JPS6134751Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6134751Y2 JPS6134751Y2 JP487179U JP487179U JPS6134751Y2 JP S6134751 Y2 JPS6134751 Y2 JP S6134751Y2 JP 487179 U JP487179 U JP 487179U JP 487179 U JP487179 U JP 487179U JP S6134751 Y2 JPS6134751 Y2 JP S6134751Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- diode
- circuit
- constant current
- output
- Prior art date
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- Expired
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、シングル・エンデツド・プツシユ
プル（SEPP）回路の出力トランジスタ保護回路
に関するものである。
プル（SEPP）回路の出力トランジスタ保護回路
に関するものである。
第１図に従来の保護回路を含んだSEPP回路の
一例を示す。第１図において、１，２はそれぞれ
NPN，PNP型の出力トランジスタ、３，４は保
護用ダイオード、５は定電流回路、６，７はトラ
ンジスタ１，２のバイアス用ダイオード、８はド
ライブ用NPNトランジスタ、９，１０，１１お
よび１２はそれぞれ入力端子、第１の電源端子、
出力端子および第２の電源端子、１３はダイオー
ド３，４よりなる保護回路である。
一例を示す。第１図において、１，２はそれぞれ
NPN，PNP型の出力トランジスタ、３，４は保
護用ダイオード、５は定電流回路、６，７はトラ
ンジスタ１，２のバイアス用ダイオード、８はド
ライブ用NPNトランジスタ、９，１０，１１お
よび１２はそれぞれ入力端子、第１の電源端子、
出力端子および第２の電源端子、１３はダイオー
ド３，４よりなる保護回路である。
第１図において、入力端子９よりの信号は、ト
ランジスタ８，１、および２により増幅され、出
力端子１１に出力されることは周知であるので、
その動作説明は省略する。
ランジスタ８，１、および２により増幅され、出
力端子１１に出力されることは周知であるので、
その動作説明は省略する。
さて、電源電圧が異常に上昇したり、電源にサ
ージが乗つた場合を考える。もし、保護用ダイオ
ード３，４がないと、電源電圧が上昇してトラン
ジスタ１あるいはトランジスタ２のコレクタ−エ
ミツタ間電圧（ＶCE）がそのコレクタ−エミツタ
降伏電圧（ＶCEO）以上になると、トランジスタ
１あるいは２には異常大電流が流れ、劣化・破壊
に至つてしまう。ところが、ダイオード３，４を
挿入することにより、上記ＶCEは上記ダイオード
３，４の降伏電圧（ＶZ）より上昇することはな
く、ＶZ＜ＶCEOに設定しておくことにより、トラ
ンジスタ１，２のＶCEはＶCEOに至らないので、
異常大電流による劣化・破壊からまぬがれる。
ージが乗つた場合を考える。もし、保護用ダイオ
ード３，４がないと、電源電圧が上昇してトラン
ジスタ１あるいはトランジスタ２のコレクタ−エ
ミツタ間電圧（ＶCE）がそのコレクタ−エミツタ
降伏電圧（ＶCEO）以上になると、トランジスタ
１あるいは２には異常大電流が流れ、劣化・破壊
に至つてしまう。ところが、ダイオード３，４を
挿入することにより、上記ＶCEは上記ダイオード
３，４の降伏電圧（ＶZ）より上昇することはな
く、ＶZ＜ＶCEOに設定しておくことにより、トラ
ンジスタ１，２のＶCEはＶCEOに至らないので、
異常大電流による劣化・破壊からまぬがれる。
しかしながら、端子１０と１２間の電圧Vccが
Vcc＞2VZになつたときには、ダイオード３，４
に大電流が流れることになるので、これらのダイ
オード３，４には、大電流・大電力用のダイオー
ドが必要とされるのが普通である。
Vcc＞2VZになつたときには、ダイオード３，４
に大電流が流れることになるので、これらのダイ
オード３，４には、大電流・大電力用のダイオー
ドが必要とされるのが普通である。
この考案は、このような点に鑑みてなされたも
ので、大電流・大電力用ダイオードを用いること
なく、電源電圧の上昇や電源サージ等から出力ト
ランジスタを保護することができる保護回路を提
供するものである。
ので、大電流・大電力用ダイオードを用いること
なく、電源電圧の上昇や電源サージ等から出力ト
ランジスタを保護することができる保護回路を提
供するものである。
第２図に、この考案の一実施例を含む純コンプ
リメンタリSEPP回路の一例を示す。第２図にお
いて、第１図と異なるところは、ダイオード３の
アノードをトランジスタ２のベースに、ダイオー
ド４のカソードをトランジスタ１のベースにそれ
ぞれ接続した点である。
リメンタリSEPP回路の一例を示す。第２図にお
いて、第１図と異なるところは、ダイオード３の
アノードをトランジスタ２のベースに、ダイオー
ド４のカソードをトランジスタ１のベースにそれ
ぞれ接続した点である。
このような構成において、電源電圧が上昇して
出力端子１１の電位が上昇したとする。出力端子
１１の電位が上昇すると、トランジスタ１のベー
ス電位（ＶBI）も上昇し、このベース電位（ＶB
Ｉ）がダイオード４の降伏電圧（ＶZ）より高く
なると、ダイオード４に電流が流れはじめ、ＶBI
≦ＶZに保たれる。これにより、トランジスタ２
のＶCEもＶCE≦ＶZ−ＶBE（ＶBEはトランジスタ
１のベース・エミツタ間電圧）に保たれ、ＶZ−
ＶBE＜ＶCEOに設定しておくことにより、トラン
ジスタ１は保護される。しかも、上記VccがVcc
＞2VZになつても、（定電流回路５の耐圧＋ＶZ）
≦Vccの間は、ダイオード４には定電流回路５に
よる一定電流しか流れないので、小電流・小電力
用ダイオードで十分である。
出力端子１１の電位が上昇したとする。出力端子
１１の電位が上昇すると、トランジスタ１のベー
ス電位（ＶBI）も上昇し、このベース電位（ＶB
Ｉ）がダイオード４の降伏電圧（ＶZ）より高く
なると、ダイオード４に電流が流れはじめ、ＶBI
≦ＶZに保たれる。これにより、トランジスタ２
のＶCEもＶCE≦ＶZ−ＶBE（ＶBEはトランジスタ
１のベース・エミツタ間電圧）に保たれ、ＶZ−
ＶBE＜ＶCEOに設定しておくことにより、トラン
ジスタ１は保護される。しかも、上記VccがVcc
＞2VZになつても、（定電流回路５の耐圧＋ＶZ）
≦Vccの間は、ダイオード４には定電流回路５に
よる一定電流しか流れないので、小電流・小電力
用ダイオードで十分である。
また、出力電位が下降すると、トランジスタ２
のベース電位（ＶB２）も下降し、Vcc−ＶB２が
ダイオード３の降伏電圧（ＶZ）より高くなる
と、ダイオード３に電流が流れはじめ、（Vcc−
ＶB２≦ＶZに保たれる。これにより、トランジス
タ１のＶCEもＶCE≦（ＶZ−ＶBE）に保たれ、上記
トランジスタ２の場合と同様、トランジスタ２が
保護される。しかも、VccがVcc＞2VZになつて
も、（ＶCEO８＋ＶZ）≦Vcc（ここでＶCEO８はト
ランジスタ８のコレクタ−エミツタ降伏電圧）の
間は、ダイオード３にはトランジスタ８の一定電
流しか流れないので、小電流・小電力用ダイオー
ドで十分である。
のベース電位（ＶB２）も下降し、Vcc−ＶB２が
ダイオード３の降伏電圧（ＶZ）より高くなる
と、ダイオード３に電流が流れはじめ、（Vcc−
ＶB２≦ＶZに保たれる。これにより、トランジス
タ１のＶCEもＶCE≦（ＶZ−ＶBE）に保たれ、上記
トランジスタ２の場合と同様、トランジスタ２が
保護される。しかも、VccがVcc＞2VZになつて
も、（ＶCEO８＋ＶZ）≦Vcc（ここでＶCEO８はト
ランジスタ８のコレクタ−エミツタ降伏電圧）の
間は、ダイオード３にはトランジスタ８の一定電
流しか流れないので、小電流・小電力用ダイオー
ドで十分である。
第３図に、この考案の他の実施例を示す。第３
図において、トランジスタ１，２はトランジスタ
１６，１７とでそれぞれダーリントン接続になつ
ており、バイアス用ダイオード１４，１５が追加
されると共に、保護用ダイオード３，４のアノー
ドとカソードがそれぞれトランジスタ１７のベー
スとトランジスタ１６のベースに接続されている
他は、第２図と動作、保護作用のようすは何らか
わりはない。
図において、トランジスタ１，２はトランジスタ
１６，１７とでそれぞれダーリントン接続になつ
ており、バイアス用ダイオード１４，１５が追加
されると共に、保護用ダイオード３，４のアノー
ドとカソードがそれぞれトランジスタ１７のベー
スとトランジスタ１６のベースに接続されている
他は、第２図と動作、保護作用のようすは何らか
わりはない。
第４図に、この考案の更に他の実施例を示す。
第４図において、トランジスタ２はNPNトラン
ジスタ１８とで複合PNPダーリントン接続となつ
ており、いわゆる準コンプリメンタリSEPP回路
になつている他は、第２図と動作・保護作用のよ
うすは何ら変らない。なお、トランジスタ１がダ
ーリントン接続となつているときも、ダイオード
４のカソードを定電流回路５とダイオード６の接
続点に接続すれば良いことはいうまでもない。
第４図において、トランジスタ２はNPNトラン
ジスタ１８とで複合PNPダーリントン接続となつ
ており、いわゆる準コンプリメンタリSEPP回路
になつている他は、第２図と動作・保護作用のよ
うすは何ら変らない。なお、トランジスタ１がダ
ーリントン接続となつているときも、ダイオード
４のカソードを定電流回路５とダイオード６の接
続点に接続すれば良いことはいうまでもない。
以上のようにこの考案によれば、電源電圧の上
昇や電源サージ印加等による出力トランジスタの
劣化・破壊を、小電力ダイオードで防止すること
ができるので、セツトの低価格化に貢献し、また
半導体集積回路化も簡単であり、きわめて有用で
ある。
昇や電源サージ印加等による出力トランジスタの
劣化・破壊を、小電力ダイオードで防止すること
ができるので、セツトの低価格化に貢献し、また
半導体集積回路化も簡単であり、きわめて有用で
ある。
第１図は従来の保護回路付SEPP回路を示す回
路図、第２図はこの考案の一実施例を示す回路
図、第３図および第４図はそれぞれこの考案の他
の実施例を示す回路図である。 図において、１，１６および１８はNPNトラ
ンジスタ、２および１７はPNPトランジスタ、３
および４は保護用ダイオード、１１は出力端子、
１３は保護回路である。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。
路図、第２図はこの考案の一実施例を示す回路
図、第３図および第４図はそれぞれこの考案の他
の実施例を示す回路図である。 図において、１，１６および１８はNPNトラ
ンジスタ、２および１７はPNPトランジスタ、３
および４は保護用ダイオード、１１は出力端子、
１３は保護回路である。なお、図中同一符号は同
一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) NPNトランジスタとPNPトランジスタの直
列接続体を備え、上記両トランジスタの接続点
から出力を得るようにしたシングル・エンデツ
ド・プツシユプル回路において、上記直列接続
体の上記NPNトランジスタ側端部にカソード
が接続され、上記PNPトランジスタのベースに
アノードが接続された第１の保護用ダイオード
と、この第１の保護用ダイオードのアノードに
接続された第１の定電流源と、上記NPNトラ
ンジスタのベースにカソードが接続され、上記
直列接続体の上記PNPトランジスタ側端部にア
ノードが接続された第２の保護用ダイオード
と、この第２の保護用ダイオードのカソードに
接続された第２の定電流源とを備えた出力トラ
ンジスタの保護回路。 (2) 第１の定電流源はドライブ用トランジスタで
あることを特徴とする実用新登録請求の範囲第
１項記載の出力トランジスタの保護回路。 (3) NPNトランジスタとPNPトランジスタは、
それぞれ同一極性の２つのトランジスタをダー
リントン接続して構成された複合トランジスタ
からなることを特徴とする実用新登録請求の範
囲第１項または第２項記載の出力トランジスタ
の保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP487179U JPS6134751Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP487179U JPS6134751Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55104816U JPS55104816U (ja) | 1980-07-22 |
| JPS6134751Y2 true JPS6134751Y2 (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=28810212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP487179U Expired JPS6134751Y2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134751Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-01-17 JP JP487179U patent/JPS6134751Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55104816U (ja) | 1980-07-22 |
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