５（ｓ、　ＬＨ）；　
７．１０（ｄ、　ＬＨ）１１３　　　１．３（ｔ、　３
Ｈ）；　６．４−６．６（ｍ）、　６．８５（ｔ）１３
６　　　３．６（ｓ）；　３．８（ｓ）；　６．５−６
．８（ｍ）１’７７　　　２．９５（ｔ）；　６．８（
ｄ）；　７．ｊ２５（ｍ）；７．４５（ｍ）、　　８．
３５（ｓ） １９５　　　２．１５（８）；　３．４（１１）；　８
．１（８）；　６．９−７．１（ｍ）；　７＋８５（ｄ
） ２１８　　　　　ｏ、９ｒ＋（ｔ）；　１．３（ｔ）：
　４．０５−４．２（ｑ）２４０　　　　２．９５（ｔ
）；　　３．３５（ｍ）；　　３．８（ｓ）；　　４．
１５（ｑ）２４９　　　　　ｏ、９５（ｔ）；　　４．
１（（１）；　　［：４．７５（ｑ）ｉ〕６．７（８）
；　　７．４（ｄ） ３０８　　　　　　ｇ、９７（ｔ）；　　４．１２（ｑ
）；　　ｗ、ａ６（ｄ）。

式Ｉのシクロヘキセノ／誘導体及びその塩は。

例えば直接的に噴霧可能な溶液、粉末、Ｆ！濁液。

更にまた高濃度の水性、油性又はその他の９ｇ液又は分
散液、エマルジョ／、油性分散液、ペースト、ダスト剤
、散布剤又は顆粒の形で噴霧、ミスト法、ダスト法、散
布法又は注入法によって適用することができる。適用形
式は、完全に使用目的に基いて決定される；いずれの場
合にも２本発明のイｒ効物質の可能な限りの微細分が保
証されるべきである。

直接飛散可能の溶液、乳濁液、ペースト又は油分散液を
製造するために、中位乃至高位の沸点の鉱油留分例えば
溶油又はディーゼル油、更にフールター浦等、並びに植
物性又は動物性産出源の油、脂肪族、環吠及び芳香族炭
化水素例えばペンゾール、ドルオール、キシ１１−ル、
パラフィン。

グトラヒト１す”フタリン、アルキル置換す・フタリン
又はその誘導体２例えばメタ／−ル、エタノール、ゾ［
」パンール、ブタ／−ル、りＩｆｆ　［Ｉフォルム、四
環化炭ｆｆｉ　、　シクロヘキザノール、シクロへキザ
ノン、り［ノルペンゾール、イソフオ０７等。

強ｈ　性Ｍ　剤例えばＮ、Ｎ−ジメヂルフォルムアミト
、シメヂルスルフオキシト、Ｎ−メヂルピ＋１リドン及
び水が使用される。

水性使用形は乳濁液Ω縮物、ペースト又は湿潤可能の粉
末（噴射粉末）、油分散液より水の添加により製造され
ることかできる。乳濁液、ペースト又は浦分散１１ｋを
製造するためには、物質はそのまま又は油又は溶剤中に
溶解して、湿潤剤、接着剤２分散剤又は乳化剤により水
中に均質に混合されることかできる。しかも有効物質、
湿潤剤、接イ′１剤７分散剤又は乳化剤及び場合により
溶剤又は浦よりなる濃縮物を製造するとともでき、これ
は水にて希釈するのに滴する。

表面活性物質としては次のものが挙げられる：リグニン
スルフオン酸、ナフタリンスルフＡン酸、フェノールス
ルフォン酸のアルカリ塩、アルカリ土類塩、アンモニウ
ム塩、アルキルアリールスルフオナート、アルキルスル
フアート、アルキルスルフオナート、ジブデルナフタリ
ンスルフォン酸のアルカリ塩及びアルカリ土類塩、ラウ
リルニープールスルフアート、脂肪アルコールスルフア
ート、脂肪酸アルカリ塩及びアルカリ−１類地、硫酸化
へ↑・サデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノ
ールの塩、硫酸化脂肪アルコールグリコールエーテルの
塩、スルフォン化ナフタリン又はナフタリン誘導体とフ
ォルムアルデヒドとの縮合生成物、ナフタリン或はナフ
タリンスルフォン酸とフェノール及びフォルムアルデヒ
ドとの縮合生成物、ポリオキシエチレン−オクチルフェ
ノールニーデル、エトキシル化インオクチルフェノール
、オクチルフェノール、ノニルフェノール、アルキルフ
ェノールポリグリコールエーテル、トリブヂルフェニル
ボリグリコールエーテル、アルキルアリールポリエーテ
ルアルコール、イントリデシルアルコール、脂肪ア歩コ
ールエチレンオキシドー綜合物、エトキシル化ヒマシ油
、ポリオキシエヂレンアルキルエーテ゛ル、エトキシル
化ポリオキシプロピレン、ラウリルアルコールポリグリ
コールエーテルアセクール、ソルビットエステル。

リグニン、亜硫酸廃液及びメチル繊維素。

粉末、散布剤及び振りかけ剤は有効物質と固状担体物質
とを混合又は−緒に磨砕することにより製造されること
ができる。

拉吠体例えば被覆−１透浸−及び均質粒吠体は、自効物
質を固状担体物質に結合することにより製ｉ５されるこ
とができる。固状担体物質は例えば鉱物」０例えばシリ
カゲル、珪酸、珪酸ゲル、珪酸塩、滑石、カリオン、ア
タクレ１石灰石２石灰、白Ｊ、ｆ４塊粒土９石灰質黄色
枯土、粘土、白雲石、珪藻士、硫酸カルシウム、硫酸マ
グネシウム、酸化マグネシウム、磨砕合成樹脂、肥料例
えハ硫酸アンモニウム、燐酸アンモニウム、硝酸アンモ
ニウム、尿素及び植物性生成物例えば穀物粉、樹皮、木
材及びクルミ殻粉、繊維素粉末及び他の固状担体物質で
ある。

製剤例は以下の通りである。

１．９０重量部の化合物１をＮ−メチル−α−ピ（１リ
ド／１０市景部と混合する時は、極めて小さい滴の形に
て使用するのに店する溶液が得られる。

１１．２０Ｌｒ＋′量部ｔｖ化合物７　ヲ、　＋−シ＋
ｊ−ル８０　ｊＴｉ量部１エチレンオキシド８乃至１０
モルをオレイ／酸−Ｎ−モノエタ／−ルアミド１モルに
附加した附加生成物１０重量部、ドデシルベンゾールス
ルフォン酸のカルシウム塩５市量部及びエチレンオキシ
ド４０モルをヒマシ浦１モルに附加した附加生成物５重
量部よりなる混合物中に溶解する。この溶液を水１００
０００重量部に注入し１つ細分イＩＩすることにより有
効成分０．０２重量％を含イ１する水圧分散ｌ＆か得ら
れる。

１１１．２０重量部の化合物３を、シクロへキサノン４
０重量部、イソブタノール３０重量部、エチレンオキシ
ド７モルをインオクチルフ、メール１モルに附加した附
加生成物２０重量部及びエチレンオキシド４０モルをヒ
マシ浦１モルに附加した附加生成物１０重量部よりなる
混合物中に溶解する。この溶液を水１０００００重・置
部に注入し１］、つ細分布することにより有効成分（１
，０２重量％を含有する水性分散液が得られる。

■、２０重量部の化合物１１１を、ンク「Ｊヘキサノー
ル２５重量部、沸点２１０乃至２８０°Ｃの鉱油留分６
５重量部及びエチレンオキシド４０モルをヒマシ浦１モ
ルに附加した附加生成物ｌｌＲ１、Ｌ部よりなる混合物
中に溶解する。この溶液を水１０００００重電部に注入
し且つ細分布することにより自効成分０．０２重力１％
を含イｆする水性分散液が得られる。

Ｖ、　２０ｆＴｊＪ１ｊ部（Ｄ化合物７ヲ、　シイ７　
〕−１−）Ｌｒ　−ナフタリン−α−スルフォン酸のリ
ートリウム塩３重置部、亜硫酸−廃液よりのりグニンス
ルフオ／酸のナトリウ１、塩１７重量部及び粉末状珪酸
ゲル６０重量部と充分に混和し、１１つハフマーミル中
に於て磨砕する。この混合物に水２００００重景部に細
分４することによりイ１効成分０　、０　ｍ：ｔｔ％を
３自する噴霧液か得られる。

ｖｌ、３重４１１部の化合物３３を、細Ｃｌ　状カオリ
ン９７山：Ｉ：部と密に混和する。かくしてイｊ効物質
３山ｊ、ｊ％をａイ１″Ｊる１１１′１霧剤が得られる
。

■　３０山（１：部の化合物５６を、粉末４１、ｆ１酸
ゲル０２屯Ｘ１１１部及びこの珪酸ゲルの表面−１に吹
きっ番）られたバシフィン浦８重ｈ１１部よりなる混合
物と密にｌ昆和する。かくして良好な接イ１；　ＰＩを
自する自効物ｒｌの製剤か得られる。

■　２０山量部の化合物１１１を、ドｉ゛ンルベンゾー
ルスルフＡン酸のカルシウムＮ　２　ｔｌ’ｉ量部＋置
部アルコールポリグリコールエーテル８重ｈ１部、フＪ
、メールスルフオフ酸−尿索一フ」ルムアルデヒドー縮
合物のナトリウム塩２市量部及びパラフィン系鉱油６８
重量部と密に混和する。安定な浦杖分散液が得られる。

Ｘｌ、１０重量部の化合物２８９を、キジロールｇＯｉ
、Ｉｉ：　ｆＲ部及びエチレンオキシド８モルを７ニル
フ。ニル１モルに附加した附加生成物７市量部に混和す
る。かくして有効物質１０重量％を３自する溶液が得ら
れる。

散布は９発芽前の処理法又は発芽後の処理法で行なうこ
とができる。有効物質が発芽後の処理法を使用する際に
一定の栽培植物に対して殆んど認容性でない場合には、
除草剤を噴霧器を用いて。

敏感な綾培枦物の茎葉にできるだけ当たらないように噴
霧し、有効物質がその下で生育する望ましからぬ植物の
茎葉上又は家出した土壊表面上に到達するような散布技
術を使用することもできる〔ボスト−ダイレフテッド（
ｐｏｓｔ−ｄｉｒｅｃｔｅｄ　）法。

レイ−バイ（１ａｙ−ｂｙ　）法〕。

有効物質の使用量は、季節、目的植物及び生長段階に応
じて０．０２５〜３　ｋｇ　／　ｈａ　、特に０．０６
〜０　、５　ｋｇ　／　ｈａである。

植物生長に対する式（１）のシクロヘキセノン誘導体の
作用は、温室試験によって示すことができる：試験容器
としては、内容積３００−を有しかつ基質としての腐葉
土約１．５％を有するローム砂を有するプラスチック鉢
を使用する。試験植物の種子を種類に応じて別個に浅く
播種する。発芽前の処理法の場合、有効物質は、その直
後に土壌表面上に散布する。この場合には、この有効物
質を分配剤としての水の中に懸濁させるか又は乳化し、
かつ微分配ノズルを用いて噴霧する。使用量は。

３．０　ｋｇ　／　ｈａである。

薬剤の散布後１発芽及び生長を開始させるために、容器
に少Ｊｉ［水する。その後に、＃物が生長するまで、こ
の容器を透明なプラスチックキャップで覆う。この覆い
は、これが有効物質によって損なわれない限り、試験植
物の均一な発芽を生せしめる。

発芽後の処理法を使用するために、試験植物を生長形に
応じて３〜１５Ｃ１１の生長高さになるまで栽培し、そ
の後にそれを処理する。ダイスを泥炭細末（ビート）含
有分を増加させた基質中で栽培する。発芽後の処理法の
ためには、直接に播種し。

同じ容器中で生育した植物から選択するか、又は植物を
最初に子葉植物として別個に栽培し、処理の２，３日前
に試験容器中に移植する。発芽後の処理法に対する使用
量は、有効物質０．０６〜０．５　ｋｇ／ｈａである。

覆いは９発芽後の処理法の場合には不用である。

試験容器を温室内に設け、この場合熱帯性植物種には、
熱い範囲（２０℃〜３５℃）が好ましく。

かつ温帯性植物種には、　１０℃〜２５℃が好ましい。

試験時間は２〜４週間に及ぶ。この時間の間、植物を育
成し９個々の処理に対するその反応を評価する。０〜１
００の目盛により評価する。この場合。

１００は、植物の生長全くなしないしは少なくとも土壌
表面部分の完全な破壊を意味する。

温室試験で使用される植物は１次の種類から構成される
； 了りペクルス・ミオスロイデス（Ａｌｏｐｅｃｕｒｕｓ
ｍｙｏｓｕｒｏｉｄｅｓ　）　（スズメノテツゲウ）、
アペナ・７アソア（Ａｖｅｎａ　ｆａｔｕａ　）　（カ
ラスムギ）、アベナ拳サチバ（Ａｖｅｎａ　５ａｔｉｖ
ａ　）　（ｘンバク）、エキ／クロア・タルスーガリ（
Ｅｃｈｉｎｏｃｈｌｏａ　ｃｒｕｓ−ｇａｌｌｉ　）　
（ヒエ）、グリシン・マックス（Ｇ４ｙｃｉｎｅｍａｘ
　’）　（ダイス）、ロリウム・ムルチ７０ルム（Ｌｏ
ｌｉｕｍ　ｍｕｌｔｉｆｌｏｒｕｍ　）（ホソムギ）、
オリザ・サチバ（０ｒｙｚａ　５ａｔｉｖａ　）　（イ
ネ）、セタリア・イタリカ（５ｅｔａｒｉａ　１ｔａｌ
ｉａａ　）（アワ）、シナビス・アルバ（５ｉｎＰＬｐ
ｉｓ　ａｌｂａ　）　（カラシナ）、ソルグム・ハレペ
ンセ（Ｓｏｒｇｈｕｍ　ｈａｌｅｐｅｎａｅ　）　（モ
ロコシ）。

発芽前の処理法を使用する場合１例えば化合物Ａｌ、７
．’　　３３．５６は、イネ科梢物からの植物に対して
除草作用を有することが判明し、シナビス・アルパ（５
ｉｎａｐｉｓ　ａｌｂａ　）は、双千葉梢物の代表例と
して全く損傷のないままである。

発芽後の処理法の場合１例えば化合物塵５６及び１１４
ならびにＡ　’１０９及びＩｌｌは、有効物質０．０６
　ｋｇ／ｈａで例示的に選択されたイネ科植物に対して
強い除草作用を示し、ダイスは、双子葉類の栽培植物と
して損傷されない。化合物屋７は９例えばイネ中のヒエ
を防除するのに適当である。

望ましからぬイネ科植物は、既に僅かな使用！で１例え
ば化合物１０９又はＩｌｌを用いて防除することができ
、ダイスは、双子葉類の栽培植物の例として影響を及ぼ
されないままである。

ダイスに対する認容性が良好である場合２例示的に選択
された化合物／Ｆｆｌｉ　６０　、　６４及び７５を用
いると、この栽培植物中の望ましからぬイネ科植物は良
好に防除することができる。

全く同様に９例えば化合物４１６及び９１は、望ましか
らぬイネ科植物の広幅のスペクトルを防除するのにも適
当であり、この場合ダイズは、栽培植物として損傷を全
く受けない。

イネ科植物からの望ましからぬ植物に対する高い作用水
準は１例えば化合物扁１０３が示す。しかし、それはコ
ムギにおいて損傷を全く生じない。

望ましからぬイネ科植物は１例示的に選択された化合物
Ａ　１１７　、　１２６及び１２７を用いて良好に防除
することができる。この場合には、栽培植物としてのム
ラサキウマゴヤシが損傷を全く受けない。

イネ中の重大な雑草を防除するためには１例えば化合物
屋２８９が適当である。この場合、この化合物は、栽培
植物に対して極く僅かな損傷を惹起する。

雑草の防除のために検出可能な作用スペクトル。

栽培植物に対する認容性又は栽培植物の生長に対する望
ましからぬ影響を考慮しならびに散布法の多様性に直面
して１本発明による化合物は、多数の栽培植物において
使用することができる。例えば１次の栽培植物が当ては
まる： タマネギ（＾ｌ１ｉｕｌＩｃｅｐａ） パイリーラプル（＾ｎａｎａｓ　ｃｏ腸ｏｓｕｓ）リー
ン−トンマメ（Ａｒａｃｈｉｓ　ｈｙｐｏｇａｅａ）ア
スパラガス（八ｓｐａｒａｇｕｓ　ｏｆｆｉｃｉｎａｌ
ｉｓ）フダンソウ（ｌ１ｅｔａ　ｖｕｌｇａｒｉｓ　ｓ
ｐｐ、ａｌｔｉｓｓｉ＊ａ）ザトウシシャ（ｌ１ｃｔａ
　ｖｕｌｇａｒｉｓ　ｓｐｐ、ｒａｐａ）アノノブ／゛
すイ（ｌｌｃｔａ　ｖｕｌｇａｒｉｓ　ｓｐｐ、ｅｓｃ
ｕｌｅｎｔａ）ブラシー力　ナパス（変種ナバス） （１ｌｒａｓｓｉｃａ　ｎａｐＬｌｓ　Ｑａｒ、ｎａｐ
ｕｓ）ブラシー力　ナバス（変種ナボブラシーカ）（ｌ
１ｒａｓｓｉｃａ　ｎａｐｕｓ　ｖａｒ、ｎａｐｏｂｒ
ａｓｓｉｃａ）ブラシー力　リーバス（変種ラバ） （１ｌｒａｓｓｉｃａ　ｎａｐｕｓ　ｖａｒ、ｒａｐａ
）ブレジーツノ　ナバス（変種シルベストリス）（１ｌ
ｒａｓｓｉｃａ　ａｐｕｓ　ｖａｒ、５Ｎｖｅｓｔｒｉ
ｓ）トウノバキ（Ｃａｍｅｌｌｉａ　５ｉｎｅｎｓｉｓ
）ベニバリ゛（ＣａｒｔｈａＩｌｕｓ　ｔｉｎｃｔｏｒ
ｉｕｓ）キャリヤ　イリノイネンシス （Ｃａｒｙａ　　；１ｌｉｎｏｉｎｅｎｓｉｓ）マルブ
シュカン（Ｃｔｔｒｕｓ目ｍａｎ）グレープフルーツ（
Ｃｉｔｒｕｓ　＋＋ａｘｉｍａ）ダイダイ（Ｃ１ｔｒｕ
ｓ　ｒｅｔｉｃｕｌａｔａ）づ−　ツ　ミ　カ　：／　
　　（Ｃｉｔｒｕｓ　　５ｉｎｅｎｓｉｓ）コーヒーツ
キ（Ｃｏｒｆｅａ　ａｒａｂｉｃａ　（Ｃｏｆｆｅａｃ
ａｎｅｐｈｏｒａ、Ｃｏｒｆｅａ　Ｎｂａｒｉｃａ）　
）アミメロン（Ｃｕｃｕｍｉｓ　ｇｑｌａ）キュウリ（
Ｃｕｃｕｉｉｓ　５ａＬｉｖｕｓ）ギョウギシバ（Ｃｙ
ｎｏｄｏｎ　ｄａｃｔｙｌｏｎ）ニンジ７　（１）ａｕ
ｃｕｓ　ｃａｒｏｔａ）アブシャミ（Ｅｌａｅｉｓ　ｇ
ｕｉｎｃｃｎｉｓ）イチゴ（Ｐｒａｇａｒｉａ　ｖｃｓ
ｃａ）人　−７，（ＧｌｙｃｉｎＣｗａｘ） 木＋吊　（Ｇｏｓｓｙｐｉｕｍ　　ｌ百ｒ８；ｕＬｕＩ
Ｉｌ　（Ｇｏｓｓｙｐｉｕｍ。

ａｒｂｏｒｃｕｍ１Ｇｏｓｓｙｐｉｕ＋ｌｈｃｒｂａｃ
ａｕＩｌｌｓＧｏｓｓｙｐｉｕｗ　ｖｉｔｉｆｏｌｉｕ
ｍ）　）ヒマワリ（ｌＩＣ１ｉａｎＬｈｕｓ　ａｎｎｕ
ｕｓ）キクイモ（１ＩｃｌｉａｎＬｈｕｓ　Ｌｕｂｃｒ
ｏｓｕｓ）ゴムツキ（ｌ１ａｖｃａ　ｂｒａｓｉ　ｌ　
１ｅｎｓｉｓ）人皮（ｌｌｏｒｄａｕｍ　　ｖｕｌｇａ
ｒａ）カラハリ゛ソウ（Ｉｌｕｍｕｌｕｓ　１ｕｐｕｌ
ｕｓ）アメリカイモ（ｌｐｏｍｏｃａ　ｂａｔａ’ｔａ
ｓ）オニグルミ（Ｊｕｇｌａｎｓ　ｒｅｇｉａ）ラッチ
；１．カ　ザディバ（１，ａｃｔｕｃａ　５ａｌｉｖａ
）レンズマメ（１，ｃｎｓ　ｃｕｌｉｎａｒｉｓ）アマ
　（１，ｔｎｕＩｌｕｓ；ｔａｔｉｓｓｉｉｕｌ）ト　
マ　ト　　（Ｌｙｃｏｐｃｒｓ；ｃｏｎ　　　Ｉｙｃｏ
ｐｅｒｓｉｃｕｍ）リン二ｌ属（Ｍａｌｕｓ　ｓｐｐ、
） １−ヤノ°す°バ（Ｍａｎｉｈｏｔ　ｅｓｃｕｌａｎｔ
ａ）ムラザ；トウマゴヤシ（Ｍｃｄｉｃａｇｏ　５ａｔ
ｉｖａ）ハツカ（Ｍｅｎｔｈａ　ｐｉｐｅｒｉｔａ）バ
ショウ屈（Ｍ’ｕｓａ　ｓｐｐ、） タバコ１　（Ｎ１ｃｏｔｉａｎａ　ｔａｂａｃｕ＋＋（
Ｎ、ｒｕｓｔｉｃａ）　）オリーブ（０ｌｃａ　ｅｕｒ
ｏｐａａａ）イネ（０ｒｙｚａ　５ａｔｉｖａ） キビ（Ｐａｎ１ｃｃ＋ｍ　１口ｉｉｃｅｕｍ）アズキ（
１’ｈａｓｅｏｌｕｓ　！ｕｎａｔｕｓ）ザ憎ゲ（１’
ｈａｓｃｏｌｕｓ　１ｌｌｕ’ｎｇｏ）；ｔガッザザ’
ｔ”　（Ｐｈａｓｅｏｌｕｓ　ｖｕｌｇａｒｉｓ）パセ
リ（ＰｃｎｎｉｓＣｔｕＩｌｇｌａｕｃｕｍ）ベト【１
セリウム　クリスバス （変仲チ、′ｌ・＼ｌＩ°リム） （１’ａＬｒｏｓｃｌｉｎｕｍ　　ｃｒｉｓｐｕｍ　　
ｓｐｐ、ｔｕｂｃｒｏｓｕｍ）トｉンヒ（＋’１ｃｃａ
ａｂｔｃｓ） モミ（Ａｂｉｅｓａｌｂａ） マノ％４　（１’１ｎｕｓ　ｓｐｐ、）シ１１；夏、ン
ト１ン（Ｉ’ｉｓｕｍｓａｔｉｖｕ１１）ザグリ（Ｐｒ
ｕｎｕｓ　ａｖｉｕｍ） アンス（Ｐｒｕｎｕｓ　ｄｏｗｅｓｔｉｃａ）プルヌス
　ダルシス（ｆ’ｒｕｎｕｓ　ｄｕｌｃ；ｓ）モモ（ｒ
’ｒｕｎｕｓ　ｐｃｒｓｉｃａ）ナシ（Ｐｙｒｕｓ　ｃ
ｏｍｍｕｎｉｓ）ザグリ（Ｒｏｂｅｓ　５ｙｌｖｅｓｔ
ｒｃ）サンザシ（Ｒｔｂｅｓ　ｔｌＶａ−ｃｒｉｓｐａ
）トウゴマ（Ｒｉｃｉｎｕｓ　ｃｏｍｍｕｎｉｓ）サト
ウキビ（Ｓａｃｃｈａｒｕｗ　ｏｆｆ　ｉｃｉｎａｒｕ
ｍ）ライムギ（５ｅｃａｌｅ　ｃｃｒｅａｌｅ）ゴム（
Ｓｅｓａｍｕｍ　ｉｎｄｉｃｕｍ）ジャガイモ（Ｓｏｌ
ａｎｕｗ　ｔｕｂｅｒｏｓｕｍ）モ（Ｊ　ｊシ（Ｓｏｒ
ｇｈｕｍ　ｂｉｃｏｌｏｒ　（ｓ、ｖｕｌｇａｒｅ）　
）　　　　’ツルガム、ド・ソヂュナ（Ｓｏｒｇｈｕｍ
　ｄｏｃｈｎａ）ホウレンソウ（５ｐｉｎａｃｉａ　ｏ
ｌｃｒａｃｅａ）カカオフキ（Ｔｈｅｏｂｒｏｍａ　ｃ
ａｃａｏ）ムラザキソメクサ（Ｔｒｉｆｏｌ＋ｕｍ　ｐ
ｒａｔｅｎｓｅ）小麦（Ｔｒｉｔｉｃｕｍ　ａｅｓｔｉ
ｖｕｍ）　　　。

イワノソジ（Ｖａｃｏ＋ｎｉｕｍ　ｃｏｒｙｍｂｏｓｕ
ｍ）コゲモモ（Ｖａｃｃｉｎｉｕ＊　ｖｉｔｉｓ−１ｄ
ａｅａ）ンラマメ（Ｖｉｃｉａ　ｆａｂａ） ビグナ　シネ／シス（変種つ／グイキュラータ）（Ｖｉ
ｇｎａ　ｓ＋ｎｅｎｓｉｓ　（Ｖ、ｕｎｇｕｉｃｕｌａ
ｔａ）　）ブドウ（Ｖｉｔｉｓ　ｖｉｎＨｅｒａ）トウ
モＣＴコシ（Ｚａａ　ｌ１ａｙｓ）作用スペクトルを拡
大するため及び相乗作用を達成するために１式（Ｉ）の
シクロヘキセノン訴導体及びその塩は、他の除草作用又
は生長調整作用を有する有効物質群の多数の代表例と混
合し、かつ共通に散布することができる。例えば、混合
成分としては、ジアジン、４Ｈ−，３，１−ベンゾオキ
サジン誘導体、ベンゾチアジアジノン、２，６−ジニト
ｐアニリン、Ｈ−フェニルカルバメート、チオールカル
バメート、へロゲン化カルボン酸、トリアジン、アミド
、尿素、ジフェニルエーテル。

ドリアジノン、ウラシル、ベンゾフラン誘導体。

キノリンカルボン酸誘導体及び他の除草作用を有する有
効物質がこれに該当する。

′更に９式（１）の化合物を単独で散布するか又は他の
除草剤と組合せて、またさらに他の補動保護剤。

例えば害虫又は植物病原性菌類ないしは細菌類を防除す
るための薬剤と混合して共通に散布することは、有用で
あることができる。更に１重要なことは、栄養不足及び
僅量成分不足をなくすために使用される鉱酸塩溶液との
混合可能性にある。また、非植物毒性油及び濃厚油を添
加することもできる。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
   ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
   １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３も
   しくは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしく
   は４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を有す
   るハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし
   、 Ｒ＾４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を有するアル
   キル基を表わし、 Ｒ＾５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
   有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
   子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
   キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
   コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
   よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
   オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
   ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
   基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
   に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
   バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
   ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
   によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
   ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
   、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
   ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
   アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
   Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
   トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
   ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
   ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
   コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘキセノン
   誘導体及びこの化合物の塩。
2. （２）Ｒ＾１が水素原子を表わす、特許請求の範囲第１
   項記載の化合物。
3. （３）Ｒ＾１及びＲ＾４が水素原子を表わし、Ｒ＾５が
   水素原子、アセチル基又はベンゾイル基を表わし、かつ
   Ｒ＾６が弗素原子又は塩素原子を表わす、特許請求の範
   囲第１項記載の化合物。
4. （４）式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
   ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
   １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３も
   しくは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしく
   は４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を有す
   るハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし
   、 Ｒ＾４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を有するアル
   キル基を表わし、 Ｒ＾５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
   有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
   子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
   キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
   コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
   よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
   オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
   ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
   基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
   に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
   バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
   ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
   によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
   ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
   、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
   ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
   アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
   Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
   トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
   ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
   ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
   コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘキセノン
   誘導体及びこの化合物の塩の製造法において、式（II）
   ： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾４、Ｒ＾５及びＲ＾６は
   それぞれ前記のものを表わす〕で示されるトリカルボニ
   ル化れ物を、 ａ）式：Ｒ＾３Ｏ−ＮＨ＿３Ｙ〔式中、Ｒ＾３は前記の
   ものを表わし、Ｙはアニオンを表わす〕で示されるアン
   モニウム化合物と、不活性の希釈剤中で場合によつては
   水の存在下に０℃〜８０℃の温度で塩基の存在下に反応
   させるか又は ｂ）式：Ｒ＾３Ｏ−ＮＨ＿２〔式中、Ｒ＾３は前記のも
   のを表わす〕で示される場合によつては水溶液中に存在
   するヒドロキシルアミンと、不活性溶剤中で反応させる
   ことを特徴とする、式（ I ）のシクロヘキセノン誘導
   体の製造法。
5. （５）式（ I ａ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ａ） 〔式中、 Ｒ＾１及びＲ＾４は水素原子を表わし、 Ｒ＾２は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わ
   し、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３も
   しくは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしく
   は４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を有す
   るハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし
   、 Ｒ＾５はアルキル基、２〜８個のＣ−原子を有する脂肪
   族アシル基、４〜７個のＣ−原子を有するシクロアルキ
   ルカルボニル基、メトキシアルキルカルボニル基、ニト
   ロ、ハロゲン、アルキル、アルコキシもしくはハロアル
   キル基によつて置換されていてもよいベンゾイル基、ア
   ルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、
   フェノキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、
   Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アルキルカル
   バモイル基、シクロアルキル基中に５〜８個のＣ−原子
   を有するＮ−シクロアルキルカルバモイル基、Ｎ−アル
   コキシ−Ｎ−アルキルカルバモイル基、ニトロ、ハロゲ
   ン、アルキルもしくはアルコキシによつて置換されてい
   てもよいＮ−フェニルカルバモイル基、アルキルスルホ
   ニル基、アルケニルスルホニル基、ハロゲン化アルキル
   スルホニル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ
   −ジアルキルスルファモイル基、アシル基中に２〜５個
   のＣ−原子を有するＮ−アシル−Ｎ−アルキルスルファ
   モイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メトキシカルボニルスル
   ファモイル基、ジアルコキシホスホリル基、ジアルコキ
   シチオホスホリル基、２−ハロゲン化アルカノイル基、
   アシルオキシアセチル基又はアルコキシオキサリル基を
   表わし、Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキ
   シ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチ
   オ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基
   、ニトロ基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘ
   キセノン誘導体の製造法において、式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＾５は水素原子を表わし、Ｒ＾１、Ｒ＾２、
   Ｒ＾３、Ｒ＾４及びＲ＾６はそれぞれ前記のものを表わ
   す〕を、場合によつては一定のｐＨ価に緩衝された系中
   で、場合によつては酸結合剤の存在下で−２０℃〜＋１
   ５０℃の温度で、 式（III）： Ｒ＾５Ｙ（III） 〔式中、Ｒ＾５は前記のものを表わし、Ｙは離脱基であ
   る〕で示される化合物と反応させるか、又は式（IV）： Ｒ＾７−ＮＣＯ（IV） 〔式中、 Ｒ＾７は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、５〜
   ８個のＣ−原子を有するシクロアルキル基、ニトロ、ハ
   ロゲン、１〜４個のＣ−原子を有するアルキルもしくは
   １〜４個のＣ−原子を有するアルコキシによつて置換さ
   れていてもよいフェニル基を表わす〕で示されるイソシ
   アネートと反応させることを特徴とする、式（ I ａ）
   のシクロヘキセノン誘導体の製造法。
6. （６）式（ I ｂ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ｂ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
   ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
   １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わ
   し、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘキセノン
   誘導体の製造法において、式（Ｖ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾６はそれぞれ
   前記のものを表わす〕で示される化合物を水素原子で、
   場合によつては圧力下で不活性溶液の存在下に、場合に
   よつては塩基の添加下に水素添加触媒の存在下に０℃〜
   ８０℃の温度で自体公知の方法で還元し、アミノ化合物
   に変えることを特徴とする、式（ I ｂ）のシクロヘキ
   セノン誘導体の製造法。
7. （７）式（IIａ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（IIａ） 〔式中、 Ｒ＾２は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わ
   し、 Ｒ＾１は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
   有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
   子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
   キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
   コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
   よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
   オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
   ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
   基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
   に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
   バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
   ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
   によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
   ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
   、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
   ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
   アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
   Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
   トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
   ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
   ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
   コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるトリカルボニル化
   合物の製造法において、式（VI）： ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 〔式中、Ｒ＾２及びＲ＾６は前記のものを表わす〕で示
   される化合物を水素添加触媒の存在下に０℃〜８０℃の
   温度で自体公知の方法で還元し、アミノ化合物に変え、
   このアミノ化合物をさらに単離することなしに式（III
   ）： Ｒ＾５Ｙ（III） 〔式中、Ｒ＾５は前記のものを表わし、Ｙは離脱基を表
   わす〕で示される化合物及び式（IV）： Ｒ＾７−ＮＣＯ（IV） 〔式中、Ｒ＾７は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル
   基、５〜８個のＣ−原子を有するシクロアルキル基、ニ
   トロ、ハロゲン、１〜４個のＣ−原子を有するアルキル
   もしくは１〜４個のＣ−原子を有するアルコキシによつ
   て置換されていてもよいフェニル基を表わす〕で示され
   るイソシアネートと反応させることを特徴とする、式（
   IIａ）のトリカルボニル化合物の製造法。
8. （８）式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
   ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
   １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３も
   しくは４個のＣ−原子を有するアルケニル基、３もしく
   は４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を有す
   るハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし
   、 Ｒ＾４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を有するアル
   キル基を表わし、 Ｒ＾５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
   有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
   子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
   キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
   コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
   よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
   オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
   ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
   基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
   に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
   バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
   ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
   によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
   ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
   、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
   ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
   アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
   Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
   トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
   ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
   ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
   コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘキセノン
   誘導体及びこの化合物の塩を含有する除草剤。
9. （９）不活性の添加剤ならびに式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
   ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
   １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾３は１〜４個のＣ−原子を有するアルキル基、３も
   しくは４個のＣ−原子を肩するアルケニル基、３もしく
   は４個のＣ−原子及び１〜３個のハロゲン置換分を■す
   るハロゲン化アルケニル基又はプロパルギル基を表わし
   、 Ｒ＾４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を有するアル
   キル基を表わし、 Ｒ＾５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
   有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
   子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
   キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
   コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
   よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
   オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
   ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
   基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
   に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
   バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
   ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
   によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
   ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
   、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
   ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
   アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
   Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
   トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
   ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
   ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
   コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
   ルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ニトロ
   基又はアミノ基を表わす〕で示されるシクロヘキセノン
   誘導体及びこの化合物の塩を含有する除草剤。
10. （１０）Ｒ＾１及びＲ＾４が水素原子を表わし、Ｒ＾５
    が水素原子、アセチル基又はベンゾイル基を表わし、か
    つＲ＾６が弗素原子又は塩素原子を表わすような式（
    I ）のシクロヘキセノン誘導体を含有する、特許請求の
    範囲第９項記載の除草剤。
11. （１１）式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、 Ｒ＾１は水素原子、メトキシカルボニル基、エトキシカ
    ルボニル基、メチル基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２は
    １〜４個のＣ−原子を有するアルキル基を表わし、 Ｒ＾４は水素原子又は１〜４個のＣ−原子を有するアル
    キル基を表わし、 Ｒ＾５は水素原子、アルキル基、２〜８個のＣ−原子を
    有する脂肪族アシル基、ホルミル基、４〜７個のＣ−原
    子を有するシクロアルキルカルボニル基、メトキシアル
    キルカルボニル基、ニトロ、ハロゲン、アルキル、アル
    コキシもしくはハロアルキルによつて置換されていても
    よいベンゾイル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル
    オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アルキ
    ルチオカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル
    基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シクロアルキル基中
    に５〜８個のＣ−原子を有するＮ−シクロアルキルカル
    バモイル基、Ｎ−アルコキシ−Ｎ−アルキルカルバモイ
    ル基、ニトロ、ハロゲン、アルキルもしくはアルコキシ
    によつて置換されていてもよいＮ−フェニルカルバモイ
    ル基、アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基
    、ハロゲン化アルキルスルホニル基、Ｎ−アルキルスル
    ファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、
    アシル基中に２〜５個のＣ−原子を有するＮ−アシル−
    Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−メ
    トキシカルボニルスルファモイル基、ジアルコキシホス
    ホリル基、ジアルコキシチオホスホリル基、２−ハロゲ
    ン化アルカノイル基、アシルオキシアセチル基又はアル
    コキシオキサリル基を表わし、 Ｒ＾６はアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ア
    ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アルキルチオ
    基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、
    ニトロ基又はアミノ基を表わす〕で示されるトリカルボ
    ニル化合物。