JPS61291968A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS61291968A JPS61291968A JP13227885A JP13227885A JPS61291968A JP S61291968 A JPS61291968 A JP S61291968A JP 13227885 A JP13227885 A JP 13227885A JP 13227885 A JP13227885 A JP 13227885A JP S61291968 A JPS61291968 A JP S61291968A
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- JP
- Japan
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- target
- metal
- alloy
- pieces
- divided pieces
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多元合金あるいは化合物の薄膜を形成するため
のスパッタリング用ターゲットに関するものである。
のスパッタリング用ターゲットに関するものである。
従来の技術
従来の合金薄膜を形成するターゲットとしては、例えば
第５図のようなものがある。
第５図のようなものがある。
すなわち、薄膜の主成分金属からなる円板状ターゲット
１ｏの上に他の構成成分の金属をリング状の薄板１４に
して載置したものｂや、金属リング１６をターゲット表
面に埋め込んだ複合ターゲットＣがある。
１ｏの上に他の構成成分の金属をリング状の薄板１４に
して載置したものｂや、金属リング１６をターゲット表
面に埋め込んだ複合ターゲットＣがある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような構成からなる複合ターゲット
は、いずれも長時間連続スパッタをすると、リング状金
属の内側において、円板状ターゲットの表面に主成分金
属の十分スパッタしきれないものが堆積物１６となって
蓄積される傾向にある。この堆積物１６の成分は、スパ
ッタガスがムｒ、Ｈｅ等の不活性の場合には夕〜ゲット
の主成分金属であるが、０２．Ｎ２等の場合にはそれら
の化合物となる。したがって、この堆積物が蓄積すると
ターゲットの表面の組成が変化したり、堆積物が絶縁性
を有する場合には次第にリングの内側のみがスパッタさ
れにくくなる。
は、いずれも長時間連続スパッタをすると、リング状金
属の内側において、円板状ターゲットの表面に主成分金
属の十分スパッタしきれないものが堆積物１６となって
蓄積される傾向にある。この堆積物１６の成分は、スパ
ッタガスがムｒ、Ｈｅ等の不活性の場合には夕〜ゲット
の主成分金属であるが、０２．Ｎ２等の場合にはそれら
の化合物となる。したがって、この堆積物が蓄積すると
ターゲットの表面の組成が変化したり、堆積物が絶縁性
を有する場合には次第にリングの内側のみがスパッタさ
れにくくなる。
このような現象はいずれも、所望の合金薄膜の組成を変
動させる要因となり、特に製造工程において長時間連続
スパッタをする上で安定な組成を得ようとする場合に大
きな弊害となる。
動させる要因となり、特に製造工程において長時間連続
スパッタをする上で安定な組成を得ようとする場合に大
きな弊害となる。
この堆積物が蓄積される原因としては、次のような場合
が考えられる。第６図は高周波マグネトロンスパッタ装
置のターゲットを示したもので。
が考えられる。第６図は高周波マグネトロンスパッタ装
置のターゲットを示したもので。
入射したスパッタガスイオン１７は、円板状ターゲット
の表面粒子を一度スバッタするとエネルギーを消失する
が電界１８によって再びエネルギーを得ることにより、
何度もスパッタを繰シ返すことができる。スパッタガス
イオン１７の軌道は、マグネトロンスパッタの場合、電
界と８界の向きによって決まるが、第６図では金属リン
グの外曲から内側に向かった軌道をとろうとする。した
がって、スパッタガスイオンが金属リングの外側から内
側に向かう途中、金属リングに入射した場合は電流が金
属リングに流れ、それより内側に入る時には相対的に電
位が下がったのと同様の影響をもたらす。そのため、金
ＪｉＡ ＩＪソング内側はスパッタされにくくなるとと
もに、一度スバッタされたとしても加速エネルギーが小
さいだめ粒子が戻ってきて再付着すると考えられる。こ
のとき反応性スパッタリングの場合には、一度スバッタ
された粒子が化合物となって付着するものもあるため、
その化合物が絶縁体の場合には、金属リングの内側は一
層スバッタされにくくなり、組成変動を大きくすること
になる。
の表面粒子を一度スバッタするとエネルギーを消失する
が電界１８によって再びエネルギーを得ることにより、
何度もスパッタを繰シ返すことができる。スパッタガス
イオン１７の軌道は、マグネトロンスパッタの場合、電
界と８界の向きによって決まるが、第６図では金属リン
グの外曲から内側に向かった軌道をとろうとする。した
がって、スパッタガスイオンが金属リングの外側から内
側に向かう途中、金属リングに入射した場合は電流が金
属リングに流れ、それより内側に入る時には相対的に電
位が下がったのと同様の影響をもたらす。そのため、金
ＪｉＡ ＩＪソング内側はスパッタされにくくなるとと
もに、一度スバッタされたとしても加速エネルギーが小
さいだめ粒子が戻ってきて再付着すると考えられる。こ
のとき反応性スパッタリングの場合には、一度スバッタ
された粒子が化合物となって付着するものもあるため、
その化合物が絶縁体の場合には、金属リングの内側は一
層スバッタされにくくなり、組成変動を大きくすること
になる。
このような現象は、マグネット１９の磁極が逆の場合で
も同様であり、その極性に応じてスパッタガスイオンの
軌道が逆になるため、再付着する場所が金属リングの内
側と外側が逆になるという違いがあるのみである。
も同様であり、その極性に応じてスパッタガスイオンの
軌道が逆になるため、再付着する場所が金属リングの内
側と外側が逆になるという違いがあるのみである。
また、ターゲットの使用効率を上げるため、第６図のよ
うに、偏心したマグネット１９がターゲット中心に対し
て公転する場合でも上述と同様のことかいえる。
うに、偏心したマグネット１９がターゲット中心に対し
て公転する場合でも上述と同様のことかいえる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡易な構成
で基板上の合金薄膜の膜組成を均一に形成するとともに
、連続スパッタに対しても安定した組成が得られるよう
にするものである。
で基板上の合金薄膜の膜組成を均一に形成するとともに
、連続スパッタに対しても安定した組成が得られるよう
にするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は。
薄膜の主たる構成成分からなるターゲット表面に載置も
しくは埋め込む他の金属リングを多分割にし、その中心
線がターゲットの中心に対して同軸となる位置に配置す
るものである。
しくは埋め込む他の金属リングを多分割にし、その中心
線がターゲットの中心に対して同軸となる位置に配置す
るものである。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、上記の構成においてターゲット表面にある金
属リングは多分割されているため、スパッタガスイオン
が金属リングに入射した時に流れる電流は非常に少なく
なる。したがって、金属リングの内側あるいは外側で一
様に電位が降下することもなく、これによるスパッタ粒
子の再付着も非常に少なくなる。よって、連続スパッタ
を行うても組成の安定した合金薄膜を形成することが容
易にできる。
属リングは多分割されているため、スパッタガスイオン
が金属リングに入射した時に流れる電流は非常に少なく
なる。したがって、金属リングの内側あるいは外側で一
様に電位が降下することもなく、これによるスパッタ粒
子の再付着も非常に少なくなる。よって、連続スパッタ
を行うても組成の安定した合金薄膜を形成することが容
易にできる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。第１図において、銅またはステンレス製のバッキン
グプレート１の上にＴｏの金属ターゲット本体２がＩｎ
を主体とする合金材料からなるボンディング層３で接着
されている。このような金属ターゲット４の上にはＴｅ
とは異なる金属、例えばＰｄ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ａ
ｕ、 Ｇｏ等の単体金属がリング状の薄板を１６分割し
た分割片５として載置されている。これらの分割片５は
すべてを並べ合わせるとほぼリング形状となり、ターゲ
ット中心に対して同軸になるように配置されている。
る。第１図において、銅またはステンレス製のバッキン
グプレート１の上にＴｏの金属ターゲット本体２がＩｎ
を主体とする合金材料からなるボンディング層３で接着
されている。このような金属ターゲット４の上にはＴｅ
とは異なる金属、例えばＰｄ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ａ
ｕ、 Ｇｏ等の単体金属がリング状の薄板を１６分割し
た分割片５として載置されている。これらの分割片５は
すべてを並べ合わせるとほぼリング形状となり、ターゲ
ット中心に対して同軸になるように配置されている。
各分割片間の間隙は互いに接融しないことが必要であり
、その値としてはｏ、５ｒｒａｎ以上であれば特に問題
のないことが実験的に確かめられた。
、その値としてはｏ、５ｒｒａｎ以上であれば特に問題
のないことが実験的に確かめられた。
上記のようなターゲット構成であれは、スパッタガスイ
オンが金属の分割片に入射しても流れる電流はその範囲
内に限られ、隣りの分割片にまでは及ばない。しだがっ
て消失する電流も少なく、リング形状の内側で電位が相
対的に低下することもない。このようなターゲットでは
付着粒子もほとんどなく、薄膜の組成としても安定した
ものが得られた。
オンが金属の分割片に入射しても流れる電流はその範囲
内に限られ、隣りの分割片にまでは及ばない。しだがっ
て消失する電流も少なく、リング形状の内側で電位が相
対的に低下することもない。このようなターゲットでは
付着粒子もほとんどなく、薄膜の組成としても安定した
ものが得られた。
なお、以上のような理由から分割片の個数としては多い
方がより効果は大きいが、８分割以上であれば電位の低
下による影響はほとんどなくなることが確かめられた。
方がより効果は大きいが、８分割以上であれば電位の低
下による影響はほとんどなくなることが確かめられた。
また分割片の配置としては、全てを合わせたリング形状
の中心線が円板ターゲットの中心に対して同軸な位置に
なることが必要である。これは、リング形状の最適径が
ターゲットと薄膜を形成する基板との相対位置関係から
、理論的に求められこうすることによって基板上の半径
方向の組成が２〜３％以内のばらつき範囲内におさまる
ようにできるからである。
の中心線が円板ターゲットの中心に対して同軸な位置に
なることが必要である。これは、リング形状の最適径が
ターゲットと薄膜を形成する基板との相対位置関係から
、理論的に求められこうすることによって基板上の半径
方向の組成が２〜３％以内のばらつき範囲内におさまる
ようにできるからである。
特に、製造工程において、円板ターゲット上に多数枚の
基板を配置し、１回のスパッタで量産性を向上するため
には、上記の同軸状の配置が必要不可欠となる。例えば
、ターゲツト面から基板面までの高さを９０間とし、タ
ーゲット中心から基板中心までの偏心距離を９０ｍとし
た場合のリング形状の最適半径は約４０順である。した
がって、この径を中心としたリングの幅を変えることに
より、所望の薄膜の組成比を微妙に調整することができ
る。薄膜の均一性についても、最適半径を中心とした一
定幅のリング形状であるため、実験的にも特性上特に問
題のないものが得られた。
基板を配置し、１回のスパッタで量産性を向上するため
には、上記の同軸状の配置が必要不可欠となる。例えば
、ターゲツト面から基板面までの高さを９０間とし、タ
ーゲット中心から基板中心までの偏心距離を９０ｍとし
た場合のリング形状の最適半径は約４０順である。した
がって、この径を中心としたリングの幅を変えることに
より、所望の薄膜の組成比を微妙に調整することができ
る。薄膜の均一性についても、最適半径を中心とした一
定幅のリング形状であるため、実験的にも特性上特に問
題のないものが得られた。
以上のようなターゲット本体の材質としては、Ｔｅの他
にＡＪ、人ｑ、ムｕ、 Ｂｉ、 Ｇｕ、 Ｇｅ、 Ｉｎ
、 Ｎｉ。
にＡＪ、人ｑ、ムｕ、 Ｂｉ、 Ｇｕ、 Ｇｅ、 Ｉｎ
、 Ｎｉ。
Ｓｉ、 Ｓｎ、 Ｔｉ、 Ｚｎ 等の単体金属や、ｋ１
２０５゜ＢＩ Ｏ、ＣｄＳ 、 Ｉｎ２Ｏ３、Ｉ Ｔｏ
、 ｐｂｏ 、 ＳｉＪＳｉ５Ｎ４ 、５ｉ０２
、５ｎ０２ 、 Ｔｉｃ 、 ＴｉＯ２、ＺｎＳ 。
２０５゜ＢＩ Ｏ、ＣｄＳ 、 Ｉｎ２Ｏ３、Ｉ Ｔｏ
、 ｐｂｏ 、 ＳｉＪＳｉ５Ｎ４ 、５ｉ０２
、５ｎ０２ 、 Ｔｉｃ 、 ＴｉＯ２、ＺｎＳ 。
Ｚｎ５ｅ等の合金、化合物あるいは非金属の材料がある
。
。
同様に、ターゲット表面に載置する金属分割片の材料と
しても、Ｐｄ 、 Ｉｎ 、 Ｓｎ 、人ｕ 、Ｇｅ等
の他に、上記のような単体金属、化合物等の材料を用い
てもよい。これらの材料の選択は合金あるいは化合物薄
膜の主成分を構成する材質をターゲット本体に選び、そ
れ以外の少量の成分となる材質を分割片の材料として選
ぶようにする。
しても、Ｐｄ 、 Ｉｎ 、 Ｓｎ 、人ｕ 、Ｇｅ等
の他に、上記のような単体金属、化合物等の材料を用い
てもよい。これらの材料の選択は合金あるいは化合物薄
膜の主成分を構成する材質をターゲット本体に選び、そ
れ以外の少量の成分となる材質を分割片の材料として選
ぶようにする。
次に本発明の第２の実施例を図面とともに説明する。第
２図は、銅製のバッキングプレート１の上にＴｏの金属
ターゲット本体２がＩｎの合金材料からなるボンディン
グ層３で接着されている。
２図は、銅製のバッキングプレート１の上にＴｏの金属
ターゲット本体２がＩｎの合金材料からなるボンディン
グ層３で接着されている。
この金属ターゲットの上にはＴｏとは異なる金属。
例えばＰｄの単体金属の円形状分割片６（ａ）や四角形
分割片７（ｂ）が多数個載置されている。これらの分割
片の中心は、ターゲットの中心に対して同軸となるよう
に配置されており、各分割片は互いに接触しないように
なっている。
分割片７（ｂ）が多数個載置されている。これらの分割
片の中心は、ターゲットの中心に対して同軸となるよう
に配置されており、各分割片は互いに接触しないように
なっている。
このようなターゲットの構成の場合でも、第１の実施例
の場合と同様に電位の低下によるスパッタ粒子の再付着
はなく、連続スパッタに対しても安定した薄膜の組成が
得られる。また分割片の同軸配置により、基板上薄膜の
半径方向の組成分布も均一なものが得られる。
の場合と同様に電位の低下によるスパッタ粒子の再付着
はなく、連続スパッタに対しても安定した薄膜の組成が
得られる。また分割片の同軸配置により、基板上薄膜の
半径方向の組成分布も均一なものが得られる。
次に本発明の第３の実施例について図面とともに説明す
る。第３図ａは、第１．第２の実施例と同様なＴｏの金
属ターゲットがあり、その上に１０とは異なる金属、例
えば、Ｓｎ 、 Ｇｅの２種の単体金属からなる各分
割片人、Ｂ、８．９が互いに接触することなく、その中
心が同軸上に配置されている。これらの分割片の大きさ
は薄膜の組成比によって決まるものであり、大小様々の
ものであってもよいが、薄膜の組成を均一にするために
は各分割片を金属の種類に合せて交互に順序よく配列す
る必要がある。
る。第３図ａは、第１．第２の実施例と同様なＴｏの金
属ターゲットがあり、その上に１０とは異なる金属、例
えば、Ｓｎ 、 Ｇｅの２種の単体金属からなる各分
割片人、Ｂ、８．９が互いに接触することなく、その中
心が同軸上に配置されている。これらの分割片の大きさ
は薄膜の組成比によって決まるものであり、大小様々の
ものであってもよいが、薄膜の組成を均一にするために
は各分割片を金属の種類に合せて交互に順序よく配列す
る必要がある。
第３図すは第３図ａにおける分割片Ａ、Ｂ、８゜９を円
形にしたもの人、Ｂ、８’、９’であり、これらの実施
例においても、第１の実施例と同様の効果が得られる。
形にしたもの人、Ｂ、８’、９’であり、これらの実施
例においても、第１の実施例と同様の効果が得られる。
次に本発明の第４の実施例を図面とともに説明する。第
４図は、Ｔｅの金属ターゲットの上に３種の単体金属Ａ
ｕ 、 Ｓｎ 、 Ｇｅの分割片ａ、ｂ。
４図は、Ｔｅの金属ターゲットの上に３種の単体金属Ａ
ｕ 、 Ｓｎ 、 Ｇｅの分割片ａ、ｂ。
ｃ、１１，１２．１３をそれぞれ異なるリング状に載置
したもので、各分割片はいずれも円板状ターゲットの中
心に対して同軸上に配置されている。
したもので、各分割片はいずれも円板状ターゲットの中
心に対して同軸上に配置されている。
これらのリング状の分割片は、基板の半径方向の組成が
均一となる径を中心に、組成比に応じた幅が選択される
。なお各リング状分割片の内側寄りか外側寄りかの位置
としては、単体金属のスパッタ率を考慮して決めるのが
好ましい。例えば、Ａｕのようなスパッタ率の大きいも
のは、薄膜を形成する基板から離れた位置、すなわちタ
ーゲット上の内側寄りの位置に載置した方が組成分布は
均一にし易い。
均一となる径を中心に、組成比に応じた幅が選択される
。なお各リング状分割片の内側寄りか外側寄りかの位置
としては、単体金属のスパッタ率を考慮して決めるのが
好ましい。例えば、Ａｕのようなスパッタ率の大きいも
のは、薄膜を形成する基板から離れた位置、すなわちタ
ーゲット上の内側寄りの位置に載置した方が組成分布は
均一にし易い。
この実施例においても、各リング状の分割片は互いに接
触することもなく、細分化されているため、電位の低下
による組成の変動を発生することはない。
触することもなく、細分化されているため、電位の低下
による組成の変動を発生することはない。
以上の実施例においては、いずれも単体金属を円板上タ
ーゲットの上に載置する場合について述べたが、ターゲ
ット表面に単体金属を埋め込む場合でも上述と同様の効
果が得られることは言うまでもない。
ーゲットの上に載置する場合について述べたが、ターゲ
ット表面に単体金属を埋め込む場合でも上述と同様の効
果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
本発明は、ターゲット本体の上に合金あるいは化合物薄
膜の構成成分の１つである金属の分割片をターゲット中
心に対して同軸に配置するもので、均一な薄膜を形成す
ることができるとともに、長時間の連続的スパッタに対
しても安定な組成を得ることが可能である。
膜の構成成分の１つである金属の分割片をターゲット中
心に対して同軸に配置するもので、均一な薄膜を形成す
ることができるとともに、長時間の連続的スパッタに対
しても安定な組成を得ることが可能である。
また、本発明によれば、製造工程における長時間使用に
対しても長寿命なスパッタリング用ターゲットを提供し
、これによる高品質な薄膜を安定に作表するためにも大
きな効果を有するものである。
対しても長寿命なスパッタリング用ターゲットを提供し
、これによる高品質な薄膜を安定に作表するためにも大
きな効果を有するものである。
第１図は本発明の第１の実施例におけるターゲット平面
図、第２図ａ、ｂは本発明の第２の実施例におけるター
ゲットの平面図、第３図ａ、ｂは本発明の第３の実施例
におけるターゲットの平面図、第４図は本発明の第６の
実施例におけるターゲットの平面図、第５図ａ、ｂ、ｃ
は従来例におけるターゲットの平面図および断正面図、
第６図は従来例において堆積物が蓄積される原冴を示す
斜視図である。 １・・・・・・バッキングプレート、２・山・・ターゲ
ット本体、３・・・・・・ボンディング層、６・・・・
・・リング状分割片、６・・・・・・円形分割片、７・
・・・・・四角形分割片、８．９・・・・・・リング状
分割片人、Ｂ、８′、９′・・・・・・円形分割片Ａ、
Ｂ、１１〜１３・・・・・・リング状分割片ａ 、 ｂ
、 ｃｏ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ＣｃＬ） （ｂン 第３図 【α〕 ＜ｂ） 第４図 １バ・ソキングプし一ト 第５図
図、第２図ａ、ｂは本発明の第２の実施例におけるター
ゲットの平面図、第３図ａ、ｂは本発明の第３の実施例
におけるターゲットの平面図、第４図は本発明の第６の
実施例におけるターゲットの平面図、第５図ａ、ｂ、ｃ
は従来例におけるターゲットの平面図および断正面図、
第６図は従来例において堆積物が蓄積される原冴を示す
斜視図である。 １・・・・・・バッキングプレート、２・山・・ターゲ
ット本体、３・・・・・・ボンディング層、６・・・・
・・リング状分割片、６・・・・・・円形分割片、７・
・・・・・四角形分割片、８．９・・・・・・リング状
分割片人、Ｂ、８′、９′・・・・・・円形分割片Ａ、
Ｂ、１１〜１３・・・・・・リング状分割片ａ 、 ｂ
、 ｃｏ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ＣｃＬ） （ｂン 第３図 【α〕 ＜ｂ） 第４図 １バ・ソキングプし一ト 第５図
Claims (4)
- （１）金属、合金、化合物のいずれかからなるターゲッ
ト本体と、複数個の金属もしくは合金の分割片を具備し
、前記分割片を前記ターゲット本体の中心に対して同軸
の位置になるよう載置もしくは埋め込んだスパッタリン
グ用ターゲット。 - （２）複数個の分割片の各々が、一定の幅を有するリン
グ形状の一部を形成した特許請求の範囲第１項記載のス
パッタリング用ターゲット。 - （３）複数個の分割片の各々が、円形である特許請求の
範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲット。 - （４）複数個の金属もしくは合金の各々が四角形である
特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13227885A JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13227885A JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291968A true JPS61291968A (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0210863B2 JPH0210863B2 (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=15077541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13227885A Granted JPS61291968A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6402906B1 (en) | 2000-10-19 | 2002-06-11 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a crescent-shaped aperture |
| US6464844B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-10-15 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a sintered metal composite target |
| CN110106487A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-09 | 上海交通大学 | 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193272A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Daido Steel Co Ltd | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP13227885A patent/JPS61291968A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193272A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Daido Steel Co Ltd | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6402906B1 (en) | 2000-10-19 | 2002-06-11 | Delphi Technologies, Inc. | Sputtering alloy films using a crescent-shaped aperture |
| CN110106487A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-09 | 上海交通大学 | 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶 |
| CN110106487B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-07-14 | 上海交通大学 | 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210863B2 (ja) | 1990-03-09 |
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