JPS614225A - エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS614225A JPS614225A JP59125521A JP12552184A JPS614225A JP S614225 A JPS614225 A JP S614225A JP 59125521 A JP59125521 A JP 59125521A JP 12552184 A JP12552184 A JP 12552184A JP S614225 A JPS614225 A JP S614225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- baking
- single crystal
- epitaxial growth
- excellent quality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はエピタキシャル成長方法に関する。
（ロ）従来技術
従来、液相エピタキシャル成長方法に用いる成長用メル
トはその高純度化を計るために８００℃〜９００°Ｃの
高温還元雰囲気中で長時間（１０時間以上）メルトベー
キングを行なっていた（ＪＡＰＡ ＮＥＳＥ ＪＯ
ＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳ Ｉ
ＣＳ Ｖｏｌ、１７．Ｎｏ３．Ｍａｒｃｈ １９７８
．ＰＰ５１５−５１９＞。
トはその高純度化を計るために８００℃〜９００°Ｃの
高温還元雰囲気中で長時間（１０時間以上）メルトベー
キングを行なっていた（ＪＡＰＡ ＮＥＳＥ ＪＯ
ＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳ Ｉ
ＣＳ Ｖｏｌ、１７．Ｎｏ３．Ｍａｒｃｈ １９７８
．ＰＰ５１５−５１９＞。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
熱るにこの方法ではベーキング時間が１０時間以上と長
くなり量産に適していなかった。
くなり量産に適していなかった。
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、ベーキング時
間が短く、高純度化が計れるメルトの前処理方法を提供
竺んとするものである。
間が短く、高純度化が計れるメルトの前処理方法を提供
竺んとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明の特徴は、エピタキシャル成長用メルトを成長前
にＨ２プラズマ雰囲気中でメルトベーキングすることに
ある。
にＨ２プラズマ雰囲気中でメルトベーキングすることに
ある。
（ホ）発明の作用
本発明の如＜Ｈ２プラズマ雰囲気中でメルトベーキング
を行なうと、Ｈ２が活性化されているのでメルト中の酸
素を主成分とする不純物を効率よく取り除くことができ
る。
を行なうと、Ｈ２が活性化されているのでメルト中の酸
素を主成分とする不純物を効率よく取り除くことができ
る。
（へ）実施例
第１図は本発明に用いるプラズマ装置の一例を示し、（
１）はヒータ、（２）は１対の電極であり、該電極はＴ
ｉＣ（チタンカーボン）をコートしたＴｉ（チタン）か
らなる。（３）は上記電極に高周波を印加するための高
周波電源であり、該電源は例えば１３、５６ＭＨｚ、Ｉ
ＫＷの高周波を発生せしめる。（４）は上記電極（２）
間に配されたメルト載置部であり、該載置部は例えばサ
ファイアからなる。（５）は石英チューブであり、該チ
ューブに上記電極（２）及びメルト載置部（４）が収納
諮れ、かつ斯るチューブ周囲に上記ヒータく１〉が配さ
れている。
１）はヒータ、（２）は１対の電極であり、該電極はＴ
ｉＣ（チタンカーボン）をコートしたＴｉ（チタン）か
らなる。（３）は上記電極に高周波を印加するための高
周波電源であり、該電源は例えば１３、５６ＭＨｚ、Ｉ
ＫＷの高周波を発生せしめる。（４）は上記電極（２）
間に配されたメルト載置部であり、該載置部は例えばサ
ファイアからなる。（５）は石英チューブであり、該チ
ューブに上記電極（２）及びメルト載置部（４）が収納
諮れ、かつ斯るチューブ周囲に上記ヒータく１〉が配さ
れている。
斯る装置を用いてＧ ａｏＪ＋ Ａρ。＋＠Ａ ｓ短結
晶成長用メルトをベーキングし、その後期るメルトより
上記単結晶を成長せしめた。
晶成長用メルトをベーキングし、その後期るメルトより
上記単結晶を成長せしめた。
上記ベーキングはまずメルト載置部〈４）に上記メルト
を収納し、ヒータ（１）にて斯るメルトを約８００℃〜
９００℃に加熱すると共に上記チューブ（５）内に毎分
２！程度のＨ２（水素）ガスを流した状態で１対の電極
（２）間に高周波を印加する。
を収納し、ヒータ（１）にて斯るメルトを約８００℃〜
９００℃に加熱すると共に上記チューブ（５）内に毎分
２！程度のＨ２（水素）ガスを流した状態で１対の電極
（２）間に高周波を印加する。
このベーキングを約５時間行なった後、上記メルトを用
いて作成されたＧ ａ ｏ、ｅｚ Ａρ。、、 Ａ ｓ
単結晶の７７°にでのＰＬ（フォトルミネッセンス）強
度を測定したところ第２図中実線で示す如き結果が得ら
れた。
いて作成されたＧ ａ ｏ、ｅｚ Ａρ。、、 Ａ ｓ
単結晶の７７°にでのＰＬ（フォトルミネッセンス）強
度を測定したところ第２図中実線で示す如き結果が得ら
れた。
また、従来の如く約８００℃〜９００＠Ｃの高温還元雰
囲気中で５時間ベーキングしたＧ ａ ｏｓｒ Ａ ｊ
！。＋ｅ Ａ ｓ単４ Ｎｌｊ ５％ ｉｆ
！： ＊ ＪＩ Ｊ ）Ｉ−Ｆ、’Ｆｉ：、 Ｍ ’ｔ
’ ”−ｆ’Ｆ １１２ｊａ ｉｔ、ｔ Ｇ ａｏｓｒ
Ａ ｊ！ｏ、＋＠Ａ ８単結晶の７７°にでのＰＬ強
度を第２図中破線で示す。
囲気中で５時間ベーキングしたＧ ａ ｏｓｒ Ａ ｊ
！。＋ｅ Ａ ｓ単４ Ｎｌｊ ５％ ｉｆ
！： ＊ ＪＩ Ｊ ）Ｉ−Ｆ、’Ｆｉ：、 Ｍ ’ｔ
’ ”−ｆ’Ｆ １１２ｊａ ｉｔ、ｔ Ｇ ａｏｓｒ
Ａ ｊ！ｏ、＋＠Ａ ８単結晶の７７°にでのＰＬ強
度を第２図中破線で示す。
第２図より明らかなように、本実施例より得られたＧ
ａｏ＠２Ａ ｌ ｏ、＋ｓ Ａ Ｓ単結晶の方が７００
０人付近で鋭いピークを持ち、かつ８０００人付近にあ
られれる深い局在準位が少なくなっていることがわかる
。これを換言すれば本実施例より得られた単結晶は結晶
学的に良質なものが得られていといえる。
ａｏ＠２Ａ ｌ ｏ、＋ｓ Ａ Ｓ単結晶の方が７００
０人付近で鋭いピークを持ち、かつ８０００人付近にあ
られれる深い局在準位が少なくなっていることがわかる
。これを換言すれば本実施例より得られた単結晶は結晶
学的に良質なものが得られていといえる。
上記実施例ではベーキング時間を５時間としたが、この
時間が犬となれば上記効果は更に良くなる。
時間が犬となれば上記効果は更に良くなる。
また、第３図において本実施例における７０００人付近
でのピーク値Ａと８０００人付近でのピーク値Ｂとのピ
ーク強度比Ｂ／Ａとベーキング時間との関係を実線で示
し、また従来方法におけるピーク強度比Ｂ／Ａとベーキ
ング時間との関係を破線で示した。
でのピーク値Ａと８０００人付近でのピーク値Ｂとのピ
ーク強度比Ｂ／Ａとベーキング時間との関係を実線で示
し、また従来方法におけるピーク強度比Ｂ／Ａとベーキ
ング時間との関係を破線で示した。
第３図より明らかな如く、実線の傾きが大となっている
。これは明らかに本実施例におけるベーキング方法の方
がメルト中の酸業を主成分とする不純物をより速く除去
できることを示している。
。これは明らかに本実施例におけるベーキング方法の方
がメルト中の酸業を主成分とする不純物をより速く除去
できることを示している。
次に、本発明のベーキング方法を用いて前処理されたメ
ルトより作成きれた出力波長７４００人のＣ３Ｐ型半導
体レーザと従来方法により前処理されたメルトより作成
された出力波長７４００人のＣ８Ｐ型半導体レーザとを
夫々６０℃の高温下で出力４ｍＷで連続発振した際の駆
動電流を調べた。
ルトより作成きれた出力波長７４００人のＣ３Ｐ型半導
体レーザと従来方法により前処理されたメルトより作成
された出力波長７４００人のＣ８Ｐ型半導体レーザとを
夫々６０℃の高温下で出力４ｍＷで連続発振した際の駆
動電流を調べた。
その結果、本発明のベーキング方法で処理きれたメルト
を用いた半導体レーザの駆動電流は１０４時間以上経過
した時点でもほとんど変化しなかったが、従来方法で処
理されたメルトを用いた半導体レーザの駆動電流は１０
３時間以下で急激な立上りを示ルた。
を用いた半導体レーザの駆動電流は１０４時間以上経過
した時点でもほとんど変化しなかったが、従来方法で処
理されたメルトを用いた半導体レーザの駆動電流は１０
３時間以下で急激な立上りを示ルた。
（ト）発明の効果
本発明によれば成長用メルトをＨ２プラズマ中でベーキ
ングすることにより短時間でかつ良品質な成長層が得ら
れるので、半導レーザ、ＬＥＤ等の製造において多大な
る益を有することは明らかである。
ングすることにより短時間でかつ良品質な成長層が得ら
れるので、半導レーザ、ＬＥＤ等の製造において多大な
る益を有することは明らかである。
第１図は本発明の実施例に用いるプラズマ装置を示す断
面図、第２図、第３図は木−施例における測定結果を示
す特性図である。
面図、第２図、第３図は木−施例における測定結果を示
す特性図である。
Claims (1)
- （１）エピタキシャル成長用メルトを成長前にＨ＿２プ
ラズマ雰囲気中でメルトベーキングすることを特徴とす
るエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125521A JPS614225A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125521A JPS614225A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614225A true JPS614225A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14912211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125521A Pending JPS614225A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614225A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583308A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Nec Corp | オフセツト消去回路 |
| JPS62213132A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Nec Corp | エピタクシヤル成長方法及びエピタクシヤル成長装置 |
| JPS63232630A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 波形自動等化方式 |
| JPS6442961A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Nippon Telegraph & Telephone | Low frequency regeneration circuit |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP59125521A patent/JPS614225A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583308A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Nec Corp | オフセツト消去回路 |
| JPS62213132A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Nec Corp | エピタクシヤル成長方法及びエピタクシヤル成長装置 |
| JPS63232630A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 波形自動等化方式 |
| JPS6442961A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Nippon Telegraph & Telephone | Low frequency regeneration circuit |
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