JPH0377416A - 自動利得制御回路 - Google Patents
自動利得制御回路Info
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- JPH0377416A JPH0377416A JP21390389A JP21390389A JPH0377416A JP H0377416 A JPH0377416 A JP H0377416A JP 21390389 A JP21390389 A JP 21390389A JP 21390389 A JP21390389 A JP 21390389A JP H0377416 A JPH0377416 A JP H0377416A
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は増幅器における自動利得制御回路に関する。
従来、増幅器の出力信号の電圧レベルを一定にする目的
で、増幅器の入力側に可変減衰器を挿入した利得制御壜
幅器が知られている。 又、このような入力側に可変減衰器を挿入した増幅器を
例えば２段縦続接続した増幅器も知られている。例えば
、ＣＡＴＶシステムにおいて、アンテナで受信した高周
波信号を増幅する増幅器等である。
で、増幅器の入力側に可変減衰器を挿入した利得制御壜
幅器が知られている。 又、このような入力側に可変減衰器を挿入した増幅器を
例えば２段縦続接続した増幅器も知られている。例えば
、ＣＡＴＶシステムにおいて、アンテナで受信した高周
波信号を増幅する増幅器等である。
ところが、２段縦続接続した増幅器では、最終段増幅器
の出力信号の電圧レベルを一定にするにしても、何れの
増幅器の入力信号をどのような分担で減衰させるかが問
題となる。具体的に言えば、最終段増幅器の出力信号の
電圧レベルが同じであっても、初段増幅器の入力信号の
減衰量を大きくする程、Ｃ／Ｎ比が低下し、逆に、後段
増幅器の入力信号の減衰量を大きくする程、歪み率が大
きくなるという問題がある。 従って、ＣＡＴＶシステム等で用いられる係る増幅器で
は、初段増幅器の入力側の可変減衰器の減衰量と後段増
幅器の入力側の可変減衰器の減衰量を増幅器の設置され
る地域が強電界地域であるか弱電界地域であるかによっ
て、別々に設定する必要がある。 しかし、この２つの可変減衰器の減衰量の設定は完全に
利用者の手作業によるか、又は、強電界地域用減衰量の
設定と弱電界地域用減衰量の設定とをダイヤルで切り換
えることが提案されている。 したがって、初段増幅器の入力信号の減衰量と後段増幅
器の入力信号の減衰量とを、Ｃ／Ｎ比と歪み率との両観
点から最良に設定することが困難であった。 本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、その目的は、高Ｃ／Ｎ比と低歪み率との要請を満たす
べく、入力信号の電圧レベルに応じて初段増幅器と後段
増幅器の入力信号の減衰量を自動的に最適に分割設定す
ることを目的とする。
の出力信号の電圧レベルを一定にするにしても、何れの
増幅器の入力信号をどのような分担で減衰させるかが問
題となる。具体的に言えば、最終段増幅器の出力信号の
電圧レベルが同じであっても、初段増幅器の入力信号の
減衰量を大きくする程、Ｃ／Ｎ比が低下し、逆に、後段
増幅器の入力信号の減衰量を大きくする程、歪み率が大
きくなるという問題がある。 従って、ＣＡＴＶシステム等で用いられる係る増幅器で
は、初段増幅器の入力側の可変減衰器の減衰量と後段増
幅器の入力側の可変減衰器の減衰量を増幅器の設置され
る地域が強電界地域であるか弱電界地域であるかによっ
て、別々に設定する必要がある。 しかし、この２つの可変減衰器の減衰量の設定は完全に
利用者の手作業によるか、又は、強電界地域用減衰量の
設定と弱電界地域用減衰量の設定とをダイヤルで切り換
えることが提案されている。 したがって、初段増幅器の入力信号の減衰量と後段増幅
器の入力信号の減衰量とを、Ｃ／Ｎ比と歪み率との両観
点から最良に設定することが困難であった。 本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、その目的は、高Ｃ／Ｎ比と低歪み率との要請を満たす
べく、入力信号の電圧レベルに応じて初段増幅器と後段
増幅器の入力信号の減衰量を自動的に最適に分割設定す
ることを目的とする。
上記ｉｉａを解決するための発明のｍ或は、初段増幅器
の入力側に挿入され、制御電圧により減衰量が変化する
第１可変減衰器と、初段増幅器と後段増幅器との股間に
挿入され、制御電圧により減衰量が変化する第２可変減
衰器と、最終段増幅器の出力信号から所定周波数の信号
を検波する検波回路と、検波回路の出力信号を整流する
整流回路と、整流回路の出力信号の電圧レベルを所定の
基準電圧レベルと比較し、その差電圧を増幅してその差
電圧に応じた誤差電圧を出力する誤差増幅回路と、誤差
増幅回路の出力する誤差電圧を入力して、誤差電圧に応
じて第１可変減衰器及び前記第２可変減衰器にそれぞれ
の制御電圧を出力する制御回路とを有することを特徴と
する。 又、本発明の他の特徴は、制御回路を、初段増幅回路の
入力信号の電圧レベルの増加に対応した誤差電圧の変化
に応じて、入力信号の電圧レベルが低い所定領域では、
第１可変減衰器の減衰量を略零とし、所定領域を越える
入力信号の電圧レベルが高い領域では、入力信号の電圧
レベルが高くなるに連れて、第１可変減衰器の減衰量を
増加させる制御電圧を出力し、入力信号の電圧レベルが
低い所定領域では、入力信号の電圧レベルの増加に連れ
て、第２可変減衰器の減衰量を増加させ、所定領域を越
える入力信号の電圧レベルが高い領域では、第２可変減
衰器の減衰量を略一定とする制御電圧を出力する回路と
したことである。 又、本発明の他の特徴は、第１可変減衰器及び第２可変
減衰器はＰＩＮダイオードで構成され、制御電圧により
そのＰＩＮダイオードのバイアス電流が変化することで
減衰量が変化されるものとしたことである。
の入力側に挿入され、制御電圧により減衰量が変化する
第１可変減衰器と、初段増幅器と後段増幅器との股間に
挿入され、制御電圧により減衰量が変化する第２可変減
衰器と、最終段増幅器の出力信号から所定周波数の信号
を検波する検波回路と、検波回路の出力信号を整流する
整流回路と、整流回路の出力信号の電圧レベルを所定の
基準電圧レベルと比較し、その差電圧を増幅してその差
電圧に応じた誤差電圧を出力する誤差増幅回路と、誤差
増幅回路の出力する誤差電圧を入力して、誤差電圧に応
じて第１可変減衰器及び前記第２可変減衰器にそれぞれ
の制御電圧を出力する制御回路とを有することを特徴と
する。 又、本発明の他の特徴は、制御回路を、初段増幅回路の
入力信号の電圧レベルの増加に対応した誤差電圧の変化
に応じて、入力信号の電圧レベルが低い所定領域では、
第１可変減衰器の減衰量を略零とし、所定領域を越える
入力信号の電圧レベルが高い領域では、入力信号の電圧
レベルが高くなるに連れて、第１可変減衰器の減衰量を
増加させる制御電圧を出力し、入力信号の電圧レベルが
低い所定領域では、入力信号の電圧レベルの増加に連れ
て、第２可変減衰器の減衰量を増加させ、所定領域を越
える入力信号の電圧レベルが高い領域では、第２可変減
衰器の減衰量を略一定とする制御電圧を出力する回路と
したことである。 又、本発明の他の特徴は、第１可変減衰器及び第２可変
減衰器はＰＩＮダイオードで構成され、制御電圧により
そのＰＩＮダイオードのバイアス電流が変化することで
減衰量が変化されるものとしたことである。
検波回路により最終段増幅器の出力信号から所定周波数
の信号が検波され、その検波された信号は整流回路で整
流されて出力信号の電圧レベルが検出される。そして、
誤差増幅回路により、その整流された信号は基準電圧レ
ベルと比較され、その差電圧が増幅されて、出力信号の
電圧レベルの基準電圧レベルに対する誤差電圧として制
御回路に出力される。制御回路は、その誤差電圧に応じ
て第１可変減衰器及び第２可変減衰器にそれぞれの制御
電圧を出力する。そして、第１可変減衰器と第２可変減
衰器はそれぞれの制御電圧に応じてそれぞれの減衰量を
変化させる。 このように誤差電圧は出力信号の電圧レベルの基準電圧
レベルに対する変位に応じて変化し、２つの制御電圧は
その誤差電圧に応じて変化し、２つの減衰量はそれぞれ
の制御電圧に応じて変化する。この結果、第１可変減衰
器及び第２可変減衰器における各減衰量は誤差電圧に応
じて独立に独自の特性で変化させることができるので、
その特性を適切に設定することで、入力信号の電圧レベ
ルによらず、自動的に高Ｃ／Ｎ比及び低歪み率を実現す
ることができる。 又、本発明の他の特徴では、入力信号の電圧レベルが低
い領域では、第１可変減衰器の減衰量は略零であり第２
可変減衰器の減衰量は入力信号の電圧レベルの増加に連
れて増加し、入力信号の電圧レベルが高い領域では、第
１可変減衰器の減衰量は入力信号の電圧レベルが高くな
るに連れて増加し、第２可変減衰器の減衰量は略一定と
なるように制御される。 この結果、入力信号の電圧レベルが増加するに連れて、
増幅器全体の減衰量が増加するのであるが、減衰量の分
担割合では、最初は後段増幅器の入力信号の減衰量だけ
が増加し、次に、後段増幅器の入力信号の減衰量が飽和
し、初段増幅器の入力信号の減衰量が増加する特性とな
る。従って、入力信号の電圧レベルによらず、高Ｃ／Ｎ
比、低歪み率を達成することができる。
の信号が検波され、その検波された信号は整流回路で整
流されて出力信号の電圧レベルが検出される。そして、
誤差増幅回路により、その整流された信号は基準電圧レ
ベルと比較され、その差電圧が増幅されて、出力信号の
電圧レベルの基準電圧レベルに対する誤差電圧として制
御回路に出力される。制御回路は、その誤差電圧に応じ
て第１可変減衰器及び第２可変減衰器にそれぞれの制御
電圧を出力する。そして、第１可変減衰器と第２可変減
衰器はそれぞれの制御電圧に応じてそれぞれの減衰量を
変化させる。 このように誤差電圧は出力信号の電圧レベルの基準電圧
レベルに対する変位に応じて変化し、２つの制御電圧は
その誤差電圧に応じて変化し、２つの減衰量はそれぞれ
の制御電圧に応じて変化する。この結果、第１可変減衰
器及び第２可変減衰器における各減衰量は誤差電圧に応
じて独立に独自の特性で変化させることができるので、
その特性を適切に設定することで、入力信号の電圧レベ
ルによらず、自動的に高Ｃ／Ｎ比及び低歪み率を実現す
ることができる。 又、本発明の他の特徴では、入力信号の電圧レベルが低
い領域では、第１可変減衰器の減衰量は略零であり第２
可変減衰器の減衰量は入力信号の電圧レベルの増加に連
れて増加し、入力信号の電圧レベルが高い領域では、第
１可変減衰器の減衰量は入力信号の電圧レベルが高くな
るに連れて増加し、第２可変減衰器の減衰量は略一定と
なるように制御される。 この結果、入力信号の電圧レベルが増加するに連れて、
増幅器全体の減衰量が増加するのであるが、減衰量の分
担割合では、最初は後段増幅器の入力信号の減衰量だけ
が増加し、次に、後段増幅器の入力信号の減衰量が飽和
し、初段増幅器の入力信号の減衰量が増加する特性とな
る。従って、入力信号の電圧レベルによらず、高Ｃ／Ｎ
比、低歪み率を達成することができる。
以下、本発明を具体的な一実施例に基づいて説明する。
第１図において、図示しない伝送路から高周波信号は直
流阻止コンデンサＣ１を介して′ｉ！Ｊｌ可変減衰器で
あるＰＩＮダイオード可変減衰器１に入力し、直流阻止
コンデンサＣ２を介して初段増幅器３に入力している。 又、初段増幅器３の出力信号は直流阻止コンデンサＣ３
を介して第２可変減衰器であるＰＩＮダイオード可変減
衰器２に入力し、その出力信号は直流阻止コンデンサＣ
４を介して第２段増幅器４に入力し、その出力信号は分
岐器５を介して図示しない伝送路に出力される。 又、動作点設定回路６はチョークコイルＬ１を介して直
流阻止コンデンサＣ１の出力点に接続されており、動作
点設定回路７はボルテージホロア１０とチョークコイル
Ｌ２を介してＰＩＮダイオード可変減衰器１に接続され
ている。 更に、動作点設定回路８はチョークコイルＬ３を介して
直流阻止コンデンサＣ３の出力点に接続されており、動
作点設定回路９はボルテージホロア１１とチョークコイ
ルＬ４を介してＰＩＮダイオード可変減衰器２に接続さ
れている。 一方、分岐器５によって分岐された信号は、検波回路１
２で所定の周波数のキャリアが検波され、そのキャリア
は整流回路１３で整流されて出力信号の電圧レベル（以
下、「出力信号レベル」という）ＥＣが検出される。そ
の出力信号レベルＥｃは誤差増幅器１４の非反転入力端
子に入力しており、誤差増幅器１４の反転入力端子には
出力信号レベルＢｅの制御目標値である基準電圧レベル
ｃ以下、「基準レベル」という）ＥＳが入力している。 そして、誤差増幅器１４によって差電圧ΔＢ ＜＝Ｂｃ
−Ｅｓ）が増幅されて、誤差電圧Ｂｅ （＝Ｇ・ΔＢ）
が動作点設定回路７及び動作点設定回路９に出力されて
いる。 又、各動作点設定回路６．８．９には直流電源（電圧Ｖ
ｄ）が接続されている。 ＰＩＮダイオード可変減衰器１は動作点設定回路６．７
によって供給されるバイアス電流によって各ダイオード
の動作点が変化するように構成されている。第３図に示
すダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性から明らかなように、
ＰＩＮダイオードはバイアス電流が増加するに連れて高
周波抵抗が減少する。 即ち、比較的小さいバイアス電流１１の動作点Ｐ１では
高周波抵抗Ｒ１は比較的大きく、比較的大きいバイアス
電流Ｉ２の動作点Ｐ、では高周波抵抗Ｒ３は比較的小さ
い。 このＰＩＮダイオードの高周波抵抗は誤差増幅器１４の
出力する誤差電圧Ｅｅに応じてボルテージホロ７１０か
ら出力される制御電圧Ｂ１によって変化される。ＰＩＮ
ダイオード可変可変減衰器間衰量Ａ１は各ＰＩＮダイオ
ードの高周波抵抗で決定されるので、その減衰量＾ｌを
誤差電圧Ｅｅに応じて＠ｒＪ？ｍすることができる。 一方、Ｐｉｌｌダイオード可変減衰器２もＰＩＮダイオ
ード可変可変減衰器間様に構成されており、その減衰量
Ａ２は制御電圧Ｅ２によって制御される。 次にＰＩＮダイオード可変減衰器１の減衰量Ａ１の特性
について詳しく述べる。 第２図に具体的に示されたＰＩＮダイオード可変減衰器
１は、高周波信号に対しては、コンデンサ［８〜Ｃ１ｌ
は短絡されるので、第６図（ａ）に示したように、ＰＩ
ＮＩＮダイオード−０３で構成されたπ型回路とＰＩＮ
ＩＮダイオード〜Ｄ６で構成されたπ型回路との縦続接
続でｍ或される。一方、コンデンサ［８〜Ｃ１ｌは直流
成分に対しては開放されるので、ＰＩＮダイオード［１
６，Ｄ５． Ｄ３． Ｄ２には共通のバイアス電流１ａ
が流れ、ＰＩＮＩＮダイオード、 ０４には共通のバイ
アス電流１ｂが流れる。 抵抗Ｒ１はＰＩＮダイオード０２．０３．０５．口６の
バイアス電流１ａを決定するための抵抗である。電流１
ａはボルテージホロア１０の出力する制御電圧Ｆ！１を
用いて、Ｂ１≧４Ｖｈ （νｈはＰＩＮダイオードの順
方向逆起電力）の領域で、 Ｉａ＝（Ｅｌ−４Ｖｈ）／Ｒ１ で表される。 従って、ＰＩＮダイオード０２． Ｄ３．口５．Ｄ６の
バイアス電流１ａは制御電圧Ｅ１の増加に伴って増加し
、第３図に示すＶ−１特性からそのＰＩＮダイオード０
２． Ｄ３、０５． Ｄ６の高周波抵抗Ｒａは第４図に
示すように、制御電圧Ｂ１の増加に伴って減少する。 一方、動作点設定回路６は抵抗Ｒ２，Ｒ３とコンデンサ
Ｃ６とで構成されており、ＰＩＮダイオード０１． Ｄ
４のバイアス電流１ｂを決定するための回路である。 電流１ｂは電源の電圧Ｖｄと制御電圧Ｂ１とを用いて、
８１５ Ｖｄ−Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）−２Ｖｈ （Ｆ）
領域で、Ｉｂ＝ （Ｖｄ−（［！１＋２Ｖｈ）（Ｒ２
＋Ｒ３）／Ｒ３） ／Ｒ２となる。 従って、ＰＩＮＩＮダイオード、 ［１４のバイアス電
流ｌｂは制御電圧Ｅ１の増加に伴って減少し、第３図に
示すＶｉ特性からＰＩＮＩＮダイオード、 ０４の高周
波抵抗Ｒｈは第４図に示すように、制御電圧Ｅ１の増加
に伴って増加する。 上記のＰＩＮダイオード可変可変減衰器間周波信号に対
して第６１ｆｆｌ（ａ）に示すπ型回路であるので、上
記の高周波抵抗値Ｒａ、 Ｒｈを用いて、第６図（ロ）
に示す抵抗によるπ型回路を用いて等価的に表される。 従って、そのπ型回路の減衰量Ａ１は制御電圧Ｅｌに対
して第５図のように変化する。減衰ＩＡＩは、制御電圧
Ｅ１の増加に伴って増加するが、臨界電圧Ｖａ＝Ｖｄ−
Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）−２１１ｈを越えると最大値Ａｍ
ａｘにほぼ飽和する。又、減衰量Ａｌの増加特性は臨界
電圧Ｖａの値を変化せることで図示するように変化させ
ることができ、その臨界電圧Ｖａは抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３
の値を変化させることにより変化させることができる。 ＰＩＮダイオード可変減衰器２及び動作点設定回路８は
、ＰＩＮダイオード可変減衰器１及び動作点設定回路６
と全く同一に構成されている。そして、ＰＩＮダイオー
ド可変減衰器２の減衰量Ａ２の制御電圧Ｅ２に対する特
性は減衰量Ａ１の特性と同様に第５図に示す特性となる
。 次に、誤差電圧ｌ！ｅと制御電圧Ｂｌ、 Ｒ２の関係に
ついて述べる。 誤差電圧Ｂｅは差電圧ΔＥに比例して約０−Ｖｄまで変
化し、差電圧ΔＢが零の時、即ち、出力（１号しベルＢ
ｃが基準レベルＢＳに等しい時、％ｌｄ／２となるよう
に設計されている。 動作点設定回路７は誤差増幅器１４の出力する誤差電圧
Ｅｅを入力して、誤差電圧Ｂｅのある関数の制御電圧８
１を得るための回路である。動作点設定回路７は抵抗Ｒ
４，Ｒ５，ツェナーダイオードＺＤで構成されている。 従って、ボルテージホロアｌＯの入力電圧Ｓ１はツェナ
ーダイオードＺＤがブレークダウンするまで零であるの
で、誤差電圧Ｈｅがツェナー電圧Ｖｚより小さい範囲で
、 ５１＝０ （Ｂｅ ＜Ｖｚ） である。 誤差電圧Ｂｅがツェナー電圧Ｖｚを越えると、５ｉ＝（
Ｂｅ−Ｖｚ）Ｒ４／（Ｒ４＋Ｒ５） （Ｖｚ≦Ｂｅ
≦Ｖｄ）と表される。 又、ボルテージホロア１０の入力電圧Ｓ１とその出力の
制御電圧Ｂ１は等しいので、制御電圧［！１は誤差電圧
Ｂｅに対して第７図に示す特性で変化する。制御電圧Ｅ
１の立上がり電圧はツェナー電圧Ｖｚで、直線部分の増
加率と最大電圧Ｖｓａｘは抵抗Ｒ４，Ｒ５の値で変化さ
せることができる。 一方、動作点設定回路９は誤差電圧Ｂｅを入力して、Ｐ
ＩＮダイオード可変減衰器２における動作電流を決定す
るための制御電圧Ｂ２を決定する回路である。動作点設
定回路９は抵抗Ｒ６，可変抵抗Ｒ７゜ダイオードロア、
コンデンサＣ７とで槽底されている。 可変抵抗Ｒ７の一端は電源Ｖｄに接続され一端は接地さ
れているので、ボルテージホロア１１の入力電圧Ｓ２は
ダイオードＤ７が逆バイアスされている間、即ち、可変
抵抗Ｒ７の分圧電圧Ｖｆとダイオード０７の順方向逆起
電力Ｖｇとの加算値である臨界電圧Ｖｔ（＝Ｖｆ＋Ｖｇ
）までは、誤差電圧Ｅｅに等しくなる。 ５２＝Ｂｅ （０≦Ｂｅ≦ｖｔ） 又、誤差電圧Ｂｅが臨界電圧Ｖｔを越えるとダイオード
Ｄ７が順バイアスされて、誤差増幅器１４の出力は抵抗
Ｒ６とダイオードＤ７と可変抵抗Ｒ７の分割抵抗を介し
て接地される。可変抵抗Ｒ７は抵抗Ｒ６に比べて十分に
小さく設計されているので、ボルテージホロア１１の入
力電圧Ｓ２は一定の臨界電圧Ｖｔとなる。 Ｓ２：Ｖｔ （Ｖｔ ＜ Ｈｅ＜ Ｖｄ）この
臨界電圧Ｖｔは可変抵抗Ｒ７の分割比を変化させること
で変化させることができる。 又、ボルテージホロア１１の入力電圧Ｓ２とその出力の
制御電圧Ｅ２は等しいので、制御電圧Ｅ２は誤差電圧Ｅ
ｅに対して第７図に示す特性で変化する。 次に誤差電圧ｌ！ｅに対する可変減衰器１及び２の減衰
量ＡＩ、 Ａ２の特性について述べる。 減衰量Ａ１の標準特性を得るために動作点設定回路６に
おける第５図の臨界電圧Ｖａ＝Ｖｄ−Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ
３）−２Ｖｈが’！７図の最大電圧Ｖｓａｘ＝ （Ｖｄ
−Ｖｚ） Ｒ４／ （Ｒ４＋Ｒ５）に等しくなるように
抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５の値を設定する。すると、
減衰量Ａ１は第８図の実線で示すように誤差電圧Ｅｅが
ツェナー電圧Ｖｚを越えるまでは最小値Ａｍ１ｎであり
、誤差電圧Ｂｅがツェナー電圧Ｖｚを越えると誤差電圧
Ｂｅと共に増加して電源電圧Ｖｄにおいて最大値Ａｍａ
ｘとなる。 又、ツェナー電圧Ｖｚを固定して第５図の臨界電圧Ｖａ
を第７図の最大電圧Ｖｍａｘに対して変化させると、減
衰量Ａ１は第８図の破線で示すように変化する。 減衰量Ａ２の標準特性を求めるために動作点設定回路７
におケル臨界電圧Ｖｂ＝Ｖｄ４１３／（Ｒ１２＋Ｒ１３
）−２Ｖｈが第６図の臨界電圧Ｖｔ＝Ｖｆ＋Ｖｇに等し
くなるようにＰＩＮダイオード可変減衰器２の抵抗Ｒ１
２，Ｒ１３や可変抵抗Ｒ７の分割比を設定する。すると
、減衰量Ａ２は第８図実線で示すように誤差電圧８ｅが
臨界電圧Ｖｔを越えるまでは最小値Ａｍ１ｎから誤差電
圧Ｈｅの増加に伴って最大値Ａｍａｘまで増加し、誤差
電圧Ｂｅが臨界電圧Ｖｔを越えると最大値Ａｍａｘに飽
和する。 又、第７図の臨界電圧Ｖｔを固定して第５図の臨界電圧
ｖｂを臨界電圧Ｖｔに対し変化させると、減衰量Ａ２は
第８図の破線のように変化する。 更に、減衰量Ａ１は上述の様な特性に対してツェナー電
圧Ｖｚを変化させることで曲線群Ａｔ’ のように変化
し、減衰量Ａ２は臨界電圧Ｖｔを変化させることで、曲
線群Ａ２’ のように変化する。 次に総合減衰量りは、Ｌ＝ＡＩ＋Ａ２であるので、その
総合減衰量りの誤差電圧Ｂｅに対する特性は第９図に示
すようになる。又、臨界電圧Ｖａ、 Ｖｂ、 Ｖｔツェ
ナー電圧Ｖｚが変化した場合の総合減衰量の特性も第９
図に示されている。 そして、総合減衰量しに対する減衰量Ａ１又は減衰量Ａ
２の比の誤差電圧Ｅｅに対する特性は第１Ｏ図に示す特
性となる。誤差電圧Ｂｅが小さい領域、即ち、入力信号
レベルが低い領域では、減衰量Ａ２の方が減衰量Ａ１よ
りも総合減衰量りに大きく寄与している。又、誤差電圧
Ｂｅが大きい領域、即ち、入力信号レベルが高い領域で
は、総合減衰ｆｊｔＬに対する減衰量ＡＩの寄与が漸増
し、減衰量Ａ２の寄与は漸減している。 このことから、入力信号レベルが低い領域では、初段増
幅器の入力信号は減衰されることなく、第２段増幅器の
人力信号を減衰させることでＣＩＮ比の低下が防止され
ている。又、入力信号レベルが高い領域では、初段増幅
器の入力信号の減衰量を増加させて、第２段増幅器の入
力信号の減衰量は一定としているので、歪み率の低下が
防止される。 又、上述したような誤差電圧Ｂｅに対する減衰量分担比
の特性は、臨界電圧Ｖａ、 Ｖｂ、 Ｖｔ、ツェナー電
圧Ｖｚを変化させることで、広く変化させることができ
るので、最適特性の設定が容易である。 尚、ＰＩＮダイオード可変減衰器は、２つのπ型回路の
縦続接続として、減衰量のダイナミックレンジを広くと
っているが、この段数は１段又は３段以上であっても良
い。又、π型回路に限定されない。
流阻止コンデンサＣ１を介して′ｉ！Ｊｌ可変減衰器で
あるＰＩＮダイオード可変減衰器１に入力し、直流阻止
コンデンサＣ２を介して初段増幅器３に入力している。 又、初段増幅器３の出力信号は直流阻止コンデンサＣ３
を介して第２可変減衰器であるＰＩＮダイオード可変減
衰器２に入力し、その出力信号は直流阻止コンデンサＣ
４を介して第２段増幅器４に入力し、その出力信号は分
岐器５を介して図示しない伝送路に出力される。 又、動作点設定回路６はチョークコイルＬ１を介して直
流阻止コンデンサＣ１の出力点に接続されており、動作
点設定回路７はボルテージホロア１０とチョークコイル
Ｌ２を介してＰＩＮダイオード可変減衰器１に接続され
ている。 更に、動作点設定回路８はチョークコイルＬ３を介して
直流阻止コンデンサＣ３の出力点に接続されており、動
作点設定回路９はボルテージホロア１１とチョークコイ
ルＬ４を介してＰＩＮダイオード可変減衰器２に接続さ
れている。 一方、分岐器５によって分岐された信号は、検波回路１
２で所定の周波数のキャリアが検波され、そのキャリア
は整流回路１３で整流されて出力信号の電圧レベル（以
下、「出力信号レベル」という）ＥＣが検出される。そ
の出力信号レベルＥｃは誤差増幅器１４の非反転入力端
子に入力しており、誤差増幅器１４の反転入力端子には
出力信号レベルＢｅの制御目標値である基準電圧レベル
ｃ以下、「基準レベル」という）ＥＳが入力している。 そして、誤差増幅器１４によって差電圧ΔＢ ＜＝Ｂｃ
−Ｅｓ）が増幅されて、誤差電圧Ｂｅ （＝Ｇ・ΔＢ）
が動作点設定回路７及び動作点設定回路９に出力されて
いる。 又、各動作点設定回路６．８．９には直流電源（電圧Ｖ
ｄ）が接続されている。 ＰＩＮダイオード可変減衰器１は動作点設定回路６．７
によって供給されるバイアス電流によって各ダイオード
の動作点が変化するように構成されている。第３図に示
すダイオードの順方向Ｖ−Ｉ特性から明らかなように、
ＰＩＮダイオードはバイアス電流が増加するに連れて高
周波抵抗が減少する。 即ち、比較的小さいバイアス電流１１の動作点Ｐ１では
高周波抵抗Ｒ１は比較的大きく、比較的大きいバイアス
電流Ｉ２の動作点Ｐ、では高周波抵抗Ｒ３は比較的小さ
い。 このＰＩＮダイオードの高周波抵抗は誤差増幅器１４の
出力する誤差電圧Ｅｅに応じてボルテージホロ７１０か
ら出力される制御電圧Ｂ１によって変化される。ＰＩＮ
ダイオード可変可変減衰器間衰量Ａ１は各ＰＩＮダイオ
ードの高周波抵抗で決定されるので、その減衰量＾ｌを
誤差電圧Ｅｅに応じて＠ｒＪ？ｍすることができる。 一方、Ｐｉｌｌダイオード可変減衰器２もＰＩＮダイオ
ード可変可変減衰器間様に構成されており、その減衰量
Ａ２は制御電圧Ｅ２によって制御される。 次にＰＩＮダイオード可変減衰器１の減衰量Ａ１の特性
について詳しく述べる。 第２図に具体的に示されたＰＩＮダイオード可変減衰器
１は、高周波信号に対しては、コンデンサ［８〜Ｃ１ｌ
は短絡されるので、第６図（ａ）に示したように、ＰＩ
ＮＩＮダイオード−０３で構成されたπ型回路とＰＩＮ
ＩＮダイオード〜Ｄ６で構成されたπ型回路との縦続接
続でｍ或される。一方、コンデンサ［８〜Ｃ１ｌは直流
成分に対しては開放されるので、ＰＩＮダイオード［１
６，Ｄ５． Ｄ３． Ｄ２には共通のバイアス電流１ａ
が流れ、ＰＩＮＩＮダイオード、 ０４には共通のバイ
アス電流１ｂが流れる。 抵抗Ｒ１はＰＩＮダイオード０２．０３．０５．口６の
バイアス電流１ａを決定するための抵抗である。電流１
ａはボルテージホロア１０の出力する制御電圧Ｆ！１を
用いて、Ｂ１≧４Ｖｈ （νｈはＰＩＮダイオードの順
方向逆起電力）の領域で、 Ｉａ＝（Ｅｌ−４Ｖｈ）／Ｒ１ で表される。 従って、ＰＩＮダイオード０２． Ｄ３．口５．Ｄ６の
バイアス電流１ａは制御電圧Ｅ１の増加に伴って増加し
、第３図に示すＶ−１特性からそのＰＩＮダイオード０
２． Ｄ３、０５． Ｄ６の高周波抵抗Ｒａは第４図に
示すように、制御電圧Ｂ１の増加に伴って減少する。 一方、動作点設定回路６は抵抗Ｒ２，Ｒ３とコンデンサ
Ｃ６とで構成されており、ＰＩＮダイオード０１． Ｄ
４のバイアス電流１ｂを決定するための回路である。 電流１ｂは電源の電圧Ｖｄと制御電圧Ｂ１とを用いて、
８１５ Ｖｄ−Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）−２Ｖｈ （Ｆ）
領域で、Ｉｂ＝ （Ｖｄ−（［！１＋２Ｖｈ）（Ｒ２
＋Ｒ３）／Ｒ３） ／Ｒ２となる。 従って、ＰＩＮＩＮダイオード、 ［１４のバイアス電
流ｌｂは制御電圧Ｅ１の増加に伴って減少し、第３図に
示すＶｉ特性からＰＩＮＩＮダイオード、 ０４の高周
波抵抗Ｒｈは第４図に示すように、制御電圧Ｅ１の増加
に伴って増加する。 上記のＰＩＮダイオード可変可変減衰器間周波信号に対
して第６１ｆｆｌ（ａ）に示すπ型回路であるので、上
記の高周波抵抗値Ｒａ、 Ｒｈを用いて、第６図（ロ）
に示す抵抗によるπ型回路を用いて等価的に表される。 従って、そのπ型回路の減衰量Ａ１は制御電圧Ｅｌに対
して第５図のように変化する。減衰ＩＡＩは、制御電圧
Ｅ１の増加に伴って増加するが、臨界電圧Ｖａ＝Ｖｄ−
Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）−２１１ｈを越えると最大値Ａｍ
ａｘにほぼ飽和する。又、減衰量Ａｌの増加特性は臨界
電圧Ｖａの値を変化せることで図示するように変化させ
ることができ、その臨界電圧Ｖａは抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３
の値を変化させることにより変化させることができる。 ＰＩＮダイオード可変減衰器２及び動作点設定回路８は
、ＰＩＮダイオード可変減衰器１及び動作点設定回路６
と全く同一に構成されている。そして、ＰＩＮダイオー
ド可変減衰器２の減衰量Ａ２の制御電圧Ｅ２に対する特
性は減衰量Ａ１の特性と同様に第５図に示す特性となる
。 次に、誤差電圧ｌ！ｅと制御電圧Ｂｌ、 Ｒ２の関係に
ついて述べる。 誤差電圧Ｂｅは差電圧ΔＥに比例して約０−Ｖｄまで変
化し、差電圧ΔＢが零の時、即ち、出力（１号しベルＢ
ｃが基準レベルＢＳに等しい時、％ｌｄ／２となるよう
に設計されている。 動作点設定回路７は誤差増幅器１４の出力する誤差電圧
Ｅｅを入力して、誤差電圧Ｂｅのある関数の制御電圧８
１を得るための回路である。動作点設定回路７は抵抗Ｒ
４，Ｒ５，ツェナーダイオードＺＤで構成されている。 従って、ボルテージホロアｌＯの入力電圧Ｓ１はツェナ
ーダイオードＺＤがブレークダウンするまで零であるの
で、誤差電圧Ｈｅがツェナー電圧Ｖｚより小さい範囲で
、 ５１＝０ （Ｂｅ ＜Ｖｚ） である。 誤差電圧Ｂｅがツェナー電圧Ｖｚを越えると、５ｉ＝（
Ｂｅ−Ｖｚ）Ｒ４／（Ｒ４＋Ｒ５） （Ｖｚ≦Ｂｅ
≦Ｖｄ）と表される。 又、ボルテージホロア１０の入力電圧Ｓ１とその出力の
制御電圧Ｂ１は等しいので、制御電圧［！１は誤差電圧
Ｂｅに対して第７図に示す特性で変化する。制御電圧Ｅ
１の立上がり電圧はツェナー電圧Ｖｚで、直線部分の増
加率と最大電圧Ｖｓａｘは抵抗Ｒ４，Ｒ５の値で変化さ
せることができる。 一方、動作点設定回路９は誤差電圧Ｂｅを入力して、Ｐ
ＩＮダイオード可変減衰器２における動作電流を決定す
るための制御電圧Ｂ２を決定する回路である。動作点設
定回路９は抵抗Ｒ６，可変抵抗Ｒ７゜ダイオードロア、
コンデンサＣ７とで槽底されている。 可変抵抗Ｒ７の一端は電源Ｖｄに接続され一端は接地さ
れているので、ボルテージホロア１１の入力電圧Ｓ２は
ダイオードＤ７が逆バイアスされている間、即ち、可変
抵抗Ｒ７の分圧電圧Ｖｆとダイオード０７の順方向逆起
電力Ｖｇとの加算値である臨界電圧Ｖｔ（＝Ｖｆ＋Ｖｇ
）までは、誤差電圧Ｅｅに等しくなる。 ５２＝Ｂｅ （０≦Ｂｅ≦ｖｔ） 又、誤差電圧Ｂｅが臨界電圧Ｖｔを越えるとダイオード
Ｄ７が順バイアスされて、誤差増幅器１４の出力は抵抗
Ｒ６とダイオードＤ７と可変抵抗Ｒ７の分割抵抗を介し
て接地される。可変抵抗Ｒ７は抵抗Ｒ６に比べて十分に
小さく設計されているので、ボルテージホロア１１の入
力電圧Ｓ２は一定の臨界電圧Ｖｔとなる。 Ｓ２：Ｖｔ （Ｖｔ ＜ Ｈｅ＜ Ｖｄ）この
臨界電圧Ｖｔは可変抵抗Ｒ７の分割比を変化させること
で変化させることができる。 又、ボルテージホロア１１の入力電圧Ｓ２とその出力の
制御電圧Ｅ２は等しいので、制御電圧Ｅ２は誤差電圧Ｅ
ｅに対して第７図に示す特性で変化する。 次に誤差電圧ｌ！ｅに対する可変減衰器１及び２の減衰
量ＡＩ、 Ａ２の特性について述べる。 減衰量Ａ１の標準特性を得るために動作点設定回路６に
おける第５図の臨界電圧Ｖａ＝Ｖｄ−Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ
３）−２Ｖｈが’！７図の最大電圧Ｖｓａｘ＝ （Ｖｄ
−Ｖｚ） Ｒ４／ （Ｒ４＋Ｒ５）に等しくなるように
抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５の値を設定する。すると、
減衰量Ａ１は第８図の実線で示すように誤差電圧Ｅｅが
ツェナー電圧Ｖｚを越えるまでは最小値Ａｍ１ｎであり
、誤差電圧Ｂｅがツェナー電圧Ｖｚを越えると誤差電圧
Ｂｅと共に増加して電源電圧Ｖｄにおいて最大値Ａｍａ
ｘとなる。 又、ツェナー電圧Ｖｚを固定して第５図の臨界電圧Ｖａ
を第７図の最大電圧Ｖｍａｘに対して変化させると、減
衰量Ａ１は第８図の破線で示すように変化する。 減衰量Ａ２の標準特性を求めるために動作点設定回路７
におケル臨界電圧Ｖｂ＝Ｖｄ４１３／（Ｒ１２＋Ｒ１３
）−２Ｖｈが第６図の臨界電圧Ｖｔ＝Ｖｆ＋Ｖｇに等し
くなるようにＰＩＮダイオード可変減衰器２の抵抗Ｒ１
２，Ｒ１３や可変抵抗Ｒ７の分割比を設定する。すると
、減衰量Ａ２は第８図実線で示すように誤差電圧８ｅが
臨界電圧Ｖｔを越えるまでは最小値Ａｍ１ｎから誤差電
圧Ｈｅの増加に伴って最大値Ａｍａｘまで増加し、誤差
電圧Ｂｅが臨界電圧Ｖｔを越えると最大値Ａｍａｘに飽
和する。 又、第７図の臨界電圧Ｖｔを固定して第５図の臨界電圧
ｖｂを臨界電圧Ｖｔに対し変化させると、減衰量Ａ２は
第８図の破線のように変化する。 更に、減衰量Ａ１は上述の様な特性に対してツェナー電
圧Ｖｚを変化させることで曲線群Ａｔ’ のように変化
し、減衰量Ａ２は臨界電圧Ｖｔを変化させることで、曲
線群Ａ２’ のように変化する。 次に総合減衰量りは、Ｌ＝ＡＩ＋Ａ２であるので、その
総合減衰量りの誤差電圧Ｂｅに対する特性は第９図に示
すようになる。又、臨界電圧Ｖａ、 Ｖｂ、 Ｖｔツェ
ナー電圧Ｖｚが変化した場合の総合減衰量の特性も第９
図に示されている。 そして、総合減衰量しに対する減衰量Ａ１又は減衰量Ａ
２の比の誤差電圧Ｅｅに対する特性は第１Ｏ図に示す特
性となる。誤差電圧Ｂｅが小さい領域、即ち、入力信号
レベルが低い領域では、減衰量Ａ２の方が減衰量Ａ１よ
りも総合減衰量りに大きく寄与している。又、誤差電圧
Ｂｅが大きい領域、即ち、入力信号レベルが高い領域で
は、総合減衰ｆｊｔＬに対する減衰量ＡＩの寄与が漸増
し、減衰量Ａ２の寄与は漸減している。 このことから、入力信号レベルが低い領域では、初段増
幅器の入力信号は減衰されることなく、第２段増幅器の
人力信号を減衰させることでＣＩＮ比の低下が防止され
ている。又、入力信号レベルが高い領域では、初段増幅
器の入力信号の減衰量を増加させて、第２段増幅器の入
力信号の減衰量は一定としているので、歪み率の低下が
防止される。 又、上述したような誤差電圧Ｂｅに対する減衰量分担比
の特性は、臨界電圧Ｖａ、 Ｖｂ、 Ｖｔ、ツェナー電
圧Ｖｚを変化させることで、広く変化させることができ
るので、最適特性の設定が容易である。 尚、ＰＩＮダイオード可変減衰器は、２つのπ型回路の
縦続接続として、減衰量のダイナミックレンジを広くと
っているが、この段数は１段又は３段以上であっても良
い。又、π型回路に限定されない。
本発明は、初段増幅器の入力側に挿入され制御電圧によ
り減衰量が変化する第１可変減衰器と、初段増幅器と後
段増幅器との段間に挿入され制御電圧により減衰量が変
化する第２可変減衰器と、最終段増幅器の出力信号レベ
ルの基準レベルに対する偏差に対応した誤差電圧に応じ
て第１可変減衰器及び第２可変減衰器にそれぞれの制御
電圧を出力する制御回路とを有しているので、第１可変
減衰器及び第２可変減衰器における各減衰量は誤差電圧
に応じて独立に独自の特性で変化させることができる。 その結果、その誤差電圧に対する減衰特性を適切に設定
することで、入力信号の電圧レベルによらず、自動的に
高Ｃ／Ｎ比及び低歪み率を実現することができる。
り減衰量が変化する第１可変減衰器と、初段増幅器と後
段増幅器との段間に挿入され制御電圧により減衰量が変
化する第２可変減衰器と、最終段増幅器の出力信号レベ
ルの基準レベルに対する偏差に対応した誤差電圧に応じ
て第１可変減衰器及び第２可変減衰器にそれぞれの制御
電圧を出力する制御回路とを有しているので、第１可変
減衰器及び第２可変減衰器における各減衰量は誤差電圧
に応じて独立に独自の特性で変化させることができる。 その結果、その誤差電圧に対する減衰特性を適切に設定
することで、入力信号の電圧レベルによらず、自動的に
高Ｃ／Ｎ比及び低歪み率を実現することができる。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る自動利得制御
回路を示したブロック図、第２図は同実施例の自動利得
制御回路の具体的な回路構成を示した回路図、第３図は
ＰＩＮダイオードのＶ−１特性を示した特性図、第４図
はＰＩＮダイオードの高周波抵抗の制御電圧に関する特
性を示した特性図、第５図はＰＩＮダイオード可変減衰
器の減衰量の制御電圧に関する特性を示した特性図、第
６図はＰＩＮダイオード可変減衰器の等価回路を示す回
路図、第７図は制御電圧の誤差電圧に関する特性を示し
た特性図、第８図はＰＩＮダイオード可変減衰器の１ａ
衰量の誤差電圧に関する特性を示した特性図、第９図は
総合減衰量の誤差電圧に関する特性を示した特性図、第
１０図は減衰量の分担比の誤差電圧に関する特性を示し
た特性図である。 １０．１１ ・−ボルテージホロア １、２−ＰＩＮダイオード可変減衰器
回路を示したブロック図、第２図は同実施例の自動利得
制御回路の具体的な回路構成を示した回路図、第３図は
ＰＩＮダイオードのＶ−１特性を示した特性図、第４図
はＰＩＮダイオードの高周波抵抗の制御電圧に関する特
性を示した特性図、第５図はＰＩＮダイオード可変減衰
器の減衰量の制御電圧に関する特性を示した特性図、第
６図はＰＩＮダイオード可変減衰器の等価回路を示す回
路図、第７図は制御電圧の誤差電圧に関する特性を示し
た特性図、第８図はＰＩＮダイオード可変減衰器の１ａ
衰量の誤差電圧に関する特性を示した特性図、第９図は
総合減衰量の誤差電圧に関する特性を示した特性図、第
１０図は減衰量の分担比の誤差電圧に関する特性を示し
た特性図である。 １０．１１ ・−ボルテージホロア １、２−ＰＩＮダイオード可変減衰器
Claims (3)
- （１）初段増幅器の入力側に挿入され、制御電圧により
減衰量が変化する、第１可変減衰器と、初段増幅器と後
段増幅器との段間に挿入され、制御電圧により減衰量が
変化する第２可変減衰器と、 最終段増幅器の出力信号から所定周波数の信号を検波す
る検波回路と、 前記検波回路の出力信号を整流する整流回路と、前記整
流回路の出力信号の電圧レベルを所定の基準電圧レベル
と比較し、その差電圧を増幅してその差電圧に応じた誤
差電圧を出力する誤差増幅回路と、 前記誤差増幅回路の出力する誤差電圧を入力して、前記
誤差電圧に応じて前記第１可変減衰器及び前記第２可変
減衰器にそれぞれの制御電圧を出力する制御回路と を有することを特徴とする自動利得制御回路。 - （２）前記制御回路は、前記初段増幅回路の入力信号の
電圧レベルの増加に対応した前記誤差電圧の変化に応じ
て、前記入力信号の電圧レベルが低い所定領域では、前
記第１可変減衰器の減衰量を略零とし、前記所定領域を
越える入力信号の電圧レベルが高い領域では、入力信号
の電圧レベルが高くなるに連れて、前記第１可変減衰器
の減衰量を増加させる制御電圧を出力し、前記入力信号
の電圧レベルが低い所定領域では、前記入力信号の電圧
レベルの増加に連れて、前記第２可変減衰器の減衰量を
増加させ、前記所定領域を越える入力信号の電圧レベル
が高い領域では、前記第２可変減衰器の減衰量を略一定
とする制御電圧を出力する回路であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の自動利得制御回路。 - （３）前記第１可変減衰器及び前記第２可変減衰器は、
ＰＩＮダイオードで構成され、前記制御電圧によりその
ＰＩＮダイオードのバイアス電流を変化させて、その交
流抵抗値を変化させることで減衰量を変化させるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の自動
利得制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21390389A JPH0377416A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 自動利得制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21390389A JPH0377416A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 自動利得制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377416A true JPH0377416A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16646934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21390389A Pending JPH0377416A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 自動利得制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856200A (ja) | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Miharu Tsushin Kk | Ｃａｔｖ用光受信機のａｇｃ方法 |
| JP2008035419A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Mitsumi Electric Co Ltd | カーラジオ用ｆｍアンプおよびそれを備えるｆｍ受信機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999877A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Maspro Denkoh Corp | 受信増幅器のａｇｃ方式 |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21390389A patent/JPH0377416A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999877A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Maspro Denkoh Corp | 受信増幅器のａｇｃ方式 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856200A (ja) | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Miharu Tsushin Kk | Ｃａｔｖ用光受信機のａｇｃ方法 |
| JP2008035419A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Mitsumi Electric Co Ltd | カーラジオ用ｆｍアンプおよびそれを備えるｆｍ受信機 |
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