JPS61284030A - 気体放電表示パネル用陰極 - Google Patents
気体放電表示パネル用陰極Info
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- JPS61284030A JPS61284030A JP60124383A JP12438385A JPS61284030A JP S61284030 A JPS61284030 A JP S61284030A JP 60124383 A JP60124383 A JP 60124383A JP 12438385 A JP12438385 A JP 12438385A JP S61284030 A JPS61284030 A JP S61284030A
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- film
- gas discharge
- cathode
- display panel
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
- H01J17/04—Electrodes; Screens
- H01J17/06—Cathodes
- H01J17/066—Cold cathodes
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、複数個の気体放電素子をマトリックス状に配
置して表示を行う気体放電表示パネルに用いる陰極にか
かわり、特に、バルクな材料において優れた電子放出特
性を有することで知られている希土類金属六硼化物を陰
極材料とした気体放電表示パネル用陰極に関するもので
ある。
置して表示を行う気体放電表示パネルに用いる陰極にか
かわり、特に、バルクな材料において優れた電子放出特
性を有することで知られている希土類金属六硼化物を陰
極材料とした気体放電表示パネル用陰極に関するもので
ある。
気体放電表示パネルにおいて、駆動電圧の低圧化は、駆
動回路の簡略化と低コスト化およびパネル自身の長寿命
化の点で渇望されている。
動回路の簡略化と低コスト化およびパネル自身の長寿命
化の点で渇望されている。
希土類金属六硼化物の気体放電パネルの陰極への適用は
、Ｌａ Ｂ６を代表にして、直流放電表示パネルですで
に実施され、放電維持電圧の低電圧化にその有効性が確
認されている（テレビジョン学会技術報告、ＥＤ−５７
２，１９８１年、または特開昭５５−６２６４７号公報
）。しかし、これらの実施例においては、Ｌａ Ｂ６の
膜形成はプラズマ溶射とか、厚膜印刷法で行われており
、いずれも結晶方位が不規則の多結晶体膜を用いている
。また、Ｌａ Ｂ。
、Ｌａ Ｂ６を代表にして、直流放電表示パネルですで
に実施され、放電維持電圧の低電圧化にその有効性が確
認されている（テレビジョン学会技術報告、ＥＤ−５７
２，１９８１年、または特開昭５５−６２６４７号公報
）。しかし、これらの実施例においては、Ｌａ Ｂ６の
膜形成はプラズマ溶射とか、厚膜印刷法で行われており
、いずれも結晶方位が不規則の多結晶体膜を用いている
。また、Ｌａ Ｂ。
膜を電子線衝撃加熱法で形成することもなされている（
特公昭５６−１７７８０号公報）が、蒸着膜の配向性に
ついては全く配慮されていなかった。
特公昭５６−１７７８０号公報）が、蒸着膜の配向性に
ついては全く配慮されていなかった。
気体放電表示パネルにおける放電維持電圧は、陰極の仕
事関数が低いほど低下できるが、Ｌａ８６など希土類金
属六硼化物の仕事関数は、結晶面により大きく異なる。
事関数が低いほど低下できるが、Ｌａ８６など希土類金
属六硼化物の仕事関数は、結晶面により大きく異なる。
従って、多結晶体膜であったりあるいは結晶面の配向性
が全く配慮されていない従来のＬａ、Ｂ６膜は、放電維
持電圧にばらつき殖あり、その低電圧化も最適のものと
は言えないという問題があった。
が全く配慮されていない従来のＬａ、Ｂ６膜は、放電維
持電圧にばらつき殖あり、その低電圧化も最適のものと
は言えないという問題があった。
本発明の目的は、希土類金属六硼化物を適用した、放電
維持電圧の低電圧化に優れた効果のある気体放電表示パ
ネル用陰極を提供することにある。
維持電圧の低電圧化に優れた効果のある気体放電表示パ
ネル用陰極を提供することにある。
前記したように、希土類金属六硼化物の仕事関数は、結
晶面によって大きく相違する。例えば、ＬａＢ６を例に
とると、（１００）面では２，５ ｅＶ、（１１０）面
では２．７ ｅＶ、（１１１）面では２．９ ｅＶ、（
３２１）面では２，８ｅＶであり、（１００）面が最も
低い。気体放電表示パネルにおける放電維持電圧は、陰
極の仕事関数が低いほど低下できる。従って、陰極表面
を（１００）面の希土類金属六硼化物で覆えば、最も低
い駆動電圧で気体放電表示パネルを駆動できる。
晶面によって大きく相違する。例えば、ＬａＢ６を例に
とると、（１００）面では２，５ ｅＶ、（１１０）面
では２．７ ｅＶ、（１１１）面では２．９ ｅＶ、（
３２１）面では２，８ｅＶであり、（１００）面が最も
低い。気体放電表示パネルにおける放電維持電圧は、陰
極の仕事関数が低いほど低下できる。従って、陰極表面
を（１００）面の希土類金属六硼化物で覆えば、最も低
い駆動電圧で気体放電表示パネルを駆動できる。
本発明は、希土類金属六硼化物の結晶面のうちで最も仕
事関数の低い（１００）面を陰極表面に露呈させるもの
で、これによって気体放電表示パネルの低電圧化を最も
効率良く行わしめるように図ったものである。
事関数の低い（１００）面を陰極表面に露呈させるもの
で、これによって気体放電表示パネルの低電圧化を最も
効率良く行わしめるように図ったものである。
上記の希土類金属六硼化物の（１００）配向膜を得る方
法としては、特に制限はないが、一般には電子線衝撃蒸
着法が好適である。また、この方法により希土類金属六
硼化物の薄膜の形成を行うと、膜厚がごく薄いときは非
晶質構造になりやすいが、ある程度厚い膜が形成される
と、（１００’）配向膜を得ることができる。このとき
の膜厚は、薄膜形成の諸条件にもよるが、後述の実施例
の場合を例にとると、およそ５０００ Ａ程度以上であ
ればよい。
法としては、特に制限はないが、一般には電子線衝撃蒸
着法が好適である。また、この方法により希土類金属六
硼化物の薄膜の形成を行うと、膜厚がごく薄いときは非
晶質構造になりやすいが、ある程度厚い膜が形成される
と、（１００’）配向膜を得ることができる。このとき
の膜厚は、薄膜形成の諸条件にもよるが、後述の実施例
の場合を例にとると、およそ５０００ Ａ程度以上であ
ればよい。
以下、本発明の実施例とその効果について詳細に説明す
る。
る。
実施例１
希土類金属六硼化物のなかで、ＬａＢ、を選び、電子線
衝撃蒸着法によってＬａ Ｂ６薄膜の作製を行った。蒸
着原料には、ＬａＢ６焼結体を赤外線加熱装置で帯溶融
した単結晶体を用いた。蒸着基板はソーダガラスとし、
３５０℃に加熱して用いた。なお、蒸着時の真空度は５
Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒであった。第１図は、種々の厚
さのＬａＢ、薄膜をＣｕ Ｋｄ−の特性Ｘ線でＸ線回折
したときの回折パターンであ°る。
衝撃蒸着法によってＬａ Ｂ６薄膜の作製を行った。蒸
着原料には、ＬａＢ６焼結体を赤外線加熱装置で帯溶融
した単結晶体を用いた。蒸着基板はソーダガラスとし、
３５０℃に加熱して用いた。なお、蒸着時の真空度は５
Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒであった。第１図は、種々の厚
さのＬａＢ、薄膜をＣｕ Ｋｄ−の特性Ｘ線でＸ線回折
したときの回折パターンであ°る。
回折条件は、４０ｋＶ、 ３ＱｍＡ、 １ ｘ １０
３ｃｐｓ ７ ルフケールである。ここで、同図（ａ）
は標準試料としてＬａ Ｂ、の微粉末を用いた場合の結
果であり、最強ピークは（１１０）面であるが、Ｌａ
Ｂ６の単純立方形をよく示すパターンである。同図（ｂ
ｌは膜厚３５００Ａの場合であり、（１００’）面の回
折ピークはわずかに認められたが、その他のピークは存
在せず、総じて非晶質体となっている。同図（Ｃ）は膜
厚５ｏｏｏ Ｘの場合である。この場合、（１００）面
と（１１０）面のピークが明瞭に観察された。しかし、
（１００）面のピークは（１１０）面の回折ピークより
強くなり、基板に対して蒸着膜内の微結晶の（１００）
面が平行に揃う配向性が認められた。同図（ｄ）は膜厚
２００００ Ａの場合である。この場合、（１００”）
面と（２００’）面の強い回折ピークが観察された。そ
し七、基板に対して（１００）面が強く配向し、かつ結
晶性も向上するのがわかった。以上のことから、電子線
衝撃蒸着法によりＬａＢ、薄膜を蒸着した場合、最初の
５０００ 人までは下地のガラスの影響を受けて非晶質
構造になりやすいが、その後蒸着膜が厚（なるにつれて
、ＬａＢ６の（１００）配向膜が成長しやすくなること
が結論される。
３ｃｐｓ ７ ルフケールである。ここで、同図（ａ）
は標準試料としてＬａ Ｂ、の微粉末を用いた場合の結
果であり、最強ピークは（１１０）面であるが、Ｌａ
Ｂ６の単純立方形をよく示すパターンである。同図（ｂ
ｌは膜厚３５００Ａの場合であり、（１００’）面の回
折ピークはわずかに認められたが、その他のピークは存
在せず、総じて非晶質体となっている。同図（Ｃ）は膜
厚５ｏｏｏ Ｘの場合である。この場合、（１００）面
と（１１０）面のピークが明瞭に観察された。しかし、
（１００）面のピークは（１１０）面の回折ピークより
強くなり、基板に対して蒸着膜内の微結晶の（１００）
面が平行に揃う配向性が認められた。同図（ｄ）は膜厚
２００００ Ａの場合である。この場合、（１００”）
面と（２００’）面の強い回折ピークが観察された。そ
し七、基板に対して（１００）面が強く配向し、かつ結
晶性も向上するのがわかった。以上のことから、電子線
衝撃蒸着法によりＬａＢ、薄膜を蒸着した場合、最初の
５０００ 人までは下地のガラスの影響を受けて非晶質
構造になりやすいが、その後蒸着膜が厚（なるにつれて
、ＬａＢ６の（１００）配向膜が成長しやすくなること
が結論される。
従来は、本実施例に示したような強い（１００）配向膜
を蒸着法で作製することに成功していない（特公昭５６
−１７７８０号公報）。これは、従来技術では蒸着原料
にＬａＢ、焼結体を使用しているため、蒸着時の真空度
が悪く、不純物の混入も多く、高品質のＬａＢ、膜を作
製する条件下ではなかったためであると考えられる。
を蒸着法で作製することに成功していない（特公昭５６
−１７７８０号公報）。これは、従来技術では蒸着原料
にＬａＢ、焼結体を使用しているため、蒸着時の真空度
が悪く、不純物の混入も多く、高品質のＬａＢ、膜を作
製する条件下ではなかったためであると考えられる。
実施例２
陰極材としてＬａＢ、の（１００）配向膜を用いること
の有効性を、実際の気体放電表示パネルによって確認し
た。
の有効性を、実際の気体放電表示パネルによって確認し
た。
ソーダガラスの下地基板に、厚膜印刷法によってＮｉ陰
極線をピッチ０．２ｍｍ、線幅０．１ｍｍで多数設け、
その上にＬａＢ６膜を膜厚約１００００Ａに、実施例１
に記載した条件下で電子線衝撃蒸着法により付着させた
。ＬａＢ、膜は、第１図に示したように、（１００）配
向をしていることをＸ線的に確認した。
極線をピッチ０．２ｍｍ、線幅０．１ｍｍで多数設け、
その上にＬａＢ６膜を膜厚約１００００Ａに、実施例１
に記載した条件下で電子線衝撃蒸着法により付着させた
。ＬａＢ、膜は、第１図に示したように、（１００）配
向をしていることをＸ線的に確認した。
一方、透明なソーダガラス上に、厚膜印刷法によってＮ
ｉ陽極線をピッチ０．２馴、線幅０．０３ ｒｒａｎで
多数形成した。次に、上記陰極線と上記陽極線とが互い
に向き合って直交するように配置された真空空間を形成
して、その中に種々のガス分圧のＮｅ−４４Ａｒガスを
導入し、陰極線と陽極線の交点に所定電圧を印加してプ
ラズマを発生させ、放電維持電圧に対する影響を調べた
。実験の結果を第２図に放電特性３として示す。図には
、比較用として、従来のＮｉ陰極−Ｎｉ陽極の放電特性
１、多結晶のＬａ Ｂ、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性２も
示しである。なお、多結晶のＬａＢ６陰極は、ＬａＢ、
粉体を厚膜印刷することにより作製した。この図から、
本発明による（ １００ ’）配向膜のＬａＢ６陰極−
Ｎｉ陽極の場合は、Ｎｉ陰極、多結晶のＬａ Ｂ６陰極
のいずれの場合よりも放電維持電圧が低いのがわかる。
ｉ陽極線をピッチ０．２馴、線幅０．０３ ｒｒａｎで
多数形成した。次に、上記陰極線と上記陽極線とが互い
に向き合って直交するように配置された真空空間を形成
して、その中に種々のガス分圧のＮｅ−４４Ａｒガスを
導入し、陰極線と陽極線の交点に所定電圧を印加してプ
ラズマを発生させ、放電維持電圧に対する影響を調べた
。実験の結果を第２図に放電特性３として示す。図には
、比較用として、従来のＮｉ陰極−Ｎｉ陽極の放電特性
１、多結晶のＬａ Ｂ、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性２も
示しである。なお、多結晶のＬａＢ６陰極は、ＬａＢ、
粉体を厚膜印刷することにより作製した。この図から、
本発明による（ １００ ’）配向膜のＬａＢ６陰極−
Ｎｉ陽極の場合は、Ｎｉ陰極、多結晶のＬａ Ｂ６陰極
のいずれの場合よりも放電維持電圧が低いのがわかる。
これは、Ｌａ Ｂ６結晶の中で低仕事関数の（１００）
面が、気体放電表示パネルで放電維持電圧の低下に有効
に作用することを示すものである。
面が、気体放電表示パネルで放電維持電圧の低下に有効
に作用することを示すものである。
実施例３
希土類金属六硼化物の中で、ＬａＢ６以外に、ＣｅＢ、
、 ＰｒＢｓ、 ＮｄＢ６． ＳｍＢａ、 ＧｄＢ６に
ついても、実施例１に述べたと同様な蒸着膜作成を行っ
た。
、 ＰｒＢｓ、 ＮｄＢ６． ＳｍＢａ、 ＧｄＢ６に
ついても、実施例１に述べたと同様な蒸着膜作成を行っ
た。
この中で、低仕事関数の（１００）面が、気体放電表示
パネルで放電維持電圧の低下に、第２図に示した結果と
ほぼ同程度の効果かあることを確認した。
パネルで放電維持電圧の低下に、第２図に示した結果と
ほぼ同程度の効果かあることを確認した。
以上の実施例で明らかになったように、本発明によれば
、気体放電表示パネル用陰極において、基体表面を希土
類金属六硼化物の（１００）配向膜で被覆して構成する
ことによって、気体放電表示パネルの放電維持電圧を大
幅に下げることができるので、駆動回路の簡略化と低下
コスト化、およびパネル自身の長寿命化にも寄与でき、
その工業的価値は極めて高い。
、気体放電表示パネル用陰極において、基体表面を希土
類金属六硼化物の（１００）配向膜で被覆して構成する
ことによって、気体放電表示パネルの放電維持電圧を大
幅に下げることができるので、駆動回路の簡略化と低下
コスト化、およびパネル自身の長寿命化にも寄与でき、
その工業的価値は極めて高い。
第１図は種々の厚さのＬａ Ｂ６薄膜をＣｕ ＫｃＡの
特性Ｘ線でＸ線回折したときの回折パターンであり、同
図ｆａ）はＬａＢ、微粉末の標準Ｘ線回折パターン、同
図（ｂ）は膜厚３５００ Ａ、同図（Ｃ）は膜厚８００
０ Ａ、同図（ｄ）は膜厚２００００ ＡのＬａＢ、薄
膜のＸ線回折ハターンである。第２図は種々の陰極を用
いた場合の気体放電表示パネルにおける放電維持電圧と
ガス圧力との関係を示す放電特性図であり、図中、ｌは
Ｎｉ陰極−Ｎｉ陽極の放電特性、２は多結晶のＬａ Ｂ
、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性、３は本発明による（１０
０）配向膜のＬａＢ、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性である
。
特性Ｘ線でＸ線回折したときの回折パターンであり、同
図ｆａ）はＬａＢ、微粉末の標準Ｘ線回折パターン、同
図（ｂ）は膜厚３５００ Ａ、同図（Ｃ）は膜厚８００
０ Ａ、同図（ｄ）は膜厚２００００ ＡのＬａＢ、薄
膜のＸ線回折ハターンである。第２図は種々の陰極を用
いた場合の気体放電表示パネルにおける放電維持電圧と
ガス圧力との関係を示す放電特性図であり、図中、ｌは
Ｎｉ陰極−Ｎｉ陽極の放電特性、２は多結晶のＬａ Ｂ
、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性、３は本発明による（１０
０）配向膜のＬａＢ、陰極−Ｎｉ陽極の放電特性である
。
Claims (1)
- 複数個の気体放電素子をマトリックス状に配置して表示
を行う気体放電表示パネルに用いる陰極であって、基体
表面を希土類金属六硼化物の（１００）配向膜で被覆し
てなることを特徴とする気体放電表示パネル用陰極。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60124383A JPS61284030A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 気体放電表示パネル用陰極 |
| US06/870,752 US4727287A (en) | 1985-06-10 | 1986-06-04 | Gas discharge display panel and cathode used therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60124383A JPS61284030A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 気体放電表示パネル用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284030A true JPS61284030A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14884048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60124383A Pending JPS61284030A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 気体放電表示パネル用陰極 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4727287A (ja) |
| JP (1) | JPS61284030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011611A1 (en) * | 1987-09-30 | 1990-10-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for discharge light source |
| JP2009270158A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法 |
| JP2020148821A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 六ホウ化ランタン膜及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315136A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイ装置の製造方法 |
| US5428263A (en) * | 1992-01-07 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Discharge cathode device with stress relieving layer and method for manufacturing the same |
| US6137550A (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-24 | Tektronix, Inc. | Structure for a PALC display panel having a helium filling doped with hydrogen |
| US6028572A (en) * | 1996-12-13 | 2000-02-22 | Tektronix, Inc. | Structure for a PALC display panel having a helium filling doped with hydrogen |
| US6077617A (en) * | 1998-08-26 | 2000-06-20 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Rare-earth boride thin film system |
| US6025038A (en) * | 1998-08-26 | 2000-02-15 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Method for depositing rare-earth boride onto a substrate |
| US20050208218A1 (en) * | 1999-08-21 | 2005-09-22 | Ibadex Llc. | Method for depositing boron-rich coatings |
| WO2008054451A2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-05-08 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Synthesis and processing of rare-earth boride nanowires as electron emitters |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4393326A (en) * | 1980-02-22 | 1983-07-12 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | DC Plasma display panel |
| JPS57180046A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-05 | Okaya Denki Sangyo Kk | Panel for displaying dc gas discharge |
| JPS60221926A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-06 | Sony Corp | 放電表示装置の製造方法 |
| JPS60221928A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-06 | Sony Corp | 放電表示装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP60124383A patent/JPS61284030A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-04 US US06/870,752 patent/US4727287A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011611A1 (en) * | 1987-09-30 | 1990-10-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for discharge light source |
| JP2009270158A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法 |
| JP2020148821A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 六ホウ化ランタン膜及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4727287A (en) | 1988-02-23 |
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