JPH0693307A - Thick-film copper conductor paste composition capable of being plated - Google Patents

Thick-film copper conductor paste composition capable of being plated

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JPH0693307A
JPH0693307A JP24469592A JP24469592A JPH0693307A JP H0693307 A JPH0693307 A JP H0693307A JP 24469592 A JP24469592 A JP 24469592A JP 24469592 A JP24469592 A JP 24469592A JP H0693307 A JPH0693307 A JP H0693307A
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雅利 末廣
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Abstract

PURPOSE:To producers a thick-film copper conductor composition which is fixed to an inorg. dielectric by baking and then plated by inorg. powders of specified composition and an org. vehicle in a specified ratio. CONSTITUTION:70-90 pts.wt. of the inorg. powder consisting of 100 pts.wt. of copper powder, 3-10 pts.wt. of a glass frit consisting of PbO, SiO2k B2O3 and an alkali metal oxide, 0.1-3 pts.wt. of titanium oxide powder and 0.5-3 pts.wt. of zinc oxide powder and 5-30 pts.wt. of an org. vehicle are mixed to prepare a thick-film copper conductor paste composition. The alkali metal oxides are at least one kind among Li2O, Na2O and K2O, and the content is controlled to 0.5-10 pts.wt. The glass frit consists of 50-70 pts.wt. of PbO, 20-40 pts.wt. of SiO2 and 5-15 pts.wt. of B2O3. The composition thus obtained is sintered to an inorg. dielectric of alumina, etc., by baking and then electroless-plated or electroplated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメッキ付け可能な厚膜銅
導体ペースト組成物に関し、詳しくはアルミナなどの無
機誘電体に焼き付けた後、その焼成銅導体上に無電解メ
ッキあるいは電解メッキが可能であり、さらにメッキ後
の無機誘電体と焼成銅導体とが優れた密着性を有する、
メッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film copper conductor paste composition which can be plated, and more specifically, it can be electrolessly or electrolytically plated on the fired copper conductor after being baked on an inorganic dielectric such as alumina. In addition, the inorganic dielectric after plating and the fired copper conductor have excellent adhesion,
The present invention relates to a thick film copper conductor paste composition that can be plated.

【0002】[0002]

【従来の技術】厚膜導体組成物は、導電性金属および無
機バインダーが微粉末状で有機媒体中に分散し、さらに
必要に応じて他の添加剤が配合されたもので、厚膜導体
はハイブリッド回路を始めとする種々の電子部品構成材
料として使用されている。この導体に対しては、電気伝
導性、半田濡れ性、耐半田溶解性および基板に対する接
着性などが要求されており、この要求特性に応じて各種
の添加剤が選択使用されている。
2. Description of the Related Art A thick film conductor composition is a composition in which a conductive metal and an inorganic binder are dispersed in the form of fine powder in an organic medium and, if necessary, other additives are added. It is used as a material for various electronic components including hybrid circuits. This conductor is required to have electrical conductivity, solder wettability, solder dissolution resistance, and adhesion to a substrate, and various additives are selected and used according to the required characteristics.

【0003】さて、銅を導電性金属として用いる厚膜導
体は、金、銀、白金、パラジウムなどの高価な貴金属を
導電性金属とする厚膜導体のコストを低減させるという
目的で導入されたが、最近になって銅自身のもつ特性、
特に高周波特性が着目され、種々の方法で各方面に応用
されている。
A thick film conductor using copper as a conductive metal was introduced for the purpose of reducing the cost of a thick film conductor using an expensive precious metal such as gold, silver, platinum, or palladium as a conductive metal. , The characteristics of copper itself recently
In particular, high frequency characteristics have been paid attention to and applied to various fields by various methods.

【0004】ところが、銅を導電性金属として用いた場
合、従来の金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属を用
いた厚膜導体に比べて不都合な点がある。例えば、銅を
焼き付けた基板は空気中で容易に銅表面が酸化されやす
く、そのため半田濡れ性が悪くなったり、金線やアルミ
ニウム線のワイヤーボンディングが難しくなっりするこ
とがある。これらの問題を回避する方策として、銅導体
上に酸化されにくいメッキを施すことが考えられるが、
従来の銅導体ペーストでは、メッキ時のメッキ液により
銅導体と無機誘電体との接着性が大きく劣化した。
However, when copper is used as a conductive metal, there is a disadvantage in comparison with conventional thick film conductors using noble metals such as gold, silver, platinum and palladium. For example, the surface of a copper-baked substrate is easily oxidized in the air, which may deteriorate solder wettability and make it difficult to wire bond gold or aluminum wires. As a measure to avoid these problems, it is conceivable to apply a plating that is difficult to oxidize on the copper conductor.
In the conventional copper conductor paste, the adhesion between the copper conductor and the inorganic dielectric material was significantly deteriorated by the plating solution during plating.

【0005】この厚膜銅導体ペースト組成物に関して
は、トレプトー(Treptow) の米国特許第2993815
号には、「5〜50重量部の銅または酸化銅および1重
量部の還元抵抗性ガラスフリットからなり、500〜1
050℃で2段階焼成して銅導体層を形成するプリント
回路用導体組成物」が開示され、フリードマン(Friedma
n)の米国特許第3647532号には、「酸化カドミウ
ムを含むホウケイ酸鉛ガラスをバインダーとする銅、ガ
ラス組成物」が開示され、ホフマン(Hoffman) の米国特
許第4070518号には、「特に誘電体上で使用する
85〜97重量部の銅粉末と、3〜15重量部のCd、
Biを含まないアルミナホウ酸ガラスフリットからなる
導体組成物」が開示され、グリエル(Grier) 等の米国特
許第4072771号には、「表面を予備酸化した銅粉
とアルミナホウケイ酸鉛ガラスからなり、酸化銅は固形
分の1〜5重量部であり、ガラスフリットは固形分の1
〜10重量部である導体組成物」が開示されている。
Regarding this thick film copper conductor paste composition, US Pat. No. 2,993,815 to Treptow is incorporated.
No. 5-100 parts by weight of copper or copper oxide and 1 part by weight of reduction resistant glass frit, 500-1
A conductor composition for a printed circuit, which is formed by two-step firing at 050 ° C. to form a copper conductor layer, is disclosed by Friedma.
n) U.S. Pat. No. 3,647,532 discloses "copper, glass compositions with lead borosilicate glass containing cadmium oxide as a binder", and Hoffman U.S. Pat. 85-97 parts by weight of copper powder used on the body and 3-15 parts by weight of Cd,
A conductor composition comprising a Bi-free alumina borate glass frit is disclosed, and US Pat. No. 4,072,771 to Grier et al. Describes "a surface-preoxidized copper powder and lead alumina borosilicate glass. Copper is 1 to 5 parts by weight of solid content, and glass frit is 1 of solid content.
10 parts by weight of the conductor composition "is disclosed.

【0006】また、ミッチェル(Mitchell)の米国特許第
4182919号には、「銅86〜97重量部、酸化銅
1〜7重量部および少なくとも75重量部の酸化ビスマ
スを含むガラスフリット1〜7重量部からなる導体組成
物」が開示され、プロバンス(Provance)の米国特許第4
322316号には、「ホウ素7〜27重量部、ガラス
フリット0〜35重量部、残部酸化銅からなる導体組成
物」が開示され、レリック(Rellick) の米国特許第43
23483号には、「銅、酸化銅、酸化鉛およびビスマ
ス酸化物からなり、ガラスフリットを必要としない導体
組成物」が開示され、シウタ(Siuta) 等の米国特許第4
521329号には、「酸化物被覆を有する銅粉末と3
00〜700℃の軟化点を持つ無機バインダーからなる
導体組成物」が開示され、さらに、マコーミック(MaCor
mick) 等のヨーロッパ特許第0068167号には、
「銅65〜80重量部、酸化銅0〜6重量部およびBi
を含まない低軟化点ガラス3〜8重量部からなる導体組
成物」が開示されている。上記したように、銅導体組成
物に関する多数の文献が公知であるが、いずれも銅導体
上へのメッキ付けに関しては考慮されていない。
Also, US Pat. No. 4,182,919 to Mitchell, states, "86-97 parts by weight of copper, 1-7 parts by weight of copper oxide and 1-7 parts by weight of a glass frit containing at least 75 parts by weight of bismuth oxide. "A conductor composition comprising" is disclosed in Provance U.S. Pat.
No. 322316 discloses "a conductor composition consisting of 7 to 27 parts by weight of boron, 0 to 35 parts by weight of glass frit, and the balance copper oxide", and U.S. Pat. No. 43 of Relic.
23483 discloses "a conductor composition consisting of copper, copper oxide, lead oxide and bismuth oxide, which does not require a glass frit", US Pat. No. 4 to Siuta et al.
No. 521329, "Copper powder with oxide coating and 3
A conductor composition comprising an inorganic binder having a softening point of 00 to 700 ° C. ”is disclosed.
mick) et al in European Patent No. 0068167
"65-80 parts by weight of copper, 0-6 parts by weight of copper oxide and Bi
A conductor composition comprising 3 to 8 parts by weight of a low softening point glass, which does not contain ". As mentioned above, many documents are known about copper conductor compositions, but none of them considers plating on copper conductors.

【0007】一方、厚膜ペースト上へのメッキに関して
は、例えば、特開昭56−125889号には、「耐熱
性絶縁基板上へPd、Pt化合物を含むペーストを塗
布、焼成後、Ni、CuまたはCoを無電解メッキする
ことで回路を形成する方法」が開示され、また厚膜印刷
基板の製造法に関し、特開平3−124091号には、
「アルミナセラミック基板に銅ペーストを印刷し、焼成
した銅厚膜の電極部に無電解メッキ法でNi−Au層を
設ける方法」が開示され、さらに、特開平3−1756
89号には、「導体パターン上にNiまたはCoを含有
する物質よりなるメッキ層を無電解メッキにて形成し、
厚膜回路基板を得る方法」が開示されている。このよう
に、導体上へ無電解メッキでメッキ層を形成する方法が
各種提案されているが、本発明に関連のある銅導体ペー
ストの組成に関しては開示されていない。
On the other hand, regarding plating on a thick film paste, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 56-125889 describes "Ni, Cu after applying a paste containing a Pd, Pt compound on a heat-resistant insulating substrate and firing it. Or a method of forming a circuit by electroless plating of Co ", and also relates to a method of manufacturing a thick film printed circuit board.
"A method of printing a copper paste on an alumina ceramic substrate and providing a Ni-Au layer on an electrode portion of a fired copper thick film by an electroless plating method" is further disclosed.
No. 89, "A plating layer made of a substance containing Ni or Co is formed on the conductor pattern by electroless plating,
A method of obtaining a thick film circuit board "is disclosed. Thus, various methods for forming a plating layer on a conductor by electroless plating have been proposed, but the composition of the copper conductor paste related to the present invention is not disclosed.

【0008】以上詳述したように、メッキが可能な銅導
体ペースト組成物に関する有用な技術は開示されていな
い。
As detailed above, there is no disclosure of a useful technique relating to a copper conductor paste composition which can be plated.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状に鑑みてなされたものであって、その目的は、焼成さ
れた銅導体上に無電解あるいは電解によるメッキ処理を
行った後においても無機誘電体との間で接着強度の劣化
の少ないメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to perform electroless or electrolytic plating treatment on a fired copper conductor. It is intended to provide a thick film copper conductor paste composition which can be plated with an inorganic dielectric material with less deterioration in adhesive strength.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者は種々検討を重ねた結果、ガラスフリットと
して特定成分のものを使用し、さらに酸化チタン粉末と
酸化亜鉛粉末を併用することで、メッキ後の無機誘電体
との接着強度の強い厚膜銅導体ペースト組成物を得るに
至ったのである。
In order to achieve the above object, the present inventor has conducted various studies, and as a result, uses a glass frit having a specific component and further using a titanium oxide powder and a zinc oxide powder in combination. Thus, a thick film copper conductor paste composition having a high adhesive strength with the plated inorganic dielectric has been obtained.

【0011】すなわち、本発明の要旨は、下記配合の無
機粉末70〜95重量部と有機ビヒクル5〜30重量部
からなるメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物に
ある。この無機粉末は、「銅粉末100重量部」と「P
bOとSiO2 とB2 3 とアルカリ金属酸化物からな
るガラスフリット3〜10重量部」と「酸化チタン粉末
0.1〜3重量部」と「酸化亜鉛粉末0.5〜3重量
部」からなるものであり、上記アルカリ金属酸化物と
は、Li2 O、Na2 OおよびK2 Oのうちの1種以上
からなるものをいう。
That is, the gist of the present invention is a thick film copper conductor paste composition which can be plated and which comprises 70 to 95 parts by weight of an inorganic powder having the following composition and 5 to 30 parts by weight of an organic vehicle. This inorganic powder contains "100 parts by weight of copper powder" and "P
Glass frit composed of bO, SiO 2 , B 2 O 3 and alkali metal oxide 3 to 10 parts by weight, “titanium oxide powder 0.1 to 3 parts by weight” and zinc oxide powder 0.5 to 3 parts by weight. The above-mentioned alkali metal oxide means one composed of at least one of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O.

【0012】ガラスフリット中の各無機物の配合として
は、PbO50〜70重量部、SiO2 20〜40重量
部、B2 3 5〜15重量部およびアルカリ金属酸化物
のうちの1種以上のもの0.5〜10重量部であるのが
好ましい。更に、Al2 3、CaO、MgO、Zn
O、BaOおよびSrOのうちの1種以上のものを必要
に応じて10重量部以下の範囲内で添加することができ
る。
The blending of each inorganic substance in the glass frit is one or more of PbO 50 to 70 parts by weight, SiO 2 20 to 40 parts by weight, B 2 O 3 5 to 15 parts by weight and alkali metal oxides. It is preferably 0.5 to 10 parts by weight. Furthermore, Al 2 O 3 , CaO, MgO, Zn
One or more of O, BaO, and SrO can be added within the range of 10 parts by weight or less, if necessary.

【0013】また、酸化チタン粉末としては、ルチル
型、ブルッカイト型またはアナターゼ型構造のものが知
られているが、これら結晶構造のうちどの構造のものを
用いてもよく、また2種以上を用いることもできる。
As the titanium oxide powder, rutile type, brookite type or anatase type structures are known, but any one of these crystal structures may be used, and two or more types are used. You can also

【0014】本発明でいう銅粉末とは、平均粒径が0.
5〜10μm、タップ密度が2〜5g/cm3 のものを指
しており、粉末形状は球状、フレーク状、樹脂状のいず
れでもよい。また、自然環境下で銅粉表面が酸化される
程度の酸素を含有してもよく、その量は銅粉中の酸素含
有量として1重量%以下である。
The copper powder referred to in the present invention has an average particle size of 0.
The powder shape is 5 to 10 μm and the tap density is 2 to 5 g / cm 3 , and the powder shape may be spherical, flake or resin. Further, oxygen may be contained to such an extent that the surface of the copper powder is oxidized under a natural environment, and the amount thereof is 1% by weight or less as the oxygen content in the copper powder.

【0015】また、有機ビヒクルとは、エチルセルロー
ス、(メタ)アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等をブチ
ルカルビトールアセテート、ターピネオール等の樹脂成
分を溶解することのできる溶媒で溶解したものを指し、
当業界で一般に使用されているものを使用できる。
The organic vehicle refers to one obtained by dissolving ethyl cellulose, (meth) acrylic resin, polyester resin or the like in a solvent capable of dissolving a resin component such as butyl carbitol acetate or terpineol,
What is generally used in this industry can be used.

【0016】本発明のメッキ付け可能な厚膜銅導体組成
物は、撹拌混合機を用いて混練したのち3本ロールミル
で分散安定化させ、ペースト状とすることができる。こ
のペースト組成物は無機誘電体上にスクリーン印刷、転
写印刷、ディッピング、またはディスペンサー塗布等の
適宜な方法によって塗工することができる。次いで、ペ
ーストを塗布した無機誘電体を100〜200℃の温度
で乾燥後、850〜1060℃の温度範囲内で焼成する
ことができる。焼成雰囲気は、非酸化性が好ましく、N
2 またはAr等の不活性雰囲気を採用することができ
る。なお、有機樹脂の燃焼促進のため系内に少量の酸素
を含有することが好ましい。
The plateable thick film copper conductor composition of the present invention can be kneaded by using a stirring mixer and then dispersed and stabilized by a three-roll mill to form a paste. This paste composition can be applied onto the inorganic dielectric by a suitable method such as screen printing, transfer printing, dipping, or dispenser application. Then, the paste-applied inorganic dielectric can be dried at a temperature of 100 to 200 ° C. and then fired within a temperature range of 850 to 1060 ° C. The firing atmosphere is preferably non-oxidizing and N
An inert atmosphere such as 2 or Ar can be employed. In addition, it is preferable that a small amount of oxygen is contained in the system in order to promote combustion of the organic resin.

【0017】上記ペースト化工程において、ぺーストの
性状をコントロールするため、メッキ付け可能な厚膜銅
導体組成物の特性を損なわない限りにおいて、界面活性
剤、可塑剤等を配合することが可能である。
In the pasting step, in order to control the properties of the paste, it is possible to add a surfactant, a plasticizer or the like as long as the characteristics of the thick film copper conductor composition which can be plated are not impaired. is there.

【0018】また、無機誘電体としては、ハイブリッド
ICやセラミックパッケージ等に使用されているアルミ
ナ基板、窒化アルミニウム基板、ホーロー基板の他に低
温で焼成可能なガラス−セラミック基板などを挙げるこ
とができる。さらに、セラミックコンデンサーや高周波
用途の基板材料、フェライト基板等のセラミック基板を
使用することが可能である。
Examples of the inorganic dielectrics include alumina substrates, aluminum nitride substrates, enamel substrates used in hybrid ICs and ceramic packages, and glass-ceramic substrates that can be fired at low temperatures. Furthermore, it is possible to use a ceramic capacitor, a substrate material for high frequency applications, or a ceramic substrate such as a ferrite substrate.

【0019】[0019]

【作用】本発明によれば、無機誘電体上に本発明のペー
ストを塗布焼成することによって、無電解メッキあるい
は電解メッキを施した後も無機誘電体と銅導体との密着
性は十分に確保され、信頼性のある回路または電極を得
ることができる。
According to the present invention, the paste of the present invention is applied and fired on the inorganic dielectric so that the adhesiveness between the inorganic dielectric and the copper conductor is sufficiently secured even after electroless plating or electrolytic plating. It is possible to obtain a reliable circuit or electrode.

【0020】本発明において各成分の配合量を限定した
理由は以下に示す通りである。 (無機粉末の組成) 『ガラスフリット』 ガラスフリットの配合量が3重
量部未満では、無機誘電体との密着性が不十分であり、
一方、その配合量が10重量部を超えると、銅ペースト
を塗布した無機誘電体を焼成するときにガラスが銅導体
表面にブリードアウトし、その結果メッキ付け時にメッ
キ金属と銅導体の表面銅とが十分結合せず、密着性が弱
くなる。 『酸化チタン粉末』 酸化チタン粉末が0.1重量部
未満では、メッキ時の接着強度の劣化が著しく、一方、
酸化チタン粉末が3重量部を超えると、メッキ金属と銅
導体との密着性が低下する。 『酸化亜鉛粉末』 酸化亜鉛粉末についても本発明の
範囲内で配合することで、酸化チタン粉末と同様の効果
があり、両者を併用することで相乗効果が期待できる。
The reasons for limiting the blending amount of each component in the present invention are as follows. (Composition of inorganic powder) "Glass frit" When the amount of glass frit is less than 3 parts by weight, the adhesion with the inorganic dielectric is insufficient,
On the other hand, if the blending amount exceeds 10 parts by weight, the glass bleeds out on the surface of the copper conductor when firing the inorganic dielectric material coated with the copper paste, and as a result, the plated metal and the surface copper of the copper conductor during plating. Does not bond well, resulting in poor adhesion. "Titanium oxide powder" When the titanium oxide powder is less than 0.1 parts by weight, the adhesive strength during plating is significantly deteriorated.
If the titanium oxide powder exceeds 3 parts by weight, the adhesion between the plated metal and the copper conductor will deteriorate. “Zinc oxide powder” By blending zinc oxide powder within the scope of the present invention, the same effect as titanium oxide powder can be obtained, and a synergistic effect can be expected by using both in combination.

【0021】(ガラスフリットの組成) 『PbO』 PbOはガラスの軟化温度を決定する重
要な成分であり、PbOが50重量部未満では、ガラス
の軟化温度が高くなり無機誘電体との密着性が十分でな
くなる。一方、PbOが70重量部を超えると、メッキ
時にPbOが還元されてガラスの破壊につながり、無機
誘電体との密着性が劣化する。
(Composition of glass frit) "PbO" PbO is an important component for determining the softening temperature of glass, and when PbO is less than 50 parts by weight, the softening temperature of glass becomes high and the adhesion to the inorganic dielectric is high. Will not be enough. On the other hand, if the amount of PbO exceeds 70 parts by weight, PbO is reduced at the time of plating, which leads to breakage of the glass and the adhesion with the inorganic dielectric is deteriorated.

【0022】『SiO2 』 SiO2 はメッキ液によ
るガラスの侵食をくい止める効果があり、そのために
は、20重量部以上必要であるが、40重量部を超える
と軟化点が高くなり過ぎてガラスとしての作用を示さな
くなる。
[SiO 2 ] SiO 2 has the effect of stopping the erosion of the glass by the plating solution, and for that purpose, 20 parts by weight or more is necessary, but if it exceeds 40 parts by weight, the softening point becomes too high and the glass becomes glass. No longer shows the effect of.

【0023】『B2 3 』 B2 3 はガラスの融剤
としての役目を持っているが、多過ぎるとメッキ液に侵
食されやすくなり、少な過ぎるとガラスの軟化温度を上
げて無機誘電体との密着性向上に対する効果が期待でき
ない。そこで、B2 3 は5〜15重量部配合するのが
好ましい。
"B 2 O 3 " B 2 O 3 has a role as a flux for glass, but if it is too much, it is easily corroded by the plating solution, and if it is too little, the softening temperature of the glass is raised to increase the inorganic dielectric. The effect of improving the adhesion to the body cannot be expected. Therefore, it is preferable to add 5 to 15 parts by weight of B 2 O 3 .

【0024】『アルカリ金属酸化物』 アルカリ金属
酸化物はガラスの軟化点とガラスの流動化を促進するも
のであるが、多くなり過ぎるとメッキ液による侵食が大
きくなり、少な過ぎるとガラスの流動化が起こりにくく
なる。そこで、0.5〜10重量部配合するのが好まし
い。なお、Al2 3 、CaO、MgO、ZnO、Ba
OおよびSrO等も10重量部以下の範囲内で添加する
ことにより、アルカリ金属酸化物と同様の効果が期待で
きる。
"Alkali Metal Oxide" Alkali metal oxide promotes the softening point of glass and the fluidization of glass, but if too much, corrosion by the plating solution becomes large, and if too little, fluidization of glass occurs. Is less likely to occur. Therefore, it is preferable to add 0.5 to 10 parts by weight. Al 2 O 3 , CaO, MgO, ZnO, Ba
By adding O and SrO in the range of 10 parts by weight or less, the same effect as that of the alkali metal oxide can be expected.

【0025】(有機ビヒクル)無機粉末70〜95重量
部に対して有機ビヒクル5重量部未満では、ペースト化
に際しペースト状とするのが困難で、一方、有機ビヒク
ルが30重量部を超えると、焼成後の銅導体がポーラス
となってメッキ液の銅導体への侵食を大幅に助長し、密
着性を劣化させる。
(Organic Vehicle) If the amount of the organic vehicle is less than 5 parts by weight with respect to 70 to 95 parts by weight of the inorganic powder, it is difficult to prepare a paste when forming the paste, while if the amount of the organic vehicle exceeds 30 parts by weight, it is baked. The subsequent copper conductor becomes porous, which greatly promotes the erosion of the plating solution to the copper conductor and deteriorates the adhesion.

【0026】[0026]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例により何等限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0027】本実施例においては、以下の表1に示すよ
うに、銅粉としてはA、Bの2種類を使用し、ガラスフ
リットとしては以下の表2に示す3種類のもの(C、
D、E)を使用した。表2において、配合量は重量部を
示す。
In this example, as shown in Table 1 below, two types of copper powders A and B were used, and three types of glass frit (C,
D, E) were used. In Table 2, the blending amount is part by weight.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】そして、以下の表3に示すように配合した
ものを混合撹拌機にて予備混練した後、3本ロールミル
で均一に分散させてペーストを作製した。これらの各ペ
ーストを同表に示す材質の基板に同表記載の各塗布方法
で塗布し、120℃で10分間乾燥した。次いで、この
各基板を、5ppmの酸素を含有する窒素雰囲気、ピー
ク温度900℃、インアウト60分の条件のベルト式焼
成炉で焼成した。そして、焼成した基板をまず溶剤で脱
脂し、次いでアルカリ脱脂および酸洗を行い、表面が清
浄にされたものについて、表3記載のようにメッキを行
った。メッキ条件は、無電解NiおよびAuメッキの場
合、あらかじめPd溶液にて活性化処理を行った後にN
i−P系のメッキ浴中で処理を行い、Niを0.1〜3
μm厚付着させ、さらにその後Auを0.01〜0.1
μm厚付着させた。一方、電解メッキの場合、洗浄工程
は無電解メッキと同一であるが、バレルメッキ法により
Niを1〜5μm厚付着させ、引き続き半田メッキを
0.5〜2μm厚み施した。このようにしてメッキされ
た各基板に対して半田にてワイヤを固定し、ピール法で
引き剥がし強度を測定した。その結果を表3に示す。表
3において、配合量は重量部を示す。
Then, a mixture prepared as shown in Table 3 below was pre-kneaded by a mixing stirrer and then uniformly dispersed by a three-roll mill to prepare a paste. Each of these pastes was applied to a substrate made of the material shown in the table by each coating method described in the table, and dried at 120 ° C for 10 minutes. Next, each of the substrates was fired in a belt-type firing furnace under the conditions of a nitrogen atmosphere containing 5 ppm of oxygen, a peak temperature of 900 ° C., and an in-out time of 60 minutes. Then, the fired substrate was first degreased with a solvent, then alkali degreased and pickled, and the surface-cleaned one was plated as shown in Table 3. In the case of electroless Ni and Au plating, the plating condition is N after performing activation treatment with a Pd solution in advance.
Treatment in an iP type plating bath to add Ni to 0.1-3
to a thickness of μm, and then add 0.01 to 0.1 of Au.
It was deposited in a thickness of μm. On the other hand, in the case of electrolytic plating, the washing process is the same as that in electroless plating, but Ni was deposited by a barrel plating method to a thickness of 1 to 5 μm, and then solder plating was applied to a thickness of 0.5 to 2 μm. The wire was fixed to each of the substrates thus plated with solder, and the peeling strength was measured by the peel method. The results are shown in Table 3. In Table 3, the blending amount is part by weight.

【0031】[0031]

【表3】 [Table 3]

【0032】表3に明らかなように、本実施例に係る厚
膜銅導体ペースト組成物は、メッキ後にも実用上十分な
接着強度を有していることが分かる。
As is apparent from Table 3, the thick film copper conductor paste composition according to this example has a practically sufficient adhesive strength even after plating.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明により、焼成された銅導体上に無
電解あるいは電解によるメッキ処理を行って後において
も、無機誘電体との間で接着強度の劣化の少ないメッキ
可能な厚膜銅導体ペースト組成物を提供することができ
る。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, a thick film copper conductor which can be plated with little deterioration in adhesive strength with an inorganic dielectric even after electroless plating or electrolytic plating is performed on a fired copper conductor. A paste composition can be provided.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記配合の無機粉末70〜95重量部と
有機ビヒクル5〜30重量部からなるメッキ付け可能な
厚膜銅導体ペースト組成物。無機粉末は、「銅粉末10
0重量部」と「PbOとSiO2 とB2 3 とアルカリ
金属酸化物からなるガラスフリット3〜10重量部」と
「酸化チタン粉末0.1〜3重量部」と「酸化亜鉛粉末
0.5〜3重量部」からなるものであり、上記アルカリ
金属酸化物とは、Li2 O、Na2 OおよびK2 Oのう
ちの1種以上からなるものをいう。
1. A plateable thick film copper conductor paste composition comprising 70 to 95 parts by weight of an inorganic powder having the following composition and 5 to 30 parts by weight of an organic vehicle. The inorganic powder is “copper powder 10
0 part by weight "," 3-10 parts by weight of glass frit composed of PbO, SiO 2 , B 2 O 3 and alkali metal oxide "," 0.1-3 parts by weight of titanium oxide powder "and" zinc oxide powder of 0. 5 to 3 parts by weight, and the above-mentioned alkali metal oxide means one composed of one or more of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O.
【請求項2】 ガラスフリットの組成が、PbO50〜
70重量部で、SiO2 20〜40重量部で、B2 3
5〜15重量部で、アルカリ金属酸化物のうちの1種以
上のもの0.5〜10重量部であることを特徴とする請
求項1記載のメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成
物。
2. The composition of the glass frit is PbO50-
70 parts by weight, SiO 2 20-40 parts by weight, B 2 O 3
5. The plateable thick film copper conductor paste composition according to claim 1, wherein 5 to 15 parts by weight is 0.5 to 10 parts by weight of one or more kinds of alkali metal oxides.
【請求項3】 酸化チタン粉末が、ルチル型、ブルッカ
イト型またはアナターゼ型のうち1種以上の構造を有す
ることを特徴とする請求項1記載のメッキ付け可能な厚
膜銅導体ペースト組成物。
3. The plateable thick film copper conductor paste composition according to claim 1, wherein the titanium oxide powder has a structure of at least one of rutile type, brookite type and anatase type.
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