JPS6134947A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6134947A JPS6134947A JP15673884A JP15673884A JPS6134947A JP S6134947 A JPS6134947 A JP S6134947A JP 15673884 A JP15673884 A JP 15673884A JP 15673884 A JP15673884 A JP 15673884A JP S6134947 A JPS6134947 A JP S6134947A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、一
般に半導体装置の製造工程ではポリシリコン膜を使用し
て高抵抗の被膜生成や、ＭＯＳトランジスタのフィール
ド絶縁膜上にポリシリコンの薄膜を設ける等、ポリシリ
コン膜の利用と応用゛ 多方面でなされている。
般に半導体装置の製造工程ではポリシリコン膜を使用し
て高抵抗の被膜生成や、ＭＯＳトランジスタのフィール
ド絶縁膜上にポリシリコンの薄膜を設ける等、ポリシリ
コン膜の利用と応用゛ 多方面でなされている。
特に、このポリシリコン膜を開口して下層の膜を露出す
る場合とか、ポリシリコン膜を分離する場合等には、通
常レジスト膜をポリシリコン股上に被膜して、レジスト
膜をマスクにより光学的又は電子線等でパターニングを
行って、その部分のレジスト膜を除去してポリシリコン
膜を露出した後、用途により適切なエツチング方法で、
ポリシリコンをエツチングをして、ポリシリコン膜の開
口や、分離をおこなっている。
る場合とか、ポリシリコン膜を分離する場合等には、通
常レジスト膜をポリシリコン股上に被膜して、レジスト
膜をマスクにより光学的又は電子線等でパターニングを
行って、その部分のレジスト膜を除去してポリシリコン
膜を露出した後、用途により適切なエツチング方法で、
ポリシリコンをエツチングをして、ポリシリコン膜の開
口や、分離をおこなっている。
このようなポリシリコン膜のエツチングの方法として、
等方性エツチング法と異方性エツチング法の二種類があ
り、エンチング液に浸漬してエツチングする場合等はポ
リシリコン膜が方向に無関係にエンチングされる等方性
エンチング法であり、一方圧応性イオンエツチング法な
どは、イオンの投射される方向にのみポリシリコン膜が
エツチングされるために異方性エツチングの代表的なも
のである。
等方性エツチング法と異方性エツチング法の二種類があ
り、エンチング液に浸漬してエツチングする場合等はポ
リシリコン膜が方向に無関係にエンチングされる等方性
エンチング法であり、一方圧応性イオンエツチング法な
どは、イオンの投射される方向にのみポリシリコン膜が
エツチングされるために異方性エツチングの代表的なも
のである。
ポリシリコン膜のエツチングでは度々異方性エツチング
法が採用されるが、例えばポリシリコン膜の内部に異物
があると、この異物が障害になって、異物の下のポリシ
リコン膜のエツチングが進行しないということになり、
ポリシリコン膜の−部が残ってしまうという欠点があり
、これの改善が必要である。
法が採用されるが、例えばポリシリコン膜の内部に異物
があると、この異物が障害になって、異物の下のポリシ
リコン膜のエツチングが進行しないということになり、
ポリシリコン膜の−部が残ってしまうという欠点があり
、これの改善が必要である。
第２図ｆａｌ〜第２図ｆｃｌは従来のポリシリコン膜を
異方性エツチングをする際の工程の説明する断面図を示
している。
異方性エツチングをする際の工程の説明する断面図を示
している。
第２図（ａ）は、基板１の表面に酸化膜２があり、その
上にポリシリコン膜３が一例として４０００人程度に被
膜され、そのポリシリコン膜３の内部に異物４が偶然に
存在したものとし、又ポリシリコン膜の表面にはレジス
ト膜５により開口するためのバターニングがなされてい
るものとする。
上にポリシリコン膜３が一例として４０００人程度に被
膜され、そのポリシリコン膜３の内部に異物４が偶然に
存在したものとし、又ポリシリコン膜の表面にはレジス
ト膜５により開口するためのバターニングがなされてい
るものとする。
第２図１１は反応性イオンエツチングによって、矢印の
ようにエツチングされた状態を示す断面図であって、異
物４の下にあるポリシリコン膜はエツチングが不可能に
なって、酸化膜２の表面に突起部６として残存する。
ようにエツチングされた状態を示す断面図であって、異
物４の下にあるポリシリコン膜はエツチングが不可能に
なって、酸化膜２の表面に突起部６として残存する。
第２図（Ｃ）は、例えばポリシリコン膜の開口部に他の
絶縁膜７等を成長させたもので、突起部６により、絶縁
膜７にも凹凸部ができ、これが原因となって絶縁破壊等
の誘因となっている。
絶縁膜７等を成長させたもので、突起部６により、絶縁
膜７にも凹凸部ができ、これが原因となって絶縁破壊等
の誘因となっている。
上記の説明のように、異方性エツチング法では、ポリシ
リコン膜の中に異物等が存在すると、その下にあるポリ
シリコン膜がエツチングがされないという問題点があり
、ポリシリコン膜に異物がないという保証がない限り、
突起のない優れたエツチングをする方法を確立する必要
がある。
リコン膜の中に異物等が存在すると、その下にあるポリ
シリコン膜がエツチングがされないという問題点があり
、ポリシリコン膜に異物がないという保証がない限り、
突起のない優れたエツチングをする方法を確立する必要
がある。
本発明は上記問題点を解消した半導体装置の製造工程に
おけるエツチング方法を提供するもので、その手段は、
ポリシリコン膜に開口部を形成するようエンチングをし
た後に、該ポリシリコン膜表面を陽極酸化法によって酸
化した後、前記開口部に残留するポリシリコン残渣を除
去するエツチング処理を施すことを特徴とする半導体装
置の製造方法によって達成できる。
おけるエツチング方法を提供するもので、その手段は、
ポリシリコン膜に開口部を形成するようエンチングをし
た後に、該ポリシリコン膜表面を陽極酸化法によって酸
化した後、前記開口部に残留するポリシリコン残渣を除
去するエツチング処理を施すことを特徴とする半導体装
置の製造方法によって達成できる。
本発明は、ポリシリコン膜の所定領域を等方性エツチン
グをする際に、ポリシリコン内の異物により突起状のポ
リシリコンの残存物を除去するために、更に等方性エツ
チングを行って除去するものであるが、この際にポリシ
リコン膜の開口部の壁面が等方性エツチングでエツチン
グされないように保護する必要があり、一方突起状のポ
リシリ。
グをする際に、ポリシリコン内の異物により突起状のポ
リシリコンの残存物を除去するために、更に等方性エツ
チングを行って除去するものであるが、この際にポリシ
リコン膜の開口部の壁面が等方性エツチングでエツチン
グされないように保護する必要があり、一方突起状のポ
リシリ。
コンの残存物はエツチングがなされなければならないの
で、ポリシリコン膜の開口部の壁面のみに酸化膜の保護
膜を形成するために陽極酸化法によって必要部分の酸化
保護を行って、突起状のポリシリコンの残存物のみをエ
ツチングすることを考慮したものである。
で、ポリシリコン膜の開口部の壁面のみに酸化膜の保護
膜を形成するために陽極酸化法によって必要部分の酸化
保護を行って、突起状のポリシリコンの残存物のみをエ
ツチングすることを考慮したものである。
第１図（ａｌ〜第１図ｆｄｌは本発明の詳細な説明する
断面図であり、第１図（ａ）は、基板１とその表面に酸
化膜２があり、その上にポリシリコン膜３が被膜され、
そのポリシリコン膜３の内部に異物４があり、又ポリシ
リコン膜の表面にはレジスト膜５があってパターニング
がなされている。
断面図であり、第１図（ａ）は、基板１とその表面に酸
化膜２があり、その上にポリシリコン膜３が被膜され、
そのポリシリコン膜３の内部に異物４があり、又ポリシ
リコン膜の表面にはレジスト膜５があってパターニング
がなされている。
第１図（ｂ）は反応性イオンエ・７チングによって、矢
印のようにエツチングされ、異物４の下のポリシリコン
膜が、酸化膜２の表面にポリシリコンの突起部６として
残存する。
印のようにエツチングされ、異物４の下のポリシリコン
膜が、酸化膜２の表面にポリシリコンの突起部６として
残存する。
第１図（Ｃ１は、ポリシリコンの突起部６を除去するた
めに、ポリシリコン膜３の膜面に酸化膜を被膜するため
に陽極酸化を行なうもので、蓚酸の水溶液７に基板１を
挿入して、ポリシリコン膜３を正側にし、一方電極８に
は負側電極として直流電源９で２０ボルト程度を印加す
る。
めに、ポリシリコン膜３の膜面に酸化膜を被膜するため
に陽極酸化を行なうもので、蓚酸の水溶液７に基板１を
挿入して、ポリシリコン膜３を正側にし、一方電極８に
は負側電極として直流電源９で２０ボルト程度を印加す
る。
この陽極酸化によって、ポリシリコン膜の表面には陽極
酸化法による酸化膜１０が形成されるが、反面、ポリシ
リコンの突起部６では、これが酸化膜２の表面にあり、
酸化膜２が絶縁物であるため、突起部のポリシリコンが
電位的に浮遊していて、上記の直流電圧が印加されない
ため、酸化することがない。
酸化法による酸化膜１０が形成されるが、反面、ポリシ
リコンの突起部６では、これが酸化膜２の表面にあり、
酸化膜２が絶縁物であるため、突起部のポリシリコンが
電位的に浮遊していて、上記の直流電圧が印加されない
ため、酸化することがない。
第１図＋ｄｌは、開口部を通常の等方性エツチング法で
エツチングしたものであり、例えば弗酸と硝酸の混合液
によってエツチングすることにより、等方性エツチング
が行われて、突起状のポリシリコンロが完全に除去され
る。
エツチングしたものであり、例えば弗酸と硝酸の混合液
によってエツチングすることにより、等方性エツチング
が行われて、突起状のポリシリコンロが完全に除去され
る。
このように、ポリシリコン膜の異方性エツチングの後に
、陽極酸化を行って必要部分の保護をした後に、等方性
エツチングを行ってポリシリコンの突起を除去すること
により、その部分に他の成分の被膜をする場合に表面が
円滑な成膜を行うことができる。
、陽極酸化を行って必要部分の保護をした後に、等方性
エツチングを行ってポリシリコンの突起を除去すること
により、その部分に他の成分の被膜をする場合に表面が
円滑な成膜を行うことができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明は、半導体装置の製
造工程におけるポリシリコン膜の完全な開口方法に供し
得るという、効果大なるものがある。
造工程におけるポリシリコン膜の完全な開口方法に供し
得るという、効果大なるものがある。
第１図は本発明のポリシリコン膜の開口の製造工程を説
明する断面図、 第２図は従来のポリシリコン膜の開口の製造工程を説明
する断面図である。
明する断面図、 第２図は従来のポリシリコン膜の開口の製造工程を説明
する断面図である。
Claims (1)
- ポリシリコン膜に開口部を形成するようエッチングを
した後に、該ポリシリコン膜表面を陽極酸化法によって
酸化した後、前記開口部に残留するポリシリコン残渣を
除去するエッチング処理を施すことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15673884A JPS6134947A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15673884A JPS6134947A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134947A true JPS6134947A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15634237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15673884A Pending JPS6134947A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677204A (en) * | 1995-10-17 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of evaluating a thin film for use in semiconductor device |
| US5705027A (en) * | 1995-04-18 | 1998-01-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of removing etching residues |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15673884A patent/JPS6134947A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5705027A (en) * | 1995-04-18 | 1998-01-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of removing etching residues |
| US5677204A (en) * | 1995-10-17 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of evaluating a thin film for use in semiconductor device |
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