JPS6135847A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPS6135847A JPS6135847A JP15521884A JP15521884A JPS6135847A JP S6135847 A JPS6135847 A JP S6135847A JP 15521884 A JP15521884 A JP 15521884A JP 15521884 A JP15521884 A JP 15521884A JP S6135847 A JPS6135847 A JP S6135847A
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- membrane
- film
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発６＠゛の利用分野〕
本発明は電子デバイス、素子等に利用される薄膜、特に
原子９分子レベルで制御された薄膜の形成法に関する。
原子９分子レベルで制御された薄膜の形成法に関する。
従°来、ある基板上に薄膜を形成する場合、いわゆるＭ
ＢＥ法とよばれる高真空蒸着法や金属有機物を用いたＭ
ＯＣＶＤ法が広く用いられている０、このＭＢＥ法によ
れば１例えば、数十から数百人程度の波長を有する超格
子あるいは人工格子合金などが作成されている。しかし
ながら、格子面近傍での原子のみだれは原子オーダーあ
るいは分子オーターで観察した場合必ずしも、十分とは
言えない。
ＢＥ法とよばれる高真空蒸着法や金属有機物を用いたＭ
ＯＣＶＤ法が広く用いられている０、このＭＢＥ法によ
れば１例えば、数十から数百人程度の波長を有する超格
子あるいは人工格子合金などが作成されている。しかし
ながら、格子面近傍での原子のみだれは原子オーダーあ
るいは分子オーターで観察した場合必ずしも、十分とは
言えない。
つまり、単一原子層のレベルでは制御された膜とはいい
がたい。
がたい。
これに対して、単一原子層レベルで制御しうるという意
味において本発明の方法に関連のある技術が報告されて
いる。この方法は、 ＥｌａｃｔｒｏｎｉｃｓＰｒｏｄ
ｕｃｔｓ、Ａｐｒｉｌ １８ 、１９８３．ｐ、 ４６
におけるＤａｖｉｄＬｉｅｂｅｒｍａｎによる“Ａｔｏ
ｍｉｃ ｅｐｉｔａｘｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｙｉｅｌｄ
ｓｈｉ ｒｅｌ、ｔ！Ｌ ｄｉａｐｌａｙ＋”と題する
文献で紹介されている。その方法は、ＥＬデバイス用の
ＺｎＳ結晶膜に適用されたものであるが、例えば、（ａ
）・基板をまずＺｎ蒸気にさらすとＺｎが基板表面の酸
素と結合し、単−Ｚｎ原子層が生成する。（ｂ）ゆるく
結合したＺｎは基板温度が十分高ければ再蒸発して強く
結合したＺｎだけが残る。（ｃ）新しくできたＺｎ表面
をＳ蒸気にさらすと、Ｚｎ−８の結合が生じ、単−Ｓ原
子層が生成する。（ｄ）余分のＳは再蒸発させる。（ｅ
）このプロセスをくりかえして所望の厚みのものを得る
ことができる。この方法では余分に付着したＺｎやＳは
基板昇温によって除去する必要があるが、後述する表面
エネルギーの関係から、所望の平坦な膜の生成が困難に
なる場合がある。またこの方法は、ＺｎＳという化合物
におけるＺｎ−８間の結合力をうまく利用し、目的を達
成したものであり１例えば、Ａ、８２種類の元素から成
る薄膜でＡＡＡ／ＢＢＢ／ＡＡ／Ｂ！３などのような任
意の積層構造を得ようとする場合にはこの方法の適用は
困難である。
味において本発明の方法に関連のある技術が報告されて
いる。この方法は、 ＥｌａｃｔｒｏｎｉｃｓＰｒｏｄ
ｕｃｔｓ、Ａｐｒｉｌ １８ 、１９８３．ｐ、 ４６
におけるＤａｖｉｄＬｉｅｂｅｒｍａｎによる“Ａｔｏ
ｍｉｃ ｅｐｉｔａｘｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｙｉｅｌｄ
ｓｈｉ ｒｅｌ、ｔ！Ｌ ｄｉａｐｌａｙ＋”と題する
文献で紹介されている。その方法は、ＥＬデバイス用の
ＺｎＳ結晶膜に適用されたものであるが、例えば、（ａ
）・基板をまずＺｎ蒸気にさらすとＺｎが基板表面の酸
素と結合し、単−Ｚｎ原子層が生成する。（ｂ）ゆるく
結合したＺｎは基板温度が十分高ければ再蒸発して強く
結合したＺｎだけが残る。（ｃ）新しくできたＺｎ表面
をＳ蒸気にさらすと、Ｚｎ−８の結合が生じ、単−Ｓ原
子層が生成する。（ｄ）余分のＳは再蒸発させる。（ｅ
）このプロセスをくりかえして所望の厚みのものを得る
ことができる。この方法では余分に付着したＺｎやＳは
基板昇温によって除去する必要があるが、後述する表面
エネルギーの関係から、所望の平坦な膜の生成が困難に
なる場合がある。またこの方法は、ＺｎＳという化合物
におけるＺｎ−８間の結合力をうまく利用し、目的を達
成したものであり１例えば、Ａ、８２種類の元素から成
る薄膜でＡＡＡ／ＢＢＢ／ＡＡ／Ｂ！３などのような任
意の積層構造を得ようとする場合にはこの方法の適用は
困難である。
したがって、本発明の目的は、原子層もしくは分子層レ
ベルで制御された任意の原子層もしくは分子層構造を形
成する方法を提供するものである。
ベルで制御された任意の原子層もしくは分子層構造を形
成する方法を提供するものである。
今、Ａ、８２種類の金属を考えると、Ａから成る基板に
、前記、したＭＢＥ法でＢからなる薄膜を積層させる場
合、Ａ、Ｂの表面エネルギーσ゛お。
、前記、したＭＢＥ法でＢからなる薄膜を積層させる場
合、Ａ、Ｂの表面エネルギーσ゛お。
σ１の大小関係により、第１図に示すような薄膜が成長
する。すなわち、Ａから成る基板１にＢから成る薄膜２
を形成する場合、Ｂの表面エネルギーがＡのそれに等し
いか又は小さければ、（ａ）のように膜は平滑なものと
なる。逆にＢの表面エネルギーがＡのそれに近くても大
きければ、（ｂ）のようなある厚みのＢ層が形成された
後島状の薄膜構造をとる。また、Ｂの表面エネルギーが
、Ａのそれにくらべてさらシ二大きければ、薄膜が形成
されず、島状の部分が成長することが知られている。（
ａ）の場合、さらにＢ層の上に再びＡ層を形成させる場
合は、（ｂ）、（Ｃ）と同じく島状の薄膜構造をとるこ
とになる。したがって、Ａ、Ｂ両者の表面エネルギーが
等しい場合以外は、任意の原子厚みをもつ薄膜構造が得
られない。
する。すなわち、Ａから成る基板１にＢから成る薄膜２
を形成する場合、Ｂの表面エネルギーがＡのそれに等し
いか又は小さければ、（ａ）のように膜は平滑なものと
なる。逆にＢの表面エネルギーがＡのそれに近くても大
きければ、（ｂ）のようなある厚みのＢ層が形成された
後島状の薄膜構造をとる。また、Ｂの表面エネルギーが
、Ａのそれにくらべてさらシ二大きければ、薄膜が形成
されず、島状の部分が成長することが知られている。（
ａ）の場合、さらにＢ層の上に再びＡ層を形成させる場
合は、（ｂ）、（Ｃ）と同じく島状の薄膜構造をとるこ
とになる。したがって、Ａ、Ｂ両者の表面エネルギーが
等しい場合以外は、任意の原子厚みをもつ薄膜構造が得
られない。
しかしながら、本発明の方法によれば、第２図に示すよ
うに第３の物質ｃ、ｃ’ として、原子団、基、あるい
は官能基など、３，３′を成長表面の原子に化学結合も
しくは吸着させることにより、生成する薄膜の表面エネ
ルギーσ。、σ。′を基板のそれσ８．σ３より常に少
さく保っことができ、したがって、（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）のプロセスを経ても常にＡ、Ｂいずれの膜
も平坦な薄膜として任意の原子層厚みで形成させること
ができる。
うに第３の物質ｃ、ｃ’ として、原子団、基、あるい
は官能基など、３，３′を成長表面の原子に化学結合も
しくは吸着させることにより、生成する薄膜の表面エネ
ルギーσ。、σ。′を基板のそれσ８．σ３より常に少
さく保っことができ、したがって、（ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ）のプロセスを経ても常にＡ、Ｂいずれの膜
も平坦な薄膜として任意の原子層厚みで形成させること
ができる。
このような方法を実現するためには種々な方法がとられ
るが、たとえば膜形成原料としては、膜構成元素を含む
化合物を用いることが好ましい。
るが、たとえば膜形成原料としては、膜構成元素を含む
化合物を用いることが好ましい。
薄膜形成プロセスとしては、例えば、まず、（ａ）基板
表面の原子に化学的に活性な原子団などを吸着させる。
表面の原子に化学的に活性な原子団などを吸着させる。
（ｂ）上記原料化合物を供給し基板表面で脱離を伴なう
反応を起させ、所望の化学結合を有する原子層を形成さ
せる。この時新たな原子層上には上記原料化合物から供
給された原子団などが化学結合もしくは吸着した状態と
なる。この状態では、原料化合物をそれ以上供給しても
、原料化合物からくる原子団とは反応しない不活性なプ
ロセス条件（温度、濃度など）を選ぶ必要がある。これ
は原子層レベル（モルイア−）で厚みを制御するために
必要である。ついで、（ｃ）上記不活性な吸着原子団を
活性化する。たとえば。
反応を起させ、所望の化学結合を有する原子層を形成さ
せる。この時新たな原子層上には上記原料化合物から供
給された原子団などが化学結合もしくは吸着した状態と
なる。この状態では、原料化合物をそれ以上供給しても
、原料化合物からくる原子団とは反応しない不活性なプ
ロセス条件（温度、濃度など）を選ぶ必要がある。これ
は原子層レベル（モルイア−）で厚みを制御するために
必要である。ついで、（ｃ）上記不活性な吸着原子団を
活性化する。たとえば。
第２の化合物を供給することにより、上記不活性な原子
団を活性な原子団と置換することにより、膜表面は前記
（ａ）の状態となる。再び、上記原料化合物を供給し、
モルイア−の膜を形成することが出来る。以下（ｂ）
、 （ｃ）のプロセスをくり返えすことにより、任意の
厚みの膜が形成でき、また、化合物の種類を変えること
により任意の材料を膜状にそれぞれ任意の厚みで作成す
゛ることができる。
団を活性な原子団と置換することにより、膜表面は前記
（ａ）の状態となる。再び、上記原料化合物を供給し、
モルイア−の膜を形成することが出来る。以下（ｂ）
、 （ｃ）のプロセスをくり返えすことにより、任意の
厚みの膜が形成でき、また、化合物の種類を変えること
により任意の材料を膜状にそれぞれ任意の厚みで作成す
゛ることができる。
原料化合物としては、水素化物、金属アルコキシド、金
属カルボキシドなどが好ましい。金属ハライドなども使
用できるが、吸着反応に伴ない腐食性ガスが発生する点
好ましくない。また、金属に直接アルキル基が結合した
有機金属化合物、はそれ自身の熱分解が生じやすく好ま
しくない。また、活性な原子団を吸着させるための原料
としては水素や水素化物が好ましい。表面原子団の活性
化の手法として、外部より、光、Ｘ線、電子線などのエ
ネルギーを印加することも可能である。光などの外部エ
ネルギーを印加する場合、薄膜形成の領域を特定するこ
とができる利点がある。
属カルボキシドなどが好ましい。金属ハライドなども使
用できるが、吸着反応に伴ない腐食性ガスが発生する点
好ましくない。また、金属に直接アルキル基が結合した
有機金属化合物、はそれ自身の熱分解が生じやすく好ま
しくない。また、活性な原子団を吸着させるための原料
としては水素や水素化物が好ましい。表面原子団の活性
化の手法として、外部より、光、Ｘ線、電子線などのエ
ネルギーを印加することも可能である。光などの外部エ
ネルギーを印加する場合、薄膜形成の領域を特定するこ
とができる利点がある。
比表面積が５００ｍ”／Ｈのシリカゲル０．５ ｇと、
ＨＦで表面を洗浄した２ ０ｍｍＸ ２０＋＋＋＋ｗＸ
０．５回１ｍの石英基板を用意した。これらの試料を第
３図に示した雰囲気調整可能な電気炉４に挿入し、ボン
ベ５からＡｒガスを２００ｃｃ／■ｉｎで送気し、炉の
温度を３００℃に保持した。ついで、（ａ）工程：バル
ブ６，７を開いて水の入ったバブラー８を通したＡｒガ
スを５０ｃｃ／膳ｉｎで約６０分間送気した。ついで、
バブル６．７を閉じて水蒸気を含むＡｒガスを十分追加
した後、（ｂ）工程：バルブ９，１０を開イテ５ｉ（Ｏ
ＣＨＢ ）４ （７）入ったバブラ１１を通したＡｒ
ガスを５０ｃｃ／ｗｉｎで送気し、１０分毎にゲルの重
量変化を測定したところ、約６０分で重量増加がゼロと
なり、一定重量となることを確認した。この事実はゲル
表面に単一分子層が化学吸着したことを示すものである
。ついで、バブル９，１０を閉じ、５ｉ（ＯＣＨａ ）
４（１）ｉｐ気を含むＡｒガスを追い出した後、（ｅ）
工程、再び（ａ）工程を行なった。つい′ｒ：（ｃ）工
程の後、ゲル試料を取出し、重量を測定し、再び（ｂ）
。
ＨＦで表面を洗浄した２ ０ｍｍＸ ２０＋＋＋＋ｗＸ
０．５回１ｍの石英基板を用意した。これらの試料を第
３図に示した雰囲気調整可能な電気炉４に挿入し、ボン
ベ５からＡｒガスを２００ｃｃ／■ｉｎで送気し、炉の
温度を３００℃に保持した。ついで、（ａ）工程：バル
ブ６，７を開いて水の入ったバブラー８を通したＡｒガ
スを５０ｃｃ／膳ｉｎで約６０分間送気した。ついで、
バブル６．７を閉じて水蒸気を含むＡｒガスを十分追加
した後、（ｂ）工程：バルブ９，１０を開イテ５ｉ（Ｏ
ＣＨＢ ）４ （７）入ったバブラ１１を通したＡｒ
ガスを５０ｃｃ／ｗｉｎで送気し、１０分毎にゲルの重
量変化を測定したところ、約６０分で重量増加がゼロと
なり、一定重量となることを確認した。この事実はゲル
表面に単一分子層が化学吸着したことを示すものである
。ついで、バブル９，１０を閉じ、５ｉ（ＯＣＨａ ）
４（１）ｉｐ気を含むＡｒガスを追い出した後、（ｅ）
工程、再び（ａ）工程を行なった。つい′ｒ：（ｃ）工
程の後、ゲル試料を取出し、重量を測定し、再び（ｂ）
。
（ｃ）工程をくり返えした。これらの工程を５回くり返
えし、そのつとゲル試料の重量変イヒを測定したところ
、１回のくりがえし工程につき、約１７゜８■ｇの重量
増加がみとめられた。これは、（ｂ）。
えし、そのつとゲル試料の重量変イヒを測定したところ
、１回のくりがえし工程につき、約１７゜８■ｇの重量
増加がみとめられた。これは、（ｂ）。
（ｅ）の工程をくり返えす毎に、ＳｉＯ、の一分子層に
して０．３６Ａに相当する層がゲルの表面に形成された
ことを意味する。
して０．３６Ａに相当する層がゲルの表面に形成された
ことを意味する。
つぎに、引きつづいて、（ｂ）工程：バルブ１２．１３
を開き、Ｇｅ （ＯＣＲｍ ） ａ の入ったバブラ
１４を通したＡｒガスを６０分間送気し、バルブ１２．
１３を閉じ、Ｇｏ（ＯＣＲ，） ４蒸発を含むＡｒガス
を追出した後、前記（ｃ）工程を行なつ々。その後、（
ｂ’）、（Ｃ）の工程を５回くり返し、ゲルの重量変化
を測定したところ、１回のくり返えしにつき約１２４．
６−ｇ増加していた。これは、（ｂ’）、（ｃ）の工程
をくり返えすごとに、ＧｅＯ、の一分子層が形成された
ことを意味する。
を開き、Ｇｅ （ＯＣＲｍ ） ａ の入ったバブラ
１４を通したＡｒガスを６０分間送気し、バルブ１２．
１３を閉じ、Ｇｏ（ＯＣＲ，） ４蒸発を含むＡｒガス
を追出した後、前記（ｃ）工程を行なつ々。その後、（
ｂ’）、（Ｃ）の工程を５回くり返し、ゲルの重量変化
を測定したところ、１回のくり返えしにつき約１２４．
６−ｇ増加していた。これは、（ｂ’）、（ｃ）の工程
をくり返えすごとに、ＧｅＯ、の一分子層が形成された
ことを意味する。
つぎに、石英基板のみを電気炉に残して、先のＳｉｎ、
膜の形成工程（（ｂ）、（Ｃ）を５０回）とＧｅＯ
、膜の形成工程（（ｂ）、（ｃ）を５０回）を交互に５
０回くり返えした。ただし、この際送気時間はそれぞれ
１分以下に短縮した。得られた試料の基板に垂直方向の
周期性を調べるために、Ｘ線回折を行なったところ、膜
厚方向に３６．２人の周期が存在していることがわかっ
た。さらに、この試料の断面を、ミクロトームで切断し
、高分解能電子顕微鏡で観察したところ、約２０人の周
期の濃淡を示す電顕像が見られた。また、界面の乱すも
なく、きわめて平坦な膜が形成されていることが、わか
った。
膜の形成工程（（ｂ）、（Ｃ）を５０回）とＧｅＯ
、膜の形成工程（（ｂ）、（ｃ）を５０回）を交互に５
０回くり返えした。ただし、この際送気時間はそれぞれ
１分以下に短縮した。得られた試料の基板に垂直方向の
周期性を調べるために、Ｘ線回折を行なったところ、膜
厚方向に３６．２人の周期が存在していることがわかっ
た。さらに、この試料の断面を、ミクロトームで切断し
、高分解能電子顕微鏡で観察したところ、約２０人の周
期の濃淡を示す電顕像が見られた。また、界面の乱すも
なく、きわめて平坦な膜が形成されていることが、わか
った。
上記実施例における工程（ａ）Ｋおける水はＳｉＯ、表
面の吸着サイトを活性にするためのものであり、その処
理により、ＳｉＯ、表面のＳｉサイトにＯＨが化学吸着
する。ついで、（ｂ）工程では、たとえば、 ＝Ｓｉ ＯＨ＋ （ＣＨｓ ０）Ｓｉ（ＯＣＨａ ）
ａ→ ＝ＳｉＯ−５ｚ（ＯＣＨｍ ）ｓ ＋Ｃｌ１ｓ
ＯＨ↑ 。
面の吸着サイトを活性にするためのものであり、その処
理により、ＳｉＯ、表面のＳｉサイトにＯＨが化学吸着
する。ついで、（ｂ）工程では、たとえば、 ＝Ｓｉ ＯＨ＋ （ＣＨｓ ０）Ｓｉ（ＯＣＨａ ）
ａ→ ＝ＳｉＯ−５ｚ（ＯＣＨｍ ）ｓ ＋Ｃｌ１ｓ
ＯＨ↑ 。
の縮合反応により、ＣＨ，ＯＨを脱離し、ＳｉＯ２表面
に、 Ｓｉ （ＯＣＨ３）ｓの分子が、モルイア−化学
吸着していることが推定される。しかも、ＯＨの吸着サ
イトでのみ、上記縮合反応が生じるため、モルイア−以
上の吸着は生じない、ついで、（ｃ）工程で、たとえば
、 −８ｉ −ＯＣＨ，＋Ｈ、０ 看 → Ｓｉ ＯＨ＋ＣＨａＯＨ↑ のように加水分解反応が生じ、再びＳｉＯ、の表面のＳ
ｉサイトにＯＨが吸着した状態になる。
に、 Ｓｉ （ＯＣＨ３）ｓの分子が、モルイア−化学
吸着していることが推定される。しかも、ＯＨの吸着サ
イトでのみ、上記縮合反応が生じるため、モルイア−以
上の吸着は生じない、ついで、（ｃ）工程で、たとえば
、 −８ｉ −ＯＣＨ，＋Ｈ、０ 看 → Ｓｉ ＯＨ＋ＣＨａＯＨ↑ のように加水分解反応が生じ、再びＳｉＯ、の表面のＳ
ｉサイトにＯＨが吸着した状態になる。
以上の実施例は、酸化物薄膜の合成例であるが、上記（
ａ）、（ｃ）工程の水の代りに、Ｈ，Ｓを用いることに
より、硫化物薄膜の合成が可能である。さらに、そのア
ナロジ−として、Ｈ２Ｓｅ。
ａ）、（ｃ）工程の水の代りに、Ｈ，Ｓを用いることに
より、硫化物薄膜の合成が可能である。さらに、そのア
ナロジ−として、Ｈ２Ｓｅ。
Ｈ２Ｔ ｅを用いることにより、セレン化物薄膜、テル
ル化物薄膜の合成も可能である。Ｖ族元素化物、ＮＨ２
＋ ＰＨ３ｇ Ａ８Ｈ３ｙ ５ｂＨｓなどを用いること
により、それぞれ、窒化物、リン化物。
ル化物薄膜の合成も可能である。Ｖ族元素化物、ＮＨ２
＋ ＰＨ３ｇ Ａ８Ｈ３ｙ ５ｂＨｓなどを用いること
により、それぞれ、窒化物、リン化物。
ヒソ化物、アンチモン化物の薄膜を形成できることも、
同様な原理にもとづく。金属元素の原料化合物として金
属アルコキシドｈｉｍｂＬ好ましい。また、金属元素に
結合した原子団の種類を選ぶことにより、その立体障害
の効果を利用して、まったく新しい構造の物質を合成す
ることも可能である。
同様な原理にもとづく。金属元素の原料化合物として金
属アルコキシドｈｉｍｂＬ好ましい。また、金属元素に
結合した原子団の種類を選ぶことにより、その立体障害
の効果を利用して、まったく新しい構造の物質を合成す
ることも可能である。
上記実施例では、−気圧下で行なったが、減圧下、ある
いは真空容器内で薄膜合成することができる。特に原料
化合物の蒸気圧が低い場合、真空容器内で行なう方が有
利である。また、減圧化によりプロセス時間の短縮を図
ることができる。
いは真空容器内で薄膜合成することができる。特に原料
化合物の蒸気圧が低い場合、真空容器内で行なう方が有
利である。また、減圧化によりプロセス時間の短縮を図
ることができる。
的には非晶質であったが、平面内で周期性を有する基板
を用いることにより、３次元的に周期性のある薄膜（単
結晶薄膜およびその組合わせ）を得ることができる。
を用いることにより、３次元的に周期性のある薄膜（単
結晶薄膜およびその組合わせ）を得ることができる。
本発明の方法で得られる薄膜はＭＢＥ法などの従来シロ
セスによる薄膜形成用の基板もしくは下地材料として使
用できることはいうまでもない。
セスによる薄膜形成用の基板もしくは下地材料として使
用できることはいうまでもない。
さらに１本発明の方法と、従来法を適宜組合せて所望の
薄膜を形成することもできることは自明である。
薄膜を形成することもできることは自明である。
以上述べたごとく１本発明の方法によれば、原子レベル
もしくは分子レベルの精度で制御された平坦度をもつ超
薄膜もしくは周期性の薄膜を得ることができ、したがっ
て、本発明方法で作成される薄膜は従来にない特性を有
するものとなる。
もしくは分子レベルの精度で制御された平坦度をもつ超
薄膜もしくは周期性の薄膜を得ることができ、したがっ
て、本発明方法で作成される薄膜は従来にない特性を有
するものとなる。
第１図は、金属薄膜の形成過程を示す断面図、第２図は
、本発明の実施例を示す概念図、第３図示す概念図であ
る。 １・・・基板Ａ、２・・・成長膜Ｂ、３，３′・・・原
子団層Ｃ１４・・・電気炉、５・・・アルゴンボンベ、
６，７゜９．１０，１２．１３・・・バルブ、８・・・
水を含有するバブラ、１１・・・５ｉ（ＯＣＨＩ ）４
を含有するバブラ、第１図 （Ｌン （ｂ〕
（Ｃ）「ン０−
（７；、≦ら のくＱ第 Ｚ 図 （ａ、）’ （ｊ）ン
（Ｃ）第３図 ４
、本発明の実施例を示す概念図、第３図示す概念図であ
る。 １・・・基板Ａ、２・・・成長膜Ｂ、３，３′・・・原
子団層Ｃ１４・・・電気炉、５・・・アルゴンボンベ、
６，７゜９．１０，１２．１３・・・バルブ、８・・・
水を含有するバブラ、１１・・・５ｉ（ＯＣＨＩ ）４
を含有するバブラ、第１図 （Ｌン （ｂ〕
（Ｃ）「ン０−
（７；、≦ら のくＱ第 Ｚ 図 （ａ、）’ （ｊ）ン
（Ｃ）第３図 ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、膜成長表面において、成長面のエネルギーよりも表
面エネルギーが大きくならない原子団もしくは基を存在
せしめつつ膜成長させることを特徴とする薄膜の製造方
法。 ２、前記の膜成長表面を活性化する工程と前記の膜成長
表面で、少なくとも前記膜構成元素を含有する原料化合
物が分子の脱離を伴って反応吸着する工程とを少なくと
も１回くり返えすことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜の製造方法。 ３、前記原料化合物として少なくとも金属アルコキシド
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の薄膜の製造方法。 ４、前記の薄膜が膜厚方向に周期性をもつことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15521884A JPS6135847A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15521884A JPS6135847A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135847A true JPS6135847A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15601099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15521884A Pending JPS6135847A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135847A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100172A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | 超格子材料及びその製造方法 |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7846840B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15521884A patent/JPS6135847A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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