JPS6133386B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6133386B2 JPS6133386B2 JP53144220A JP14422078A JPS6133386B2 JP S6133386 B2 JPS6133386 B2 JP S6133386B2 JP 53144220 A JP53144220 A JP 53144220A JP 14422078 A JP14422078 A JP 14422078A JP S6133386 B2 JPS6133386 B2 JP S6133386B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- afterglow
- scintillator
- back surfaces
- single crystal
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 3
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims 1
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000001981 hip bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
本発明は残光の少ないシンチレーターに関する
ものである。 Ｘ線CT（Computed Tomography）において
は、Ｘ線の線量が、数秒間に最大値（空気を透過
した場合）と最小値（腰の骨を透過した場合）の
間を１〜1/1000に亘つて大巾に変動する。したが
つてＸ線検出器であるシンチレーターに残光
（after glow）があれば、Ｘ線ばく射に伴つて発
生するシンチレーシヨン光（螢光）に残光（燐
光）が累積加算されて、正確な線量測定が難しく
なる。さらにパルス状にＸ線を照射するCT式で
は、残光の影響は致命的である。従来用いられて
いるNaI（Tl）は高感度である反面残光が著しく
て実用に供し得ないため、現在は感度は低くと
も、残光の僅少なBi4Ge3O12単結晶が使われ始め
ている。 本発明は、上記のような欠点を除去するため
に、低残光のシンチレーターを提供することを目
的としてなされたものである。さて、残光、すな
わち燐光の発生原因を考察してみると、Ｘ線照射
により電子が充満帯から伝導帯へあがり、これが
何等かの格子欠陥（空孔、空孔の集合体、格子間
原子、転位など）で生じた捕獲中心にトラツプさ
れて準安定状態に入り、これが外部からの刺激た
とえば熱によつて再び伝導帯へあがり、ここから
充満帯へ落るとき発する光と解することができ
る。したがつて準安定状態で強固に電子がトラツ
プされているような単結晶では充満帯への遷移確
率が低く、微弱ながら長時間に亘つて残光が続く
ことになる。かくして、残光を低減するには、そ
の発生原因である格子欠陥を極力少くしてやれば
よい。そのためには、シンチレーター単結晶イン
ゴツトの中から、最も欠陥の少ない中心中央部分
を切り出して用いることが考えられる。しかるに
本発明者らの実験によれば、僅かに残光が低減し
たに過ぎなかつた。 そこで本発明者等は、格子欠陥に基づく捕獲中
心は、むしろ結晶切り出し、研磨加工中により多
く発生するものと考察して、NaI（Tl）単結晶を
劈開し、さらに劈開面の機械的、物理的歪を除去
するために表面を数ミクロンから数10ミクロンに
亘つてエツチングにより溶解払拭した単結晶を用
いて残光を実測したところ、表１のような結果を
得た。 かくして、単結晶の表面粗さが、残光の有力な
原因であることを見い出した。 さらに劈開性の悪い他のシンチレーター単結晶
として、CsI（Tl）、CsI（Na）を選定し単結晶を
機械的に切断して残光を検討したところ、表２の
ような結果を得た。 表１、表２は、結晶の種類が異なり、先天的に
残光特性の違うものではあるが、表面の歪、欠陥
をエツチングによつて除去すれば、残光が低減す
ものである。 Ｘ線CT（Computed Tomography）において
は、Ｘ線の線量が、数秒間に最大値（空気を透過
した場合）と最小値（腰の骨を透過した場合）の
間を１〜1/1000に亘つて大巾に変動する。したが
つてＸ線検出器であるシンチレーターに残光
（after glow）があれば、Ｘ線ばく射に伴つて発
生するシンチレーシヨン光（螢光）に残光（燐
光）が累積加算されて、正確な線量測定が難しく
なる。さらにパルス状にＸ線を照射するCT式で
は、残光の影響は致命的である。従来用いられて
いるNaI（Tl）は高感度である反面残光が著しく
て実用に供し得ないため、現在は感度は低くと
も、残光の僅少なBi4Ge3O12単結晶が使われ始め
ている。 本発明は、上記のような欠点を除去するため
に、低残光のシンチレーターを提供することを目
的としてなされたものである。さて、残光、すな
わち燐光の発生原因を考察してみると、Ｘ線照射
により電子が充満帯から伝導帯へあがり、これが
何等かの格子欠陥（空孔、空孔の集合体、格子間
原子、転位など）で生じた捕獲中心にトラツプさ
れて準安定状態に入り、これが外部からの刺激た
とえば熱によつて再び伝導帯へあがり、ここから
充満帯へ落るとき発する光と解することができ
る。したがつて準安定状態で強固に電子がトラツ
プされているような単結晶では充満帯への遷移確
率が低く、微弱ながら長時間に亘つて残光が続く
ことになる。かくして、残光を低減するには、そ
の発生原因である格子欠陥を極力少くしてやれば
よい。そのためには、シンチレーター単結晶イン
ゴツトの中から、最も欠陥の少ない中心中央部分
を切り出して用いることが考えられる。しかるに
本発明者らの実験によれば、僅かに残光が低減し
たに過ぎなかつた。 そこで本発明者等は、格子欠陥に基づく捕獲中
心は、むしろ結晶切り出し、研磨加工中により多
く発生するものと考察して、NaI（Tl）単結晶を
劈開し、さらに劈開面の機械的、物理的歪を除去
するために表面を数ミクロンから数10ミクロンに
亘つてエツチングにより溶解払拭した単結晶を用
いて残光を実測したところ、表１のような結果を
得た。 かくして、単結晶の表面粗さが、残光の有力な
原因であることを見い出した。 さらに劈開性の悪い他のシンチレーター単結晶
として、CsI（Tl）、CsI（Na）を選定し単結晶を
機械的に切断して残光を検討したところ、表２の
ような結果を得た。 表１、表２は、結晶の種類が異なり、先天的に
残光特性の違うものではあるが、表面の歪、欠陥
をエツチングによつて除去すれば、残光が低減す
【表】
ここに
4〓X線ばく射後16〓
経過時点の残光強度
残留率＝
4〓X線ばく射後16〓
経過時点の残光強度
残留率＝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シンチレーター単結晶の少なくとも表裏面を
劈開により切り出し、さらにエツチングにより溶
触払拭して該表裏面の格子欠陥を除去してなるシ
ンチレーター。 ２ 機械加工により切り出したシンチレーター単
結晶の少なくとも表裏面を鏡面研磨し、さらにエ
ツチングにより溶解払拭して該表裏面の格子欠陥
を除去してなるシンチレーター。 ３ シンチレーター単結晶の少なくとも表裏面を
ほぼ鏡面に研磨し、さらに超微粒子による低速研
磨により無歪研磨してなるシンチレーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14422078A JPS5571968A (en) | 1978-11-24 | 1978-11-24 | Scintillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14422078A JPS5571968A (en) | 1978-11-24 | 1978-11-24 | Scintillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571968A JPS5571968A (en) | 1980-05-30 |
| JPS6133386B2 true JPS6133386B2 (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=15357031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14422078A Granted JPS5571968A (en) | 1978-11-24 | 1978-11-24 | Scintillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5571968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257255A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sharp Corp | テレコントロ−ルシステム |
| JPS6329869U (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5194796B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2013-05-08 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線用シンチレータプレート |
-
1978
- 1978-11-24 JP JP14422078A patent/JPS5571968A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257255A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sharp Corp | テレコントロ−ルシステム |
| JPS6329869U (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571968A (en) | 1980-05-30 |
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