JPS6142887B2 - - Google Patents
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- JPS6142887B2 JPS6142887B2 JP53091093A JP9109378A JPS6142887B2 JP S6142887 B2 JPS6142887 B2 JP S6142887B2 JP 53091093 A JP53091093 A JP 53091093A JP 9109378 A JP9109378 A JP 9109378A JP S6142887 B2 JPS6142887 B2 JP S6142887B2
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- amplifier
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
- H03F3/3088—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電力増幅器、特にシングルエンデツド
プツシユプル回路を備えた電力増巾器に関する。
プツシユプル回路を備えた電力増巾器に関する。
従来の電力増巾器は第１図に示す如く、トラン
ジスタ１１と１２と抵抗１３とで差動増巾回路を
構成し、接端子７と電源端子４間に加えられた電
圧Vsは、抵抗８と９で分圧されて端子１に接続
されるコンデンサＣ１で不要な交流成分を除去し
た後、抵抗１を通してトランジスタ１１のベース
にバイアス電圧が印加されておる。入力信号はコ
ンデンサＣ２、入力端子２を介してトランジスタ
１１のベースに加えられる。差動増巾回路の出力
はトランジスタ１２の負荷であるダイオードＤ１
４に表われ、位相反転トランジスタ１５に加えら
れ、その負荷抵抗１６に表われる信号を駆動トラ
ンジスタ１７―１８を通して、ダーリントン接続
した相補トランジスタ構成２６―２７、２４―２
８―２９からなるシングルエンデツドプツシユプ
ル回路に加え、出力端子６から出力されている。
トランジスタ１７，１８をダーリントン接続した
駆動トランジスタ１７―１８の共通コレクタは、
逆方向のダイオード２１と抵抗２０，２５を通し
て電源端子４に接続されており、ダイオー２１の
両端には、相補トランジスタ構成２６―２７，２
４―２８―２９のベース相当端子が接続されてお
り、トランジスタ２７のエミツタと２９のコレク
タは共通接続されて出力端子６に接続されてい
る。トランジスタ２４のエミツタは抵抗２２を通
して抵抗２０と２５の接続点に接続されると共に
ダイオード２３を通して出力端子６に接続されて
おり、トランジスタ２６のコレクタは抵抗２０と
２５の接続点に接続されて抵抗２２と共にプート
ストラツプ端子５に接続されている。トランジス
タ１２のベースは抵抗１９を通して出力端子６に
接続されると共に、帰還端子３、抵抗Ｒ１および
コンデンサＣ３を介して接地されている。出力端
子６はコンデンサＣ５、負荷ＲLを介して接地さ
れると共にコンデンサＣ４を通してブートストラ
ツプ端子５に接続されている。
ジスタ１１と１２と抵抗１３とで差動増巾回路を
構成し、接端子７と電源端子４間に加えられた電
圧Vsは、抵抗８と９で分圧されて端子１に接続
されるコンデンサＣ１で不要な交流成分を除去し
た後、抵抗１を通してトランジスタ１１のベース
にバイアス電圧が印加されておる。入力信号はコ
ンデンサＣ２、入力端子２を介してトランジスタ
１１のベースに加えられる。差動増巾回路の出力
はトランジスタ１２の負荷であるダイオードＤ１
４に表われ、位相反転トランジスタ１５に加えら
れ、その負荷抵抗１６に表われる信号を駆動トラ
ンジスタ１７―１８を通して、ダーリントン接続
した相補トランジスタ構成２６―２７、２４―２
８―２９からなるシングルエンデツドプツシユプ
ル回路に加え、出力端子６から出力されている。
トランジスタ１７，１８をダーリントン接続した
駆動トランジスタ１７―１８の共通コレクタは、
逆方向のダイオード２１と抵抗２０，２５を通し
て電源端子４に接続されており、ダイオー２１の
両端には、相補トランジスタ構成２６―２７，２
４―２８―２９のベース相当端子が接続されてお
り、トランジスタ２７のエミツタと２９のコレク
タは共通接続されて出力端子６に接続されてい
る。トランジスタ２４のエミツタは抵抗２２を通
して抵抗２０と２５の接続点に接続されると共に
ダイオード２３を通して出力端子６に接続されて
おり、トランジスタ２６のコレクタは抵抗２０と
２５の接続点に接続されて抵抗２２と共にプート
ストラツプ端子５に接続されている。トランジス
タ１２のベースは抵抗１９を通して出力端子６に
接続されると共に、帰還端子３、抵抗Ｒ１および
コンデンサＣ３を介して接地されている。出力端
子６はコンデンサＣ５、負荷ＲLを介して接地さ
れると共にコンデンサＣ４を通してブートストラ
ツプ端子５に接続されている。
入力端子２に加えられた入力信号は、トランジ
スタ１１，１２の差動増巾器で増巾された後、位
相反転トランジスタ１５を通して、駆動トランジ
スタ１７―１８に加えられ、そのトランジスタで
増巾された後、シングルエンデツドプツシユプル
回路を通して出力端子６に出力され、コンデンサ
Ｃ５を介して負荷ＲLに出力される。出力端子６
の直流電圧、即ち出力電圧は抵抗８，９の接続点
に接続されたバイアス端子１の直流電圧、即ちバ
イアス電圧とほぼ等しくなる。何故なら、出力電
圧がバイアス電圧より高い時には、抵抗１９を通
してトランジスタ１２を導通せしめ、トランジス
タ１５、駆動トランジスタ１７―１８が導通して
下側相補トランジスタ構成２４―２８―２９を導
通せしめ出力電圧を下げ、又出力電圧がバイアス
電圧より低い時には抵抗１０を通してトランジス
タ１１を導通せしめ、そのためトランジスタ１
５、駆動トランジスタ１７―１８が非導通とな
り、電源電圧より抵抗２５，２０を通して、上側
相補トランジスタ２６―２７を導通せしめ出力電
圧を上げて、出力電圧とバイアス電圧がほぼ等し
くなる様回路動作する。更に出力電圧は、電源電
圧損失の少ない、上下対称な出力信号振巾を取る
ために電源電圧の半分となる如く、抵抗８，９を
等しく設定される。相補トランジスタ構成２６―
２７と２４―２８―２９は、トランジスタ２６，
２７と２４，２８，２９をそれぞれダーリントン
接続して構成されており、エミツタ接地順方向電
流増巾率ｈFEを高くし、負荷ＲLを充分駆動でき
る様にする。プートストラツプ端子５の直流電圧
は、電源電圧より抵抗２５の電圧降下分だけ低
く、入力信号印加時は、出力端子６の出力信号と
同振巾に振られ、コンデンサＣ４は、上側相補ト
ランジスタ構成２６―２７が導通時には、トラン
ジスタ２６の駆動電流を供給し、下側相補トラン
ジスタ２４け２８―２９が導通時には電源電圧
Vsより抵抗２５を通して充電される。かかる電
力増巾器に於いて、出力電圧は電源電圧の直流的
変動に対して、常にその半分の電圧となり、第３
図イの如く、変化割合が１となる直線で表わさ
れ、低電源電圧（ここでは2.5V〜3.5V付近の電
圧を示す）供給時には、電源端子４と出力端子６
間の電圧が小さくなり、上側相補トランジスタ２
６―２７が非導通となる。即ち相補トランジスタ
２６―２７が導通するための電源電圧は、トラン
ジスタ２６，２７のそれぞれのベース・エミツタ
間順方向電圧約0.7Vと抵抗２０，２５の電圧降
下分の和の２倍で大体3.5V程度以上である。そ
れ以下では、相補トランジスタ構成２６―２７は
非導通となり、正負各半サイクルの入力信号印刷
時に、出力端子６に出力される信号は下側の半サ
イクルのみとなり、音声信号の場合には非常に聴
き難いものとなる。かかる電力増巾器を乾電池を
使用するラジオ、テープレコーダ等の増巾系に使
用するには、低電圧動作上欠点となる。
スタ１１，１２の差動増巾器で増巾された後、位
相反転トランジスタ１５を通して、駆動トランジ
スタ１７―１８に加えられ、そのトランジスタで
増巾された後、シングルエンデツドプツシユプル
回路を通して出力端子６に出力され、コンデンサ
Ｃ５を介して負荷ＲLに出力される。出力端子６
の直流電圧、即ち出力電圧は抵抗８，９の接続点
に接続されたバイアス端子１の直流電圧、即ちバ
イアス電圧とほぼ等しくなる。何故なら、出力電
圧がバイアス電圧より高い時には、抵抗１９を通
してトランジスタ１２を導通せしめ、トランジス
タ１５、駆動トランジスタ１７―１８が導通して
下側相補トランジスタ構成２４―２８―２９を導
通せしめ出力電圧を下げ、又出力電圧がバイアス
電圧より低い時には抵抗１０を通してトランジス
タ１１を導通せしめ、そのためトランジスタ１
５、駆動トランジスタ１７―１８が非導通とな
り、電源電圧より抵抗２５，２０を通して、上側
相補トランジスタ２６―２７を導通せしめ出力電
圧を上げて、出力電圧とバイアス電圧がほぼ等し
くなる様回路動作する。更に出力電圧は、電源電
圧損失の少ない、上下対称な出力信号振巾を取る
ために電源電圧の半分となる如く、抵抗８，９を
等しく設定される。相補トランジスタ構成２６―
２７と２４―２８―２９は、トランジスタ２６，
２７と２４，２８，２９をそれぞれダーリントン
接続して構成されており、エミツタ接地順方向電
流増巾率ｈFEを高くし、負荷ＲLを充分駆動でき
る様にする。プートストラツプ端子５の直流電圧
は、電源電圧より抵抗２５の電圧降下分だけ低
く、入力信号印加時は、出力端子６の出力信号と
同振巾に振られ、コンデンサＣ４は、上側相補ト
ランジスタ構成２６―２７が導通時には、トラン
ジスタ２６の駆動電流を供給し、下側相補トラン
ジスタ２４け２８―２９が導通時には電源電圧
Vsより抵抗２５を通して充電される。かかる電
力増巾器に於いて、出力電圧は電源電圧の直流的
変動に対して、常にその半分の電圧となり、第３
図イの如く、変化割合が１となる直線で表わさ
れ、低電源電圧（ここでは2.5V〜3.5V付近の電
圧を示す）供給時には、電源端子４と出力端子６
間の電圧が小さくなり、上側相補トランジスタ２
６―２７が非導通となる。即ち相補トランジスタ
２６―２７が導通するための電源電圧は、トラン
ジスタ２６，２７のそれぞれのベース・エミツタ
間順方向電圧約0.7Vと抵抗２０，２５の電圧降
下分の和の２倍で大体3.5V程度以上である。そ
れ以下では、相補トランジスタ構成２６―２７は
非導通となり、正負各半サイクルの入力信号印刷
時に、出力端子６に出力される信号は下側の半サ
イクルのみとなり、音声信号の場合には非常に聴
き難いものとなる。かかる電力増巾器を乾電池を
使用するラジオ、テープレコーダ等の増巾系に使
用するには、低電圧動作上欠点となる。
本発明は、低い電源電圧迄上下対称な出力信号
が得られ、特に電源に乾電池使用の増巾系を構成
するに適した電力増巾器を得ることにある。
が得られ、特に電源に乾電池使用の増巾系を構成
するに適した電力増巾器を得ることにある。
本発明によれば、入力端子と、帰還端子とを有
する第１の増巾器と、第１の増巾器の出力を増巾
する第２の増巾器と、第２の増巾器の出力を前記
第１の増巾器の帰還端子に帰還せしめる電力増巾
器に於いて、前記入力端子をバイアスするバイア
ス回路を備え、この該バイアス回路を電源電圧印
加端子両端間に直列接続された第１の定電圧発生
手段、第１の抵抗、第２の低抗および第２の定電
圧発生手段で構成し、第２の定電圧発生手段と並
列に第３の抵抗を接続し、該バイアス回路の出力
を第１と第２の抵抗の中間接続点から取り出して
入力端子をバイアスするごとくなつている電力増
巾器を得る。
する第１の増巾器と、第１の増巾器の出力を増巾
する第２の増巾器と、第２の増巾器の出力を前記
第１の増巾器の帰還端子に帰還せしめる電力増巾
器に於いて、前記入力端子をバイアスするバイア
ス回路を備え、この該バイアス回路を電源電圧印
加端子両端間に直列接続された第１の定電圧発生
手段、第１の抵抗、第２の低抗および第２の定電
圧発生手段で構成し、第２の定電圧発生手段と並
列に第３の抵抗を接続し、該バイアス回路の出力
を第１と第２の抵抗の中間接続点から取り出して
入力端子をバイアスするごとくなつている電力増
巾器を得る。
以下、第２図に示す本発明の一実施例を参照し
て、本発明を更に詳細に説明する。第２図におい
て、従来の電力増巾器（第１図参照）と同一箇所
は同一符号を付してあり、異なるところは、電源
端子４が順方向のダイオード３０，３１（少なく
とも１個以上、ここでは２ケの場合を示す）抵抗
８，９順方向のダイオード３２，３３（少なくと
も１個以上、ここでは２ケの場合を示す）を通し
て接地端子７に接続されており、直列接続された
ダイオード３２，３３の両端間に抵抗３４が接続
されており、抵抗８，９の接続点が抵抗１０を通
してトランジスタ１１のベースに接続されると共
にバイアス端子１に接続されていることである。
て、本発明を更に詳細に説明する。第２図におい
て、従来の電力増巾器（第１図参照）と同一箇所
は同一符号を付してあり、異なるところは、電源
端子４が順方向のダイオード３０，３１（少なく
とも１個以上、ここでは２ケの場合を示す）抵抗
８，９順方向のダイオード３２，３３（少なくと
も１個以上、ここでは２ケの場合を示す）を通し
て接地端子７に接続されており、直列接続された
ダイオード３２，３３の両端間に抵抗３４が接続
されており、抵抗８，９の接続点が抵抗１０を通
してトランジスタ１１のベースに接続されると共
にバイアス端子１に接続されていることである。
上記構成の電力増巾器は、ダイオード３０，３
１，３２，３３、抵抗８，９，３４からなるバイ
アス回路を備え、このバイアス回路は、共給電源
電圧を入力とし、バイアス端子１に出力してお
り、このバイアス端子１の直流電圧、即ちバイア
ス電圧Ｖ１は、供給電源電圧Vsがある規定電圧
以上では抵抗８，９で決まり、抵抗８，９を同等
の値に設定することにより電源電圧Vsの半分と
なり、電源電圧Vsがある規定電圧下では、電源
電圧Vsよりダイオード３０，３１の順方向電圧
を引いた電圧を抵抗８，９，３４で分圧した電圧
となり、抵抗８，９，３４のそれぞれの抵抗値を
適切に設定することにより、電源電圧Vsの半分
より低い電圧となる。上記バイアス電圧Ｖ１と、
電源電圧Vsとの関係は、第３図ロの如く表わさ
れ、ある規定電圧（ここでは約4V程度）以上の
電源電圧Vsの範囲では、電源電圧Vsの直流的変
動に対して、バイアス電圧Ｖ１の変動割合、即
ち、傾きは１となり、規定電圧以下の電圧Vsの
範囲では、電源電圧Vsの直流的変動に対してバ
イアス電圧Ｖ１の変動割合、即ち傾きは１より大
きく、その傾きは抵抗９，３４のそれぞれの抵抗
値の和と抵抗８の抵抗値の比で決まると共に、傾
き１の直線との交点、即ち規定電圧も決まる。更
に規定電圧以下の電源電圧Vs範囲の直線は、直
列接続されたダイオード３０，３１，３２，３３
の数の増減で横軸上で平行移動し、仮りにダイオ
ード３０，３２（ダイオード３２，３３を削除）
とした場合には横軸上で左側に約0.7V平行移動
し、ダイオードを増した場合には右側に移動す
る。この様な電源電圧Vsとバイアス電圧Ｖ１の
関係はそのまま電源電圧Vsと出力端子６の直流
出力電圧Voとの関係に置き換えることができ
る。そこで、規定電圧以下の低電源電圧（ここで
は2.5V〜3.5V程度を示す）では、出力電圧Voは
電源電圧Vsの半分より小さくし、そのため電源
電圧Vsと出力電圧Voの差電圧を大きく取ること
により、上側相補トランジスタ構成２６―２７を
駆動できる。このため、小信号印加時には、相補
トランジスタ構成２６―２７，２４―２８―２９
がそれぞれオン、オフして上下対称な出力信号が
得られると共に、大信号印加時には上側出力信号
振巾が、トランジスタ２６の駆動電流を供給する
ブートストラツプ回路を構成する抵抗２５、コン
デンサＣ４の値を適切に設定することにより、下
側出力信号振巾と同等に得られることができる。
又、規定定電圧以上の電源電圧Vsにおいては、
出力電圧Voが電源電圧の半分となるため、出力
信号振巾は、電圧損失が少なく、しかも上下対称
な出力信号を得ることができる。
１，３２，３３、抵抗８，９，３４からなるバイ
アス回路を備え、このバイアス回路は、共給電源
電圧を入力とし、バイアス端子１に出力してお
り、このバイアス端子１の直流電圧、即ちバイア
ス電圧Ｖ１は、供給電源電圧Vsがある規定電圧
以上では抵抗８，９で決まり、抵抗８，９を同等
の値に設定することにより電源電圧Vsの半分と
なり、電源電圧Vsがある規定電圧下では、電源
電圧Vsよりダイオード３０，３１の順方向電圧
を引いた電圧を抵抗８，９，３４で分圧した電圧
となり、抵抗８，９，３４のそれぞれの抵抗値を
適切に設定することにより、電源電圧Vsの半分
より低い電圧となる。上記バイアス電圧Ｖ１と、
電源電圧Vsとの関係は、第３図ロの如く表わさ
れ、ある規定電圧（ここでは約4V程度）以上の
電源電圧Vsの範囲では、電源電圧Vsの直流的変
動に対して、バイアス電圧Ｖ１の変動割合、即
ち、傾きは１となり、規定電圧以下の電圧Vsの
範囲では、電源電圧Vsの直流的変動に対してバ
イアス電圧Ｖ１の変動割合、即ち傾きは１より大
きく、その傾きは抵抗９，３４のそれぞれの抵抗
値の和と抵抗８の抵抗値の比で決まると共に、傾
き１の直線との交点、即ち規定電圧も決まる。更
に規定電圧以下の電源電圧Vs範囲の直線は、直
列接続されたダイオード３０，３１，３２，３３
の数の増減で横軸上で平行移動し、仮りにダイオ
ード３０，３２（ダイオード３２，３３を削除）
とした場合には横軸上で左側に約0.7V平行移動
し、ダイオードを増した場合には右側に移動す
る。この様な電源電圧Vsとバイアス電圧Ｖ１の
関係はそのまま電源電圧Vsと出力端子６の直流
出力電圧Voとの関係に置き換えることができ
る。そこで、規定電圧以下の低電源電圧（ここで
は2.5V〜3.5V程度を示す）では、出力電圧Voは
電源電圧Vsの半分より小さくし、そのため電源
電圧Vsと出力電圧Voの差電圧を大きく取ること
により、上側相補トランジスタ構成２６―２７を
駆動できる。このため、小信号印加時には、相補
トランジスタ構成２６―２７，２４―２８―２９
がそれぞれオン、オフして上下対称な出力信号が
得られると共に、大信号印加時には上側出力信号
振巾が、トランジスタ２６の駆動電流を供給する
ブートストラツプ回路を構成する抵抗２５、コン
デンサＣ４の値を適切に設定することにより、下
側出力信号振巾と同等に得られることができる。
又、規定定電圧以上の電源電圧Vsにおいては、
出力電圧Voが電源電圧の半分となるため、出力
信号振巾は、電圧損失が少なく、しかも上下対称
な出力信号を得ることができる。
第４図は本発明の他の実施例であつて、第２図
の実施例と同一のものは同一符号を用いており、
異なる点は電源電圧印加端子４がダイオード３
０、抵抗８，９，３５およびダイオード３３を通
して接地端子７に接続されており、抵抗９と３５
の接続点が抵抗３４を介して接地端子７に接続さ
れていることである。上記構成の電力増巾器にお
いて、バイアス電圧Ｖ１は電源電圧が規定電圧以
上では抵抗８と９と３５の比で決まり、規定電圧
以下では、抵抗８と９と３４の比で決まることに
なり、第２図の実施例のバイアス電圧Ｖ１の電圧
と同様に第３図ｂの如く表わされ、よつて第２図
の実施例と同様の効果を得ることができる。
の実施例と同一のものは同一符号を用いており、
異なる点は電源電圧印加端子４がダイオード３
０、抵抗８，９，３５およびダイオード３３を通
して接地端子７に接続されており、抵抗９と３５
の接続点が抵抗３４を介して接地端子７に接続さ
れていることである。上記構成の電力増巾器にお
いて、バイアス電圧Ｖ１は電源電圧が規定電圧以
上では抵抗８と９と３５の比で決まり、規定電圧
以下では、抵抗８と９と３４の比で決まることに
なり、第２図の実施例のバイアス電圧Ｖ１の電圧
と同様に第３図ｂの如く表わされ、よつて第２図
の実施例と同様の効果を得ることができる。
本発明の電力増巾器によれば、上記説明のよう
に電源電圧の高い範囲では、電源電圧を有効に利
用した出力振巾を得、しかも低電源電圧範囲迄上
下半サイクルの入力信号に対し、上下相補トラン
ジスタ構成がオン、オフを繰り返し、上下対称な
出力信号を得ることができるものである。
に電源電圧の高い範囲では、電源電圧を有効に利
用した出力振巾を得、しかも低電源電圧範囲迄上
下半サイクルの入力信号に対し、上下相補トラン
ジスタ構成がオン、オフを繰り返し、上下対称な
出力信号を得ることができるものである。
更に本発明の電力増巾器によれば、低電源電圧
範囲迄動作可能のため乾電池を用いて電源供給す
る増巾系に利用することは非常に有効である。
範囲迄動作可能のため乾電池を用いて電源供給す
る増巾系に利用することは非常に有効である。
本発明は上述した例にのみ限定されず、幾多の
変更を加え得るものとする。例えば、増巾器の反
転入力端子に本発明のバイアス回路の出力をバイ
アスして出力電圧を決定する際にも適用すること
ができる。
変更を加え得るものとする。例えば、増巾器の反
転入力端子に本発明のバイアス回路の出力をバイ
アスして出力電圧を決定する際にも適用すること
ができる。
第１図は従来の電力増巾器を示す回路図、第２
図は本発明の電力増巾器の一実施例を示す回路
図、第３図は従来および本発明一実施例の電力増
幅器の電源電圧Vs―バイアス端子１の直流電圧
特性を示す図であり、イは従来の電力増幅器、ロ
は本発明一実施例の電力増幅器の場合をそれぞれ
を示す図、第４図は本発明の電力増巾器の他の実
施例を示す回路図である。 １…バイアス端子、２…信号入力端子、３…帰
還端子、４…電源端子、５…ブートストラツプ端
子、６…出力端子、７…接地端子、１１，１２，
１５，１７，１８，２４，２６，２７，２８，２
９…トランジスタ、３０，３１，３２，３３，１
４，２１，３３…ダイオード、Ｒ１，８，３４，
３５，１０，１３，１６，１９，２０，２２，２
５…抵抗、Ｃ１〜Ｃ５…コンデンサ、ＲL…負
荷、Vs…電圧源。
図は本発明の電力増巾器の一実施例を示す回路
図、第３図は従来および本発明一実施例の電力増
幅器の電源電圧Vs―バイアス端子１の直流電圧
特性を示す図であり、イは従来の電力増幅器、ロ
は本発明一実施例の電力増幅器の場合をそれぞれ
を示す図、第４図は本発明の電力増巾器の他の実
施例を示す回路図である。 １…バイアス端子、２…信号入力端子、３…帰
還端子、４…電源端子、５…ブートストラツプ端
子、６…出力端子、７…接地端子、１１，１２，
１５，１７，１８，２４，２６，２７，２８，２
９…トランジスタ、３０，３１，３２，３３，１
４，２１，３３…ダイオード、Ｒ１，８，３４，
３５，１０，１３，１６，１９，２０，２２，２
５…抵抗、Ｃ１〜Ｃ５…コンデンサ、ＲL…負
荷、Vs…電圧源。
Claims (1)
- １ 帰還増幅器と、第１および第２の電源供給端
子間に接続され前記帰還増幅器の入力端子に入力
バイアス電圧を発生するバイアス回路とを備えた
電力増幅器において、前記バイアス回路は、前記
第１の電源供給端子と前記帰還増幅器の前記入力
端子との間に設けられた第１の定電圧手段と第１
の抵抗との第１の直列回路と、前記入力端子と前
記第２の電源供給端子との間に設けられた第２の
定電圧手段と第２の抵抗との第２の直列回路と、
前記第１および第２の電源供給端子間の電圧が所
定値よりも小さくなつたときに前記第１の定電圧
回路は動作状態で前記第２の定電圧手段は非動作
状態となるように前記第２の定電圧手段を含む電
気回路に対し並列に接続された第３の抵抗とを有
することを特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109378A JPS5518155A (en) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Power amplifier |
| GB7925714A GB2032716B (en) | 1978-07-25 | 1979-07-24 | Biasing networks for power and amplifiers |
| US06/060,315 US4290026A (en) | 1978-07-25 | 1979-07-25 | Power amplifier whose bias voltage changes depending on power supply voltage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109378A JPS5518155A (en) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Power amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5518155A JPS5518155A (en) | 1980-02-08 |
| JPS6142887B2 true JPS6142887B2 (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=14016895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109378A Granted JPS5518155A (en) | 1978-07-25 | 1978-07-25 | Power amplifier |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4290026A (ja) |
| JP (1) | JPS5518155A (ja) |
| GB (1) | GB2032716B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693578B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1994-11-16 | 株式会社トーキン | 静電誘導型トランジスタ回路の自動バイアス回路 |
| JPH0263205A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Sharp Corp | 増幅回路 |
| US5229721A (en) * | 1992-04-06 | 1993-07-20 | Plantronics, Inc. | Micropower amplifier/transducer driver with signal expansion |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567322B2 (ja) * | 1972-03-21 | 1981-02-17 | ||
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-
1978
- 1978-07-25 JP JP9109378A patent/JPS5518155A/ja active Granted
-
1979
- 1979-07-24 GB GB7925714A patent/GB2032716B/en not_active Expired
- 1979-07-25 US US06/060,315 patent/US4290026A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131362A (ja) * | 1973-04-18 | 1974-12-17 | ||
| JPS5229044B2 (ja) * | 1973-11-02 | 1977-07-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2032716A (en) | 1980-05-08 |
| JPS5518155A (en) | 1980-02-08 |
| US4290026A (en) | 1981-09-15 |
| GB2032716B (en) | 1982-10-27 |
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