JPS612575A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS612575A JPS612575A JP59123225A JP12322584A JPS612575A JP S612575 A JPS612575 A JP S612575A JP 59123225 A JP59123225 A JP 59123225A JP 12322584 A JP12322584 A JP 12322584A JP S612575 A JPS612575 A JP S612575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductor resistance
- thermal head
- common electrode
- heating resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000219122 Cucurbita Species 0.000 description 1
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サーマルヘッドの導電体の形状に関するもの
でアリ、特に印字記録濃度を均一化し、小型化したサー
マルヘッドの提供を目的としたものである。
でアリ、特に印字記録濃度を均一化し、小型化したサー
マルヘッドの提供を目的としたものである。
以下、従来例を図面を参照して説明する。第１図はライ
ンプリンタ用サーマルヘッドの要部平面図例を示す。同
図において、単一のドライバ用ＩＣに接続される発熱抵
抗体Ｒ１−Ｒｍは、共通電極Ｃから短冊形に分岐した導
電体Ｃ１＝ Ｃｍに接続して形成される。抵抗体の他端
には多数の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍが接続され、これらの
個別導電体はＩＣのボンディング端子Ｔ１〜Ｔｍまで延
長して形成される。個別導電体上には、絶縁層を介して
破線で示すＩＣが搭載される。また所望によりボンディ
ング端子の外側には記録電流を接地するための端子Ｇ及
び導体ＰＧが設けられる。本構造を基本形として基板上
に多数配置したものがラインプリンタ用サーマルヘッド
である。
ンプリンタ用サーマルヘッドの要部平面図例を示す。同
図において、単一のドライバ用ＩＣに接続される発熱抵
抗体Ｒ１−Ｒｍは、共通電極Ｃから短冊形に分岐した導
電体Ｃ１＝ Ｃｍに接続して形成される。抵抗体の他端
には多数の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍが接続され、これらの
個別導電体はＩＣのボンディング端子Ｔ１〜Ｔｍまで延
長して形成される。個別導電体上には、絶縁層を介して
破線で示すＩＣが搭載される。また所望によりボンディ
ング端子の外側には記録電流を接地するための端子Ｇ及
び導体ＰＧが設けられる。本構造を基本形として基板上
に多数配置したものがラインプリンタ用サーマルヘッド
である。
さて、総抵抗体本数が１７２８本であ抄、解像度が８本
／ＷであるＡ４版サすマルヘッドｔ’−例トして説明す
る。単一のＩＣが３２本の抵抗体を駆動する場合（即ち
ｍ＝３２）には、該ＩＣは４．０＋ｍのピッチで合計５
４個基板上に配置される。また、ｍ＝６４の場合には、
ＩＣは８．０鱈のピッチで合計２７個基板上に配置され
る。
／ＷであるＡ４版サすマルヘッドｔ’−例トして説明す
る。単一のＩＣが３２本の抵抗体を駆動する場合（即ち
ｍ＝３２）には、該ＩＣは４．０＋ｍのピッチで合計５
４個基板上に配置される。また、ｍ＝６４の場合には、
ＩＣは８．０鱈のピッチで合計２７個基板上に配置され
る。
ここでｍ＝３２とし、抵抗体Ｒ□〜Ｒｍのパタン幅を各
＆０．１１５＋ｗ＋とし、抵抗体の間隔を０． ＯＩ’
ｍとすると、（ａ）で示す距離は３．９９ｍ となる
。また共通電極Ｃから分離した短冊形導電体ＣＩ ＝Ｃ
ｍの長さ伽）は一般には３−ｍ程度であり、申）で示す
距離は隣接したＩＣのボンディング端子との間隔を０．
１瓢とすると、３９０調となる。ところでボンディング
端子Ｔ Ｉ ＝Ｔｍ ＪＤ寸法（ｔ）として、望ましく
は０．５閣が必要とされるので、（Ｓ）で示す領域の個
別導電体Ｌ１〜Ｌｍのパタン幅は（３，９ｍ ０．５
ｍｍＸ２）÷３２キ０．０９１ｗ以下となる。即ちパタ
ン間隔ｔ−０，０１鱈とすれば、パタン幅は凡そ０．０
８ｍ となり、抵抗体Ｒ１〜’Ｒｍと接する領域の個
別導電体幅０．１１５−の７０％程度となる。ボンディ
ング端子Ｔｐｔ”Ｔｘａ。
＆０．１１５＋ｗ＋とし、抵抗体の間隔を０． ＯＩ’
ｍとすると、（ａ）で示す距離は３．９９ｍ となる
。また共通電極Ｃから分離した短冊形導電体ＣＩ ＝Ｃ
ｍの長さ伽）は一般には３−ｍ程度であり、申）で示す
距離は隣接したＩＣのボンディング端子との間隔を０．
１瓢とすると、３９０調となる。ところでボンディング
端子Ｔ Ｉ ＝Ｔｍ ＪＤ寸法（ｔ）として、望ましく
は０．５閣が必要とされるので、（Ｓ）で示す領域の個
別導電体Ｌ１〜Ｌｍのパタン幅は（３，９ｍ ０．５
ｍｍＸ２）÷３２キ０．０９１ｗ以下となる。即ちパタ
ン間隔ｔ−０，０１鱈とすれば、パタン幅は凡そ０．０
８ｍ となり、抵抗体Ｒ１〜’Ｒｍと接する領域の個
別導電体幅０．１１５−の７０％程度となる。ボンディ
ング端子Ｔｐｔ”Ｔｘａ。
ＴｇをＴ１７．ＴｍをＴ３２とすると、導電体幅の狭い
領域Ｃ８）はＴ１６及びＴ１７が最も長く、Ｔｌ及びＴ
１２が最も短かくなり、従ってＬｌ、 Ｌ３□の導体抵
抗はＬ□６゜Ｌｌ７の導体抵抗よりも数オーム程低い値
となる。
領域Ｃ８）はＴ１６及びＴ１７が最も長く、Ｔｌ及びＴ
１２が最も短かくなり、従ってＬｌ、 Ｌ３□の導体抵
抗はＬ□６゜Ｌｌ７の導体抵抗よりも数オーム程低い値
となる。
例えば、ここで導体抵抗の差’ｆｉ−５０とし、Ｒ１〜
Ｒｍの抵抗値に３００Ωとすると、電源電圧１２Ｖの定
格動作において５Ωの抵抗偏差は０．０１ｗ の電力
偏差となり、サーマルヘッドの印字記録濃度に周期性の
濃度偏差をもたらす。即ち５４個のｉｃの端部Ｔｐ、Ｔ
ｇに相当する部分に接続された抵抗体によって記録され
た印字濃度は最も低く、ＴＩ、’ｌ１ｍに相当する部分
に接続された抵抗体によって記録された印字濃度は最も
高くなる。
Ｒｍの抵抗値に３００Ωとすると、電源電圧１２Ｖの定
格動作において５Ωの抵抗偏差は０．０１ｗ の電力
偏差となり、サーマルヘッドの印字記録濃度に周期性の
濃度偏差をもたらす。即ち５４個のｉｃの端部Ｔｐ、Ｔ
ｇに相当する部分に接続された抵抗体によって記録され
た印字濃度は最も低く、ＴＩ、’ｌ１ｍに相当する部分
に接続された抵抗体によって記録された印字濃度は最も
高くなる。
このような欠点を除去する手法として、例えば特願昭５
８−１８５４２８にある如く、導電体ＬＸ−Ｌｍの導体
抵抗を均一化する方法が一般に用いられる。
８−１８５４２８にある如く、導電体ＬＸ−Ｌｍの導体
抵抗を均一化する方法が一般に用いられる。
即ち、抵抗体Ｒｚ−Ｒｍに接続される個別導電体Ｌｌ〜
ＬｍのＩＣ搭載部側に、抵抗部と接するパタン ′幅（
例えば、引例した０、１１５ｍ）よりも小さい幅の導体
抵抗補正領域（ロ））を設けるものであり、ω）の領域
のパタン幅は例えば前記引例の０．０８ ｖｍ’とする
ことができる。この（ｎ）の領域を、例えばＴ１″及び
Ｔｍの場合には最も長くとり、Ｔ１またはＴｍからＴｐ
またはＴｇ に近づくにつれて順次単調に短が＜Ｌ、
Ｔｐ及びＴｇ の場合には最も短かくとることにより
、個別導電体Ｌ１〜Ｌｍの導体抵抗偏差を１Ω以下と均
一化することができる。
ＬｍのＩＣ搭載部側に、抵抗部と接するパタン ′幅（
例えば、引例した０、１１５ｍ）よりも小さい幅の導体
抵抗補正領域（ロ））を設けるものであり、ω）の領域
のパタン幅は例えば前記引例の０．０８ ｖｍ’とする
ことができる。この（ｎ）の領域を、例えばＴ１″及び
Ｔｍの場合には最も長くとり、Ｔ１またはＴｍからＴｐ
またはＴｇ に近づくにつれて順次単調に短が＜Ｌ、
Ｔｐ及びＴｇ の場合には最も短かくとることにより
、個別導電体Ｌ１〜Ｌｍの導体抵抗偏差を１Ω以下と均
一化することができる。
しかしながらｍ＝６４．即ち単一のＩＣが６４本の抵抗
体を駆動する場合には、（ｎ）で示す寸法が長くなり、
ひいてはサーマルヘッドの基板中が広くなり、製造され
るサーマルヘッドは原価高となるものであった。例えば
、隣接した抵抗体間の（ｎ）の寸法差ｋ ０．３ ｍと
すると、ｍ＝３２の場合の（ｎ）寸法は０．３ｗｎＸ
（３２／ ２ １ ）＃４．５■程度となるのに対し、
ｍ＝６４の場合の（ｎ）寸法は０．３ ＋ｏ＋Ｘ （６
４／ ２−１）＃９．３＋ｇｍ程度と大巾に広くなるも
のであり、製造されるサーマルヘッドの幅寸法は実質上
導体抵抗補正領域の長さによって制限されるものであっ
た。
体を駆動する場合には、（ｎ）で示す寸法が長くなり、
ひいてはサーマルヘッドの基板中が広くなり、製造され
るサーマルヘッドは原価高となるものであった。例えば
、隣接した抵抗体間の（ｎ）の寸法差ｋ ０．３ ｍと
すると、ｍ＝３２の場合の（ｎ）寸法は０．３ｗｎＸ
（３２／ ２ １ ）＃４．５■程度となるのに対し、
ｍ＝６４の場合の（ｎ）寸法は０．３ ＋ｏ＋Ｘ （６
４／ ２−１）＃９．３＋ｇｍ程度と大巾に広くなるも
のであり、製造されるサーマルヘッドの幅寸法は実質上
導体抵抗補正領域の長さによって制限されるものであっ
た。
従って本発明は上記の欠点を除去するためなされたもの
であり、導電体Ｌ １−Ｌ ｍの導体抵抗を均一化し、
もってサーマルヘッドの記録印字濃度を均一化するとと
もに、小型で廉価なサーマルヘッドを提供するものであ
る。
であり、導電体Ｌ １−Ｌ ｍの導体抵抗を均一化し、
もってサーマルヘッドの記録印字濃度を均一化するとと
もに、小型で廉価なサーマルヘッドを提供するものであ
る。
以下図面にそって本発明の一実施例を説明する。
第２図は抵抗体Ｒ１〜Ｒｍ （ｍ＝ ６４ ）に接続さ
れる個別導電体Ｌ１〜Ｉ、ｍの（ロ）の領域を前記共通
電極から分離した短冊形導電体Ｃ１−ｃｍ部にも設けた
ものである。
れる個別導電体Ｌ１〜Ｉ、ｍの（ロ）の領域を前記共通
電極から分離した短冊形導電体Ｃ１−ｃｍ部にも設けた
ものである。
即ちＩＣ搭載部側の導体抵抗補正領域（ｎ）１ は発
熱抵抗体と接する部分よりもｘｍＴ方の位置（例えば０
，１■）に留め、更に長い距離の導体抵抗補正領域を所
望とする個別導電体に対しては、共通電極から分岐した
短冊形導電体の発熱抵抗体よりも７ｍ上方の位置（例え
ば０．１ｍ ）から共通電極部までの（ｎ）２領域にも
形成するものである。
熱抵抗体と接する部分よりもｘｍＴ方の位置（例えば０
，１■）に留め、更に長い距離の導体抵抗補正領域を所
望とする個別導電体に対しては、共通電極から分岐した
短冊形導電体の発熱抵抗体よりも７ｍ上方の位置（例え
ば０．１ｍ ）から共通電極部までの（ｎ）２領域にも
形成するものである。
例えばｍ＝６４とすると、前記引例の如く導体抵抗補正
領域（ｎ）は９．３ ｍ程度を必要とし、従来のｍ＝３
２の場合よりも４．８−程度長い距離を必要とする。こ
こでＸ ＝ Ｙ ＝ ０．１■とし、ｋ＝３■とすると
、本発明のｍ＝６４のサーマルヘッドは、従来のｍ＝３
２のサーマルヘッドに較べて僅かに４．８−３十〇、Ｉ
Ｘ２ｍ＝２ｗ程度しか幅寸法が広がらないものである。
領域（ｎ）は９．３ ｍ程度を必要とし、従来のｍ＝３
２の場合よりも４．８−程度長い距離を必要とする。こ
こでＸ ＝ Ｙ ＝ ０．１■とし、ｋ＝３■とすると
、本発明のｍ＝６４のサーマルヘッドは、従来のｍ＝３
２のサーマルヘッドに較べて僅かに４．８−３十〇、Ｉ
Ｘ２ｍ＝２ｗ程度しか幅寸法が広がらないものである。
また、本発明を例えば整理番号（未定５９−３−１３届
出）に記述した如く、記録電流接地導電体Ｐｏ’を段階
的にあるいは単調に広くし、相対応してＩＣへのボンデ
ィング端子をＩＣ側へ短かぐ形成する技術と組み合わせ
ると、実に２ｗ程度（ｎ）の領域を短かくすることがで
き、実質的にサーマルヘッドの幅寸法はｍ；３２の場合
と同程度にすることができる。従って本発明のサーマル
ヘッドは小型で安価な而も均一な印字記録濃度を提供で
きるものである。
出）に記述した如く、記録電流接地導電体Ｐｏ’を段階
的にあるいは単調に広くし、相対応してＩＣへのボンデ
ィング端子をＩＣ側へ短かぐ形成する技術と組み合わせ
ると、実に２ｗ程度（ｎ）の領域を短かくすることがで
き、実質的にサーマルヘッドの幅寸法はｍ；３２の場合
と同程度にすることができる。従って本発明のサーマル
ヘッドは小型で安価な而も均一な印字記録濃度を提供で
きるものである。
本発明は、導体幅を小さくして記録の解像度全高めたり
個別導電体あるいは短冊形導電体の膜厚を小さくした場
合、即ち単位長さ当りの導体抵抗が高くなった場合に効
果が顕著となる。
個別導電体あるいは短冊形導電体の膜厚を小さくした場
合、即ち単位長さ当りの導体抵抗が高くなった場合に効
果が顕著となる。
本発明が上記の効果を呈する以上、個別導電体あるいは
短冊形導電体の材質や膜厚、パタン幅、単一のＩＣが駆
動できる抵抗体本数、発熱抵抗体の解像度、短冊形導電
体の長さ、導体抵抗補正領域の長さ及び該領域の個別補
正長等、何ら制約されるものではないことは当然である
。また、本発明のサーマルヘッドの用途も特に限定され
るべきものではなく、ラインヘッド、シリアルヘッド等
に用いることも当然できる。
短冊形導電体の材質や膜厚、パタン幅、単一のＩＣが駆
動できる抵抗体本数、発熱抵抗体の解像度、短冊形導電
体の長さ、導体抵抗補正領域の長さ及び該領域の個別補
正長等、何ら制約されるものではないことは当然である
。また、本発明のサーマルヘッドの用途も特に限定され
るべきものではなく、ラインヘッド、シリアルヘッド等
に用いることも当然できる。
第１図は従来のサーマルヘッドの要部平面図。
第２図は本発明の実施例によるサーマルヘッドの要部平
面図。 １、 ０ （Ｃ１〜Ｃｍ）共通電極 ２、Ｒ１〜Ｒｍ 発熱抵抗体 ３、Ｌ１〜Ｌｍ 個別導電体 ４、Ｔ０〜Ｔｍ ボンディング端子５、 ８
導体部の狭い領域６、ｎｌ、ｎ２ 導
体抵抗補正領域７、 ０ 接地端子 ａ、 ＰＧ 記録電流接地電極代理人 弁
理士 内 原 昔（□′“シ゛；第 Ｘ 圀 卒Ｚ 図
面図。 １、 ０ （Ｃ１〜Ｃｍ）共通電極 ２、Ｒ１〜Ｒｍ 発熱抵抗体 ３、Ｌ１〜Ｌｍ 個別導電体 ４、Ｔ０〜Ｔｍ ボンディング端子５、 ８
導体部の狭い領域６、ｎｌ、ｎ２ 導
体抵抗補正領域７、 ０ 接地端子 ａ、 ＰＧ 記録電流接地電極代理人 弁
理士 内 原 昔（□′“シ゛；第 Ｘ 圀 卒Ｚ 図
Claims (1)
- 発熱抵抗体に接続され、かつＩＣへのボンディング端子
にまで延長して形成され、パタン幅を抵抗体と接する部
分よりも狭くした導体抵抗補正領域を有する個別導電体
において、該導体抵抗補正領域を発熱抵抗体をはさみ共
通電極から分岐した短冊形導電体疎とＩＣ搭載部側の双
方の領域に形成することを特徴としたサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123225A JPS612575A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123225A JPS612575A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612575A true JPS612575A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14855297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123225A Pending JPS612575A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612575A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676589A (en) * | 1979-11-28 | 1981-06-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | Wiring pattern |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123225A patent/JPS612575A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676589A (en) * | 1979-11-28 | 1981-06-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | Wiring pattern |
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