JPS5826657B2 - 3−5 ゾクカゴウブツハンドウタイエピタキシヤルセキソウケツシヨウノ セイゾウホウホウ - Google Patents
3−5 ゾクカゴウブツハンドウタイエピタキシヤルセキソウケツシヨウノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5826657B2 JPS5826657B2 JP14359975A JP14359975A JPS5826657B2 JP S5826657 B2 JPS5826657 B2 JP S5826657B2 JP 14359975 A JP14359975 A JP 14359975A JP 14359975 A JP14359975 A JP 14359975A JP S5826657 B2 JPS5826657 B2 JP S5826657B2
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- Japan
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- gas
- window
- doping
- etching
- tube
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、I−V族化合物半導体エピタキシャル積層
結晶の製造方法に関するものである。
結晶の製造方法に関するものである。
I−V族化合物半導体を用いた半導体装置には、複雑な
不純物濃度分布を有する多層構造やきれいな接合界面を
有するエピタキシャル積層結晶を要求するものが多い。
不純物濃度分布を有する多層構造やきれいな接合界面を
有するエピタキシャル積層結晶を要求するものが多い。
ある半導体装置では急峻に変化する不純物濃度分布を要
求し、またある半導体装置では極めてきれいな接合界面
を得るため種結晶基板に触れることなく瞬時にエツチン
グ状態から成長状態へ切換えさらにまたエツチング状態
へ切換るなと、多種多様の難題が提出されているのが現
状である。
求し、またある半導体装置では極めてきれいな接合界面
を得るため種結晶基板に触れることなく瞬時にエツチン
グ状態から成長状態へ切換えさらにまたエツチング状態
へ切換るなと、多種多様の難題が提出されているのが現
状である。
このような要求を満たすためには、通常実施されている
ような製造方法、すなわち、第1図に示すような気相成
長装置を用い、石英製反応管1内の上流域に■族元素を
供給する原料2を収納した原料ボートを、またその下流
域に種結晶基板3を設置し、V族元素を供給する原料ガ
ス4を流し、ドーピングガスもしくはエツチングガスあ
るいはまたドーピングガスとエツチングガスとを混合し
たガス5を種結晶基板3の近傍上流域に開口するガス導
入管6を通じて導入し、ガス導入管6の上流域に設けた
ガス開閉調節弁9によってガス5を制御する製造方法、
では不都合である。
ような製造方法、すなわち、第1図に示すような気相成
長装置を用い、石英製反応管1内の上流域に■族元素を
供給する原料2を収納した原料ボートを、またその下流
域に種結晶基板3を設置し、V族元素を供給する原料ガ
ス4を流し、ドーピングガスもしくはエツチングガスあ
るいはまたドーピングガスとエツチングガスとを混合し
たガス5を種結晶基板3の近傍上流域に開口するガス導
入管6を通じて導入し、ガス導入管6の上流域に設けた
ガス開閉調節弁9によってガス5を制御する製造方法、
では不都合である。
なぜならば、このような通常の製造方法では、たとえガ
ス開閉調節弁9の制御が理想的に行われ得たとしても、
そうして制御されたガス5が種結晶基板3に到達して有
効に働くまでにかなりの時間遅れを生じ、かつ前記理想
的制御の結果からは遠くかけ離れ著るしく崩れた形で、
種結晶基板に影響を及ぼすようなことになってしまい、
例えば急峻な不純物濃度分布などが実現できなくなるな
どの欠点を除去し得なかったからである。
ス開閉調節弁9の制御が理想的に行われ得たとしても、
そうして制御されたガス5が種結晶基板3に到達して有
効に働くまでにかなりの時間遅れを生じ、かつ前記理想
的制御の結果からは遠くかけ離れ著るしく崩れた形で、
種結晶基板に影響を及ぼすようなことになってしまい、
例えば急峻な不純物濃度分布などが実現できなくなるな
どの欠点を除去し得なかったからである。
この発明は、簡便な工夫により、このような欠点を取り
除き、ガス開閉調節弁での制御が忠実に再現し得るよう
にした、■−■族化合物半導体工ピクキシャル積層結晶
の製造方法を提供するものである。
除き、ガス開閉調節弁での制御が忠実に再現し得るよう
にした、■−■族化合物半導体工ピクキシャル積層結晶
の製造方法を提供するものである。
この発明によれば、例えば第2図に示したように、石英
製反応管11内にその上流側から下流側に向けて貫通す
る石英製ガス導入管14を設け、しかもこのガス導入管
14の種結晶基板13近傍上流域に相当する位置の管壁
の一部に窓15を開き、さらにこのガス導入管14のこ
の窓15よりも上流に合流するキャリアガス18の量を
制御するガス開閉調節弁19を設け、このガス開閉調節
弁19を開けたとき、ガス導入管14内を流れるドーピ
ングガス17もしくはエツチングガス17あるいはまた
ドーピングガスとエツチングガスとを混合したガス17
の流速が反応管11内の窓15付近を流れるソース反応
を経た原料ガスの流速よりも犬となるようにして前記ガ
ス導入管14内のガス17が窓15を通じて反応管11
内に漏入しないようにし、前記ガス開閉調節弁19を絞
り込んでいけば、合流するキャリアガス13の量が減少
しガス導入管14内を流れるガスの総量が減少するため
ガス17の流速が減少し、ドーピングガス17を窓15
を通じて反応管11内に漏入して種結晶基板13上に急
峻な不純物濃度分布を有するドーピング層を形成しもし
くはエツチングガス17を窓15を通じて反応管11内
に漏入して種結晶基板13表面をエツチングしあるいは
またドーピングガスとエツチングガスとを混合したガス
17を窓15を通じて反応管11内に漏入して極めて急
峻な不純物濃度分布を有するドーピング層を形成する、
■−■族化合物半導体エピタキシャル積層結晶の製造方
法を得る。
製反応管11内にその上流側から下流側に向けて貫通す
る石英製ガス導入管14を設け、しかもこのガス導入管
14の種結晶基板13近傍上流域に相当する位置の管壁
の一部に窓15を開き、さらにこのガス導入管14のこ
の窓15よりも上流に合流するキャリアガス18の量を
制御するガス開閉調節弁19を設け、このガス開閉調節
弁19を開けたとき、ガス導入管14内を流れるドーピ
ングガス17もしくはエツチングガス17あるいはまた
ドーピングガスとエツチングガスとを混合したガス17
の流速が反応管11内の窓15付近を流れるソース反応
を経た原料ガスの流速よりも犬となるようにして前記ガ
ス導入管14内のガス17が窓15を通じて反応管11
内に漏入しないようにし、前記ガス開閉調節弁19を絞
り込んでいけば、合流するキャリアガス13の量が減少
しガス導入管14内を流れるガスの総量が減少するため
ガス17の流速が減少し、ドーピングガス17を窓15
を通じて反応管11内に漏入して種結晶基板13上に急
峻な不純物濃度分布を有するドーピング層を形成しもし
くはエツチングガス17を窓15を通じて反応管11内
に漏入して種結晶基板13表面をエツチングしあるいは
またドーピングガスとエツチングガスとを混合したガス
17を窓15を通じて反応管11内に漏入して極めて急
峻な不純物濃度分布を有するドーピング層を形成する、
■−■族化合物半導体エピタキシャル積層結晶の製造方
法を得る。
すなわち、この発明によれば、ガス開閉調節弁19を開
けた状態では、ガス導入管14内を流れるガス17は、
窓15の付近での流速が反応管11内を流れるガス16
の流速よりも犬であるため圧力は小さく、窓15を通じ
て反応管11内へは流出し得ない。
けた状態では、ガス導入管14内を流れるガス17は、
窓15の付近での流速が反応管11内を流れるガス16
の流速よりも犬であるため圧力は小さく、窓15を通じ
て反応管11内へは流出し得ない。
むしろ反応管11内を流れるガス16が窓を通じてガス
導入管14内に流入する。
導入管14内に流入する。
換言すれば、ガス導入管14内を常時貫流するドーピン
グガス17もしくはエツチングガス17あるいはまたド
ーピングガスとエツチングガスとを混合したガス17は
、ガス開閉調節弁19が開いた状態にあっては、何ら種
結晶基板13に対し有意な影響を与えることはない。
グガス17もしくはエツチングガス17あるいはまたド
ーピングガスとエツチングガスとを混合したガス17は
、ガス開閉調節弁19が開いた状態にあっては、何ら種
結晶基板13に対し有意な影響を与えることはない。
一方ガス開閉調節弁19を絞り込んでいけば、所望によ
り常時ガス導入管14を貫流させであるドーピングガス
17もしくはエツチングガス17あるいはまたドーピン
グガスとエツチングガスとを混合したガス17が、窓1
5を通じて反応管11内に漏れ出るように流入し、所望
の有意な影響を種結晶基板13に与えることになる。
り常時ガス導入管14を貫流させであるドーピングガス
17もしくはエツチングガス17あるいはまたドーピン
グガスとエツチングガスとを混合したガス17が、窓1
5を通じて反応管11内に漏れ出るように流入し、所望
の有意な影響を種結晶基板13に与えることになる。
この発明の最大の利点は、ガス開閉調節弁19による制
御の結果がすみやかにしかも再現性良く種結晶基板13
に及ぶことであり、それにより従来は実現困難とされた
複雑な不純物濃度分布を有する多層構造や極めて急峻な
不純物濃度分布あるいはまた極めてきれいな接合界面な
どを容易に実現し組み合わせ得るようになったことであ
る。
御の結果がすみやかにしかも再現性良く種結晶基板13
に及ぶことであり、それにより従来は実現困難とされた
複雑な不純物濃度分布を有する多層構造や極めて急峻な
不純物濃度分布あるいはまた極めてきれいな接合界面な
どを容易に実現し組み合わせ得るようになったことであ
る。
以下、具体的な例を挙げてこの発明について説明する。
各実施例について、気相成長装置は第2図に示したもの
を共用するが、これは説明の便宜からであって、他に実
施し得る変形例が存在しないということでは決してない
。
を共用するが、これは説明の便宜からであって、他に実
施し得る変形例が存在しないということでは決してない
。
実施例 1
ガス17にドーピングガスを使用した例;この実施例で
は、■族元素を供給する原料12としてはガリウム(G
a )単体を、種結晶基板13としては砒化ガリウム(
GaAs)単結晶ウェハーを、ガス16としては■族元
素を供給する原料ガスである三塩化砒素(AsCt3)
とキャリアガスである水素(H2)との混合ガスを、ガ
ス17としてはドーピングガスである硫化水素(H2S
)とキャリアガスである水素(H2)との混合ガスを、
ガス17の流速を制御するためガス開閉調節弁19を通
じて導入するキャリアガス18としてはH2をそれぞれ
使用し、硫黄(S)を急峻な不純物濃度分布でドーピン
グしたGaAsエピタキシャル成長層を製造する。
は、■族元素を供給する原料12としてはガリウム(G
a )単体を、種結晶基板13としては砒化ガリウム(
GaAs)単結晶ウェハーを、ガス16としては■族元
素を供給する原料ガスである三塩化砒素(AsCt3)
とキャリアガスである水素(H2)との混合ガスを、ガ
ス17としてはドーピングガスである硫化水素(H2S
)とキャリアガスである水素(H2)との混合ガスを、
ガス17の流速を制御するためガス開閉調節弁19を通
じて導入するキャリアガス18としてはH2をそれぞれ
使用し、硫黄(S)を急峻な不純物濃度分布でドーピン
グしたGaAsエピタキシャル成長層を製造する。
いま、石英製ガス導入管14内を流れるガス17の流速
は、ガス開閉調節弁19を開けた状態で、石英製反応管
11内の窓15付近を流れるガス16の流速よりも犬と
しておく。
は、ガス開閉調節弁19を開けた状態で、石英製反応管
11内の窓15付近を流れるガス16の流速よりも犬と
しておく。
するとガス導入管14内の圧力の方が反応管11内の圧
力よりも小であるため、ガス17は反応管11内へは漏
入しない。
力よりも小であるため、ガス17は反応管11内へは漏
入しない。
ここでガス開閉調節弁19を階段状に絞り込んでいけば
、窓15付近の圧力バランスが崩れ、絞り込みの大きさ
に見合っただけのガス17が反応管11内に流入して、
種結晶基板13上に成長しつつあるエピタキシャル成長
層中に不純物Sが階段状にドーピングされる。
、窓15付近の圧力バランスが崩れ、絞り込みの大きさ
に見合っただけのガス17が反応管11内に流入して、
種結晶基板13上に成長しつつあるエピタキシャル成長
層中に不純物Sが階段状にドーピングされる。
この場合ガス17は、常に窓15付近に存在し、合流す
るキャリアガス18の量を制御することにより変化する
窓15付近での流速のみを制御することにより窓15か
らの漏入が制御されるため、従来の製造方法に比らべて
、ガス導入管上流に設けられたガス開閉調節弁から開口
して終る端部に達するまでに要する時間遅れやガス拡散
等による流量変化の形状の崩れが生ぜず、極めて応答が
良い。
るキャリアガス18の量を制御することにより変化する
窓15付近での流速のみを制御することにより窓15か
らの漏入が制御されるため、従来の製造方法に比らべて
、ガス導入管上流に設けられたガス開閉調節弁から開口
して終る端部に達するまでに要する時間遅れやガス拡散
等による流量変化の形状の崩れが生ぜず、極めて応答が
良い。
第3図は、合流するキャリアガス(H2) 18の量に
応じて変化するエピタキシャル成長層中の不純物濃度の
変化の一例を示したものである。
応じて変化するエピタキシャル成長層中の不純物濃度の
変化の一例を示したものである。
実施例 2
ガス17にエツチングガスを使用した例;この実施例で
は、■族元素を供給する原料12としてはGa単体を、
種結晶基板13としてはGaAs単結晶ウェハーを、ガ
ス16としてはV族元素を供給する原料ガスであるA
s CtsとキャリアガスであるH2との混合ガスを、
ガス17としてはエツチングガスである塩化水素(’H
Ct)とキャリアガスであるH2との混合ガスを、ガス
17の流速を制御するためガス開閉調節弁19を通じて
導入するキャリアガス18としてはH2をそれぞれ使用
する。
は、■族元素を供給する原料12としてはGa単体を、
種結晶基板13としてはGaAs単結晶ウェハーを、ガ
ス16としてはV族元素を供給する原料ガスであるA
s CtsとキャリアガスであるH2との混合ガスを、
ガス17としてはエツチングガスである塩化水素(’H
Ct)とキャリアガスであるH2との混合ガスを、ガス
17の流速を制御するためガス開閉調節弁19を通じて
導入するキャリアガス18としてはH2をそれぞれ使用
する。
ガス開閉調節弁19を閉じては種結晶基板13の表面を
エツチングして清浄にし、ガス開閉調節弁19をある程
度間いて成長とエツチングとを釣り合わせて成長を中断
し、ガス開閉調節弁19を一瞬にして全開し所望の成長
速度で即エピクキシャル成長させる、といった制御が極
めて応答良くなし得る。
エツチングして清浄にし、ガス開閉調節弁19をある程
度間いて成長とエツチングとを釣り合わせて成長を中断
し、ガス開閉調節弁19を一瞬にして全開し所望の成長
速度で即エピクキシャル成長させる、といった制御が極
めて応答良くなし得る。
第4図は、合流するキャリアガス(H2)18の量に応
じて変化するエビクキシャル成長速度(−はエツチング
を意味する)変化の一例を示したものである。
じて変化するエビクキシャル成長速度(−はエツチング
を意味する)変化の一例を示したものである。
もし窓15付近で比較したガス16の流速とエツチング
ガス17の流速とが同じであれば、エツチングガス17
は反応管11内には漏入しないから、エビクキシャル成
長速度は+となる。
ガス17の流速とが同じであれば、エツチングガス17
は反応管11内には漏入しないから、エビクキシャル成
長速度は+となる。
実施例 3
ガス17にドーピングガスとエツチングガスとを混合し
たガスを使用した例; 実施例1あるいは実施例2を使用して急峻な不純物濃度
分布を有する接合界面の極めてきれいな多層エピタキシ
ャル成長層が得られることは、あらためて説明する必要
もないであろう。
たガスを使用した例; 実施例1あるいは実施例2を使用して急峻な不純物濃度
分布を有する接合界面の極めてきれいな多層エピタキシ
ャル成長層が得られることは、あらためて説明する必要
もないであろう。
この実施例では、より急峻な、極めて不純物濃度の飛躍
が大きい階段状のエピタキシャル成長層を製造する方法
を説明する。
が大きい階段状のエピタキシャル成長層を製造する方法
を説明する。
この実施例のねらいは、実施例1で述べたこの発明の効
果を生かして鋭い階段状のドーピングを行いつつ、実施
例2で述べたこの発明の効果を生かした鋭い階段状のエ
ピタキシャル成長速度低下を併せて実施して、結果とし
て極めて急峻な不純物濃度分布を持ち不純物濃度飛躍が
大きい階段状のエピタキシャル成長層を製造することに
ある。
果を生かして鋭い階段状のドーピングを行いつつ、実施
例2で述べたこの発明の効果を生かした鋭い階段状のエ
ピタキシャル成長速度低下を併せて実施して、結果とし
て極めて急峻な不純物濃度分布を持ち不純物濃度飛躍が
大きい階段状のエピタキシャル成長層を製造することに
ある。
この実施例では、■族元素を供給する原料12としては
Ga単体を、種結晶基板13としてGaAs単結晶ウェ
ハーを、ガス16としては■族元素を供給する原料ガス
である。
Ga単体を、種結晶基板13としてGaAs単結晶ウェ
ハーを、ガス16としては■族元素を供給する原料ガス
である。
AsCl2とキャリアガスであるH2との混合ガスを、
ガス17としてはドーピングガスであるH2Sとエツチ
ングガスであるHCtとキャリアガスであるH2との混
合ガスを、ガス17の流速を制御するためガス開閉調節
弁19を通じて導入するキャリアガス18としてはH2
はそれぞれ使用する。
ガス17としてはドーピングガスであるH2Sとエツチ
ングガスであるHCtとキャリアガスであるH2との混
合ガスを、ガス17の流速を制御するためガス開閉調節
弁19を通じて導入するキャリアガス18としてはH2
はそれぞれ使用する。
ガス開閉調節弁19による制御機構は実施例1および実
施例2の説明から充分理解し得ると思われるので省略す
る。
施例2の説明から充分理解し得ると思われるので省略す
る。
第5図に示したのは、この発明の詳細な説明するための
図であり、図中21はこの実施例3によって得たGaA
sエピタキシャル成長層の不純物濃度分布であり、22
は従来の製造方法を組み合わせ努力して得た結果である
。
図であり、図中21はこの実施例3によって得たGaA
sエピタキシャル成長層の不純物濃度分布であり、22
は従来の製造方法を組み合わせ努力して得た結果である
。
以上3つの実施例では、この発明の効果が端的に表現し
得るために、主に階段状の不純物濃度分布を得ようとす
る例を挙げたが、例もこの発明が階段状のものにのみ適
用し得るということではない。
得るために、主に階段状の不純物濃度分布を得ようとす
る例を挙げたが、例もこの発明が階段状のものにのみ適
用し得るということではない。
例えば単調増減や任意の形状の不純物濃度分布も容易に
実現し得る。
実現し得る。
このときこの発明の利点は、ガス開閉調節弁による制御
の応答が極めて良く、シかもその再現性が極めて良いと
いった形で現われる。
の応答が極めて良く、シかもその再現性が極めて良いと
いった形で現われる。
さらにまた以上述べた実施例では、m−v族化合物半導
体としてGaAsのみの例を、またその反応系としても
Ga/A s Cts /H2の系でのみ、説明したが
、この発明がこれらの例に限定されるものでないことは
当然である。
体としてGaAsのみの例を、またその反応系としても
Ga/A s Cts /H2の系でのみ、説明したが
、この発明がこれらの例に限定されるものでないことは
当然である。
他の反応系はもちろん、他の■−■族化合物半導体に適
用し得ることは当然である。
用し得ることは当然である。
またドーピングガスとしてはもっばらH2Sのみを用い
たが、他の■族もしくは■族あるいはまた■族元素の単
体ガスや気体状化合物が使用し得ることもまた当然であ
る。
たが、他の■族もしくは■族あるいはまた■族元素の単
体ガスや気体状化合物が使用し得ることもまた当然であ
る。
さらにまたエツチングガスとしてもHCtのみではなく
、他の例えばCt2やAsCt3やPCt3などが有用
である例があることもまた当然である。
、他の例えばCt2やAsCt3やPCt3などが有用
である例があることもまた当然である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の製造方法を説明するための図であり、第
2図はこの発明による典型的な例を説明するための図で
ある。 図中、1および11は石英製反応管を、2および12は
■族元素を供給する原料を、3および13は種結晶基板
を、6はガス導入管を、8および20は炉を9および1
9はガス開閉調節弁を、14は窓15を有するガス導入
管をそれぞれ示す。 第3図は、ガス17にドーピングガスを使用したときの
、合流するキャリアガス(H2) 18の量とエピタキ
シャル成長層中の不純物濃度との関係の一例を示す図で
ある。 第4図は、ガス17にエツチングガスを使用したときの
、合流するキャリアガス(H2) 18とエピタキシャ
ル成長速度(−はエツチングを意味する)との関係の一
例を示す図である。 第5図は、ガス17にドーピングガスとエツチングガス
とを混合したガスを使用して、努めて急峻な不純物濃度
分布を得ようとしたときの、従来の製造方法による結果
22の一例とこの発明による結果の一例21とを比較し
て示した不純物濃度分布図である。
2図はこの発明による典型的な例を説明するための図で
ある。 図中、1および11は石英製反応管を、2および12は
■族元素を供給する原料を、3および13は種結晶基板
を、6はガス導入管を、8および20は炉を9および1
9はガス開閉調節弁を、14は窓15を有するガス導入
管をそれぞれ示す。 第3図は、ガス17にドーピングガスを使用したときの
、合流するキャリアガス(H2) 18の量とエピタキ
シャル成長層中の不純物濃度との関係の一例を示す図で
ある。 第4図は、ガス17にエツチングガスを使用したときの
、合流するキャリアガス(H2) 18とエピタキシャ
ル成長速度(−はエツチングを意味する)との関係の一
例を示す図である。 第5図は、ガス17にドーピングガスとエツチングガス
とを混合したガスを使用して、努めて急峻な不純物濃度
分布を得ようとしたときの、従来の製造方法による結果
22の一例とこの発明による結果の一例21とを比較し
て示した不純物濃度分布図である。
Claims (1)
- 1 石英製反応管内にその上流側から下流側に向けて貫
通する石英製ガス導入管を設け、しかもこのガス導入管
の積結晶基板近傍上流域に相当する位置の管壁の一部に
窓を開き、さらにこのガス導入管のこの窓よりも上流に
キャリアガスの合流量を制御するガス開閉調節弁を設け
、このガス開閉調節弁を開けたときガス導入管内を流れ
るドーピングガスもしくはエツチングガスあるいはまた
ドーピングガスとエツチングガスとを混合したガスの流
速が反応管内を流れるソース反応を経た原料ガスの流速
よりも犬となるようにして前記ガス導入管内のガスが窓
を通じて反応管内に漏入しないようにし、前記ガス開閉
調節弁を絞って流速を落しては、ドーピングガスを窓を
通じて反応管内に漏入して種結晶基板上にドーピング層
を形成しもしくはエツチングガスを窓を通じて反応管内
に漏入して種結晶基板表面をエツチングしあるいはまた
ドーピングガスとエツチングガスとを混合したガスを窓
を通じて原応管内に漏入してドーピング層を形成するI
−V族化合物半導体エピタキシャル積層結晶の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14359975A JPS5826657B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 3−5 ゾクカゴウブツハンドウタイエピタキシヤルセキソウケツシヨウノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14359975A JPS5826657B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 3−5 ゾクカゴウブツハンドウタイエピタキシヤルセキソウケツシヨウノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5267260A JPS5267260A (en) | 1977-06-03 |
JPS5826657B2 true JPS5826657B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=15342459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14359975A Expired JPS5826657B2 (ja) | 1975-12-01 | 1975-12-01 | 3−5 ゾクカゴウブツハンドウタイエピタキシヤルセキソウケツシヨウノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5826657B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61198047A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-09-02 | Kiyataraa Kogyo Kk | 挿入型酸素検出器構造 |
JPH03111837U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-15 | ||
JPH03115337U (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-28 |
-
1975
- 1975-12-01 JP JP14359975A patent/JPS5826657B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61198047A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-09-02 | Kiyataraa Kogyo Kk | 挿入型酸素検出器構造 |
JPH03111837U (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-15 | ||
JPH03115337U (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-28 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5267260A (en) | 1977-06-03 |
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