JPS6133061B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は片面溶融メツキ装置に関するものであ
る。 ストリツプに対し連続的に片面溶融メツキを施
す方法として、両面にメツキ層を施したのち機械
的または化学的に片面のメツキ層を除去する方法
のほか、溶融金属浴にストリツプの片面を接触さ
せることで始めから片面のみに溶融メツキ層を形
成する手法が知られている。この方法は、具体的
には溶融金属浴面のわずか上方に径大なメツキ用
ロールを配し、そのロールを回つて立ち上がるス
トリツプと溶融金属浴とを表面張力を利用して接
触させながら片面メツキを施す方法（メニスカス
法）と、溶融金属浴面上方に一対のメツキ用ロー
ルを配し、一対のメツキ用ロールのあいだで水平
に走るストリツプに対しポンプにより溶融金属を
吐出してストリツプ片面と接触させることで片面
のみにメツキを施す方法（電磁ポンプ法）が代表
的なものとして挙げられる。 これらの方法は溶融金属とストリツプの接触方
法は異なるが、いずれも溶融金属浴上にメツキ用
ロールを内蔵する箱型のカバーを設けて片面メツ
キの行われるふん囲気を大気と遮断し、表面が還
元されて進入してくるメツキ前のストリツプ表面
を再酸化させないよう無酸化性あるいは還元性ふ
ん囲気に保持し、また、片面にメツキを付着させ
たのち立上つたストリツプのメツキ付着量を調整
するため、単一のワイピングノズルを用いメツキ
面側のみをガスワイピングする工程が不可欠であ
る。 そして、こうして片面溶融メツキにおいては、
ストリツプ片側にメツキ量を所定に調整された良
質のメツキの施されていることが要求され、非メ
ツキ面側は清浄な鋼板面が確保されていることが
必要であるが、従来では片面のみを溶融金属と接
触させることは前記方法により効果的に行えるも
のの、次の工程であるガスワイピングすなわちガ
ス吹付けによる付着量制御を行う際に溶融金属微
粒子の飛散が起り、これがストリツプの非メツキ
面側に付着し、片面メツキ鋼板としての品質を著
しく低下させるという問題があつた。 すなわち、ガスワイピング法は周知のように溶
融金属の薄膜上に高流速のガスを衝突させエアナ
イフ効果によりメツキ量を絞るものである。その
ためガス溶融金属の衝突により溶融金属の微粒子
が生じ、これがふん囲気中に飛散する現象が不可
避的に発生する。この現象は両面溶融メツキ法に
おいてガスワイピングを行う際にも生ずるが、か
かる両面溶融メツキのガスワイピングは大気開放
条件下で行われるため溶融金属の微粒子が飛散し
てもストリツプに付着しにくく、また付着しても
両面ともにメツキ層であるからほとんど問題とな
らない。しかし片面溶融メツキのガスワイピング
は、さきのように箱型カバー内という比較的小さ
い空間内でしかも高圧、大流量のガスを用いて行
われるため、溶融金属の微粒子の飛散による影響
が大きく、非メツキ面側の汚れに直接結びつくの
である。 このようなことから、本発明者らはガスワイピ
ングにより発生する溶融金属微粒子のストリツプ
非メツキ面への廻り込み付着現象を第１図の片面
溶融メツキ装置を用いて詳細に検討してみた。第
１図において、２は無酸化炉、還元炉および冷却
炉を通過し表面が十分に還元され所定の温度に調
整されたストリツプ、２０はシールロール室２１
を介して内部を無酸化性あるいは還元性のふん囲
気に保たれたメツキ用シールボツクス、２１，２
１′は溶融金属浴面上にほぼ水平に配置された２
本のメツキロール、２２は溶融金属浴とほぼ水平
に走行するストリツプの真下に置かれた噴流ノズ
ルである。ストリツプ２はメツキ用シールボツク
ス２０に侵入したのち前記噴流ノズル２２により
片面のみがメツキされ、次いでメツキロール２
１′を回つて再び立ち上がる際にワイピングノズ
ル２３により片面のみに付着したメツキ量を調整
される。ここで問題になるのはメツキ後のワイピ
ングを行う位置と溶融金属微粒子のストリツプ非
メツキ面への廻り込み付着現象との相関である。
そこでワイピングノズル位置を第１図の〔１〕
〔２〕〔３〕にとつて操業を行つてみた。 まずワイピングノズル位置〔１〕のようにメツ
キロールセンター付近でガスワイピングを行つた
場合は、ガスワイピングがストリツプがメツキロ
ールに巻き付けられた状態で行われるため、ワイ
ピングガスは非メツキ面に廻り込まず、溶融金属
微粒子による非メツキ面の汚れは後記する他の方
法に比較して少ない。しかし、この方式でもワイ
ピングガス圧力が高くなるにつれ溶融金属の微粒
子、微片がメツキ用シールボツクス内に飛散し始
め、そのうちの一部分が非メツキ面に廻り込んで
付着する現象は回避できない。第２図ａはこの現
象による非メツキ面の汚れを示すもので、２４は
溶融金属微粒子である。試みにワイピングノズル
の位置をメツキロールセンターよりもやや上方に
上げ、メツキロールとストリツプが離れ始める位
置でガスワイピングを行うと、メツキロールとス
トリツプとの間にできた間隙にワイピングガスが
ストリツプ両端部を廻つて鋭く流入し、第２図ｂ
のごとくストリツプ非メツキ面の特にエツジ近傍
に溶融金属２５の付着が生ずる。これはガス流れ
によりメツキ面側から非メツキ面側に溶融金属が
直接廻り込んで付着したもので、飛散した微粒子
の廻り込み付着とは異なるが、片面メツキ鋼板の
品質を害するということでは変らない。 次に、ワイピングノズル位置〔２〕のごとくメ
ツキ面側のワイピングノズルによつてガスワイピ
ングを行つた場合には、ある一定以上のガス圧力
で溶融金属の飛散とその非メツキ面への廻り込み
付着が生ずる。この位置の場合の特徴は、ガスワ
イピングにより発生した溶融金属微粒子が２本の
メツキロール間の位置にあるストリツプ非メツキ
面側に落下することによりこのストリツプが後方
のメツキロールを廻つて立ち上がる際に該メツキ
ロールにより押し潰され、第２図ｃのように薄く
やや面積の大きい汚れ２４′が発生することであ
る。このことから後方のメツキロールにも溶融金
属の付着が生ずる。なお、この位置の場合、第１
図のように非メツキ面側にもワイピングノズルを
設置し、両面メツキの場合と同様にストリツプを
はさんで対向させてワイピングを行つても微粒子
の発生はあまり減少せず、メツキ面側のみのワイ
ピングと有意差が認められない。 さらに、ワイピングノズル〔３〕の位置、すな
わちメツキされたストリツプがメツキ用シールボ
ツクスから大気中に出たところでワイピングする
方式とした場合には、溶融金属浴面からガスワイ
ピング位置までの垂直距離が大きくなるため、自
然流下によりガスワイピング位置での溶融金属付
着量は少なくなる。従つてワイピングにより絞る
べきメツキ量も少なくなり、微粒子の飛散もワイ
ピングノズル位置〔２〕よりも減少する。しかし
この方法をもつてしても溶融金属廻り込みによる
汚れを完全には防止できず、その上メツキ性から
みて溶融金属浴から離れ温度が下がり表面が凝固
に近づいたところでガスワイピングを行うことは
メツキ外観を損うおそれがあるため、好ましいワ
イピングとはいえない。 なお、ガスワイピングをワイピングノズル位置
〔１〕〔２〕のようにメツキ用シールボツクス内で
行う場合には、ワイピングに使用した分のガスを
シールボツクス外に排気する必要があるが、ガス
排出口２６を第１図のようにシールボツクスのス
トリツプ非メツキ面側に設けると、ワイピングガ
スの気流がストリツプ非メツキ面側に廻りやすく
なり、ガスに随伴された溶融金属微粒子が溶融金
属上を水平に走行するストリツプの非メツキ面側
やメツキロール面上に落下する機会がふえる。 以上の点から従来のこの種片面溶融メツキ装置
では、ワイピング位置をいずれの位置にとつても
溶融金属微粒子の非メツキ面への廻り込み付着を
防止できなかつたものである。 本発明は前述したような事情から研究と実験を
重ねて創案されたもので、その基本的な目的は片
面メツキ面のメツキ付着量を制御するため不可欠
なガスワイピングに際して生ずる溶融金属微粒子
のストリツプ非メツキ面への廻り込み付着を、比
較的簡単な構造によりしかもシールボツクス内の
ふん囲気を良好に保ちつつ完全に阻止し、品位品
質の良好な片面溶融メツキ鋼板を製造できるよう
にすることにある。 また本発明の目的は、片面溶融メツキで問題と
なるエツジオーバーコートをも効果的に防止し、
幅方向で均一な付着量分布のメツキ鋼板を得るこ
とができる片面溶融メツキ装置を提供することに
ある。 さらに本発明の目的は、メツキの行われるメツ
キ用シールボツクス内のふん囲気を良好に保持す
ることができ、ワイピングノズルの閉塞などに対
する処置などを非常に簡単に行うことができる片
面溶融メツキ装置を提供することにある。 さらに本発明の目的は、連続操業を行つた場合
に生じやすいメツキロールへの溶融金属微粒子の
付着、堆積やそれによるストリツプ非メツキ面側
の汚れを有効に防止できる片面溶融メツキ装置を
提供することにある。 加えて本発明の目的は、メツキ用シールボツク
ス内におけるガスワイピング位置の自由度を向上
することができ、所要のラインスピードに合つた
最適の位置でのガスワイピングを可能にする片面
溶融メツキ装置を提供することにある。 しかして本発明は前記目的を達成するため、ス
トリツプを水平移送させる一対のロールと、スト
リツプの水平移送中ストリツプ片面のみに溶融金
属を接触させる手段と、前記一対のロールを内蔵
しストリツプの水平移送中これを少なくとも非酸
化性のふん囲気におくためのガスシールボツクス
と、一対のロールのうち出側ロール近傍にあつ
て、メツキ付着量を制御するための気体絞り装置
とを備えた片面溶融メツキ装置において、前記ス
トリツプを介して気体絞り装置と対向する位置
に、ストリツプに近接し、しかもストリツプ幅よ
りも広い平板プレートを設けて前記ガスシールボ
ツクスを仕切つたことを特徴とするものである。 以下本発明を添付図面に基づいて説明する。 第３図ないし第６図は本発明に係る片面溶融メ
ツキ装置の実施例を示すもので、１，１′はスト
リツプ２を水平移送させるための一対のロールで
あり、ストリツプ幅Ｗよりも長い胴長を持ち、溶
融金属浴面３の上にほぼ水平に配置されている。
４はストリツプ片面のみに溶融金属を付着させる
手段で、前記一対のロール１，１′のあいだの溶
融金属浴に設置される。本実施例では噴流ノズル
４１と噴流ポンプ４２で構成しているが、これに
限定されるものではないことは勿論である。５は
前記一対のロール１，１′を内蔵し、ストリツプ
の水平移行中これを非酸化性または還元性ふん囲
気におくためのガスシールボツクスであり、開放
状の下部を溶融金属浴中に浸漬させ全体として箱
型をなしている。 前記ガスシールボツクス５の入側ロール１に対
応する頂部には複数対のピンチロール６１，６１
と窒素ガスなどのシール用ガスの導入部を備えた
シールロール室６が連設されている。また、前記
ガスシールボツクス５内には一対のロール１，
１′のほぼ中間に相当する位置に隔壁５１が垂設
され、この隔壁５１によりガスシールボツクス５
は前後２つのメツキ用側室イ，ロに区分されてい
る。７は前記一対のロール１，１′のうち出側ロ
ール１′の近傍適所に設けた気体絞り装置（ワイ
ピングノズル）である。 以上のような構成は従来のこの種片面溶融メツ
キ装置と同様であるが、本発明は前記気体絞り装
置７と対向する位置、すなわち出側ロール１′を
回つて溶融金属浴面と垂直に立ち上がるストリツ
プ２の非メツキ面側に、該ストリツプ２とほぼ平
行かつ近接した距離を保持するように平板プレー
ト８を設けるものであり、この平板プレート８は
第４図のようにストリツプの幅Ｗよりも広い幅
W₁を有していることが必要である。 しかして前記平板プレート８は第６図のごとく
平板であつてもよいが第５図のごとく両端に気体
絞り装置側へのわん曲部８１，８１を有するもの
を張設しておいてもよい。また平板プレート８は
両端をガスシールボツクスの側壁５２，５２に連
結させることでシールボツクス幅方向全面にわた
つて張設することが望ましいが、場合によつては
シールボツクスの幅よりも狭く構成してもよい。 前記平板プレート８の材質はステンレス鋼板ま
たは通常の鋼板を用いることができるが、表面に
セラミツクなどの被覆を行つて表面平滑度を高め
たものがより有用であり、このような平板プレー
ト８とストリツプ２の間隔は狭にほどよいが、ス
トリツプとの接触を少なくするため一般に５〜10
mm程度とすることが好ましい。 さらに平板プレート８はガスシールボツクス５
の頂部から溶融金属浴中に浸入する深さにわたつ
て形成しておいてもよいが、本実施例では前記平
板プレート８を出側ロール１′の下部付近に到る
長さに構成しこの出側ロール１′と交わる部分に
窓８２を欠設している。そして、出側ロール１′
の下方域には出側ロール下端と溶融金属浴上で形
成されるガス流路を狭くするため、下部プレート
９を設けている。この下部プレート９も前記平板
プレート８の一部をなし、又これと同様な材質、
形状で作られ、好ましくは下端を支点として傾動
可能に構成される。このような下部プレート９を
設けることによりシールボツクス５はメツキ用室
イ，ロとワイピング用室ハに区画される。 以上が本発明で最も特徴とする構成であるが、
さきに述べた目的をより効果的に達成するため次
のような実施態様を採用してもよい。すなわち、
ワイピング用室ハを構成するシールボツクス部分
とりわけストリツプメツキ面側背部下方にワイピ
ングガスの出口１０を設け、この出口１０とつな
がる排気系にワイピング後のガスを強制排気する
ブロワ１１とワイピング用室ハを大気圧よりやや
高めになるように制御する排気ダンパ１２を設け
る。 さらに、ガスシールボツクス５のストリツプ出
口開口部にワイピングノズルに向つて垂下するシ
ールプレート５３を設けると共に、このシールプ
レート５３の上方には幅方向両端にシール用垂壁
１３１，１３１を備えた開口部シール体１３を転
送前後摺動可能に設ける。 また、出側ロール１′のあるメツキ用室ロに
は、噴孔を前記平板プレート８の下端と出側ロー
ル１′の間隙に向けたガスシール用ノズル１４を
設ける。このようなガスシール用ノズルで前記間
隙にロール幅方向全域へ不活性ガスを吹付けると
きには、大気の巻き込みをより効果的に阻止でき
る。 その他図面において１５は入側ロール１を内蔵
するメツキ用室イに対するふん囲気供給配管に設
けた流量制御弁で、無酸化炉と連絡した差圧計１
６により自動制御されるようになつている。１７
は出側ロール１′を内蔵するメツキ用室ロへのふ
ん囲気供給配管に設けた流量制御弁であり、前記
メツキ用室イを結ぶ差圧計１８を介して制御され
る。１９はワイピングガスの排気系に設けた排気
ダンパ１２を自動制御するための差圧計である。 なお、本実施例では平板プレート８をガスシー
ルボツクス内に設けているが、ワイピングガスと
して例えば燃焼生成ガスや空気を用いる場合に
は、ワイピング用室を形作る囲壁を除去し、平板
プレート８を一対のロール１，１′を内蔵するシ
ールボツクスの大気ふん囲気との境界をなす出側
壁として構成してもよい。本発明のプレートはこ
の態様をも含むものである。 次に本発明に係る片面溶融メツキ装置の作用を
説明する。 無酸化炉、還元炉および冷却炉を通過し表面を
十分に還元され所定の温度に調整されたストリツ
プ２は、シールロール室６により冷却炉と区切ら
れ内部を無酸化性あるいは還元性のふん囲気に保
たれたガスシールボツクス５に入る。このように
連続的に供給されるストリツプ２は続いて溶融金
属浴面上にほぼ水平に配置されている一対のロー
ル１，１′をまわり図示しない案内ロールにより
上方へ引抜かれるが、ストリツプ２が溶融金属浴
とほぼ水平に走行する部分でストリツプの真下に
置かれたメツキ付着手段４により噴出された溶融
金属により片面のみがメツキされる。 そして、メツキされた後のストリツプ２は出側
ロール１′を回つて再び立ち上がる際に、ガスシ
ールボツクス５に配置されている気体絞り装置７
によりガスワイピングが行われ、片面のみに付着
されたメツキ量を調整され、その後メツキライン
後方に設置された各種の表面処理設備に導かれ
る。 しかして上記のようなガスワイピングに際して
はワイピングガスが高速でメツキ付着面に衝突し
これにより溶融金属の微粒子が発生し、しかもこ
のガスワイピングがガスシールボツクスという限
られた空間内で行われるため、通常の装置構造で
は前記溶融金属微粒子がガスシールボツクス内各
部に飛散し、メツキ面側から非メツキ面側に直接
的あるいはガス気流に帯同するかたちで廻り込み
付着する。 しかるに本発明では気体絞り装置７とストリツ
プ２を介して対向する位置（ストリツプ非メツキ
面側）に、ストリツプ２と近接し、しかもこれよ
りも幅の広い平板プレート８を張設しているた
め、これによる遮断効果で前記気体絞り装置７に
よりストリツプ２のメツキ面をガスワイピングし
た時にワイピングガスがストリツプの非メツキ面
に廻り込むのが防止され、発生した溶融金属微粒
子は非メツキ面に廻り込み付着することがない。
さらに平板プレート８は溶融金属微粒子そのもの
に対する遮壁としても機能する。そのため気体絞
り位置を高位にして連続的にガスワイピング操業
を行つても溶融金属微粒子が非メツキ面に直接廻
り込むことがなく、出側ロール面への溶融金属微
粒子の付着、堆積およびそれにより誘発されるス
トリツプ非メツキ面側の汚れ現象も起らない。な
お、平板プレート８としてわん曲した両端部８
１，８１を有するものを用いた場合には、ガスシ
ールボツクス側壁方向に流れるワイピング後のガ
スが、前記側壁に強く衝突することなく気体絞り
装置７の後方に滑らかに流れていく。そのため気
流の乱れを生じにくく、プレート設置の効果がよ
り一層高められ、また、出側ロール下に下部プレ
ート９を設けておくときには、平板プレート８と
相まちメツキ用室とワイピング用室のふん囲気が
ほぼ完全に遮断され、メツキ用室の良好な圧力保
持および大気侵入防止を図り得る。 さらに、片面溶融メツキに際して第１図の
〔２〕〔３〕に相当するワイピングノズル位置でガ
スワイピングを行つた場合にエツジオーバーコー
トが生じやすいが、本発明においてはストリツプ
非メツキ面側に平板プレート８を設け、このプレ
ート面でワイピングを行うため、ストリツプエツ
ジ部のワイピングガスの流れがストリツプの他の
部分におけるガス流れとほぼ同等となり、幅方向
で均一な付着量分布とすることが可能である。 前記のような操業に際し、実施例のごとくワイ
ピングガスの出口１０を気体絞り装置７の下部背
方に設けておくときには、前記した平板プレート
８による遮壁効果と相まつてワイピング後のガス
がストリツプ非メツキ面側に流入するのを防止で
き、非メツキ面側の各部に飛散していた溶融金属
微粒子をほとんど完全に消滅させることが可能に
なる。ことにプロワ１１を運転しておくときに
は、ワイピング後のガスが出口１０から強制排気
され、これによりワイピング用室ハで発生した溶
融金属微粒子も出口方向に強く吸引されるため、
出側ロール面などへの溶融金属微粒子の付着を完
全に回避することが可能となる。 さらに、ガスシールボツクス５のストリツプ出
口開口部に開口部シール体１３をスライド可能に
設けておくときには、これをストリツプ２に近づ
け出口開口部を適当な開口幅にしておくことによ
りワイピング室内の圧力を大気圧より高めの一定
レベルに保つことが可能である。しかも前述のご
とく平板プレート８および下部プレート９により
片面メツキの行われるふん囲気とガスワイピング
の行われるふん囲気が常時遮断されている。その
ため、ワイピングの際に発生する溶融金属微粒子
などにより気体絞り装置７の噴孔（スリツト）が
目詰りを起した場合に、開口部シール体１３をス
トリツプから遠ざけるように移動させることで広
い開口が形成され、メツキ作業中においてもガス
シールボツクス上方から簡単に処置することが可
能となる。これによりメンテナンスが容易化さ
れ、作業性と片面メツキ鋼板生産能率の向上を図
り得る。 本発明の場合、上記のようなストリツプ出口開
口部を広く開口させても、ガスワイピング中はプ
レート８と気体絞り装置７の先端間隙から空気が
入り込みにくく、気体絞り装置後部からの空気流
入および気体絞り装置とガスシールボツクス側壁
との間にできた開口部分からの空気流入もシール
プレート５３およびシール用垂壁１３１，１３１
により遮られるため、気体絞り装置より下の部分
への大気流入の問題は起らない。また、前記気体
絞り装置清掃の際にストリツプ出口開口部から吹
き上がるガスがあると著しく作業環境を損ねる
が、ワイピングガスの出口１０に接続するブロワ
１１の運転と排気ダンパ１２の調整により開口部
からのガスを作業に支障のない程度にとどめるこ
とが可能である。 なお、ガスシールボツクス内の圧力は外気の侵
入を防止する点から非常に重要であり、可燃性ガ
スが送入される還元炉、冷却炉などの爆発防止お
よびメツキ性の保持の上から必要不可欠である
が、本実施例においては次のような自動圧力制御
方法をとることが可能である。すなわち、まず入
口側ロールを内蔵するメツキ用室イの圧力は、差
圧計１６によりメツキ前処理炉のうち無酸化炉の
最高圧力と比較され、該差圧計１６からの信号に
より前記無酸化炉の圧力と同程度の圧力を保持す
るように窒素ガス配管中の流量制御弁１５を作動
することで制御される。次に、出口側ロールを内
蔵するメツキ用室ロの圧力は、差圧計１８によつ
て前記メツキ用室イの圧力と比較され、差圧計１
８からの信号により流量制御弁１７が作動して吹
き込み窒素量が調整され、メツキ用室イと同圧か
やや低め（たとえば20〜30mmAq）に保たれるよ
う制御される。さらに、平板プレート８によつて
区画されたワイピング用室ハの圧力は、差圧計１
９により大気圧と比較され、該差圧計１９からの
信号により排気ダンパ１２の開度が調整されるこ
とにより、ワイピング圧力の大小によらず大気圧
よりやや高め（たとえば５〜10mmAq）に一定に
保たれる。このようにすることでガスシールボツ
クス内酸素濃度は適正に保持され、十分な安全性
とメツキ性が確保される。なお、平板プレート８
をガスシールボツクスの出側壁とした場合は、ワ
イピング用室ハは大気ふん囲気となるので前記し
たワイピング用室内の圧力制御は不要となる。 次に本発明に係る片面溶融メツキ装置を用いて
実操業を行つた結果を従来装置と比較して示すと
以下のとおりである。 実施例 本発明装置として第３図および第４図に示す
ものを用い、従来装置として第１図に示すもの
を用い、片面溶融亜鉛メツキを行つた。気体絞
り装置は出口側ロールセンターより高い位置す
なわち第１図における〔２〕のワイピングノズ
ル位置程度に配置し、ワイピングガス圧力を．
１〜0.6Kg/cm²Gにとつてみた。プレートはステ
ンレス鋼板の平板をガスシールボツクスの幅全
面にわたり張設した構成とした。 上記条件でのストリツプ非メツキ面への金属
粒廻り込み状況を下記第１表に示す。

【表】 上記第１表から明らかなように本発明によれ
ば、ストリツプ非メツキ面の汚れは全ワイピン
グ圧力にわたつてみられなくなつている。これ
に対し従来装置では各ワイピング圧力で汚れが
生じ、廻り込み金属粒はワイピング圧力上昇と
ともに粒径が大となりかつ数が増していた。 さらに、ラインスピード50mpm、ワイピン
グ圧力0.1Kg/cm²G、ワイピングノズル位置
〔２〕で操業した場合のストリツプ幅方向メツ
キ付着量分布を求めた結果を示すと第７図のこ
とくである。 この第７図から本発明によればプレートを取
付けることによりエツジオーバーコートが改善
され、ストリツプ幅方向にほぼ均一な付着量分
布の得られることがわかる。 の場合においてワイピングガスとして窒素
を使用したときのガスシールボツクス内のふん
囲気中酸素濃度を測定したところ、メツキ用室
は約30ppm、ワイピング用室は約50ppmであ
つた。また、ワイピングガスとして燃焼生成ガ
ス、空気を用いて実施してみたが、この場合ワ
イピング用室の酸素濃度は上昇するものの、メ
ツキ用室は約40ppmの酸素濃度に保たれた。
これはプレートのふん囲気遮断効果によるもの
であつて、このことから気体絞り装置を囲むシ
ールボツクスを除去し、燃焼生成ガスまたは空
気によるガスワイピングを実施することが可能
となる。 なお、本発明は第３図に示す装置構造のほか、
電磁ポンプ方式あるいはメニスカス方式の片面溶
融メツキ装置にも適用することが可能である。 以上説明した本発明の片面溶融メツキ装置によ
るときには、次のようなすぐれた効果が得られ
る。 片面メツキ面のメツキ付着量制御するガスワ
イピングにおいて問題となつていた溶融金属微
粒子および細片のストリツプ非メツキ面への廻
り込み付着を簡単な構造によりほぼ完全に防止
することができ、また同時にエツジオーバーコ
ートを防止して幅方向で均一な付着量分布を得
ることができ、これらにより品位品質の良好な
片面溶融メツキ鋼板を提供することができる。 従来方式においてストリツプ非メツキの汚れ
の最も少なかつた出口側ロールセンター位置で
のワイピングをガスシールボツクスのどの位置
でも再現することができるため、気体絞り装置
を下限は出口側ロールセンター、上限はプレー
トの上端近くまで昇降可能にすることにより、
所要のラインスピードに合つた最適の位置での
ワイピングが可能になる。 プレートによりメツキを行う空間とワイピン
グを行う空間の両ふん囲気を確実に遮断できる
ため、ガスシールボツクス内の所定ふん囲気を
容易に保持することが可能になると共に、スト
リツプ出口開口部を操業中に広げることで気体
絞り装置の閉塞に対する処置などを簡単に実施
でき、これらにより片面メツキ鋼板製造の作業
性と生産性を向上することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の片面溶融メツキ装置とワイピン
グノズル位置を示す縦断側面図、第２図ａ，ｂ，
ｃは従来装置による非メツキ面の汚れ形態を示す
平面図、第３図は本発明に係る片面溶融メツキ装
置の一実施例を概略的に示す縦断側面図、第４図
は第３図における平板プレート部分の正面図、第
５図は本発明における平板プレートの別の実施例
を示す横断面図、第６図は第３図における部分的
な平面図、第７図は本発明装置と従来装置による
メツキ付着量分布を示すグラフである。 １，１′……一対のロール、２……ストリツ
プ、４……ストリツプ片面に溶融金属を付着させ
る手段、５……ガスシールボツクス、７……気体
絞り装置、８……平板プレート。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ストリツプを水平移送させる一対のロール
   と、ストリツプの水平移送中ストリツプ片面に溶
   融金属を付着させる手段と、前記一対のロールを
   内蔵しストリツプの水平移送中これを少なくとも
   非酸化性ガスふん囲気におくためのガスシールボ
   ツクスと、前記一対のロールにおける出側ロール
   近傍にあつてストリツプのメツキ付着量を制御す
   る気体絞り装置とを備えた片面溶融メツキ装置に
   おいて、前記ストリツプ２を介して気体絞り装置
   ７と対向する位置に、ストリツプ２に近接ししか
   もストリツプ幅より広い平板プレート８を設けて
   前記ガスシールボツクス５内を仕切つたことを特
   徴とする片面溶融メツキ装置。