JPS61283143A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPS61283143A
JPS61283143A JP12541685A JP12541685A JPS61283143A JP S61283143 A JPS61283143 A JP S61283143A JP 12541685 A JP12541685 A JP 12541685A JP 12541685 A JP12541685 A JP 12541685A JP S61283143 A JPS61283143 A JP S61283143A
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wiring
block
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pitch
circuit
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Hiroshi Nakashiba
中柴 洋
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Abstract

PURPOSE:To enable the reduction of a chip size by setting the disposing pitch of a wiring track for forming a circuit block and the disposing pitch of a wiring track between circuit blocks disposed in the same direction to different size for allowing a designing rule. CONSTITUTION:A wiring pitch of 6mum or larger is allowed as 1-layer wirings, and a wiring pitch of 12mum or larger is allowed as 2-layer wirings. Accordingly, the x direction disposing pitch of y direction wiring track 18 in the 1-layer block is set to 8mum, and the x direction disposing pitch of y direction wiring track 16 between 2-layer blocks is set to 12mum. When the y direction disposing pitch of x direction wiring track 17 in the 1-layer block is set to 8mum, the data positions in the 1-layer block wirings are all disposed 8mum in the block designing lattice positions of x direction and 8mum in y direction. The tracks 18, 16 are so disposed as to coincide with each other at every 24mum of the least common multiple of the pitches, and the block terminals are disposed on the coincident wiring track.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し1%にマスタースライス
型の半導体集積回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and particularly relates to a master slice type semiconductor integrated circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、マスタースライス型の半導体集積回路の製造にお
いては、まず、チップ内にトランジスタ及び抵抗等の複
数個の素子からなるセルをプレイ状に配列し九構造を有
する半導体基板(通常マスN/ タスライスと称する)を一括して処理可能な工程(通常
マスタ工程と称する)迄終了した形で準備しておく。次
に、配線工程においては、アルミニーラム等の金属配線
を用いて、1個以上のセルの複数個の素子を相互に結線
し回路ブロックを構成するとともに、回路ブロック間の
結線を行うことによシ所望の機能を有する大規模集積回
路(以下LSIと記す)群を派生させるという方法が採
用されていた。
Conventionally, in the manufacture of master slice type semiconductor integrated circuits, cells consisting of multiple elements such as transistors and resistors are arranged in a play shape within a chip, and a semiconductor substrate having a nine structure (usually a mass N/T slice) is first manufactured. Processes (usually called master processes) that can be processed all at once are prepared in a completed form. Next, in the wiring process, metal wiring such as aluminum laminate is used to connect multiple elements of one or more cells to each other to form a circuit block, and also to make connections between circuit blocks. A method has been adopted in which a group of large-scale integrated circuits (hereinafter referred to as LSI) having desired functions is derived.

この方法をとることによシ、個々のLSI品種の設計及
び製造に要する手間及び時間は、個々の品種に固有のレ
イアウトパターンを用いる配線工程に係わる部分のみが
必要とされ、初期工程段階から個々の品種に専用の基板
を設計する場合に比較し大幅に低減される6以上説明し
九マスタスライスにおいて、LSI品種の開発期間をよ
シ短縮するためには、配線工程パターンの設計を省力化
する必要がある。その目的で、近年、回路ブロックの配
置及び回路ブロック間の配線設計を自動化することが、
また更に回路ブロック内の配線設計に関しても簡略化の
工夫、延いては自動化することが一般化している。
By adopting this method, the labor and time required for designing and manufacturing each LSI type are reduced only to the part related to the wiring process that uses a layout pattern unique to each type. In order to significantly shorten the development period for LSI products, it is necessary to save labor in designing wiring process patterns in master slicing. There is a need. For this purpose, in recent years, automation of the placement of circuit blocks and the wiring design between circuit blocks has been developed.
Furthermore, it has become common to simplify and even automate the wiring design within circuit blocks.

上記=へXライ−の配線工程設計の簡略化。Simplification of the wiring process design for the above =

自動化を可能とするチップレイアウト構造について図面
を用いて説明する。
A chip layout structure that enables automation will be explained using drawings.

第3図は従来のiスタースライス方式の半導体チップの
一例のレイアウト図である。
FIG. 3 is a layout diagram of an example of a conventional i-star slice type semiconductor chip.

チップ1はパッド及び入出力回路セル等が置かれる周辺
領域2と内部セルアレイ領域3によシ構成される。内部
セルアレイ領域3には複数個のトランジスタ及び抵抗か
らなる内部セル4がX方向に配列された内部セル列5に
よシ構成される。内部セル列5の間には内部セル間配線
領域6が設けられている0通常内部セル配列のX方向(
横方向)ピッチ、y方向(縦方向)ピッチは自動設計等
を考慮して各々−律に定められる。
The chip 1 is composed of a peripheral region 2 in which pads, input/output circuit cells, etc. are placed, and an internal cell array region 3. In the internal cell array region 3, internal cells 4 made up of a plurality of transistors and resistors are arranged in an internal cell column 5 arranged in the X direction. An inter-internal cell wiring area 6 is provided between the internal cell rows 5.
The pitch in the lateral direction and the pitch in the y direction (vertical direction) are each determined according to rules in consideration of automatic design and the like.

以上説明したマスク基板レイアウト構造上に用いられる
各LSI品種個有の配線工程パターンに関し、2層配線
層を用いた場合について、第4図を用いて説明する。
Regarding the wiring process pattern unique to each LSI type used on the mask substrate layout structure described above, the case where two wiring layers are used will be described using FIG. 4.

第4図は従来のバイポーラECL回路マスタースライス
の一つの内部セルを中心とした内部セルアレイ部繰返し
単位の一例のレイアウト図である。
FIG. 4 is a layout diagram of an example of an internal cell array unit repeating unit centered on one internal cell of a conventional bipolar ECL circuit master slice.

−これら内部セルにおいては、各トランジスタ1゜及び
抵抗11の配置は勿論のこと、各トランジスタ、抵抗の
コンタクト12、及びコンタクトを覆う電極用1層配線
パターン13もマス〉〈2イスの設計段階で、LSI品
種の違いに関シなく、−律に設計されている。この内部
セルを複数個用いて各セル内の素子の電極間を相互に結
線して回路ブロック(以降単にブロックと称する)を構
成する。素子間の結線は主として内部セル内の素子間配
線領域14上に配置される1層配線を用いるが、1層配
線のみでは不足の場合及びy方向に隣接する複数個のセ
ルを用いてブロックを構成する場合には2層配I!も用
いられる。各ブロック内には後のブロック間結線に備え
てブロック端子位置が適宜定義される。次に、複数種類
、複数個のブロックが内部セルアレイ上に配置され、ブ
ロック端子間が相互に結線されることによシ個々のLS
I品種が完成する。
- In these internal cells, not only the arrangement of each transistor 1° and resistor 11, but also the contacts 12 of each transistor and resistor, and the single-layer wiring pattern 13 for electrodes covering the contacts are also mapped. , regardless of the difference in LSI type. A circuit block (hereinafter simply referred to as a block) is constructed by using a plurality of internal cells and interconnecting the electrodes of the elements in each cell. Connections between elements are mainly made using one-layer wiring arranged on the inter-element wiring area 14 in internal cells, but if one-layer wiring alone is insufficient, a block can be connected using multiple cells adjacent in the y direction. When configuring, use 2 layers! is also used. Within each block, block terminal positions are appropriately defined in preparation for later inter-block connections. Next, a plurality of blocks of a plurality of types are arranged on the internal cell array, and the block terminals are connected to each other so that each LS
I variety is completed.

ブロック間の結線には、内部セル間配線領域6内をX方
向に走る1層配線とセル列を縦貫してy方向に走る2、
1!配線を用いて行なわれる。通常ブロック間配線の自
動設計に備え、1層ブロック間X方向配線の配置可能通
路(以下トラックと称する)15及び2層ブロック間y
方向配線トラック16が設定される。更に、ブロック設
計の簡略化延いては自動化に備えて、1層のブロック構
成用(以降ブロック内と略称する)X方向配線トラック
17.1層ブロック内y方向配線トラック18が設定さ
れる。2層ブロック内配線については。
Connections between blocks include one-layer wiring running in the X direction within the internal intercell wiring area 6, and 2 wiring running in the y direction vertically through the cell rows.
1! This is done using wiring. In preparation for the automatic design of wiring between normal blocks, paths (hereinafter referred to as tracks) 15 where wiring can be arranged in the X direction between blocks on the first layer and y between blocks on the second layer
A directional wiring track 16 is set. Furthermore, in preparation for the simplification and automation of block design, an X-direction wiring track 17 for one-layer block configuration (hereinafter abbreviated as "intra-block") and a one-layer intra-block y-direction wiring track 18 are set. Regarding the wiring within the 2-layer block.

2層ブロック間y方向配線トラック16が用いられるこ
とになる。
A two-layer inter-block y-direction wiring track 16 will be used.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第3図及び第4図に示した従来のマスタースライス内部
セル構造においては、通常、同一方向の配線トラックは
、ブロック内配線トラック、ブロック間配線トラックを
問わず一律に同じピッチで設定される。従って、配線ト
ラックピッチに関して、各配線層についての設計ルール
が許容する最小の値になっていない場合が多い、これを
第4図に示したセルレイアウトの例を用いて説明する。
In the conventional master slice internal cell structure shown in FIGS. 3 and 4, wiring tracks in the same direction are normally set at the same pitch regardless of whether they are intra-block wiring tracks or inter-block wiring tracks. Therefore, the wiring track pitch is often not the minimum value allowed by the design rules for each wiring layer.This will be explained using the cell layout example shown in FIG. 4.

第1層配線として0.7μm厚程度のA/配線を用いた
場合、今日のリソグラフィー技術が許容する最小配線ピ
ッチは5〜7μmとなる。一方、トランジスタ等の素子
電極の配置ピッチは拡散パターンの設計ルール等の配線
設計ルール以外の要素が関り、8μm程度とる必要が生
じる。 従って、第4図において、第1層X方向ブロッ
ク内配線)7ツク17は8μmのピッチに設定され、同
一方向の配線トラックを同一ピッチに設定する関係上、
第1層X方向ブロック間配線トラック15も8μmのピ
ッチとなっている。同様にy方向配線トラックに関し、
第2層配線として1.5μm厚程度の、A/配線を用い
た場合、許容最小配線ピッチは12μm程度となる為に
、2層ブロック間y方向配線トラック16のみならず1
層ブロック内y方向配線トラック18の配置ピッチも1
2μmとなる。従って、上記従来の配線トラックの構造
は内部セル面積及び内部セル配置ピッチを増大させる為
にチップサイズの増大を招き、特にそれは大規模マスタ
ースライスにおいては許容し難い程度となる。
When A/wiring having a thickness of about 0.7 μm is used as the first layer wiring, the minimum wiring pitch allowed by today's lithography technology is 5 to 7 μm. On the other hand, the arrangement pitch of element electrodes such as transistors is affected by factors other than wiring design rules, such as diffusion pattern design rules, and needs to be approximately 8 μm. Therefore, in FIG. 4, the first layer X-direction intra-block wiring tracks 17 are set at a pitch of 8 μm, and since the wiring tracks in the same direction are set at the same pitch,
The first layer X-direction inter-block wiring tracks 15 also have a pitch of 8 μm. Similarly, regarding the y-direction wiring track,
When A/wiring with a thickness of approximately 1.5 μm is used as the second layer wiring, the minimum allowable wiring pitch is approximately 12 μm.
The arrangement pitch of the wiring tracks 18 in the y direction within the layer block is also 1.
It becomes 2 μm. Therefore, the conventional wiring track structure described above increases the internal cell area and the internal cell arrangement pitch, leading to an increase in chip size, which becomes unacceptable especially in a large-scale master slice.

本発明の目的は上述の従来のレイアウト構造の配線設計
の容易さを損なわず、且つチップ面積をN〆 、縮小するマスタスライス方式の半導体集積回路を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a master slice type semiconductor integrated circuit which reduces the chip area by N〆 without impairing the ease of wiring design of the conventional layout structure described above.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体集積回路は、複数個の素子からなるセル
が互いに直交する2方向に複数個行列状に配置されたセ
ルアレイを有し、1層以上の配線層により1個以上の該
セル内の複数個の素子間を結線し回路ブロックを構成す
るとともに1個以上の前記回路ブロック間を結線し相異
なる機能を有する集積回路群を派生させることから々る
マスタースライス型の半導体集積回路において、前記1
層以上の配線層に属する1方向以上に配置されている回
路ブロック構成用配線の配置ピッチと前記回路ブロック
構成用配線と同方向に配置されている少くとも1層以上
の配線層に属する回路ブロック間配線の配置ピッチが相
異ならしめることによシ構成される。
The semiconductor integrated circuit of the present invention has a cell array in which a plurality of cells each consisting of a plurality of elements are arranged in rows and columns in two directions perpendicular to each other, and one or more wiring layers are used to connect one or more cells within the cell. In a master slice type semiconductor integrated circuit, which connects a plurality of elements to form a circuit block and connects one or more of the circuit blocks to derive a group of integrated circuits having different functions, 1
Arrangement pitch of circuit block wiring that is arranged in one or more directions belonging to one or more wiring layers and a circuit block that belongs to at least one or more wiring layers that is arranged in the same direction as the circuit block wiring This structure is constructed by making the arrangement pitches of the inter-wirings different.

〔実施例〕〔Example〕

−次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する
- Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例のレイアウト図である。FIG. 1 is a layout diagram of a first embodiment of the present invention.

この実施例は、第4図に示した従来例と同様に、ECL
型マスタースライスに本発明を適用した例であり、第1
図には、内部セルアレイ部繰返し単位7aのレイアウト
を示している。即ち、本実施例においては、第1層ブロ
ック内y方向配線トラック18と2層ブロック間y方向
配線トラック16に本発明が応用されている。
This embodiment is similar to the conventional example shown in FIG.
This is an example in which the present invention is applied to a mold master slice, and the first
The figure shows the layout of the internal cell array unit repeating unit 7a. That is, in this embodiment, the present invention is applied to the y-direction wiring track 18 within the first layer block and the y-direction wiring track 16 between the second layer blocks.

1層ブロック内y方向配線トラック18及び2層ブロッ
ク間y方向配線トラック16の各々の配置ピッチを各々
の配線層に関するレイアウト設計ルールが許容する相異
なるピッチに設定している。
The arrangement pitches of the first-layer intra-block y-direction wiring tracks 18 and the second-layer inter-block y-direction wiring tracks 16 are set to different pitches permitted by the layout design rules for each wiring layer.

第4図の従来例で示したのと同様の配線層を用いた場合
、1層配線として6μm以上の配線ピッチが、2層配線
として12μm以上の配線ピッチが許容される。従って
1本実施例においては、1層ブロック内y方向配線トラ
ック18のX方向配置ピッチを8μm、 2層ブロック
間y方向配線トラック16のX方向配置ピッチを12μ
mに設定している。1層ブロック内X方向配線トラック
17のy方向配置ピッチを第4図の従来例と同様に8μ
mとした場合、1層ブロック内配線のデータ位置は全て
X方向8一 位置く配置されることになる。また、第1層ブロック内
y方向配線トラック18と第2層ブロック間y方向配線
トラック16は各々のピッチの最小公倍数24μm毎に
一致するよう配置され、且つブロック端子はこの一致す
る配線トラック上に配置されることが好ましい。
When wiring layers similar to those shown in the conventional example shown in FIG. 4 are used, a wiring pitch of 6 μm or more is allowed for first-layer wiring, and a wiring pitch of 12 μm or more is allowed for second-layer wiring. Therefore, in this embodiment, the arrangement pitch in the X direction of the y-direction wiring tracks 18 within the first-layer block is 8 μm, and the arrangement pitch in the X-direction of the y-direction wiring tracks 16 between the second-layer blocks is 12 μm.
It is set to m. The arrangement pitch in the y-direction of the X-direction wiring tracks 17 in the first-layer block is set to 8μ as in the conventional example shown in FIG.
In the case of m, all the data positions of the wiring within the first layer block are arranged at 8 positions in the X direction. Furthermore, the first-layer block intra-block y-direction wiring track 18 and the second-layer inter-block y-direction wiring track 16 are arranged so as to match every 24 μm, which is the least common multiple of their respective pitches, and the block terminals are placed on the matching wiring tracks. It is preferable that the

以上第1図を用いて説明した配線トラックの配置構造を
用いることにより、ブロック内配線及びブロック端子が
予め設定されたブロック設計用格子点位置に置かれ、且
つ、ブロック端子はブロック間配線トラック上にも置か
れることになり、自動設計等を考慮したブロック設計上
及びブロック間配線設計上の容易性を損うことなく、ブ
ロック内y方向配線トラック18を密に設定することが
可能となる。その結果、従来に比較して同数の1層ブロ
ック内y方向配線トラックを確保しつつ、セル寸法を縮
小することが出来る。
By using the wiring track arrangement structure explained above using FIG. 1, intra-block wiring and block terminals are placed at preset block design grid point positions, and block terminals are placed on inter-block wiring tracks. Therefore, it becomes possible to set the intra-block y-direction wiring tracks 18 densely without impairing the ease of block design and inter-block wiring design in consideration of automatic design and the like. As a result, the cell size can be reduced while securing the same number of wiring tracks in the y-direction in one layer block compared to the conventional method.

第2図は本発明の第2の実施例のレイアウト図である。FIG. 2 is a layout diagram of a second embodiment of the present invention.

この実施例も、第1の実施例と同様に、ECL型マスタ
ースライスに本発明を適用した例であり、第1層ブロッ
ク内X方向配線トラック17と第1層ブロック間X方向
配線トラック15に本発明が適用されている。即ち、第
1層ブロック内X方向配線トラック17のX方向ピッチ
と第14ブロツク間X方向配線トラック15のX方向ピ
ッチを違えている。第1層ブロック内X方向配線トラッ
ク17のX方向ピッチは、トランジスタ等素子の第1層
配線電極の設計ルールが許容する最小のピッチ、例えば
第4図の従来例と同様の8μmが選はれる。一方、第1
層ブロック間X方向配線トラック15のX方向ピッチは
素子等に影響されることなく、今日のフ中トリノグラフ
イー技術が許容する最小のピッチ、例えば6μmが選ば
れる。tた、第1層ブロック間y方向配線トラック18
のX方向ピッチは、例えば第1の実施例で示したと同様
に、8μmに設定する。更に、好ましくは、内部セルの
y方向配置ピッチを第1層ブロック内X方向配線ト2ツ
ク17のX方向ピッチの倍数にすることによシ、lセル
のみならず複数個、特にy方向に2個以上隣接し九セル
群によって構成される大規模回路ブロックの設計におい
てもlセル構成された回路ブロックと同様にX方向8μ
mピッチ、y方向8μmピッチのブロック設計用格子点
上に設計データを配置出来るようセする。具体的には、
本実施例においては、内部セルのX方向ピッチを、第1
層ブロック内X方向配線トラック17のX方向ピッチ8
μmの倍数の96μmに設定している。
Similar to the first embodiment, this embodiment is also an example in which the present invention is applied to an ECL type master slice, and the X-direction wiring track 17 within the first layer block and the X-direction wiring track 15 between the first layer blocks are The present invention is applied. That is, the X-direction pitch of the X-direction wiring tracks 17 within the first layer block and the X-direction pitch of the X-direction wiring tracks 15 between the 14th block are different. The X-direction pitch of the X-direction wiring tracks 17 in the first-layer block is selected to be the minimum pitch allowed by the design rules for the first-layer wiring electrodes of elements such as transistors, for example, 8 μm, which is the same as the conventional example shown in FIG. . On the other hand, the first
The X-direction pitch of the inter-layer block X-direction wiring tracks 15 is selected to be the minimum pitch, for example, 6 μm, which is allowed by today's interlayer trinography technology, without being affected by the elements or the like. t, y-direction wiring track 18 between first layer blocks
The pitch in the X direction is set to 8 μm, for example, as in the first embodiment. Furthermore, preferably, by making the arrangement pitch of the internal cells in the y direction a multiple of the pitch in the In the design of a large-scale circuit block composed of two or more adjacent nine-cell groups, the X-direction 8 μ
The design data is set so that it can be arranged on the block design grid points of m pitch and 8 μm pitch in the y direction. in particular,
In this example, the pitch of the internal cells in the X direction is
X-direction pitch 8 of X-direction wiring track 17 in layer block
It is set to 96 μm, which is a multiple of μm.

従って、例えば、下側セルの左下のブロック設計用格子
点をブロック設計用原点19に選んだ場合、セル間に存
在する1層ブロック間X方向配線のX方向ピッチが6μ
mであるKも関らず、下側セル、上側セルを含めて全ブ
ロック設計用格子点がX方向8μm%y方向8μmの一
律のピッチ上に配置されることになシ、2セル一括して
のブロック設計に際しても設計簡略化延いては自動化が
可能となる。一方、1層ブロック間X方向配線トラック
15のX方向ピッチは6μmに縮小されている為に、第
4図の従来例と比較して、同数の1層ブロック間X方向
配線トラック数を確保しつつ、内部セルのX方向ピッチ
、延いてはチップサイズを縮小することが可能となる。
Therefore, for example, if the lower left block design lattice point of the lower cell is selected as the block design origin 19, the X direction pitch of the 1-layer inter-block
Regardless of the fact that K is m, all the block design grid points including the lower and upper cells are arranged on a uniform pitch of 8 μm in the X direction and 8 μm in the Y direction, so two cells are placed at once. This makes it possible to simplify and even automate the design of all blocks. On the other hand, since the pitch in the X direction of the X-direction wiring tracks 15 between the first-layer blocks is reduced to 6 μm, the same number of X-direction wiring tracks between the first-layer blocks can be secured compared to the conventional example shown in FIG. At the same time, it becomes possible to reduce the pitch of the internal cells in the X direction and, by extension, the chip size.

上記実施例では、バイポーラECL型のマスタースライ
スで二層配線を用いる例について説明したが、本発明は
CMO8fl1等の他の型にも適用でき、″!九三層以
上の配線層を有するものについても適用できることは勿
論である。
In the above embodiment, an example was explained in which two-layer wiring is used in a bipolar ECL type master slice, but the present invention can also be applied to other types such as CMO8fl1, etc. Of course, it can also be applied.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明は、マスタースライスにお
いて、回路ブロック構成用の配線トラックの配置ピッチ
と、同方向に配置される回路ブロック間配線トラックの
配置ピッチを、各々に関して設計ルールが許容する相異
なる寸法に設定するようにしたので1回路ブロック設計
及び回路ブロック間設計に関する簡略化及び自動化の容
易性を損うことなく、内部セル配置ピッチ、延いてはチ
ップ寸法を縮小した半導体集積回路が得られるという効
果がある。
As described above, in the master slice, the arrangement pitch of wiring tracks for circuit block configuration and the arrangement pitch of inter-circuit block wiring tracks arranged in the same direction can be set to be compatible with each other as permitted by design rules. Since they are set to different dimensions, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit with a reduced internal cell arrangement pitch and, by extension, chip size, without sacrificing the ease of simplification and automation of single circuit block design and design between circuit blocks. It has the effect of being

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例のレイアウト図、第2図
は本発明の第2の実施例のレイアウト図、第3図は従来
のマスメース2イス方式の半導体チップの一例のレイア
ウト図、第4図は従来のバイポーラECL回路マスター
スライスの一つの内部セルを中心として内部セルアレイ
部繰返し単位の一例のレイアウト図である。 l・・・・・・チップ、2・・・・・・周辺領域、3・
・・・・・内部セルアレイ領域、4・・・・・・内部セ
ル、5・・・・・・セル列、6・・・・・・配線領域、
7a、7b・・・・・・内部セルアレイ部繰返し単位、
10・・・・・・トランジスタ、11・・・・・・抵抗
、12・・・・・・コンタクト、13・・・・・・電極
用1層配線パターン、14・・・・・・セル内素子間配
線領域、15・・・・・・1層ブロック間X方向配線ト
ラック、−16・・・・・・2層ブロック間y方向配線
トラック、17・・・・・・1層ブロック内X方向配線
トラック、18・・・・・・1層ブロック内y方向配線
トラック、19・・・・・・ブロック設計用原点。 茅1記
Fig. 1 is a layout diagram of a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a layout diagram of a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a layout diagram of an example of a conventional mass-machine-two-chair type semiconductor chip. , FIG. 4 is a layout diagram of an example of an internal cell array unit repeating unit centered on one internal cell of a conventional bipolar ECL circuit master slice. l...chip, 2...peripheral area, 3.
...Internal cell array area, 4...Internal cell, 5...Cell column, 6...Wiring area,
7a, 7b...Internal cell array unit repeating unit,
10...Transistor, 11...Resistor, 12...Contact, 13...1-layer wiring pattern for electrode, 14...Inside cell Inter-element wiring area, 15...X-direction wiring track between 1st layer blocks, -16...Y-direction wiring track between 2nd layer blocks, 17...X within 1st layer block Direction wiring track, 18... Y-direction wiring track in 1st layer block, 19... Origin for block design. Kaya 1st book

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、複数個の素子からなるセルが互いに直交する2方向
に複数個行列状に配置されたセルアレイを有し、1層以
上の配線層により1個以上の該セル内の複数個の素子間
を結線し回路ブロックを構成するとともに1個以上の前
記回路ブロック間を結線し相異なる機能を有する集積回
路群を派生させることからなるマスタースライス型の半
導体集積回路において、前記1層以上の配線層に属する
1方向以上に配置されている回路ブロック構成用配線の
配置ピッチと前記回路ブロック構成用配線と同方向に配
置されている少くとも1層以上の配線層に属する回路ブ
ロック間配線の配置ピッチが相異なることを特徴とする
半導体集積回路。
1. It has a cell array in which a plurality of cells consisting of a plurality of elements are arranged in rows and columns in two directions orthogonal to each other, and one or more wiring layers connect the plurality of elements in one or more cells. In a master slice type semiconductor integrated circuit that connects one or more circuit blocks to form a circuit block and connects one or more of the circuit blocks to derive a group of integrated circuits having different functions, the one or more wiring layers The arrangement pitch of circuit block wirings arranged in one or more directions to which they belong and the arrangement pitch of intercircuit block wirings belonging to at least one or more wiring layers arranged in the same direction as the circuit block structure wirings, Semiconductor integrated circuits have different characteristics.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63228642A (en) * 1987-03-18 1988-09-22 Fujitsu Ltd Designing method of semiconductor integrated circuit
JPS6482546A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Toshiba Corp Method of positioning terminal of semiconductor integrated circuit
JPH0513576A (en) * 1991-07-08 1993-01-22 Nec Corp Wire treatment of semiconductor integrated circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56118350A (en) * 1980-02-21 1981-09-17 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor integrated circuit device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56118350A (en) * 1980-02-21 1981-09-17 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor integrated circuit device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63228642A (en) * 1987-03-18 1988-09-22 Fujitsu Ltd Designing method of semiconductor integrated circuit
JPS6482546A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Toshiba Corp Method of positioning terminal of semiconductor integrated circuit
JPH0513576A (en) * 1991-07-08 1993-01-22 Nec Corp Wire treatment of semiconductor integrated circuit

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