JPS6135584A - レ−ザダイオ−ドの自動電力制御回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ドの自動電力制御回路Info
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- JPS6135584A JPS6135584A JP15661684A JP15661684A JPS6135584A JP S6135584 A JPS6135584 A JP S6135584A JP 15661684 A JP15661684 A JP 15661684A JP 15661684 A JP15661684 A JP 15661684A JP S6135584 A JPS6135584 A JP S6135584A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信装置に使用されるレーザダイオードの光
出力を一定にするレーザダイオードの自動電力制御回路
の改良に関する。
出力を一定にするレーザダイオードの自動電力制御回路
の改良に関する。
元通信装循、に使用されるレーザダイオードの光出力は
常に一定に保つようにバイアス電流が制御されている０ この様に光出力を一定にす多のは受信側で、元信号のＳ
／Ｎｔ−確保することの他に、レータ“ダイオードの寿
命の低下を防ぐためであるＯこのレーザダイオードのバ
イアス電流には温度依存性があり、温度によりしきい値
電流が変動し、光出力を変化させる。
常に一定に保つようにバイアス電流が制御されている０ この様に光出力を一定にす多のは受信側で、元信号のＳ
／Ｎｔ−確保することの他に、レータ“ダイオードの寿
命の低下を防ぐためであるＯこのレーザダイオードのバ
イアス電流には温度依存性があり、温度によりしきい値
電流が変動し、光出力を変化させる。
第２図はレーザダイオードをパラメータ圧し次バイアス
電流に対する光出力特性を示す図である。
電流に対する光出力特性を示す図である。
図中、工は温度Ｔ３．しきい値電流りの光出力特性、■
は温度Ｔ！、しきい値電流ｉ！の光出力特性を示す０こ
の場合Ｔ、は２５℃、Ｔ、はＴ１＋Δｔである０ 第２図において、温度Ｔ、の時、レーザダイオードのし
きい値電流１１にて、伝送信号Ａをレーザダイオードに
入力すると光出力Ｉ−１が出力される。
は温度Ｔ！、しきい値電流ｉ！の光出力特性を示す０こ
の場合Ｔ、は２５℃、Ｔ、はＴ１＋Δｔである０ 第２図において、温度Ｔ、の時、レーザダイオードのし
きい値電流１１にて、伝送信号Ａをレーザダイオードに
入力すると光出力Ｉ−１が出力される。
上記の光出力の最大値はＰ’ｌ＃最低値はｐ（１１とな
る。この最低値ｐＨｌはレーザダイオードのしきい値電
流に対応し次元出力の値であり、この点よりレーザダイ
オードは微弱な発光を始める。
る。この最低値ｐＨｌはレーザダイオードのしきい値電
流に対応し次元出力の値であり、この点よりレーザダイ
オードは微弱な発光を始める。
この光出力の最大値ｐｌ、と最小値Ｐａｌとの比ＰＩ′
／Ｐ０．は、消光比と称せられ、レーザダイオードの光
出力信号の評価値にしている。そして、この消光比に受
信側の光信号のＳ／Ｎに対応している。
／Ｐ０．は、消光比と称せられ、レーザダイオードの光
出力信号の評価値にしている。そして、この消光比に受
信側の光信号のＳ／Ｎに対応している。
いま、レーザダイオードがバイアス−？Ｅ流１１で動作
中温度がＴ、からＴ２に変動（この場合上昇する）する
と、しきい値電流ｉ、からｔｌ、に移動し、■に示す光
出力特性になり、光出力は図に示すｌｌ−１の如くにな
る。この時の光出力π−１の最大値はＰ′、となり温度
Ｔ、の最大値Ｐ′１ よυ減小し、最低値はＰＯＩとな
る。
中温度がＴ、からＴ２に変動（この場合上昇する）する
と、しきい値電流ｉ、からｔｌ、に移動し、■に示す光
出力特性になり、光出力は図に示すｌｌ−１の如くにな
る。この時の光出力π−１の最大値はＰ′、となり温度
Ｔ、の最大値Ｐ′１ よυ減小し、最低値はＰＯＩとな
る。
温度Ｔ、、’ｒ宜の光出力の消光比を比較するとＰａｌ
Ｐａｌ となる。
Ｐａｌ となる。
この様に温度上昇と共に光出力は減小し、消光比は劣化
する。
する。
以上説明した如く、レーザダイオード、ｑ光出力特性及
びこの特性のしきい値電流が温度により変化する時、こ
のしきい値亀流に適合するバイアス電流が供給されない
と光出力が変動することになり、これにより光信号のＳ
／Ｎが低下することになる。
びこの特性のしきい値電流が温度により変化する時、こ
のしきい値亀流に適合するバイアス電流が供給されない
と光出力が変動することになり、これにより光信号のＳ
／Ｎが低下することになる。
このために、温度変動により変動したしきい値電流に適
合するバイアス′亀流を整形し、このバイアス電流でレ
ーザダイオードの光出力を一部レベルにする無調整のレ
ーザダイオードの電力制御回路が要望される。
合するバイアス′亀流を整形し、このバイアス電流でレ
ーザダイオードの光出力を一部レベルにする無調整のレ
ーザダイオードの電力制御回路が要望される。
上記に説明し友如く、レーザダイオードの光出力特性及
びこの特性のしきい値電流には温度依存性があり、この
ためレーザダイオードは温度変動によりその光出力が変
動し、光信号のＳ ／Ｎｔ−低下させている。このため
に従来ではレーザダイオードの温度変動による光出力の
変化の平均値と伝送信号の平均値とを比較し、そδ誤差
信号で、温度変動によって移動したしきい値に適合する
パイプ、スミ流を作り、このバイアス電流でレーザダイ
オードを制御する方法が用いられている。
びこの特性のしきい値電流には温度依存性があり、この
ためレーザダイオードは温度変動によりその光出力が変
動し、光信号のＳ ／Ｎｔ−低下させている。このため
に従来ではレーザダイオードの温度変動による光出力の
変化の平均値と伝送信号の平均値とを比較し、そδ誤差
信号で、温度変動によって移動したしきい値に適合する
パイプ、スミ流を作り、このバイアス電流でレーザダイ
オードを制御する方法が用いられている。
上記の方法を以下、図に従って説明する。
第３図は従来例のレーザダイオードの自動電力制御回路
（以下ＡＰＣ回路と称す）の構成を示すブロック図であ
る。
（以下ＡＰＣ回路と称す）の構成を示すブロック図であ
る。
図において、１はレーザダイオード、２は受光素子、３
，６は平均値回路、４は比較回路、５はバイアス電流回
路、７は［４勤回路、８は入力端子、９は光ファイバ、
（Ｃ］、はＡＰＣ回路のループを示す。
，６は平均値回路、４は比較回路、５はバイアス電流回
路、７は［４勤回路、８は入力端子、９は光ファイバ、
（Ｃ］、はＡＰＣ回路のループを示す。
第３図において、第２図に示す伝送信号Ａが入力端子８
よジ入力され、駆動回路７を経てレーザダイオード１に
入力する。この時のレーザダイオード１の温度Ｔ、−２
５℃、しきい値電流ｉＩとする。
よジ入力され、駆動回路７を経てレーザダイオード１に
入力する。この時のレーザダイオード１の温度Ｔ、−２
５℃、しきい値電流ｉＩとする。
入力端子８の伝送信号の一部は平均値回路６にて、平均
値電圧Ｖ、に整形される。この平均値回路６及び後記の
受光素子２．平均値回路３の夫々の電気的特性は温度変
動によって変化しない。
値電圧Ｖ、に整形される。この平均値回路６及び後記の
受光素子２．平均値回路３の夫々の電気的特性は温度変
動によって変化しない。
一方、レーザダイオード１よシ出力される第２図に示す
しきい値゛電流ｉＩにおける光出力Ｉ−１は光ファイバ
９と受光素子２に伝搬され、受光素子２の出力は平均値
回路３にて平均値電圧Ｖ、に整形されるや 平均値回路３，６の夫々より出力きれる平均値電圧ｖ１
及びＶ、は比較回路４に入力される。
しきい値゛電流ｉＩにおける光出力Ｉ−１は光ファイバ
９と受光素子２に伝搬され、受光素子２の出力は平均値
回路３にて平均値電圧Ｖ、に整形されるや 平均値回路３，６の夫々より出力きれる平均値電圧ｖ１
及びＶ、は比較回路４に入力される。
この場合、レーザダイオード１の温度が２５℃のとき、
平均値回路３と平均値回路６の夫々の出力が同一になる
ように平均値回路６の出力が調整されている。
平均値回路３と平均値回路６の夫々の出力が同一になる
ように平均値回路６の出力が調整されている。
この場合、温度が２５℃なので比較回路４より出力され
る誤差電圧Ｖ、〜Ｖ、はＯ（ゼロ）になムバイアン電流
回路５よシ以前と同じしきい値電流ｉ、のバイアス電流
が出力され、レーザダイオード１を動作させる。
る誤差電圧Ｖ、〜Ｖ、はＯ（ゼロ）になムバイアン電流
回路５よシ以前と同じしきい値電流ｉ、のバイアス電流
が出力され、レーザダイオード１を動作させる。
上記の平均値回路３及び６の調整は以下の理由によるも
のでちる。即ち、平均１１Ｃ１回路３及び６の二つの回
路間にオフセットかちσ、これを２５℃を標準にしてＯ
（ゼロ）になるようにオフセット調整する、必要がある
。その調整を特徴とする特許として、平均値回路３に入
力される受光素子２の出力波形は受光素子２の！特性に
より変化するので平均１１■回路６に入力される伝送信
号Ａの波形とが等しくない。
のでちる。即ち、平均１１Ｃ１回路３及び６の二つの回
路間にオフセットかちσ、これを２５℃を標準にしてＯ
（ゼロ）になるようにオフセット調整する、必要がある
。その調整を特徴とする特許として、平均値回路３に入
力される受光素子２の出力波形は受光素子２の！特性に
より変化するので平均１１■回路６に入力される伝送信
号Ａの波形とが等しくない。
また、平均値回路を構成する素子、例えばダイオード、
抵抗等にバラツキがあるため平均値が異なる。
抵抗等にバラツキがあるため平均値が異なる。
次に温度が２５℃より２５℃＋Δｔに変化すると、レー
ザダイオード１のしきい値電流１１がらＩ！に変化する
ことになるので、このしきい値電流ｉ′！に通合するバ
イアス電流の整形について説明する。
ザダイオード１のしきい値電流１１がらＩ！に変化する
ことになるので、このしきい値電流ｉ′！に通合するバ
イアス電流の整形について説明する。
第３図において、前記同様に第２図に示す伝送信号がレ
ーザダイオード１に入力され、この時点での温度は２５
℃＋Δｔになり、レーザダイオード１のしきい値電流は
ｉ、である。
ーザダイオード１に入力され、この時点での温度は２５
℃＋Δｔになり、レーザダイオード１のしきい値電流は
ｉ、である。
この時のレーザダイオード１０光出カμ第２図１１−１
に示す波形となり、受光素子２を経て平均位置Ｆ６３に
入力される。
に示す波形となり、受光素子２を経て平均位置Ｆ６３に
入力される。
平均値回路３よ夕２５℃＋Δｔの光出力ＩＦ−１に対応
した平均値電圧Ｖ、が出力さ比る。
した平均値電圧Ｖ、が出力さ比る。
この平均値電圧ｖｓと平均値回路６の平均値電圧Ｖ、は
比較回路４に入力され、その誤差電圧■−Ｖ ｓ ｆ’
ｌ Ａ Ｌｉ’ Ｃ回路ノ／’ ７’ （Ｃ） ノ？
１ｉｌＨＪＩＩＫ Ｊ： り０（ゼ０）になるようにバ
イアス電流＋１．がバイアス電流回路５で整形され、こ
のバイアス電流ｉ；にて２５℃＋Δｔにおけるレーザダ
イオード１を動作させ、２５℃と等しい光出力を出力す
る。
比較回路４に入力され、その誤差電圧■−Ｖ ｓ ｆ’
ｌ Ａ Ｌｉ’ Ｃ回路ノ／’ ７’ （Ｃ） ノ？
１ｉｌＨＪＩＩＫ Ｊ： り０（ゼ０）になるようにバ
イアス電流＋１．がバイアス電流回路５で整形され、こ
のバイアス電流ｉ；にて２５℃＋Δｔにおけるレーザダ
イオード１を動作させ、２５℃と等しい光出力を出力す
る。
上記のＡＰＣ回路のループ（Ｃ）Ｕ以下のルート；レー
ザダイオード１→受光素子２→平均値回路３→比較回路
４→バイアスｉ＋を流回路５→レーザダイオード１１に
より構成きれる。
ザダイオード１→受光素子２→平均値回路３→比較回路
４→バイアスｉ＋を流回路５→レーザダイオード１１に
より構成きれる。
以上説明した如く、従来例では以下に述べる如き理由に
より平均値回路３．６の電気的特性が異なっている。
より平均値回路３．６の電気的特性が異なっている。
即ち、平均値回路３に入力する受光素子２の出力波形と
平均値回路６に入力する伝送信号Ａの波形とが異なるた
め、平均値回路３．６の夫々の出力電圧が異なる。
平均値回路６に入力する伝送信号Ａの波形とが異なるた
め、平均値回路３．６の夫々の出力電圧が異なる。
平均値回路３．６の夫々の素子例えばダイオード、抵抗
等の電気的特性のバラツキがある。このために温度２５
℃において信号を入力した時、平均値回路３，６間の平
均値出力が等しくなるように平均値回路の構成素子を調
整せねばならない。
等の電気的特性のバラツキがある。このために温度２５
℃において信号を入力した時、平均値回路３，６間の平
均値出力が等しくなるように平均値回路の構成素子を調
整せねばならない。
以上説明した如く、従来のＡＰＣ回路では二つの平均値
回路の平均値出力が同一になるように調整を必要とする
問題点がある。
回路の平均値出力が同一になるように調整を必要とする
問題点がある。
上記の問題点に、レーザダイオードの出力をモニタし、
該モニタ出力によりレーザダイオードのバイアス電流を
制御して光出力を一定に保つ電力制御回路において、前
記レーザダイオードのモニタ出力の最低値を検出する最
低値検出回路と該最低値検出回路の出力を基準電圧と比
較する比較回路と該比較回路の出力でレーザダイオード
のバイアス電流を制御するバイアス電流回路とを有する
本発明のレーザダイオードの自動電力制御回路により解
決される。
該モニタ出力によりレーザダイオードのバイアス電流を
制御して光出力を一定に保つ電力制御回路において、前
記レーザダイオードのモニタ出力の最低値を検出する最
低値検出回路と該最低値検出回路の出力を基準電圧と比
較する比較回路と該比較回路の出力でレーザダイオード
のバイアス電流を制御するバイアス電流回路とを有する
本発明のレーザダイオードの自動電力制御回路により解
決される。
本発明は温度変動したレーザダイオードの光出力の最低
値を検出し、この最低値をレーザダイオードのしきい値
電流に対応した光出力を基準にした基準電圧と比較し、
その比較誤差（／Ｔ号はＡＰＣ回路のループ制御によ、
す０（ゼロ）に人るようにバイアス電流を整形するので
、このＡｌ’Ｃ回路には回路の調整を必要としない。
値を検出し、この最低値をレーザダイオードのしきい値
電流に対応した光出力を基準にした基準電圧と比較し、
その比較誤差（／Ｔ号はＡＰＣ回路のループ制御によ、
す０（ゼロ）に人るようにバイアス電流を整形するので
、このＡｌ’Ｃ回路には回路の調整を必要としない。
以下、図に従って本発明の実施ｔ′ＡＩを説明する０第
ｊ図（ａ）は本発明の実施例のレーザダイオードのＡＰ
Ｃ回路の構成を示すブロック図、第１図（ｂ）はレーザ
ダイオードの温度が降下したときの光出力特性図、第１
図（Ｃ）μレーザダイオードの温度が上昇したときの元
屯力特性図を示す。なお、全図を通じ同一符号は同一対
象物を示し、図中、ｌＯは最低値検出回路、１１は比較
回路、１２は基準電圧、１３はバイアス４流回路、［：
Ｂ）はＡＰＣ回路のループを示す。
ｊ図（ａ）は本発明の実施例のレーザダイオードのＡＰ
Ｃ回路の構成を示すブロック図、第１図（ｂ）はレーザ
ダイオードの温度が降下したときの光出力特性図、第１
図（Ｃ）μレーザダイオードの温度が上昇したときの元
屯力特性図を示す。なお、全図を通じ同一符号は同一対
象物を示し、図中、ｌＯは最低値検出回路、１１は比較
回路、１２は基準電圧、１３はバイアス４流回路、［：
Ｂ）はＡＰＣ回路のループを示す。
Ｈｒ、 １１９ｊ（ｂ）、 （ｃ）を用いて、第１１５
ｇ１（ａ）のレーザダイオードのＡＰＣ回路について説
明する。
ｇ１（ａ）のレーザダイオードのＡＰＣ回路について説
明する。
ｉ １ ［９（ａ）において、入力端子８に入力された
第１図（ｂ）に示す伝送信号α）は駆動回路７を軒て温
度１＋のレーザダイオード１に入力する。
第１図（ｂ）に示す伝送信号α）は駆動回路７を軒て温
度１＋のレーザダイオード１に入力する。
レーザダイオード１の光出力は受光素子２を経て最低値
検出回路１０に入力し、第１図（ｂ）に示す光出力特性
■により出力される光出力の波形■の最低値ＰＯ，を検
出し比較回路１１１Ｃ入力する。
検出回路１０に入力し、第１図（ｂ）に示す光出力特性
■により出力される光出力の波形■の最低値ＰＯ，を検
出し比較回路１１１Ｃ入力する。
上記の最低値検出回路１０は図示の如く、ダイオードＤ
１１抵抗Ｒ，コンデンサＣより結成されている〇 一方、比較回路１１にはレーザダイオードのしきい値電
流に対応し次光出力ｔ−基準にし次系準電圧１２がセッ
トされ、前記最低値ｐＨ１はこの基準電圧１２と比較さ
れ、その誤差信号はＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御に
より０（ゼロ）になるよう温Ｋ ｔ ＊のレーザダイオ
ード１のしきい値電流Ｉ、に適合するバイアス電流ｉ、
がバイアス回路１２で整形され、このバイアス′越流ｉ
、にてレーザダイオード１を動作し、常にレーザダイオ
ード１から一定レベルの光出力を出力する〇上記のＡＰ
Ｃ回路のループ〔Ｂ）はレーザダイオード１→受光素子
２→最低値検出回路１０→比較回路１１→バイアス電流
回路１２→レーザダイオτド１の帰還ループにより惜成
される。
１１抵抗Ｒ，コンデンサＣより結成されている〇 一方、比較回路１１にはレーザダイオードのしきい値電
流に対応し次光出力ｔ−基準にし次系準電圧１２がセッ
トされ、前記最低値ｐＨ１はこの基準電圧１２と比較さ
れ、その誤差信号はＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御に
より０（ゼロ）になるよう温Ｋ ｔ ＊のレーザダイオ
ード１のしきい値電流Ｉ、に適合するバイアス電流ｉ、
がバイアス回路１２で整形され、このバイアス′越流ｉ
、にてレーザダイオード１を動作し、常にレーザダイオ
ード１から一定レベルの光出力を出力する〇上記のＡＰ
Ｃ回路のループ〔Ｂ）はレーザダイオード１→受光素子
２→最低値検出回路１０→比較回路１１→バイアス電流
回路１２→レーザダイオτド１の帰還ループにより惜成
される。
第１図（ａ）において、温度が１．よりｔ！に降下した
時の光出力について、第１図（ｂ）の波形に従って説明
する。
時の光出力について、第１図（ｂ）の波形に従って説明
する。
レーザダイオードの温度がｔ、のとき、入力端子９に入
力し九第１図（ｂ）に示す伝送信号■は駆動回路８を経
てレーザダイオードに入力する◇この時のレーザダイオ
ード１０光出力■は第１図（ｂ）に示す光出力特性０）
によって出力される。この時のレーザダイオード１のし
きい値゛漏流１％のバイアス電流は１１である。このレ
ーザダイオードｌの温度が１．より１．に変化すると、
レーザダイオード１のしきい値電流は第１図（ｂ）に示
す１゜となり、その光出力特性は（ロ）になる。この光
出力特性（ロ）によシ光出力■が作られる。
力し九第１図（ｂ）に示す伝送信号■は駆動回路８を経
てレーザダイオードに入力する◇この時のレーザダイオ
ード１０光出力■は第１図（ｂ）に示す光出力特性０）
によって出力される。この時のレーザダイオード１のし
きい値゛漏流１％のバイアス電流は１１である。このレ
ーザダイオードｌの温度が１．より１．に変化すると、
レーザダイオード１のしきい値電流は第１図（ｂ）に示
す１゜となり、その光出力特性は（ロ）になる。この光
出力特性（ロ）によシ光出力■が作られる。
この光出力■の最大値は、Ｐｌ、最低値はＲｏｔとなる
。この最低値Ｐｏｔ Ｂ第１図（ａ）において、前記と
同様の手法によ５最低値検出回路１０で検出され、比較
回路１１にて基＊［圧１２と比較され、その誤差信号Ｐ
６＄ −Ｐｏ＊はＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御によ
り誤差分が０（ゼロ）になるように温度ｔ、のレーザダ
イオード１のしきい値ｉ、に適合するバイアス′心流ｉ
、がバイアス回路１２で整形され、このバイアス回路流
ｌ！にてレーザダイオード１を動作させると、第゛１図
（ｂ）の光出力特性（ロ）より光出力■が出力される。
。この最低値Ｐｏｔ Ｂ第１図（ａ）において、前記と
同様の手法によ５最低値検出回路１０で検出され、比較
回路１１にて基＊［圧１２と比較され、その誤差信号Ｐ
６＄ −Ｐｏ＊はＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御によ
り誤差分が０（ゼロ）になるように温度ｔ、のレーザダ
イオード１のしきい値ｉ、に適合するバイアス′心流ｉ
、がバイアス回路１２で整形され、このバイアス回路流
ｌ！にてレーザダイオード１を動作させると、第゛１図
（ｂ）の光出力特性（ロ）より光出力■が出力される。
光出力■の最大値はＰｊ、最低値ｐＨ１となる。
々等しいので、光出力■と■とは等しくなり、従って消
光比 も等しくなる。
光比 も等しくなる。
次に温度が１．から１ｊに上昇したときの光出力につい
て、第１図（Ｃ）に従って説明する。
て、第１図（Ｃ）に従って説明する。
第１図（ｅ）の光計力特性■において、温度Ｆ＋しきい
値電流１１のとき、その光出力は前記の如く波形■とな
る。ここで温度がｔｉからｔａに変化すると、“しきい
値電流りからｉ、に変化し、光出力特性は■からθに変
わる。ただし、この時点でバイアス電流は［１であるの
で、伝送信号■は光出力特性θにより光出力■となって
レーザダイオード１より出力される０ この光出力■の最低値ｐＨ４は第１図（ａ）において受
光素子２を任、最低値検出回路１０にて最低値ｐＨ４が
検出され、前記と同じ手法で比較回路１１にて基＊１Ｊ
Ｌ圧１２と比較され、その誤差信号ｐｏｔ”−ｐＨ４は
前記の如（ＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御によタバイ
アン電流回路１３にてしきい値電流１１のバイアス電流
ｉｍが整形され、このバイアス電流１ｓでレーザダイオ
ード１が動作し、第１図（０）に示す光出力特性θによ
υ光出力■を出力する。
値電流１１のとき、その光出力は前記の如く波形■とな
る。ここで温度がｔｉからｔａに変化すると、“しきい
値電流りからｉ、に変化し、光出力特性は■からθに変
わる。ただし、この時点でバイアス電流は［１であるの
で、伝送信号■は光出力特性θにより光出力■となって
レーザダイオード１より出力される０ この光出力■の最低値ｐＨ４は第１図（ａ）において受
光素子２を任、最低値検出回路１０にて最低値ｐＨ４が
検出され、前記と同じ手法で比較回路１１にて基＊１Ｊ
Ｌ圧１２と比較され、その誤差信号ｐｏｔ”−ｐＨ４は
前記の如（ＡＰＣ回路のループＣＢ）の制御によタバイ
アン電流回路１３にてしきい値電流１１のバイアス電流
ｉｍが整形され、このバイアス電流１ｓでレーザダイオ
ード１が動作し、第１図（０）に示す光出力特性θによ
υ光出力■を出力する。
この光出力■の最大値はＰ、、最低値はＰｏ１とな石。
この場合も、しきい値電流ｉｓＫは適合したバイアス電
流ｉ１がかかっているので、前記のクロ〈光出力物性■
とθは同一傾斜になり、夫々の清元比は ＰＩ Ｆ！ ＰＯＩ ＰＯＩ の如く等しくなる。
流ｉ１がかかっているので、前記のクロ〈光出力物性■
とθは同一傾斜になり、夫々の清元比は ＰＩ Ｆ！ ＰＯＩ ＰＯＩ の如く等しくなる。
以上の如く、温度の変動に際し、ＡＰＣ回路のループＣ
Ｂ）の１ＩＩＩＩＩＩＩ４１系において変化した光出力
の最低値を検出し、この最低値検出信号としきい値′電
流に対応した光出力を基準にした基準電圧とを比較して
温度＆動により変化したしきい値に適合したバイアス電
流を整形し、レーザダイオード１０元出力を一定にする
。
Ｂ）の１ＩＩＩＩＩＩＩ４１系において変化した光出力
の最低値を検出し、この最低値検出信号としきい値′電
流に対応した光出力を基準にした基準電圧とを比較して
温度＆動により変化したしきい値に適合したバイアス電
流を整形し、レーザダイオード１０元出力を一定にする
。
以上説明した如く、第１図（ａ）のＡＰＣ回路では調整
部分がないので取扱いが簡単である。
部分がないので取扱いが簡単である。
以上＃ｆ−細にａ明した如く本発明によれば、温度変化
があっても調整を行うことなく一定の大きさの光出力を
出力することが出来る効果がある。
があっても調整を行うことなく一定の大きさの光出力を
出力することが出来る効果がある。
第１図（ａ）は本発明のレーザダイオードの自動電力制
御回路の構成を示すブロック図、第１図（ｂ）。 （ｅ）はレーザダイオードの光出力特性図、第２図はレ
ーザダイオードの温度をパラメータにした光出力特性図
、第３図は従来例のレーザダイオードの自動電力制御回
路の構成を示すブロック図を示す。 図中、１はレーザダイオード、２゛は受光素子、３、６
は平均値回路、４は比較回路、５はバイアス電流回路、
７に駆動回路、８は入力端子、９は元ファイバ、１０は
最低値検出回路、１１は比較回路、１２は基準電圧、１
３はバイアス電流回路を示す。 ′ｙ−ｌ唄＜ａ＞ 酪ｌ酊Ｃｂ） 本ｌ町（ｃ） 寮２＠
御回路の構成を示すブロック図、第１図（ｂ）。 （ｅ）はレーザダイオードの光出力特性図、第２図はレ
ーザダイオードの温度をパラメータにした光出力特性図
、第３図は従来例のレーザダイオードの自動電力制御回
路の構成を示すブロック図を示す。 図中、１はレーザダイオード、２゛は受光素子、３、６
は平均値回路、４は比較回路、５はバイアス電流回路、
７に駆動回路、８は入力端子、９は元ファイバ、１０は
最低値検出回路、１１は比較回路、１２は基準電圧、１
３はバイアス電流回路を示す。 ′ｙ−ｌ唄＜ａ＞ 酪ｌ酊Ｃｂ） 本ｌ町（ｃ） 寮２＠
Claims (1)
- レーザダイオードの出力をモニタし、該モニタ出力によ
りレーザダイオードのバイアス電流を制御して光出力を
一定に保つ電力制御回路において、前記レーザダイオー
ドのモニタ出力の最低値を検出する最低値検出回路と該
最低値検出回路の出力を基準電圧と比較する比較回路と
該比較回路の出力でレーザダイオードのバイアス電流を
制御するバイアス電流回路とを有することを特徴とする
レーザダイオードの自動電力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15661684A JPS6135584A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | レ−ザダイオ−ドの自動電力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15661684A JPS6135584A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | レ−ザダイオ−ドの自動電力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135584A true JPS6135584A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15631618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15661684A Pending JPS6135584A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | レ−ザダイオ−ドの自動電力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018222A1 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Optical transmitter and optical transmission system |
| WO1998018221A1 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Optical transmitter and optical transmission system |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15661684A patent/JPS6135584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018222A1 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Optical transmitter and optical transmission system |
| WO1998018221A1 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Optical transmitter and optical transmission system |
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