JPS59193272A - スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS59193272A JPS59193272A JP6759183A JP6759183A JPS59193272A JP S59193272 A JPS59193272 A JP S59193272A JP 6759183 A JP6759183 A JP 6759183A JP 6759183 A JP6759183 A JP 6759183A JP S59193272 A JPS59193272 A JP S59193272A
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- JP
- Japan
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- metal material
- target
- substrate
- recess
- sputtering
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空中もしくは不活性ガス中で金属素材をイオ
ン衝撃して原子を飛散させ基板に付着せしめるスパッタ
リングにおけるターゲット、および該ターゲットを用い
るスパッタリング方法に関するものである。
ン衝撃して原子を飛散させ基板に付着せしめるスパッタ
リングにおけるターゲット、および該ターゲットを用い
るスパッタリング方法に関するものである。
上記スパッタリングにおいては真空状態の真空槽内にお
いて、金属素材を一方の電極に接触させ、基板を他方の
電極に接触させ、両極間に電圧を印加することによって
該金属素材の被膜が基板表面に形成される。この際の金
属素材をターゲットと称する。例えば光磁気記録担体を
作成する場合には上記スパッタリング方法が適用される
ことが望ましいが、光磁気記録担体は例えばＧｄ −Ｆ
ｅ 、 Ｇｄ−Ｃｏ 、 Ｔｂ −Ｆｅ 、 Ｄｙ−Ｆ
ｅ 等の非晶質合金からなシ、したがってターゲット
もこれに対応してそれらの合金かあるいはＧｄ素材とＦ
ｅ素材、Ｇｄ素材とＣｏ素材等と云う二種以上の金属素
材からなる複合型が用いられる。しかし合金型は非常に
もろく大きな合金ターゲットを作製することは困難であ
るだめ一般には複合型が用いられている。
いて、金属素材を一方の電極に接触させ、基板を他方の
電極に接触させ、両極間に電圧を印加することによって
該金属素材の被膜が基板表面に形成される。この際の金
属素材をターゲットと称する。例えば光磁気記録担体を
作成する場合には上記スパッタリング方法が適用される
ことが望ましいが、光磁気記録担体は例えばＧｄ −Ｆ
ｅ 、 Ｇｄ−Ｃｏ 、 Ｔｂ −Ｆｅ 、 Ｄｙ−Ｆ
ｅ 等の非晶質合金からなシ、したがってターゲット
もこれに対応してそれらの合金かあるいはＧｄ素材とＦ
ｅ素材、Ｇｄ素材とＣｏ素材等と云う二種以上の金属素
材からなる複合型が用いられる。しかし合金型は非常に
もろく大きな合金ターゲットを作製することは困難であ
るだめ一般には複合型が用いられている。
従来、上記複合型ターゲットとしては第１図に示すよう
な円板状の金属素材（１）に短冊形の孔（１）Ａを明け
、円板状の金属素材（２）に載置したもの、第２図に示
すように円板状の金属素材（１）に円形の孔（１）Ｂを
明け、円板状の金属素材（２）に載置したもの等、上側
に載置する一方の金属素材に孔を明けることによって下
側の他方の金属素材を臨出せしめる形状、第３図に示す
ように円板状の金属素材（２）に正方形状の金属素材（
１）小片をモザイク状に多数載置したもの、第４図に示
すように円板状の金属素材（２）に扇形状の金属素材（
１）片を複数枚載置したもの等、一方の金属素材の板上
に他方の金属素材片を隙間をあけて載置する形状等があ
る。しかしこれら従来の複合型ターゲットはいずれにし
ろ一方の金属素材上に他方の金属素材を載置するだけで
あるから、載置された金属素材が動き易いこと、載置さ
れた金属素材と電極との接触性が劣ること、ターゲット
は下側の電極に載置されねばならないこと、載置された
金属素材面と下側の金属素材面とでは対向された基板ま
での距離が異なること、載置された金属素材の角部が初
期に選択的に電界が集中して飛散し易いこと等の原因に
よって均一な合金被膜が基板表面に形成しにくい。
な円板状の金属素材（１）に短冊形の孔（１）Ａを明け
、円板状の金属素材（２）に載置したもの、第２図に示
すように円板状の金属素材（１）に円形の孔（１）Ｂを
明け、円板状の金属素材（２）に載置したもの等、上側
に載置する一方の金属素材に孔を明けることによって下
側の他方の金属素材を臨出せしめる形状、第３図に示す
ように円板状の金属素材（２）に正方形状の金属素材（
１）小片をモザイク状に多数載置したもの、第４図に示
すように円板状の金属素材（２）に扇形状の金属素材（
１）片を複数枚載置したもの等、一方の金属素材の板上
に他方の金属素材片を隙間をあけて載置する形状等があ
る。しかしこれら従来の複合型ターゲットはいずれにし
ろ一方の金属素材上に他方の金属素材を載置するだけで
あるから、載置された金属素材が動き易いこと、載置さ
れた金属素材と電極との接触性が劣ること、ターゲット
は下側の電極に載置されねばならないこと、載置された
金属素材面と下側の金属素材面とでは対向された基板ま
での距離が異なること、載置された金属素材の角部が初
期に選択的に電界が集中して飛散し易いこと等の原因に
よって均一な合金被膜が基板表面に形成しにくい。
本発明は上記従来の欠点を解消して基板に均一な合金被
膜を形成することを目的とし、二種以上の金属素材から
なる複合型ターゲットにおいて、一つの金属素材によっ
て基材を作成し、該基材の表面には凹部を設け、該凹部
には面一になるように他の金属素材を嵌着したターゲッ
トを用いることを骨子とする。
膜を形成することを目的とし、二種以上の金属素材から
なる複合型ターゲットにおいて、一つの金属素材によっ
て基材を作成し、該基材の表面には凹部を設け、該凹部
には面一になるように他の金属素材を嵌着したターゲッ
トを用いることを骨子とする。
本発明を第５図以下に示す一実施例によって説明すれば
、（１′０は一つの金属素材からなる基材であシ、該基
材（１１）の表面には円形の四部０υＡが機械加工等に
よって設けられており、該凹部０］）Ａにはそれと対応
する形状の他の金属素材からなる円板Ｑ２１が密嵌せら
れ、しかして基材αＢの表面と円板Ｑ２の表面とは面一
になっている。
、（１′０は一つの金属素材からなる基材であシ、該基
材（１１）の表面には円形の四部０υＡが機械加工等に
よって設けられており、該凹部０］）Ａにはそれと対応
する形状の他の金属素材からなる円板Ｑ２１が密嵌せら
れ、しかして基材αＢの表面と円板Ｑ２の表面とは面一
になっている。
上記ターゲラ）（１（）け例えば第７図に示すような真
空槽シυ内下部に設置された陰極（ロ）上に載置される
。該陰極（２）は銅のような良導体金属で形成され中空
であシ冷却管（２２）Ａからの冷却水が内部に送通され
ることによって冷却されており、またシールド板い）に
よってシールドされてターゲットα０）以外における放
電を防止している。（財）は該陰極（２りに対向して真
空槽（２１）向上部に設置された陽極であり、該陽極Ｉ
２４）上には基板（ハ）が固定される。上記真空槽ｅυ
にターゲット００）を設置する際、第６図に示すように
他の金属素材からなる円板Ｏｚは一つの金属素材からな
る基材Ｑｌ）の四部（１１）Ａに嵌着されているからそ
の位置がずれるようなことはない。また陰極（２渇と陽
極（２４）はクルックス暗部の距離以上に離れている。
空槽シυ内下部に設置された陰極（ロ）上に載置される
。該陰極（２）は銅のような良導体金属で形成され中空
であシ冷却管（２２）Ａからの冷却水が内部に送通され
ることによって冷却されており、またシールド板い）に
よってシールドされてターゲットα０）以外における放
電を防止している。（財）は該陰極（２りに対向して真
空槽（２１）向上部に設置された陽極であり、該陽極Ｉ
２４）上には基板（ハ）が固定される。上記真空槽ｅυ
にターゲット００）を設置する際、第６図に示すように
他の金属素材からなる円板Ｏｚは一つの金属素材からな
る基材Ｑｌ）の四部（１１）Ａに嵌着されているからそ
の位置がずれるようなことはない。また陰極（２渇と陽
極（２４）はクルックス暗部の距離以上に離れている。
上記真空槽（２１）内は排気系（２１ｉＡを介して例え
ば１〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空に維持される。上記真空
槽（２１）内には通常ガス導入口（２］）Ｂを介１〜て
Ａｒ等の不活性ガスを流す。そして電源（２７）によっ
て両極（２２゜（財）間に直流電圧を印加する。かくし
てスパッタリングが行われターゲット（財）から飛散す
る金属原子は基板（ハ）表面に到達し被膜を形成する。
ば１〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空に維持される。上記真空
槽（２１）内には通常ガス導入口（２］）Ｂを介１〜て
Ａｒ等の不活性ガスを流す。そして電源（２７）によっ
て両極（２２゜（財）間に直流電圧を印加する。かくし
てスパッタリングが行われターゲット（財）から飛散す
る金属原子は基板（ハ）表面に到達し被膜を形成する。
この際、ターゲラ）（１０）の基材（１１）表面と円板
０２）の表面は面一であシ基板□□□表面までの距離は
等しく、また円板（１２＋角部は基材０υ凹部（１１）
Ａに没入して電界が集中せず、二つの金属素材は均一な
組成の合金となって基板（ハ）表面を被覆する。かくし
て第８図に示すような合金被膜（２９Ａが形成された基
板（ロ）が得られるが、光磁気記録担体の場合は該合金
被膜（２５）ＡはＧｄ−Ｆｅ 、 Ｇｄ−Ｃｏ ＋ Ｔ
ｂ −Ｆｅ 、 Ｄｙ−Ｆｅ等の非晶質合金であり、即
ち一方の基材住υとしてはＦｅ、Ｃ。
０２）の表面は面一であシ基板□□□表面までの距離は
等しく、また円板（１２＋角部は基材０υ凹部（１１）
Ａに没入して電界が集中せず、二つの金属素材は均一な
組成の合金となって基板（ハ）表面を被覆する。かくし
て第８図に示すような合金被膜（２９Ａが形成された基
板（ロ）が得られるが、光磁気記録担体の場合は該合金
被膜（２５）ＡはＧｄ−Ｆｅ 、 Ｇｄ−Ｃｏ ＋ Ｔ
ｂ −Ｆｅ 、 Ｄｙ−Ｆｅ等の非晶質合金であり、即
ち一方の基材住υとしてはＦｅ、Ｃ。
等の金属素材が用いられ、嵌着される基材（１２）とし
てはＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄ７等の金属素材が用いられ
、一方基板（２５１としてはガラス、セラミック、プラ
スチック等の非磁性体が用いられる。スパッタリングを
中断もしくは中止する際は第７図に示しだ電源（２ηを
スイツチ（２７）ＡでＯＦＦにする。
てはＧｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄ７等の金属素材が用いられ
、一方基板（２５１としてはガラス、セラミック、プラ
スチック等の非磁性体が用いられる。スパッタリングを
中断もしくは中止する際は第７図に示しだ電源（２ηを
スイツチ（２７）ＡでＯＦＦにする。
上記実施例以外、両極には高周波電圧が印加されてもよ
い。また第９図に示すようにターゲットＯ０）の基材０
１）の表面に設ける凹所（１１）Ａを角形とし、それと
対応する形状の角板α２を密嵌してもよい。
い。また第９図に示すようにターゲットＯ０）の基材０
１）の表面に設ける凹所（１１）Ａを角形とし、それと
対応する形状の角板α２を密嵌してもよい。
勿論凹所の形状はその他の如何なる形状のものであって
もよい。更にクーゲットを固定する陰極は下向きであっ
ても横向きであってもよ−。
もよい。更にクーゲットを固定する陰極は下向きであっ
ても横向きであってもよ−。
上記したように本発明は、二種以上の金属素材からなる
複合型ターゲットにおいて、一つの金属素材によって基
材を作成し、該基材の表面には凹部を設け、該凹部には
面一になるように他の金属素材を嵌着したから、該ター
ゲットを真空槽の内部に挿入する際等の移動によっても
基材の凹部に嵌着される他の金属素材の位置は固定され
、ずれるようなことはないし電極との接触性も向上する
。
複合型ターゲットにおいて、一つの金属素材によって基
材を作成し、該基材の表面には凹部を設け、該凹部には
面一になるように他の金属素材を嵌着したから、該ター
ゲットを真空槽の内部に挿入する際等の移動によっても
基材の凹部に嵌着される他の金属素材の位置は固定され
、ずれるようなことはないし電極との接触性も向上する
。
壕だ真空槽内部の電極に固定された状態が上向きであっ
ても、下向きであっても、横向きであっても他の金属累
月が凹部に緊密に嵌着されていれば剥落することはなく
、ターゲットの取付位置を任意に選ぶことが出来る。更
にターゲットにおいて基材表面と該基材凹部に嵌着され
る他の金属素材の表面とは面一になり、他の電極に固定
される基板表面との距離が金属素材間で均一になるし、
基材凹部に嵌着される他の金属素材の角部が露出しない
から基板表面に均一な組成の合金被膜が形成される。
ても、下向きであっても、横向きであっても他の金属累
月が凹部に緊密に嵌着されていれば剥落することはなく
、ターゲットの取付位置を任意に選ぶことが出来る。更
にターゲットにおいて基材表面と該基材凹部に嵌着され
る他の金属素材の表面とは面一になり、他の電極に固定
される基板表面との距離が金属素材間で均一になるし、
基材凹部に嵌着される他の金属素材の角部が露出しない
から基板表面に均一な組成の合金被膜が形成される。
第１図〜第４図は従来の種々な形状の複合型ターゲット
の平面図、第５図は本発明の一実施例の平面図、第６図
は第５図におけるＡ−Ａ’側断面図、第７図はスパッタ
リング装置の模式側断面図、第８図は得られた合金被覆
暴利の側断面図、第９図は他の実施例の平面図である。 図中 ００）・・・・ターゲット、＜１．１）・−・・
基材、（Ｉ ｌ） Ａ・−・・凹部、 Ｏ３・・・・嵌着される基材（円板、角板）、（２１）
・・・・真空槽、（２４・・・・陰極、（２４）・・・
陽極、（２５）・・・基板、（２９Ａ・・・・合金被膜
特許出願人 大同特殊鋼株式会社 第１図 井２図 ２３図 ２ ４ 図 オ ５ 図 オ ６ 図
の平面図、第５図は本発明の一実施例の平面図、第６図
は第５図におけるＡ−Ａ’側断面図、第７図はスパッタ
リング装置の模式側断面図、第８図は得られた合金被覆
暴利の側断面図、第９図は他の実施例の平面図である。 図中 ００）・・・・ターゲット、＜１．１）・−・・
基材、（Ｉ ｌ） Ａ・−・・凹部、 Ｏ３・・・・嵌着される基材（円板、角板）、（２１）
・・・・真空槽、（２４・・・・陰極、（２４）・・・
陽極、（２５）・・・基板、（２９Ａ・・・・合金被膜
特許出願人 大同特殊鋼株式会社 第１図 井２図 ２３図 ２ ４ 図 オ ５ 図 オ ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、二種以上の金属素材からなる複合型ターゲットにお
いて、一つの金属素材によって基材を作成し、該基材の
表面には凹部を設け、該凹部には面一になるように他の
金属素材を嵌着したことを特徴とするスパッタリングに
おけるターゲ、ノド ２、二種以上の金属素材からなる複合型ターゲットにお
いて、一つの金属素材によって基材を作成し、該基材の
表面には凹部を設け、該凹部には面一になるように他の
金属素材を嵌着したターゲットを真空槽の内部に設置さ
れた一方の電極上に固定し、該真空槽の内部に対向して
設置された他方の電極上には基板を固定し、該真空槽内
を真空もしくは不活性ガス界囲気とするとともに両極間
に電圧を印加して該基板表面に該ターゲット′を構成す
る金属素材からなる合金被膜を形成することを特徴とす
るスパッタリング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6759183A JPS59193272A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6759183A JPS59193272A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193272A true JPS59193272A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13349306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6759183A Pending JPS59193272A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | スパツタリングにおけるタ−ゲツトおよびスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3526166A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-30 | Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka | Gedruckte spuleneinheit fuer ein betaetigungsglied geringer abmessungen |
| JPS61291968A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS6442576A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Fujitsu Ltd | Composite sputtering target |
| JP2013128267A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144755B2 (ja) * | 1971-09-01 | 1976-11-30 | ||
| JPS5715233A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-26 | Sharp Corp | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS57145982A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Target for sputtering device |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6759183A patent/JPS59193272A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144755B2 (ja) * | 1971-09-01 | 1976-11-30 | ||
| JPS5715233A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-26 | Sharp Corp | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS57145982A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Target for sputtering device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3526166A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-30 | Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka | Gedruckte spuleneinheit fuer ein betaetigungsglied geringer abmessungen |
| US4658162A (en) * | 1984-07-23 | 1987-04-14 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Printed coil unit for small size actuator |
| JPS61291968A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPH0210863B2 (ja) * | 1985-06-18 | 1990-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6442576A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Fujitsu Ltd | Composite sputtering target |
| JP2013128267A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜の製造方法 |
| US9246079B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator and method for producing piezoelectric thin film |
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