JPS61285712A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61285712A JPS61285712A JP60127761A JP12776185A JPS61285712A JP S61285712 A JPS61285712 A JP S61285712A JP 60127761 A JP60127761 A JP 60127761A JP 12776185 A JP12776185 A JP 12776185A JP S61285712 A JPS61285712 A JP S61285712A
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- inert gas
- film forming
- ion beam
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板に薄膜を付着させる薄膜形成装置に関す
るものである。
るものである。
第３図は、例えば特開昭５４−９５９２号公報に示され
た従来の連続式薄膜形成装置を示す断面図であり、図に
おいて、１は真空槽、２は該真空槽１内に設置されたク
ラスターイオンビーム発生装置、３は該発生装置２より
発生するクラスターイオンビーム、４は該クラスターイ
オンビーム３を蒸着させる基板、５は上記真空槽１が作
りだす高真空領域、６はダイナミックシール、７は基板
巻出し器、８は基板巻取り器、９は大気である。なお図
には示していないが、クラスターイオンビーム発生装置
２は蒸着物質を入れたルツボ、ルツボ加熱部、イオン化
部、加速電極部よりなる。
た従来の連続式薄膜形成装置を示す断面図であり、図に
おいて、１は真空槽、２は該真空槽１内に設置されたク
ラスターイオンビーム発生装置、３は該発生装置２より
発生するクラスターイオンビーム、４は該クラスターイ
オンビーム３を蒸着させる基板、５は上記真空槽１が作
りだす高真空領域、６はダイナミックシール、７は基板
巻出し器、８は基板巻取り器、９は大気である。なお図
には示していないが、クラスターイオンビーム発生装置
２は蒸着物質を入れたルツボ、ルツボ加熱部、イオン化
部、加速電極部よりなる。
次に動作について説明する。
従来の薄膜形成装置では、真空槽１内の高真空領域５に
おいて、クラスターイオンビーム発生装置２によりクラ
スターイオンビーム３が発生され、このクラスターイオ
ンビーム３は基板４上に付着され薄膜が形成される。薄
膜形成後の基板４は基板巻出し器７及び基板巻取りａ８
によって搬送され、ダイナミックシール６を介して高真
空領域５から大気９中へ取り出される。
おいて、クラスターイオンビーム発生装置２によりクラ
スターイオンビーム３が発生され、このクラスターイオ
ンビーム３は基板４上に付着され薄膜が形成される。薄
膜形成後の基板４は基板巻出し器７及び基板巻取りａ８
によって搬送され、ダイナミックシール６を介して高真
空領域５から大気９中へ取り出される。
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されており、基
板はクラスターイオンビーム発生装置よりの熱輻射を受
け、数百度Ｃに加熱されているので、これを直ちに大気
中へ取り出すと、大気中の酸素により、基板表面が酸化
されやすく、又基板が高温となっているため、取扱安全
上にも問題があった。基板が高温である原因は基板が高
真空領域内に設置されているために、装置の運転停止後
も、対流や熱伝導の効果による基板の冷却効果が望めな
いことによる。ものであった、従って従来装置では、上
述のような問題を解消するためには、薄膜形成後の基板
の冷却時間が３０分以上かかり、連続″Ｓ膜形成上の効
率が悪いという欠点があった。
板はクラスターイオンビーム発生装置よりの熱輻射を受
け、数百度Ｃに加熱されているので、これを直ちに大気
中へ取り出すと、大気中の酸素により、基板表面が酸化
されやすく、又基板が高温となっているため、取扱安全
上にも問題があった。基板が高温である原因は基板が高
真空領域内に設置されているために、装置の運転停止後
も、対流や熱伝導の効果による基板の冷却効果が望めな
いことによる。ものであった、従って従来装置では、上
述のような問題を解消するためには、薄膜形成後の基板
の冷却時間が３０分以上かかり、連続″Ｓ膜形成上の効
率が悪いという欠点があった。
この発明は上述のような問題点を解消するためになされ
たもので、薄膜形成後の基板を酸化させずに速やかに大
気中へ取り出せると共に、連続的に薄膜を形成する場合
に薄膜形成効率の良い薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
たもので、薄膜形成後の基板を酸化させずに速やかに大
気中へ取り出せると共に、連続的に薄膜を形成する場合
に薄膜形成効率の良い薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る薄膜形成装置は、薄膜形成後の基板を不
活性ガス雰囲気中を通過させた後に大気中に取り出すた
めの不活性ガス雰囲気生成機構を設けたものである。
活性ガス雰囲気中を通過させた後に大気中に取り出すた
めの不活性ガス雰囲気生成機構を設けたものである。
この発明においては、高真空領域内で加熱された基板を
、不活性ガス雰囲気中に゛導くようにしたことから、高
真空領域内では望めなかった対流。
、不活性ガス雰囲気中に゛導くようにしたことから、高
真空領域内では望めなかった対流。
熱伝導及び熱輻射などの効果により、薄膜形成後の基板
は効果的に急速に冷却され、又はとんど酸化されること
もない。
は効果的に急速に冷却され、又はとんど酸化されること
もない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による薄膜形成装置の断面図であ
り、図中、第３図と同一符号は同一部分を示す０図にお
いて、１０は不活性ガス雰囲気、１４は真空槽１の隣り
に設けた不活性ガス槽（不活性ガス雰囲気生成機構）で
あり、該不活性ガス槽１４内は窒素ガス、アルゴンガス
、六フッ化硫黄ガスなどの不活性ガスで満たされている
。
図は本発明の一実施例による薄膜形成装置の断面図であ
り、図中、第３図と同一符号は同一部分を示す０図にお
いて、１０は不活性ガス雰囲気、１４は真空槽１の隣り
に設けた不活性ガス槽（不活性ガス雰囲気生成機構）で
あり、該不活性ガス槽１４内は窒素ガス、アルゴンガス
、六フッ化硫黄ガスなどの不活性ガスで満たされている
。
次に動作について説明する。
真空槽１内の高真空領域５において、クラスターイオン
ビーム発生装置２から発生したクラスターイオンビーム
３によって、基板４上に薄膜が形成される。図には示さ
れていないが、クラスターイオンビーム発生装置２は蒸
着物質を入れたルツボ、ルツボ加熱部、イオン化部及び
加速電極部よりなり、二千度Ｃ以上の高熱を発生する。
ビーム発生装置２から発生したクラスターイオンビーム
３によって、基板４上に薄膜が形成される。図には示さ
れていないが、クラスターイオンビーム発生装置２は蒸
着物質を入れたルツボ、ルツボ加熱部、イオン化部及び
加速電極部よりなり、二千度Ｃ以上の高熱を発生する。
真空中における、該クラスターイオンビーム発生装置２
からの輻射熱により基板４は数百度Ｃに加熱されるが、
該基板４は搬送装置である基板巻出しＢ７及び基板巻取
り器８により、速やかに隣りの不活性ガス槽１４内の不
活性ガス雰囲気１０中へ、ダイナミックシール６を介し
て搬送され、上記不活性ガス槽１４内で対流、熱伝導及
び熱輻射などの効果により、急速に冷却される。
からの輻射熱により基板４は数百度Ｃに加熱されるが、
該基板４は搬送装置である基板巻出しＢ７及び基板巻取
り器８により、速やかに隣りの不活性ガス槽１４内の不
活性ガス雰囲気１０中へ、ダイナミックシール６を介し
て搬送され、上記不活性ガス槽１４内で対流、熱伝導及
び熱輻射などの効果により、急速に冷却される。
以上のような本実施例の装置では、不活性ガス槽１４内
は、窒素ガス、アルゴンガス、六フフ化硫黄ガスなどの
不活性ガスで満たされており、基板４を酸化させずに、
冷却することが出来る。さらに、不活性ガス槽１４内の
圧力を高めれば、冷却効果を一段と上げることも出来る
。従って、基板４の搬送速度を落とすことなく、効果的
に基板４を冷却することができ、基板４の表面酸化を発
生させずに、速やかに大気９中へ基板４を取り出すこと
ができ、その結果効率のよい連続薄膜形成装置を提供す
ることが出来る。
は、窒素ガス、アルゴンガス、六フフ化硫黄ガスなどの
不活性ガスで満たされており、基板４を酸化させずに、
冷却することが出来る。さらに、不活性ガス槽１４内の
圧力を高めれば、冷却効果を一段と上げることも出来る
。従って、基板４の搬送速度を落とすことなく、効果的
に基板４を冷却することができ、基板４の表面酸化を発
生させずに、速やかに大気９中へ基板４を取り出すこと
ができ、その結果効率のよい連続薄膜形成装置を提供す
ることが出来る。
ところで上記実施例では連続式１！膜形成装置について
説明したが、バッチ式のＷｉＩＰＪ形成装置についても
、第１図の実施例と同様に、効果的に基板４を冷却する
ことができ、基板４の表面酸化を生じさせず、速やかに
大気９中へ取り出せる。
説明したが、バッチ式のＷｉＩＰＪ形成装置についても
、第１図の実施例と同様に、効果的に基板４を冷却する
ことができ、基板４の表面酸化を生じさせず、速やかに
大気９中へ取り出せる。
第２図は、バッチ式のものに適用した本発明の他の実施
例による薄膜形成装置の断面図で、図において、ｌｌａ
、ｌｌｂは止め弁、１２は真空ポンプ、１３は不活性ガ
スボンベであり、これらによって不活性ガス雰囲気生成
機構１５が構成されている。
例による薄膜形成装置の断面図で、図において、ｌｌａ
、ｌｌｂは止め弁、１２は真空ポンプ、１３は不活性ガ
スボンベであり、これらによって不活性ガス雰囲気生成
機構１５が構成されている。
基板４上に薄膜を形成するときは、止め弁１１ａと真空
ポンプ１２とを稼働させ、真空槽１内に高真空領域５を
形成し、咳高真空領域５内においてクラスターイオンビ
ーム発生装置２により発生したクラスターイオンビーム
３を基板４上に付着させ薄膜を形成する。薄膜形成後は
、止め弁１１ａを閉とし、止め弁１１ｂ及び不活性ガス
ボンベ１３を開として、真空槽１内に不活性ガス雰囲気
１０を形成して、基板４の酸化を防ぎつつ、速やかに基
板４を冷却し、該基板４を大気９中に取り出す。
′ なお上記実施例では、クラスターイオンビーム発生装置
２を用いて薄膜を形成する場合について述べたが、本発
明は蒸着法やスパッタリング法、モレキエラービーム法
等により薄膜を形成する場合についても同様に適用でき
、同様の効果を奏する。
ポンプ１２とを稼働させ、真空槽１内に高真空領域５を
形成し、咳高真空領域５内においてクラスターイオンビ
ーム発生装置２により発生したクラスターイオンビーム
３を基板４上に付着させ薄膜を形成する。薄膜形成後は
、止め弁１１ａを閉とし、止め弁１１ｂ及び不活性ガス
ボンベ１３を開として、真空槽１内に不活性ガス雰囲気
１０を形成して、基板４の酸化を防ぎつつ、速やかに基
板４を冷却し、該基板４を大気９中に取り出す。
′ なお上記実施例では、クラスターイオンビーム発生装置
２を用いて薄膜を形成する場合について述べたが、本発
明は蒸着法やスパッタリング法、モレキエラービーム法
等により薄膜を形成する場合についても同様に適用でき
、同様の効果を奏する。
以上のように、本発明によれば、薄膜形成後の基板を不
活性ガス雰囲気中を通過させた後大気中に取り出すよう
にしたので、基板の酸化を防ぎ、効率よ（薄膜形成を行
なえる効果がある。
活性ガス雰囲気中を通過させた後大気中に取り出すよう
にしたので、基板の酸化を防ぎ、効率よ（薄膜形成を行
なえる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による薄膜形成装置の断面図
、第２図はこの発明の他の実施例によるｉ膜形成装置の
断面図、第３図は従来の薄膜形成装置の断面側面図であ
る。 ４・・・基板、５・・・高真空領域、１０・・・不活性
ガス雰囲気、ｌｌａ、ｉｌｂ・・・止め弁、１２・・・
真空ポンプ、１３・・・不活性ガスボンベ、１４・・・
不活性ガス槽（不活性ガス雰囲気生成機構）、１５・・
・不活性ガス雰囲気生成機構。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図はこの発明の他の実施例によるｉ膜形成装置の
断面図、第３図は従来の薄膜形成装置の断面側面図であ
る。 ４・・・基板、５・・・高真空領域、１０・・・不活性
ガス雰囲気、ｌｌａ、ｉｌｂ・・・止め弁、１２・・・
真空ポンプ、１３・・・不活性ガスボンベ、１４・・・
不活性ガス槽（不活性ガス雰囲気生成機構）、１５・・
・不活性ガス雰囲気生成機構。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）高真空領域内で基板に薄膜を形成する薄膜形成装
置において、薄膜形成後の基板を不活性ガス雰囲気中を
通過させた後に大気中に取り出すための不活性ガス雰囲
気生成機構を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127761A JPS61285712A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127761A JPS61285712A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285712A true JPS61285712A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14968034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60127761A Pending JPS61285712A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61285712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002512450A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ポリキャップの除去により容易なポリ１コンタクトが得られるｎａｎｄ型フラッシュメモリ装置の製造方法 |
| JP2015522208A (ja) * | 2012-07-13 | 2015-08-03 | ユーエイビー・ノヴァ・ファブリカＵａｂ Ｎｏｖａ Ｆａｂｒｉｃａ | 真空処理方法に使用するためのアセンブリ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162270A (ja) * | 1983-03-02 | 1983-09-26 | Furuta Denki Kk | 海苔熟成促進方法 |
| JPS58176692U (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-26 | ベスト工業株式会社 | 海苔貯留槽 |
| JPS5932311Y2 (ja) * | 1982-05-24 | 1984-09-10 | ベスト工業株式会社 | 海苔貯留槽 |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP60127761A patent/JPS61285712A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176692U (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-26 | ベスト工業株式会社 | 海苔貯留槽 |
| JPS5932311Y2 (ja) * | 1982-05-24 | 1984-09-10 | ベスト工業株式会社 | 海苔貯留槽 |
| JPS58162270A (ja) * | 1983-03-02 | 1983-09-26 | Furuta Denki Kk | 海苔熟成促進方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002512450A (ja) * | 1998-04-16 | 2002-04-23 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ポリキャップの除去により容易なポリ１コンタクトが得られるｎａｎｄ型フラッシュメモリ装置の製造方法 |
| JP2015522208A (ja) * | 2012-07-13 | 2015-08-03 | ユーエイビー・ノヴァ・ファブリカＵａｂ Ｎｏｖａ Ｆａｂｒｉｃａ | 真空処理方法に使用するためのアセンブリ |
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