JPS61273294A - レ−ザマ−キング装置 - Google Patents
レ−ザマ−キング装置Info
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- JPS61273294A JPS61273294A JP60112277A JP11227785A JPS61273294A JP S61273294 A JPS61273294 A JP S61273294A JP 60112277 A JP60112277 A JP 60112277A JP 11227785 A JP11227785 A JP 11227785A JP S61273294 A JPS61273294 A JP S61273294A
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- Japan
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- laser marking
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザを用いて被加工物に印字するレーザマー
キング装置に関するものである。
キング装置に関するものである。
レーザを用いて被加工物に印字する従来のレーザマーキ
ング装置として、第５図に示すものかある（巨経メカニ
カル１９８４． １２．３１号、Ｐ５３〜５７参照）。
ング装置として、第５図に示すものかある（巨経メカニ
カル１９８４． １２．３１号、Ｐ５３〜５７参照）。
第５図において、１はレーザ、２はレーザご ｚ−゛、
゛ １より出射されたレーザ光、３はレーザ光の方向を曲げ
るベンダー、４はレーザ光透過部を有するステンシル、
５は集光レンズ、６は被加工物、７は被加工物設置部で
ある。このレーザマーキング装置においては、レーザ１
から出射したレーザ光２をベンダー３で曲げステンシル
４に通し、ステンシル４のレーザ光透過部を出たレーザ
光２を集光レンズ５で被加工物６に集光し、被加工物６
を印字している。
゛ １より出射されたレーザ光、３はレーザ光の方向を曲げ
るベンダー、４はレーザ光透過部を有するステンシル、
５は集光レンズ、６は被加工物、７は被加工物設置部で
ある。このレーザマーキング装置においては、レーザ１
から出射したレーザ光２をベンダー３で曲げステンシル
４に通し、ステンシル４のレーザ光透過部を出たレーザ
光２を集光レンズ５で被加工物６に集光し、被加工物６
を印字している。
ところが、第５図のレーザマーキング装置においては、
集光レンズ５と被加工物６０間である被加工物上部８に
浮遊塵あいがある場合や、あるいは大気の湿度が高い場
合、レーザ光２が集光され強度が非常に大きくなる被加
工物上部８で気中放電が起こり、被加工物６への印字が
なされなくなる。
集光レンズ５と被加工物６０間である被加工物上部８に
浮遊塵あいがある場合や、あるいは大気の湿度が高い場
合、レーザ光２が集光され強度が非常に大きくなる被加
工物上部８で気中放電が起こり、被加工物６への印字が
なされなくなる。
また、第５図のレーザマーキング装置においては、被加
工物６が化合物半導体の場合、印字により人体に有害な
物質が空中に舞い上がり（例えば、化合物半導体がＧａ
Ａｓのとき、猛毒なΔＳがでる）、安全衛生上大問題と
なる。従って、従来のレーザマーキング装置を用いては
化合物半導体の印字は出来なかった。
工物６が化合物半導体の場合、印字により人体に有害な
物質が空中に舞い上がり（例えば、化合物半導体がＧａ
Ａｓのとき、猛毒なΔＳがでる）、安全衛生上大問題と
なる。従って、従来のレーザマーキング装置を用いては
化合物半導体の印字は出来なかった。
さらに、第５図のレーザマーキング装置においては、レ
ーザとして発振波長が２００１ｍより短い真空紫外線レ
ーザを用いる場合、大気の真空紫外光の吸収が大きいた
めレーザ光２が集光され強度が非常に大きくなる被加工
物上部８で気中放電を起こす恐れは大きく、従って、信
頼性の大きな印字ができない。
ーザとして発振波長が２００１ｍより短い真空紫外線レ
ーザを用いる場合、大気の真空紫外光の吸収が大きいた
めレーザ光２が集光され強度が非常に大きくなる被加工
物上部８で気中放電を起こす恐れは大きく、従って、信
頼性の大きな印字ができない。
本発明の目的は、浮遊塵あいが多い場合や湿度が高い場
合でも必ず印字でき、また、化合物半導体も安全衛生上
全く問題なく印字でき、さらに、レーザに真空紫外線レ
ーザを用いても高信頼で印字できるレーザマーキング装
置を提供することにある。
合でも必ず印字でき、また、化合物半導体も安全衛生上
全く問題なく印字でき、さらに、レーザに真空紫外線レ
ーザを用いても高信頼で印字できるレーザマーキング装
置を提供することにある。
本発明は、レーザより出射したレーザ光を被加工物設置
部上に置かれた被加工物上に集光して印字を行うレーザ
マーキング装置において、レーザ光通過部を有し、前記
被加工物設置部とその上部とを密閉し、かつ被加工物の
出し入れが可能な密閉加工部を備えることを特徴として
いる。
部上に置かれた被加工物上に集光して印字を行うレーザ
マーキング装置において、レーザ光通過部を有し、前記
被加工物設置部とその上部とを密閉し、かつ被加工物の
出し入れが可能な密閉加工部を備えることを特徴として
いる。
上記した従来のレーザマーキング装置の問題は、被加工
物の上部が大気に晒らされていることに起因する。すな
わち、被加工物の設置部とその上部を一緒に密閉し、か
つ被加工物の出し入れが可能な密閉加工部を設けて大気
と隔離すれば、浮遊塵あいが被加工物上部に入り込むこ
とがなく、従って、気中放電は起こらない。また、この
ような密閉加工部に乾燥剤を入れておけば、密閉加工部
の内部は常時乾燥しており、湿度が高いことによる気中
放電は起こらない。さらに、密閉加工部にガスの導入口
と排出口を設は乾燥ガスを流せば、浮遊塵あいゃ湿度が
高いことによる気中放電は全く起こらず、また、化合物
半導体を加工したことで発生する有害物を空気中に放散
させず人体に影響しないようにすることができる。この
場合、乾燥ガスとして真空紫外光を吸収しなｔｒ’＋Ａ
ｒ、 Ｈｅなどを用いれば、レーザとして真空紫外線レ
ーザを用いることが可能となる。
物の上部が大気に晒らされていることに起因する。すな
わち、被加工物の設置部とその上部を一緒に密閉し、か
つ被加工物の出し入れが可能な密閉加工部を設けて大気
と隔離すれば、浮遊塵あいが被加工物上部に入り込むこ
とがなく、従って、気中放電は起こらない。また、この
ような密閉加工部に乾燥剤を入れておけば、密閉加工部
の内部は常時乾燥しており、湿度が高いことによる気中
放電は起こらない。さらに、密閉加工部にガスの導入口
と排出口を設は乾燥ガスを流せば、浮遊塵あいゃ湿度が
高いことによる気中放電は全く起こらず、また、化合物
半導体を加工したことで発生する有害物を空気中に放散
させず人体に影響しないようにすることができる。この
場合、乾燥ガスとして真空紫外光を吸収しなｔｒ’＋Ａ
ｒ、 Ｈｅなどを用いれば、レーザとして真空紫外線レ
ーザを用いることが可能となる。
真空ポンプを用いて密閉加工部を真空にした場合にも、
浮遊塵あいゃ湿度が高いことによる気中放電は全く起こ
らず、また、化合物半導体を加工したことで発生する有
害物を人体に影響しないようにすることができ、さらに
、レーザとして真空紫外線レーザを用いることが可能と
なる。
浮遊塵あいゃ湿度が高いことによる気中放電は全く起こ
らず、また、化合物半導体を加工したことで発生する有
害物を人体に影響しないようにすることができ、さらに
、レーザとして真空紫外線レーザを用いることが可能と
なる。
従って、本発明によって気中放電が全く発生しない高信
頼な、また、化合物半導体も印字でき、かつレーザとし
て真空紫外線レーザも使えるレーザマーキング装置が得
られる。
頼な、また、化合物半導体も印字でき、かつレーザとし
て真空紫外線レーザも使えるレーザマーキング装置が得
られる。
次に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。このレーザマーキン
グ装置は、第５図に示す従来のレーザマーキング装置に
おいて、被加工物設置部７とその上部である被加工物上
部８とを密閉し、かつ被加工物６の出し入れが可能な密
閉加工部９をさらに備えた構造となっている。密閉加工
部９の上部には、レーザ光を入れるためのレーザ透過窓
１０が設けられている。その他の構成は第５図の装置と
同様であり、従って、第５図と同じ構成要素には同一の
番号を付して示す。
グ装置は、第５図に示す従来のレーザマーキング装置に
おいて、被加工物設置部７とその上部である被加工物上
部８とを密閉し、かつ被加工物６の出し入れが可能な密
閉加工部９をさらに備えた構造となっている。密閉加工
部９の上部には、レーザ光を入れるためのレーザ透過窓
１０が設けられている。その他の構成は第５図の装置と
同様であり、従って、第５図と同じ構成要素には同一の
番号を付して示す。
以上のような構成のレーザマーキング装置において、密
閉加工部９内の被加工物設置部７上に、ガラス、プラス
チックなどの誘電体、Ｓｉなどの単体の半導体等の被加
工物６を設置した後、レーザ１から出射したレーザ光２
をベンダー３で曲げステンシル４に通し、ステンシル４
のレーザ光透過部を出たレーザ光２を集光レンズ５で密
閉加工部９のレーザ光透過窓１０を経て被加工物６に集
光し印字を行う。
閉加工部９内の被加工物設置部７上に、ガラス、プラス
チックなどの誘電体、Ｓｉなどの単体の半導体等の被加
工物６を設置した後、レーザ１から出射したレーザ光２
をベンダー３で曲げステンシル４に通し、ステンシル４
のレーザ光透過部を出たレーザ光２を集光レンズ５で密
閉加工部９のレーザ光透過窓１０を経て被加工物６に集
光し印字を行う。
被加工物設置部７と被加工物６と被加工物上部８とは密
閉加工部９により密閉されているので、大気中の浮遊塵
あいが被加工物上部８に入り込むことがなく、被加工物
上部８で浮遊塵あいによる気中放電が発生することはな
い。
閉加工部９により密閉されているので、大気中の浮遊塵
あいが被加工物上部８に入り込むことがなく、被加工物
上部８で浮遊塵あいによる気中放電が発生することはな
い。
大気の湿度が高い場合には密閉加工部９の内部にシリカ
ゲルのような乾燥剤を入れておけば密閉加工部内の湿度
が下がるので、被加工物上部８で湿度が高いことによる
気中放電が発生することはない。
ゲルのような乾燥剤を入れておけば密閉加工部内の湿度
が下がるので、被加工物上部８で湿度が高いことによる
気中放電が発生することはない。
このように本実施例によれば、大気中の浮遊塵あいゃ湿
気によって被加工物上部８において気中放電を生じるこ
とがないので、常時信頼性良く印字を行うことができる
。
気によって被加工物上部８において気中放電を生じるこ
とがないので、常時信頼性良く印字を行うことができる
。
第２図は本発明の他の実施例を示す。この実施例は、第
１図の実施例の密閉加工部９とは異なる構造の密閉加工
ｉｌｌを備えるものであり、密閉加工部以外の他の構造
は第１図の実施例と同様である。この密閉加工部は、第
１図における密閉加工部９と同様、被加工物設置部７と
その上部である被加工物上部８とを密閉し、かつ被加工
物６の出し入れが可能な構造となっており、レーザ光を
入れるためのレーザ光透過・窓１０が設けられている。
１図の実施例の密閉加工部９とは異なる構造の密閉加工
ｉｌｌを備えるものであり、密閉加工部以外の他の構造
は第１図の実施例と同様である。この密閉加工部は、第
１図における密閉加工部９と同様、被加工物設置部７と
その上部である被加工物上部８とを密閉し、かつ被加工
物６の出し入れが可能な構造となっており、レーザ光を
入れるためのレーザ光透過・窓１０が設けられている。
密閉加工部１１は、さらに、乾燥ガスを導入するガス導
入口１２と、導入された乾燥ガスを排出するガス排出口
１３とを備えている。
入口１２と、導入された乾燥ガスを排出するガス排出口
１３とを備えている。
本実施例においては、被加工物設置部７上に被加工物６
を設置した後、ガス導入口１２から乾燥ガスを入れ、ガ
ス排出口１３から排出することにより、密閉加工部１１
内に乾燥ガスを流しながら、レーザ光を密閉加工部１１
のレーデ光透過窓１ｏを経て液加。
を設置した後、ガス導入口１２から乾燥ガスを入れ、ガ
ス排出口１３から排出することにより、密閉加工部１１
内に乾燥ガスを流しながら、レーザ光を密閉加工部１１
のレーデ光透過窓１ｏを経て液加。
工物６に集光し印字を行う。本実施例によれば、第１図
の実施例と同様、被加工物設置部７と被加工物６と被加
工物上部８とは密閉加工部１１により密閉されているの
で大気中の浮遊塵あいが被加工物上部８に入り込まず、
また乾燥ガスを流しているため、被加工物上部８で気中
放電が起こることはない。本実施例は、被加工物６とし
てガラス。
の実施例と同様、被加工物設置部７と被加工物６と被加
工物上部８とは密閉加工部１１により密閉されているの
で大気中の浮遊塵あいが被加工物上部８に入り込まず、
また乾燥ガスを流しているため、被加工物上部８で気中
放電が起こることはない。本実施例は、被加工物６とし
てガラス。
プラスチックなどの誘電体、Ｓｉなどの単体の半導体基
板のみならず、印字時に有害物質を発生する化合物半導
体にも利用することができる。発生した有害物質は、乾
燥ガスとともにガス排出口１３より排出されるため、印
字後の化合物半導体を密閉加工ａｌｌより取り出すとき
に密閉加工部より有害物質が大気中に放散する恐れがな
いからである。
板のみならず、印字時に有害物質を発生する化合物半導
体にも利用することができる。発生した有害物質は、乾
燥ガスとともにガス排出口１３より排出されるため、印
字後の化合物半導体を密閉加工ａｌｌより取り出すとき
に密閉加工部より有害物質が大気中に放散する恐れがな
いからである。
また、密閉加工部１１内に流す乾燥ガスとして、Ａｒ、
Ｈｅなどの真空紫外光を吸収しないガスを用いれば、
−レーデとして、真空紫外線レーザを用いることができ
る。
Ｈｅなどの真空紫外光を吸収しないガスを用いれば、
−レーデとして、真空紫外線レーザを用いることができ
る。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示す。この実施例
は、密閉加工部１４が排気口１５を備え、この排気口を
経て密閉加工部１４を真空ポンプ１６に接続した例であ
る。密閉加工部１４は、第１図における密閉加工部９と
同様、被加工物設置部７とその上部である被加工物上部
８とを密閉し、かつ被加工物６の出し入れが可能な構造
となってふり、レーザ光を入れるためのレーザ光透過窓
１０が設けられている。
は、密閉加工部１４が排気口１５を備え、この排気口を
経て密閉加工部１４を真空ポンプ１６に接続した例であ
る。密閉加工部１４は、第１図における密閉加工部９と
同様、被加工物設置部７とその上部である被加工物上部
８とを密閉し、かつ被加工物６の出し入れが可能な構造
となってふり、レーザ光を入れるためのレーザ光透過窓
１０が設けられている。
本実施例においては、被加工物設置部７上に被加工物６
を設置した後、真空ポンプ１６により密閉加工部１４内
を排気して真空にし、レーザ光を密閉加工部１４のレー
ザ光透過窓１０を経て被加工物６に集光し印字を行う。
を設置した後、真空ポンプ１６により密閉加工部１４内
を排気して真空にし、レーザ光を密閉加工部１４のレー
ザ光透過窓１０を経て被加工物６に集光し印字を行う。
本実施例によれば、密閉加工部１４の内部が真空である
ため、被加工物上部８で気中放電は全く起こらない。
ため、被加工物上部８で気中放電は全く起こらない。
また、被加工物６が化合物半導体である場合にも、発生
した有害物質は密閉加工部１４より排°出されるため、
印字後の化合物半導体を密閉加工部１４より取り出すと
きに密閉加工部より有害物質が大気中に放散する恐れは
ない。さらには、密閉加工部１４内は真空であるため、
真空紫外光が吸収され゛ることはないので、レーザとし
て真空紫外線レーザを用いることができる。
した有害物質は密閉加工部１４より排°出されるため、
印字後の化合物半導体を密閉加工部１４より取り出すと
きに密閉加工部より有害物質が大気中に放散する恐れは
ない。さらには、密閉加工部１４内は真空であるため、
真空紫外光が吸収され゛ることはないので、レーザとし
て真空紫外線レーザを用いることができる。
第４図は本発明のさらに他の実施例を示す。この実施例
は、第１図のレーザマーキング装置の変形例であり、密
閉加工部１７のレーザ光が入いる部分を集光レンズ１８
で形成している。従って、第１図の実施例のように密閉
加工部にレーザ光透過窓を設ける必要はない。この場合
、単独の集光レンズ５は除去することになる。レーザ光
が入いる部分を集光レンズで構成したこのような密閉加
工部を、第２図および第３図の実施例のように、乾燥ガ
スを流すことのできる構造とし、あるいは真空排気でき
る構造とすることによって、第２図および第３図の実施
例と同様の効果が得られることは明らかである。
は、第１図のレーザマーキング装置の変形例であり、密
閉加工部１７のレーザ光が入いる部分を集光レンズ１８
で形成している。従って、第１図の実施例のように密閉
加工部にレーザ光透過窓を設ける必要はない。この場合
、単独の集光レンズ５は除去することになる。レーザ光
が入いる部分を集光レンズで構成したこのような密閉加
工部を、第２図および第３図の実施例のように、乾燥ガ
スを流すことのできる構造とし、あるいは真空排気でき
る構造とすることによって、第２図および第３図の実施
例と同様の効果が得られることは明らかである。
以上説明したすべての実施例は、レーザ光透過部を有す
るステンシル４を用いたレーザマーキング装置を説明し
たが、レーザ光を掃引し印字するレーザマーキング装置
にも本発明を適用できることは勿論である。
るステンシル４を用いたレーザマーキング装置を説明し
たが、レーザ光を掃引し印字するレーザマーキング装置
にも本発明を適用できることは勿論である。
なお、本発明のレーザマーキング装置で使用できるレー
ザはＹＡＧレーザ、ＴＥＡＣＯ２レーザ。
ザはＹＡＧレーザ、ＴＥＡＣＯ２レーザ。
エキシマレーザなどであり、またレーザマーキング装置
で印字できる被加工物６はガラス、プラスチックなどの
誘電体、単体の半導体基板（Ｓｉなど）や化合物半導体
（ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）などである。
で印字できる被加工物６はガラス、プラスチックなどの
誘電体、単体の半導体基板（Ｓｉなど）や化合物半導体
（ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）などである。
以上述べたように、本発明によれば、浮遊塵あいが多い
場合や湿度が高い場合でも必ず印字でき、また、化合物
半導体も安全衛生上全く問題なく印字でき、さらに、レ
ーザに真空紫外線レーザを用いても高信頼で印字できる
レーザマーキング装置を得ることが可能となる。
場合や湿度が高い場合でも必ず印字でき、また、化合物
半導体も安全衛生上全く問題なく印字でき、さらに、レ
ーザに真空紫外線レーザを用いても高信頼で印字できる
レーザマーキング装置を得ることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、
第２図は他の実施例を示す図、
第３図はさらに他の実施例を示す図、
第４図はさらに他の実施例を示す図、
第５図は従来のレーザマーキング装置を示す図である。
１・・・・・・レーザ
２・・・・・・レーザ光
３・・・・・・ペングー
４・・・・・・ステンシル
５．１８・・・・・・集光レンズ
６・・・・・・被加工物
７・・・・・・被加工物設置部
８・・・・・・被加工物上部
９ 、１１．１４．１７・・・・・・密閉加工部１０・
・・・・・レーザ光透過窓 １１・・・・・・ガス導入口 １３・・・・・・ガス排出口 １５・・・・・・排気口 １６・・・・・・真空ポンプ 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 第３図
・・・・・レーザ光透過窓 １１・・・・・・ガス導入口 １３・・・・・・ガス排出口 １５・・・・・・排気口 １６・・・・・・真空ポンプ 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 第３図
Claims (6)
- （１）レーザより出射したレーザ光を被加工物設置部上
に置かれた被加工物上に集光して印字を行うレーザマー
キング装置において、レーザ光通過部を有し、前記被加
工物設置部とその上部とを密閉し、かつ被加工物の出し
入れが可能な密閉加工部を備えることを特徴とするレー
ザマーキング装置。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載のレーザマーキング
装置において、前記レーザ光通過部がレーザ光透過窓で
あることを特徴とするレーザマーキング装置。 - （３）特許請求の範囲第１項に記載のレーザマーキング
装置において、前記レーザ光通過部が集光レンズである
ことを特徴とするレーザマーキング装置。 - （４）特許請求の範囲第２項または第３項に記載のレー
ザマーキング装置において、前記密閉加工部が内部に乾
燥剤を有することを特徴とするレーザマーキング装置。 - （５）特許請求の範囲第２項または第３項に記載のレー
ザマーキング装置において、前記密閉加工部が、乾燥ガ
スの導入口および排出口を有し、印字時に前記密閉加工
部内部に乾燥ガスを流すことを特徴とするレーザマーキ
ング装置。 - （６）特許請求の範囲第２項または第３項に記載のレー
ザマーキング装置において、前記密閉加工部が、真空排
気のための排気口を有し、印字時に前記密閉加工部内部
を真空にすることを特徴とするレーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112277A JPS61273294A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112277A JPS61273294A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273294A true JPS61273294A (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=14582667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112277A Pending JPS61273294A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | レ−ザマ−キング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61273294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05269584A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-10-19 | Ofic Co | レーザー加工方法及び装置 |
| CN110883425A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种切割设备抽排装置 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60112277A patent/JPS61273294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05269584A (ja) * | 1991-02-28 | 1993-10-19 | Ofic Co | レーザー加工方法及び装置 |
| CN110883425A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种切割设备抽排装置 |
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