JPS61271895A - Making of ceramic wiring substrate - Google Patents

Making of ceramic wiring substrate

Info

Publication number
JPS61271895A
JPS61271895A JP11357585A JP11357585A JPS61271895A JP S61271895 A JPS61271895 A JP S61271895A JP 11357585 A JP11357585 A JP 11357585A JP 11357585 A JP11357585 A JP 11357585A JP S61271895 A JPS61271895 A JP S61271895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
wiring board
manufacturing
ceramic wiring
metal compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11357585A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
脇 清隆
昇 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP11357585A priority Critical patent/JPS61271895A/en
Publication of JPS61271895A publication Critical patent/JPS61271895A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic wiring board used as an electronic base material.

〔背景技術〕[Background technology]

セラミック等の無機系配線基板からなる回路板を作る方
法として、従来、タングステンあるいはモリブデン−マ
ンガン等の導体ペーストで焼成前のアルミナグリーンセ
ラミックシート上に回路を描き、還元雰囲気中で一体に
焼成する方法、あるいは、Ag/Pd、Ag/Pt、A
u等の貴金属微粉末をガラスフリフト有機系ビヒクルと
混合してペースト化し、焼成したセラミック基板上にス
クリーン印刷した後、ガラスフリットがセラミック基板
に溶融接合する温度で焼成し、回路を形成する方法が一
般的である。しかし、これらの方法は、一般に微細配線
の形成が困難であり、特に前者の方法では配線抵抗が高
いため微細配線には適さず、後者の方法では貴金属を用
いているためコストが高くなってしまう。前記貴金属に
かわり、Cu粉末のペーストを用いる方法もあるが、こ
、の方法では、Cuが貴金属にくらべて反応しゃすいた
め、ペースト組成や焼成条件等を精度よく管理してやる
必要があり、実用的でない。また、ガラス質を含むため
、はんだ付着性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故
障をお、こしゃすい等の欠点がある。
The conventional method for making circuit boards made from inorganic wiring boards such as ceramics is to draw a circuit on an alumina green ceramic sheet before firing using a conductive paste such as tungsten or molybdenum-manganese, and then fire the entire sheet in a reducing atmosphere. , or Ag/Pd, Ag/Pt, A
A method of forming a paste by mixing noble metal fine powder such as u with a glass frit organic vehicle, screen printing it on a fired ceramic substrate, and then firing it at a temperature that melts and bonds the glass frit to the ceramic substrate to form a circuit. is common. However, these methods generally have difficulty forming fine wiring, and the former method in particular is not suitable for fine wiring due to high wiring resistance, and the latter method uses precious metals, resulting in high costs. . There is also a method of using a paste of Cu powder instead of the above-mentioned noble metal, but in this method, since Cu reacts more easily than noble metals, it is necessary to precisely control the paste composition, firing conditions, etc., and it is not practical. Not. Furthermore, since it contains glass, it has disadvantages such as poor solder adhesion, a tendency to produce defective products, and a tendency to break down or break down during use.

セラミック基板と銅箔とを接着剤を用いて貼着し、所定
回路部分にエツチングレジスト被膜を形成し、所定回路
部分以外をエツチング除去し、その後、エツチングレジ
スト被膜を剥離することにより回路を形成する方法もあ
る。しかしながら、現在、無機系のよい接着剤がなく、
を機系の接着剤は耐熱性、耐薬品性1寸法安定性等の特
性の点で劣るため、この方法は一般に使用されない。
A circuit is formed by bonding a ceramic substrate and copper foil using an adhesive, forming an etching resist film on a predetermined circuit part, etching away parts other than the predetermined circuit part, and then peeling off the etching resist film. There is a way. However, there is currently no good inorganic adhesive.
This method is generally not used because adhesives based on this method are inferior in properties such as heat resistance, chemical resistance, and dimensional stability.

セラミック配線基板の製法としては、この他、化学メッ
キ法により形成する方法、または、蒸着、スパッタリン
グあるいはイオンブレーティングなどの気相法により形
成する方法がある。これらの方法は、上に述べたような
欠点を有しないため、実用性にすぐれた方法といえる。
Other methods for manufacturing the ceramic wiring board include a chemical plating method, and a vapor phase method such as vapor deposition, sputtering, or ion blasting. Since these methods do not have the above-mentioned drawbacks, they can be said to be highly practical.

しかし、基板と金属層との間に強い密着力を得ることが
困難である。
However, it is difficult to obtain strong adhesion between the substrate and the metal layer.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は、配線抵抗が小さく、しかも、セラミック基
板との密着性が高い回路を有したセラミック配線基板の
製法を提供することを目的としている。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a ceramic wiring board having a circuit with low wiring resistance and high adhesion to the ceramic substrate.

〔発明の開示〕[Disclosure of the invention]

以上の目的を達成するため、この発明は、金属化合物を
主成分とし、要すれば、無電解メッキのアクチベータと
なる貴金属化合物およびCu、Niのうち、少なくとも
1つを含む下地材料をセラミック基板の表面に付着させ
、非酸化性雰囲気中で加熱焼成して下地層を形成し、こ
の下地層の表面にメッキを用いて回路を形成するセラミ
ック配線基板の製法をその要旨としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a ceramic substrate with a base material containing a metal compound as a main component and, if necessary, a noble metal compound that serves as an activator of electroless plating and at least one of Cu and Ni. The gist of the method is to form a ceramic wiring board by attaching it to the surface, heating and baking it in a non-oxidizing atmosphere to form a base layer, and forming a circuit on the surface of the base layer by plating.

以下に、この発明を、くわしく説明する。This invention will be explained in detail below.

この発明に使用される金属化合物としては、形成される
回路の材質、および、形成法がメッキである場合には、
そのメッキ液の種類に応じて、適当な下地を形成する金
属の化合物が選ばれる。例えば、回路がAg、Cu、N
i等の材質からなり、無電解メッキで形成される場合に
は、金属化合物としては、CuS、CuCO3,CuC
It、CuSO4等のうち少なくとも1種の銅化合物の
粉末が適当である。この発明のセラミック配線基板の製
法では、以上の金属化合物単独でも発明の目的を達成す
ることはできるが、さらに、結合剤、無電解メッキのア
クチベータとなる貴金属化合物。
The metal compounds used in this invention include the material of the circuit to be formed and, when the formation method is plating,
A metal compound that forms an appropriate base is selected depending on the type of plating solution. For example, if the circuit is Ag, Cu, N
When formed by electroless plating, the metal compounds include CuS, CuCO3, CuC
Powder of at least one copper compound among It, CuSO4, etc. is suitable. In the method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention, although the object of the invention can be achieved using the above-mentioned metal compound alone, a noble metal compound that serves as a binder and an activator for electroless plating is also used.

CuおよびNiのうち、少なくとも1つを加えることで
発明の効果をより高めることができる。結合剤は、あら
かじめガラス質を含んでいるか、または、焼成によりガ
ラス質を形成するケイ酸塩類等の化合物の粉末からなっ
ており、前記金属化合物とセラミックとの焼成による結
合をより強固にする働きをもっている。また、これらの
結合剤は、金属化合物と混合されることにより、この金
属化合物の増量剤および分散剤としての働きをも持って
いる。結合剤としては、カオリン、ホウケイ酸ガラス等
があげられるが、以上に述べた働きをするものであれば
、これ以外の化合物を結合剤として使用することも可能
である。この結合剤を金属化合物95〜50重量部(以
下「部」と記す)に対し、好ましくは5〜50部配合す
る。無電解メッキのアクチベータとなる貴金属化合物、
  CuおよびNiは、いずれも、前記金属化合物およ
び結合剤とともに焼成されることで下地層中にとり込ま
れ、金属化合物とともにメッキの活性剤として働くもの
である。貴金属化合物としては、通常、無電解メッキの
アクチベータとして使用されているものであればすべて
のものが使用できる。例えば、Pd化合物としては、P
dC1,、pd□、Au化合物としては、AuC1,等
がその代表的なものである。この貴金属化合物を、前記
金属化合物と結合剤との混合物100部に対して、好ま
しくは0.O1〜1部配合する0以上の混合物に、要す
れば、さらにCuまたはNi1あるいは、CuとNiの
両方を、好ましくは5〜30部配合することで下地材料
を作成する。この発明のセラミック配線基板の製法では
、作成した下地材料の粉末は、そのままセラミック基板
に付着させてもよいが、適当なバインダーおよびその溶
剤、例えば、スクリーンオイル等の印刷用インキ、バル
サム等を添加混合し、ペースト状としてセラミック基板
に付着させることもできる。下地材料をペースト状にし
ておけば、スクリーン印刷等の手段を用いてセラミック
基板に付着させることで、セラミック基板上に、この下
地材料による回路パターンを簡単に描画することが可能
となる。下地材料をセラミック基板に付着させる方法と
しては、スクリーン印刷以外の方法も、もちろん使用可
能である。基板の材質としては、アルミナ、フォルステ
ライト、ステアタイト、ジルコン、ムライト。
By adding at least one of Cu and Ni, the effects of the invention can be further enhanced. The binder either contains glass in advance or is made of powder of compounds such as silicates that form glass when fired, and serves to strengthen the bond between the metal compound and ceramic by firing. have. Furthermore, when mixed with a metal compound, these binders also function as an extender and a dispersant for the metal compound. Examples of the binder include kaolin and borosilicate glass, but it is also possible to use other compounds as the binder as long as they function as described above. Preferably, 5 to 50 parts of this binder is blended to 95 to 50 parts by weight (hereinafter referred to as "parts") of the metal compound. A noble metal compound that acts as an activator for electroless plating,
Both Cu and Ni are incorporated into the underlayer by being fired together with the metal compound and binder, and work together with the metal compound as an activator for plating. As the noble metal compound, any compound that is normally used as an activator for electroless plating can be used. For example, as a Pd compound, P
Typical examples of the Au compound include dC1, pd□, and AuC1. The amount of this noble metal compound is preferably 0.0 parts per 100 parts of the mixture of metal compound and binder. If necessary, Cu or Ni1, or both Cu and Ni, preferably 5 to 30 parts, are further blended to a mixture of 0 or more containing 1 to 1 part of O to prepare a base material. In the method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention, the prepared base material powder may be attached to the ceramic substrate as is, but an appropriate binder and its solvent, such as printing ink such as screen oil, balsam, etc. may be added. They can also be mixed and applied as a paste to a ceramic substrate. If the base material is made into a paste, it becomes possible to easily draw a circuit pattern using the base material on the ceramic substrate by attaching it to the ceramic substrate using a method such as screen printing. Of course, methods other than screen printing can be used to attach the base material to the ceramic substrate. Substrate materials include alumina, forsterite, steatite, zircon, and mullite.

コージライト、ジルコニア、チタニア等の酸化物系焼結
セラミックを主に使用し、炭化物系、および、窒化物系
セラミックも使用できる。
Oxide-based sintered ceramics such as cordierite, zirconia, and titania are mainly used, but carbide-based and nitride-based ceramics can also be used.

セラミック基板上に付着された下地材料を非酸化性雰囲
気中で加熱焼成し、セラミック基板上に下地層を形成す
る。
The base material deposited on the ceramic substrate is heated and fired in a non-oxidizing atmosphere to form a base layer on the ceramic substrate.

ここでいう非酸化性雰囲気とは、微量の酸素(好ましく
は2000ppm以下)を含む、不活性ガス雰囲気(例
えば、N2雰囲気)、還元性雰囲気、真空中等のことで
ある。焼成の温度は、下地材料が溶融する温度であれば
よく、下地材料の材質によってその好ましい範囲が限定
される。例えば、金属化合物に前記銅化合物を使用した
場合には、焼成温度は特に限定されないが、900〜1
300℃の範囲内であることが好ましい。下地材料が、
非酸化性雰囲気中で加熱焼成されることにより、下地材
料中に含まれた金属化合物の一部は還元されて金属とな
り、この金属を含む下地材料が加熱溶融してその一部が
セラミック基材内部に浸透し、下地層とセラミック基材
との間に強固な結合を形成する。セラミック基板上に形
成された下地層中には、前述したように、非酸化性雰囲
気で焼成されることにより還元されて析出した金属や、
あらかじめ配合されたCu、Niおよび、同じく還元さ
れて析出したAuやpb等の貴金属が分散されており、
下地層の表面付近に析出したこれらの金属類がメッキの
活性剤として働くことでこの発明の目的が達成される。
The non-oxidizing atmosphere herein refers to an inert gas atmosphere (eg, N2 atmosphere) containing a trace amount of oxygen (preferably 2000 ppm or less), a reducing atmosphere, a vacuum, and the like. The firing temperature may be any temperature at which the base material melts, and its preferable range is limited depending on the material of the base material. For example, when the copper compound is used as a metal compound, the firing temperature is not particularly limited, but
Preferably, the temperature is within the range of 300°C. The base material is
By heating and firing in a non-oxidizing atmosphere, a part of the metal compound contained in the base material is reduced to metal, and the base material containing this metal is heated and melted, and a part of it becomes the ceramic base material. It penetrates into the interior and forms a strong bond between the underlayer and the ceramic substrate. As mentioned above, the underlayer formed on the ceramic substrate contains metals that are reduced and precipitated by firing in a non-oxidizing atmosphere,
Pre-blended Cu, Ni, and precious metals such as Au and PB, which are also reduced and precipitated, are dispersed.
The object of the present invention is achieved because these metals deposited near the surface of the underlayer act as an activator for plating.

焼成された下地層の表面に、電解あるいは無電解メッキ
によって回路を形成する。
A circuit is formed on the surface of the fired base layer by electrolytic or electroless plating.

金属層の形成にあたっては、焼成後の基板に直ちにメッ
キ処理を行っても充分に効果は得られるが、焼成後の基
板表面を、一旦、酸等により洗浄してお(ことにより、
メッキの析出性や回路の基板への密着性等をより向上さ
せることができる。
When forming a metal layer, a sufficient effect can be obtained even if the substrate is plated immediately after firing, but the surface of the substrate after firing must be cleaned with acid etc.
It is possible to further improve the deposition properties of plating, the adhesion of the circuit to the substrate, etc.

回路の材質は特に限定されないが、通常、配線基板に使
用されているCu、Ag、Ni等を回路として使用する
ことがコストの点からも、従来の技術を流用できるとい
う点からも好ましい。メッキの方法も、これらの金属を
メッキする場合に一般的に行われている方法を流用する
ことができる。
Although the material of the circuit is not particularly limited, it is preferable to use Cu, Ag, Ni, etc., which are usually used for wiring boards, for the circuit, both from the viewpoint of cost and from the viewpoint that conventional technology can be used. As for the plating method, a method generally used when plating these metals can be used.

例えば、Cuをメッキする場合には、ホルマリンを還元
剤とする無電解メッキを使用することができる。また、
Niをメッキする場合には、−例として、次亜リン酸ソ
ーダあるいはホウ素系還元剤を用いたニッケルメッキ液
により無電解メッキを行うことができ、その他の方法に
よることもできる。以上の様に、電解メッキや無電解メ
ッキを行うことにより、セラミック基板上に下地層によ
って描画された回路パターン上に回路が形成され、セラ
ミック配線基板が得られる。
For example, when plating Cu, electroless plating using formalin as a reducing agent can be used. Also,
When plating Ni, for example, electroless plating can be performed using a nickel plating solution using sodium hypophosphite or a boron-based reducing agent, and other methods can also be used. As described above, by performing electrolytic plating or electroless plating, a circuit is formed on the circuit pattern drawn on the ceramic substrate using the base layer, and a ceramic wiring board is obtained.

以上の様に、この発明のセラミック配線基板の製法では
、セラミック基板上に付着された下地層とセラミック基
板とが互いに融着されて強固に結合されるとともに、こ
の下地層の表面に析出した金属とメッキによる回路とも
強固に結合されており、結果としてセラミック基板との
密着性が高い回路を形成することができる。
As described above, in the method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention, the base layer adhered to the ceramic substrate and the ceramic substrate are fused to each other and firmly bonded, and the metal deposited on the surface of the base layer is It is also firmly connected to the circuit by plating, and as a result, it is possible to form a circuit with high adhesion to the ceramic substrate.

回路は通常のメッキによって形成することができるため
、低コストで高導電率の材質を選択して利用することが
でき、配線抵抗が小さく、コストの低いセラミック配線
基板を製造することが可能となる。
Since the circuit can be formed by ordinary plating, it is possible to select and use materials with low cost and high conductivity, making it possible to manufacture low-cost ceramic wiring boards with low wiring resistance. .

つぎに、この発明の実施例について説明する。Next, embodiments of the invention will be described.

(実施例1) 金属化合物として硫化銅(CuS)を使用し、このCu
S75部に対してカオリンを25部配合し、さらにNi
15部およびPdCIzo、02部を混合しスクリーン
オイルを加えてペースト状の下地材料を作成した。96
%アルミナセラミック基板上に、スクリーン印刷により
この下地材料を付着させ、100℃、5分間の乾燥を行
った。このセラミック基板に窒素中(酸素含量200p
pm)で1100℃、10分間の加熱焼成を行って下地
層を形成した。メッキに先だって、このセラミック基板
を50℃の5%塩酸に1分間浸漬して洗浄し、さらに水
洗して前処理とした。このあと、25℃の銅メッキ液に
60分間浸漬して無電解メッキを行い、下地層上に回路
となる銅層を形成してセラミック配線基板を得た。
(Example 1) Copper sulfide (CuS) was used as a metal compound, and this Cu
25 parts of kaolin is added to 75 parts of S, and Ni
A paste base material was prepared by mixing 15 parts of PdCIzo and 02 parts of PdCIzo, and adding screen oil. 96
% alumina ceramic substrate by screen printing, and dried at 100° C. for 5 minutes. This ceramic substrate was placed in nitrogen (oxygen content 200p).
pm) at 1100° C. for 10 minutes to form a base layer. Prior to plating, this ceramic substrate was cleaned by immersing it in 5% hydrochloric acid at 50° C. for 1 minute, and was further washed with water for pretreatment. Thereafter, electroless plating was performed by immersing it in a copper plating solution at 25° C. for 60 minutes to form a copper layer serving as a circuit on the base layer to obtain a ceramic wiring board.

得られたセラミック配線基板の密着力を調べたところ、
2.5〜3.0 kg/ lIIm”と非常に高い密着
性を示し、また、抵抗値を測定したところ、2mΩ/1
aaI”と非常に小さい値を示した。
When we investigated the adhesion of the obtained ceramic wiring board, we found that
It showed very high adhesion of 2.5 to 3.0 kg/lIIm, and when the resistance was measured, it was 2mΩ/1
aaI", a very small value.

(実施例2) 金属化合物として炭酸銅(Cu COz )を使用し、
このCuC0,3Q部に対してホウケイ酸ガラスを20
部配合し、さらにCu2O部およびPacttQ、03
部を混合しスクリーンオイルを加えてペースト状の下地
材料を作成した。96%アルミナセラミック基板上に、
スクリーン印刷によりこの下地材料を付着させ、100
℃、5分間の乾燥を行った。このセラミック基板に窒素
中(M素含量150ppm)で1050℃、10分間の
加熱焼成を行って下地層を形成した。メッキに先だって
、このセラミック基板を50℃の5%塩酸に1分間浸漬
して洗浄し、さらに水洗して前処理とした。このあと、
25℃の銅メッキ液に60分間浸漬して無電解メッキを
行い、下地層上に回路となる銅層を形成してセラミック
配線基板を得た。
(Example 2) Using copper carbonate (CuCOz) as a metal compound,
For this CuC0,3Q part, 20% of borosilicate glass is added.
part Cu2O and PacttQ,03
A paste-like base material was prepared by mixing the two parts and adding screen oil. On a 96% alumina ceramic substrate,
This base material was attached by screen printing, and 100
Drying was performed at ℃ for 5 minutes. This ceramic substrate was heated and baked at 1050° C. for 10 minutes in nitrogen (M content: 150 ppm) to form a base layer. Prior to plating, this ceramic substrate was cleaned by immersing it in 5% hydrochloric acid at 50° C. for 1 minute, and was further washed with water for pretreatment. after this,
Electroless plating was performed by immersing it in a copper plating solution at 25° C. for 60 minutes to form a copper layer serving as a circuit on the base layer to obtain a ceramic wiring board.

得られたセラミック配線基板の密着力を調べたところ、
2.0〜2.5 kg/ n’s” ト非常に高い密着
性を示し、また、抵抗値を測定したところ、2IIlΩ
/mm” と非常に小さい値を示した。
When we investigated the adhesion of the obtained ceramic wiring board, we found that
2.0 to 2.5 kg/n's" showed very high adhesion, and when the resistance was measured, it was 2II1Ω.
/mm”, a very small value.

(実施例3) 金属化合物として塩化銅(CuC1□)を75部使用し
、これにCu2O部を加えた以外は実施例1と同様にし
てセラミック配線基板を作成した得られたセラミック配
線基板の密着力を調べた。
(Example 3) A ceramic wiring board was prepared in the same manner as in Example 1 except that 75 parts of copper chloride (CuC1□) was used as a metal compound and a part of Cu2O was added thereto. Adhesion of the obtained ceramic wiring board I checked the power.

ところ、2.0〜2.5 kg/ IIImzと非常に
高い密着性を示し、また、抵抗値を測定したところ、2
mΩ/IIIII!と非常に小さい値を示した。
However, it showed very high adhesion of 2.0 to 2.5 kg/IIImz, and when the resistance value was measured, it was 2.
mΩ/III! showed a very small value.

(実施例4) 金属化合物として塩化銅(CuCIz)を80部使用し
、これにホウケイ酸ガラス20部を加え、基板として9
2%アルミナセラミック基板を使用した以外は実施例1
と同様にしてセラミック配線基板を作成した。
(Example 4) 80 parts of copper chloride (CuCIz) was used as a metal compound, 20 parts of borosilicate glass was added to this, and 9 parts were used as a substrate.
Example 1 except that a 2% alumina ceramic substrate was used.
A ceramic wiring board was created in the same manner as above.

得られたセラミック配線基板の密着力を調べたところ、
2.0〜2.5 kg/ mm”と非常に高い密着性を
示し、また、抵抗値を測定したところ、2mΩ/III
Im″と非常に小さい値を示した。
When we investigated the adhesion of the obtained ceramic wiring board, we found that
It showed very high adhesion of 2.0 to 2.5 kg/mm, and when the resistance was measured, it was 2mΩ/III.
It showed a very small value of Im''.

(実施例5) 金属化合物として硫酸銅(Cu S Oa )を75部
使用し、これにカオリン25部およびCulS部、pd
cizo、o3部を加え、基板として92%アルミナセ
ラミック基板を使用し、窒素雰囲気の酸素含量が150
ppmであった以外は実施例工と同様にしてセラミック
配線基板を作成した。
(Example 5) 75 parts of copper sulfate (CuSOa) was used as a metal compound, and 25 parts of kaolin, CulS part, pd
3 parts of cizo and o were added, a 92% alumina ceramic substrate was used as the substrate, and the oxygen content of the nitrogen atmosphere was 150%.
A ceramic wiring board was produced in the same manner as in the example except that the concentration was ppm.

得られたセラミック配線基板の密着力を調べたところ、
2.0〜2.5 kg/ mm”と非常に高い密着性を
示し、また、抵抗値を測定したところ、21IIΩ/n
III+2と非常に小さい値を示した。
When we investigated the adhesion of the obtained ceramic wiring board, we found that
It exhibited very high adhesion of 2.0 to 2.5 kg/mm, and when the resistance was measured, it was 21IIΩ/n.
It showed a very small value of III+2.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のセラミック配線基板の製法は、以上のように
構成されており、セラミック基板と回路がこの両者と互
いに強固に密着する下地層を介して接続されるため、高
い密着性を有した回路を形成することができ、通常のメ
ッキを利用することができるため、配線抵抗を小さく、
しかも、コストを低(することができる。
The method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention is configured as described above, and since the ceramic board and the circuit are connected through the base layer that tightly adheres to each other, it is possible to create a circuit with high adhesion. Because it can be formed and normal plating can be used, wiring resistance can be reduced.
Moreover, costs can be reduced.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)金属化合物を主成分とし、要すれば、無電解メッ
キのアクチベータとなる貴金属化合物およびCu、Ni
のうち、少なくとも1つを含む下地材料をセラミック基
板の表面に付着させ、非酸化性雰囲気中で加熱焼成して
下地層を形成し、この下地層の表面にメッキを用いて回
路を形成するセラミック配線基板の製法。
(1) The main component is a metal compound, and if necessary, a noble metal compound that serves as an activator for electroless plating, as well as Cu and Ni.
A ceramic in which a base material containing at least one of the following is adhered to the surface of a ceramic substrate, heated and fired in a non-oxidizing atmosphere to form a base layer, and a circuit is formed on the surface of this base layer by plating. Manufacturing method for wiring boards.
(2)金属化合物がCuS、CuCO_3、CuCl_
2およびCuSO_4からなる群より選ばれた少なくと
も1つの銅化合物である特許請求の範囲第1項記載のセ
ラミック配線基板の製法。
(2) Metal compounds are CuS, CuCO_3, CuCl_
2. The method for manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1, wherein the copper compound is at least one copper compound selected from the group consisting of CuSO_4 and CuSO_4.
(3)下地材料が結合剤をも含んでおり、この結合剤が
カオリンおよびホウケイ酸ガラスのうち、いずれか一方
である特許請求の範囲第1項または第2項記載のセラミ
ック配線基板の製法。
(3) The method for manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1 or 2, wherein the base material also contains a binder, and the binder is one of kaolin and borosilicate glass.
(4)貴金属化合物が塩化パラジウムである特許請求の
範囲第1項から第3項までのいずれかに記載のセラミッ
ク配線基板の製法。
(4) The method for manufacturing a ceramic wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein the noble metal compound is palladium chloride.
(5)非酸化性雰囲気の酸素含有量が2000ppm以
下である特許請求の範囲第1項から第4項までのいずれ
かに記載のセラミック配線基板の製法。
(5) The method for manufacturing a ceramic wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the oxygen content of the non-oxidizing atmosphere is 2000 ppm or less.
(6)加熱焼成温度が900〜1300℃である特許請
求の範囲第1項から第5項までのいずれかに記載のセラ
ミック配線基板の製法。
(6) The method for manufacturing a ceramic wiring board according to any one of claims 1 to 5, wherein the heating and firing temperature is 900 to 1300°C.
JP11357585A 1985-05-27 1985-05-27 Making of ceramic wiring substrate Pending JPS61271895A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11357585A JPS61271895A (en) 1985-05-27 1985-05-27 Making of ceramic wiring substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11357585A JPS61271895A (en) 1985-05-27 1985-05-27 Making of ceramic wiring substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61271895A true JPS61271895A (en) 1986-12-02

Family

ID=14615714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11357585A Pending JPS61271895A (en) 1985-05-27 1985-05-27 Making of ceramic wiring substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61271895A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4850105A (en) * 1987-07-04 1989-07-25 Horiba, Ltd. Method of taking out lead of semiconductor tip part

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167094A (en) * 1983-03-12 1984-09-20 松下電工株式会社 Method of producing circuit board

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167094A (en) * 1983-03-12 1984-09-20 松下電工株式会社 Method of producing circuit board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4850105A (en) * 1987-07-04 1989-07-25 Horiba, Ltd. Method of taking out lead of semiconductor tip part

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4404237A (en) Fabrication of electrical conductor by replacement of metallic powder in polymer with more noble metal
JP2007201346A (en) Ceramics circuit board and its manufacturing method
JP4456612B2 (en) Copper conductor paste, conductor circuit board and electronic components
JPS60500837A (en) thick film resistor circuit
JPS6317357B2 (en)
JP4495740B2 (en) Copper conductor paste, conductor circuit board and electronic components
KR100585909B1 (en) Thick Film Conductor Compositions for Use on Aluminum Nitride Substrates
JPS61271895A (en) Making of ceramic wiring substrate
JPH10283840A (en) Copper conductor paste for aluminum nitride board, and aluminum nitride board
JP3798979B2 (en) Conductive paste and use thereof
JPS62189792A (en) Manufacture of ceramic wiring board
JPS61271896A (en) Making of ceramic wiring substrate
JPH08167768A (en) Forming method for circuit pattern, and paste used therefor
JPS6314877B2 (en)
JP3265968B2 (en) Electrode of glass ceramic substrate and method for forming the same
JPS63283184A (en) Circuit substrate covered with conductor composition
JPH0693307A (en) Thick-film copper conductor paste composition capable of being plated
JPH0227832B2 (en) SERAMITSUKUSUKIBAN
JPS58107605A (en) Method of producing chip resistor
IE52134B1 (en) Thick film conductor compositions
JPS62237605A (en) Thick film paste
JPS6278179A (en) Electroless plating process for ceramic circuit substrate
JPS59167094A (en) Method of producing circuit board
JPS61140195A (en) Making of ceramic wiring board
JP2614147B2 (en) Organometallic conductor composition