JPS61284931A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS61284931A JPS61284931A JP12659185A JP12659185A JPS61284931A JP S61284931 A JPS61284931 A JP S61284931A JP 12659185 A JP12659185 A JP 12659185A JP 12659185 A JP12659185 A JP 12659185A JP S61284931 A JPS61284931 A JP S61284931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- shutter
- vapor pressure
- raw material
- gases
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
蒸気圧の高い（易蒸発性）材料の気相成長において、反
応容器への原料ガス導入系を、すべての原料ガスおよび
搬送ガスを導入する系と、蒸気圧の高い材料のみを除い
た、他のすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入する系
に分離することにより、蒸気圧の高い原料ガスを急速に
分離できるようにし、急峻なヘテロ界面を持つ結晶が得
られる。
応容器への原料ガス導入系を、すべての原料ガスおよび
搬送ガスを導入する系と、蒸気圧の高い材料のみを除い
た、他のすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入する系
に分離することにより、蒸気圧の高い原料ガスを急速に
分離できるようにし、急峻なヘテロ界面を持つ結晶が得
られる。
本発明は水銀（Ｈｇ）等の蒸気圧の高い物質を含む材料
の気相成長装置に関する。
の気相成長装置に関する。
蒸気圧の高い物質を含む材料として、例えば水銀カドミ
ウムテルル（ＨｇＣｄＴｅ）があるが、基板上にこれと
カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）の層構造を気相エピタキ
シャル成長装置により形成して、赤外線検知素子として
利用されている。
ウムテルル（ＨｇＣｄＴｅ）があるが、基板上にこれと
カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）の層構造を気相エピタキ
シャル成長装置により形成して、赤外線検知素子として
利用されている。
この場合の気相エピタキシャル成長において、急峻なＨ
ｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅヘテロ接合界面を得るために、蒸
気圧の高いＨｇガスの急速な断続を必要とし、そのため
の工夫が要望されている。
ｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅヘテロ接合界面を得るために、蒸
気圧の高いＨｇガスの急速な断続を必要とし、そのため
の工夫が要望されている。
第２図は従来例による蒸気圧の高い物質を含む材料の気
相成長装置の構造を示す模式的な断面図である。
相成長装置の構造を示す模式的な断面図である。
図において、１はこの上に結晶を成長しようとする基板
、２は反応容器で、２１は排気口、２２は基板１を載置
するサセプタ、２３は結晶成長の原料ガスおよび搬送ガ
ス導入口（以下単に原料ガス導入口と記す）である。
、２は反応容器で、２１は排気口、２２は基板１を載置
するサセプタ、２３は結晶成長の原料ガスおよび搬送ガ
ス導入口（以下単に原料ガス導入口と記す）である。
３は原料ガスおよび搬送ガス導入系で、シャッタ５を経
て原料ガス導入口２３に接続される。
て原料ガス導入口２３に接続される。
蒸気圧の低い原料ガスとして有機金属ガス 叶Ｃｄ （
（Ｃｔｌｓ） ｚｃｄ）とＤＥＴｅ （（Ｃｚｔｌｓ）
ｚＴｅ ）を、搬送ガスとして水素（１１□）を原料
ガス導入系３の導入口３１より導入する。
（Ｃｔｌｓ） ｚｃｄ）とＤＥＴｅ （（Ｃｚｔｌｓ）
ｚＴｅ ）を、搬送ガスとして水素（１１□）を原料
ガス導入系３の導入口３１より導入する。
蒸気圧の高いガス源３２としてＨｇを原料ガス導入系３
の途中径路に置き、ヒータ３３で加熱する。
の途中径路に置き、ヒータ３３で加熱する。
この装置を用いて、基板上にＣｄＴｅ層 ＨｇＣｄＴｅ
／ ＣｄＴｅを成長する場合、まずヒータ３３の電源を
切り、Ｈｇを加熱しないで基板１上にＣｄＴｅ層を成長
する。
／ ＣｄＴｅを成長する場合、まずヒータ３３の電源を
切り、Ｈｇを加熱しないで基板１上にＣｄＴｅ層を成長
する。
つぎに、シャッタ５を閉じ、Ｈｇを加熱して所定の蒸気
圧にしてシャッタ５を開き、ＨｇガスをＤＭＣｄとＤＥ
Ｔｅとともに反応容器２に導入し、基板上にＨｇＣｄＴ
ｅ層を成長する。
圧にしてシャッタ５を開き、ＨｇガスをＤＭＣｄとＤＥ
Ｔｅとともに反応容器２に導入し、基板上にＨｇＣｄＴ
ｅ層を成長する。
この場合、Ｈｇが飽和した状態で基板に到達することが
必要であり、その上洛ガスの混合に時間がかかり、ガス
の無駄が多くなり、かつ各成長層界面は急峻でない。
必要であり、その上洛ガスの混合に時間がかかり、ガス
の無駄が多くなり、かつ各成長層界面は急峻でない。
つぎに、シャッタ５を閉じ、ヒータ３３の電源を切りＩ
Ｉｇを冷却した後、シャッタ５を開きＤＭＣｄとＤＥＴ
ｅを反応容器２に導入し、最上層のＣｄＴｅ層を成長す
る。
Ｉｇを冷却した後、シャッタ５を開きＤＭＣｄとＤＥＴ
ｅを反応容器２に導入し、最上層のＣｄＴｅ層を成長す
る。
この場合もガスの切り換えに時間がかかり、かつ成長層
界面は急峻でない。
界面は急峻でない。
〔発明が解決しようとする問題点〕′
従来の蒸気圧の高い物質を含む材料の気相成長装置にお
いては、蒸気圧の高い物質のガス源が反応管内にあるた
め、原料ガス導入口のバルブの開閉では、急速なガス交
換を行うことはできない。
いては、蒸気圧の高い物質のガス源が反応管内にあるた
め、原料ガス導入口のバルブの開閉では、急速なガス交
換を行うことはできない。
上記問題点の解決は、基板（１）を載置した反応容器（
２）にすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入するガス
導入系（３）と、蒸気圧の最も高い原料ガスを除いた、
他のすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入するガス導
入系（４）を有し、かつ各ガス導入系（３）、（４）に
それぞれシャッタ（５）、（６）を備える本発明による
気相成長装置により達成される。
２）にすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入するガス
導入系（３）と、蒸気圧の最も高い原料ガスを除いた、
他のすべての原料ガスおよび搬送ガスを導入するガス導
入系（４）を有し、かつ各ガス導入系（３）、（４）に
それぞれシャッタ（５）、（６）を備える本発明による
気相成長装置により達成される。
蒸気圧の高い物質を含む材料の気相成長装置において、
原料ガスおよび搬送ガス導入系を２つに分離し、すなわ
ち蒸気圧の高い物質を除く全原料ガスおよび搬送ガスの
導入系と、全原料ガスおよび搬送ガスの導入系とに分離
して、蒸気圧の高い物質を常時所定の蒸気圧に保ってお
き、各導入系にシャッタとバイパスを設けてパルプの切
り換えにより蒸気圧の高い物質の原料ガスを断続できる
ようにして、ガスの切り換えを急速に行うことができる
。
原料ガスおよび搬送ガス導入系を２つに分離し、すなわ
ち蒸気圧の高い物質を除く全原料ガスおよび搬送ガスの
導入系と、全原料ガスおよび搬送ガスの導入系とに分離
して、蒸気圧の高い物質を常時所定の蒸気圧に保ってお
き、各導入系にシャッタとバイパスを設けてパルプの切
り換えにより蒸気圧の高い物質の原料ガスを断続できる
ようにして、ガスの切り換えを急速に行うことができる
。
従ってこの気相成長装置により、組織の移行が急峻なペ
テロ界面を得ることができる。
テロ界面を得ることができる。
第１図は本発明による蒸気圧の高い物質を含む材料の気
相成長装置の構造を示す模式的な断面図である。
相成長装置の構造を示す模式的な断面図である。
図において、１は基板、２は反応容器で、２１は排気口
、２２は基板１を載置するサセプタ、２３．２４は結晶
成長の原料ガス導入口である。
、２２は基板１を載置するサセプタ、２３．２４は結晶
成長の原料ガス導入口である。
３は原料ガスおよび搬送ガス導入系で、シャッタ５を経
て原料ガス導入口２３に接続され、バイパス７が設けら
れる。
て原料ガス導入口２３に接続され、バイパス７が設けら
れる。
４は追加した原料ガスおよび搬送ガス導入系で、シャッ
タ６を経て原料ガス導入口２４に接続され、バイパス８
が設けられる。
タ６を経て原料ガス導入口２４に接続され、バイパス８
が設けられる。
原料ガスおよび搬送ガス導入系３は従来例と全く同様で
、蒸気圧の低い原料ガスＤＭＣｄとＤＥＴｅ、および蒸
気圧の高いｌ１ｇガスおよび搬送ガスとして１（２を反
応容器２に導入する。
、蒸気圧の低い原料ガスＤＭＣｄとＤＥＴｅ、および蒸
気圧の高いｌ１ｇガスおよび搬送ガスとして１（２を反
応容器２に導入する。
追加した原料ガスおよび搬送ガス導入系４は蒸気圧の低
い原料ガスＤＭＣｄとＤＥＴｅを反応容器２に導入する
。
い原料ガスＤＭＣｄとＤＥＴｅを反応容器２に導入する
。
この装置を用いて、基板上にＣｄＴｅ層 ＨｇＣｄＴｅ
／ ＣｄＴｅを成長する方法について説明する。
／ ＣｄＴｅを成長する方法について説明する。
（１） 原料ガスおよび搬送ガス導入系３．４とも所
定量のＤＭＣｄとＤＥＴｅを流しておく。
定量のＤＭＣｄとＤＥＴｅを流しておく。
原料ガスおよび搬送ガス導入系４では、Ｈｇを２５０℃
に加熱し、所定の蒸気圧７６ Ｔｏｒｒに保っておく。
に加熱し、所定の蒸気圧７６ Ｔｏｒｒに保っておく。
シャッタ５．６は閉じた状態にしておき、ガスはバイパ
ス７．８を通しておく。
ス７．８を通しておく。
（２） シャッタ６岑開け、基板１上にＣｄＴｅｊｉ
！ （バッファ層）を成長する。
！ （バッファ層）を成長する。
（３） シャッタ６を閉じ、シャッタ５を開けＨｇＣ
ｄＴｅ層（活性層）を成長する。
ｄＴｅ層（活性層）を成長する。
（４） シャッタ５を閉じ、シャッタ６を開けＣｄＴ
ｅ層（保護層）を成長する。
ｅ層（保護層）を成長する。
以上の工程により、急峻なヘテロ界面を得ることができ
る。
る。
以上詳細に説明したように本発明による蒸気圧の高い物
質を含む材料の気相成長装置においては、蒸気圧の高い
物質のガス交換を急速に行うことができ、急峻なヘテロ
界面を持つ良質な結晶を得ることができる。
質を含む材料の気相成長装置においては、蒸気圧の高い
物質のガス交換を急速に行うことができ、急峻なヘテロ
界面を持つ良質な結晶を得ることができる。
第１図は本発明による蒸気圧の高い物質を含む材料の気
相成長装置の構造を示す模式的な断面図、第２図は従来
例による蒸気圧の高い物質を含む材料の気相成長装置の
構造を示す模式的な断面図である。 図において、 １は基板、 ２は反応容器、 ２１は排気口、 ２２はサセプタ、 ２３．２４は原料ガスおよび搬送ガス導入口、３．４は
原料ガスおよび搬送ガス導入系、３１は導入口、 ３２は蒸気圧の高いガス源、 ３３はヒータ、 ４は追加した原料ガスおよび搬送ガス導入系、５．６は
シャッタ、 ７．８はバイパス ブ 木ダｇ８つ成長装置 第１２ イ差来イ列の入浸製！ 第２１２］
相成長装置の構造を示す模式的な断面図、第２図は従来
例による蒸気圧の高い物質を含む材料の気相成長装置の
構造を示す模式的な断面図である。 図において、 １は基板、 ２は反応容器、 ２１は排気口、 ２２はサセプタ、 ２３．２４は原料ガスおよび搬送ガス導入口、３．４は
原料ガスおよび搬送ガス導入系、３１は導入口、 ３２は蒸気圧の高いガス源、 ３３はヒータ、 ４は追加した原料ガスおよび搬送ガス導入系、５．６は
シャッタ、 ７．８はバイパス ブ 木ダｇ８つ成長装置 第１２ イ差来イ列の入浸製！ 第２１２］
Claims (1)
- 基板（１）を載置した反応容器（２）にすべての原料ガ
スおよび搬送ガスを導入するガス導入系（３）と、蒸気
圧の最も高い原料ガスを除いた、他のすべての原料ガス
および搬送ガスを導入するガス導入系（４）を有し、か
つ各ガス導入系（３）、（４）にそれぞれシャッタ（５
）、（６）を備えることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12659185A JPS61284931A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12659185A JPS61284931A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284931A true JPS61284931A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14938971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12659185A Pending JPS61284931A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202829A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-08-15 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の製造方法および使用する反応容器 |
| JPH01257337A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
| JPH03214724A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜製造方法 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP12659185A patent/JPS61284931A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202829A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-08-15 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 電子装置の製造方法および使用する反応容器 |
| JPH01257337A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
| JPH03214724A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜製造方法 |
| JP2555209B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1996-11-20 | 株式会社富士電機総合研究所 | 薄膜製造方法 |
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