JPS61256511A - ガス絶縁ブツシング - Google Patents

ガス絶縁ブツシング

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Publication number
JPS61256511A
JPS61256511A JP9791585A JP9791585A JPS61256511A JP S61256511 A JPS61256511 A JP S61256511A JP 9791585 A JP9791585 A JP 9791585A JP 9791585 A JP9791585 A JP 9791585A JP S61256511 A JPS61256511 A JP S61256511A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
center conductor
insulating
gas
bushing
side wall
Prior art date
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Pending
Application number
JP9791585A
Other languages
English (en)
Inventor
哲雄 吉田
大島 巌
信男 正木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9791585A priority Critical patent/JPS61256511A/ja
Publication of JPS61256511A publication Critical patent/JPS61256511A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、絶縁ガスを封入したガス絶縁機器等の導体引
出し部に用いられるガス絶縁ブッシングに関するもので
ある。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、この種のブッシングとして第4図に示すものが多
く用いられている。すなわち、同図において、碍管1に
は上部金具2と下部金具3が一体に設けられており、こ
の下部金具3を電気機器を収納した容器4の側壁4aに
ボルト5を介して固定するようにしている。
この碍管1内には例えばSF、ガスの絶縁ガス6が封入
されており、中心導体7が碍管1内を貫通し容器4内に
引込まれる。なお、容器4は接地されており、下部金具
3は接地電位になっている。
このように構成されているから、下部金具3及び側壁4
aを貫通する部分に電界が集中する関係上、所定の耐電
圧値を得るために上部より下部の直径を大きくした碍管
1を用いて電界の集中を抑制しなければならないから、
任意に碍管を選択すること力(できず、ガス絶縁ブッシ
ングを大形にするのみでなく、取付スペースを大きくし
て電気機器の収納容器4を大形にしていた。
又、側壁4a側の電位分布を改善するために、下部金具
3近傍の中心導体7を囲む接地シールドを設けた例(例
えば特公昭59−31805号)もあるが、中心導体7
との絶縁距離を確保する必要があるから内径が大きくな
り、碍管の直径を小さくすることができずブッシングの
小形化にはさらに改善する必要がある。
〔発明の目的〕
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもので、耐電
圧特性が優れ、取付スペースを大きくすることのないガ
ス絶縁ブッシングを提供することを目的とするものであ
る。
〔発明の概要〕
本発明は、絶縁ガスが封入された碍管内を中心導体が貫
通し、下部金具が接地された構造体に取付けられるガス
絶縁ブッシングにおいて、中心導体が下部金具を貫通す
る部分に、中心導体と構造体の距離をLとしたとき、g
/Lが略0.1となるギャップgを保持するように絶縁
材で円筒状に形成した絶縁部材を、中心導体と同軸状に
配設することにより、耐電圧特性を改善してブッシング
を小形にするようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明のガス絶縁ブッシングの一実施例を図面を
参照して説明する。なお、第4図と同一部分には同符号
を付し重複した説明は省略する。
第1図において、絶縁バーリヤ10は、例えばエポキシ
樹脂のような絶縁耐力が優れている絶縁材で形成され、
円筒状部11とフランジ部12から構成され、円筒状部
11が中心導体7と同軸となるようにフランジ部12を
ボルト13を介して側壁4aに固定される。
しかして、上記した円筒状部11は、高さhを側壁4a
と中心導体7間の距離以上とし、側壁4aに対しては以
下に説明するギャップgが形成されるようにする。なお
、高さhを側壁4aと中心導体7間の距離以上としたの
は、実験により確認された結果によるものである。
次に、ギャップgについて説明する。実験結果によれば
、側壁4aから中心導体7の中心間の距離をLとしたと
き、gルと破壊電圧(FOV)の関係は、第2図に示す
ようになり、g/Lが0.1近傍で破壊電圧(FOV)
が最大になった。
これは、g/Lが小さいときは円筒状部11が側壁4a
の端部に近いため、この端部からコロナ放電(電子の移
動)は抑制されやすく、これに伴って耐電圧が向上する
。又、g/Lが大きくなるにつれて(1に近ずく)円筒
状部11が側壁4aの端部から離れていくため、コロナ
放電(電子の移動)を抑制しにくくなり、これに伴って
耐電圧がゆるやかに低下していく。しかして1g/Lが
0.1近傍で耐電圧が最大になった。なお、この実験は
、電圧60〜110 KVの範囲で行なったものである
したがって、以上のように構成することにより。
耐電圧特性を改善して碍管lの直径を小さくし、ガス絶
縁ブッシングを小形化し取付スペースを縮小することが
できる。又、定格電圧の高いブッシングにおいては、碍
管が高価格となるので、この小形化によって経済的にも
きわめて有利となる。
なお1本発明は、上記した実施例に限定されるものでは
なく、絶縁バーリヤの円筒状部に金属層を設けるように
してもよい。すなわち、第3図において、絶縁バーリヤ
20は、全体形状を上記した絶縁バーリヤ10と略同じ
くした円筒状部11及びフランジ部12を有し、この円
筒状部11の外周面に例えば真空蒸着その他適宜の手段
により金属層21を形成する。この金属層21は、高さ
hが大きい程面積も広くなり、これに伴って静電容量分
担の効果がでてくる。しかしながら、高さhが大きくな
って上部金具2に接近すると5金属層21と上部金具2
間で部分的絶縁破壊を発生し、これが全体的な絶縁破壊
につながる。
そこで、金属層21と上部金具2間で部分的絶縁破壊を
発生しない大きさにする必要があり、この部分的絶縁破
壊を発生しない高さhは、中心導体7と側壁48間の距
離の約2倍が好ましい。これは、中心導体7と側壁4a
の開口部4bが同軸円筒状をなして比較的平等電界とな
るのに対し、金属層21と上部金具2が丸味を有する金
属面が少ないことから比較的不平等電界となり、平等電
界と同様の耐電圧特性を確保するためには、絶縁距離を
増加させることが必要になるからである。これらの関係
は、不平等係数(最大電界/平均電界)で説明できるが
、fl:横形状によって異なってくる。実験結果から、
不平等係数には2倍の差のあることが分かった。
したがって、金属層21の高さhは、上部金具2と下部
金具3間の距離から中心導体7と側壁48間の距離の約
2倍を差し引いた値以下とすれば1部分的絶縁破壊を発
生せず静電容量分担を行い、電界集中の抑制効果が大き
くなる。
以上のように構成することにより、上記した実施例より
さらに耐電圧特性を向−ヒし碍管1の直径を小さくし、
ガス絶縁ブッシングを小形化して取付スペースを縮小す
ることができる。
なお、この実施例の場合、金属層は円筒状部11の内周
面に設けてもよく、さらに外周面と内周面の両方に設け
てもよい。
〔発明の効果〕
本発明は、以上のように構成されているから、小形化し
て設置スペースを縮小し、これによって絶縁ガスを封入
した電気機器を縮小化することができ、経済的な効果も
きわめて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のガス絶縁ブッシングの一実施例を示す
断面図、第2図は本発明の一実施例に関連する絶縁バー
リヤのギャップと破壊電圧の関係を示す曲線図、第3図
は本発明の他の実施例を示す断面図、第4図は従来のガ
ス絶縁ブッシングの構成を示す断面図である。 1・・・碍管       2・・・上部金具3・・・
下部金具     4・・・容器4a・・・側壁   
    6・・・絶縁ガス7・・・中心導体     
10.20・・・絶縁バーリヤ11・・・円筒状部  
   21・・・金属層g・・・ギャップ (8733)代理人 弁理士 猪 股 祥 晃(ほか1
名)第  1  図 第  2  図 第  3  図 第  4  図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁ガスが封入された碍管内を中心導体が貫通し
    、下部金具が接地された構造体に取付けられるガス絶縁
    ブッシングにおいて、前記中心導体が前記下部金具を貫
    通する部分に、前記中心導体と前記構造体の距離をLと
    したとき、g/Lが略0.1となるギャップgを保持す
    るように絶縁材で円筒状に形成した絶縁部材を、前記中
    心導体に同軸状に配設したことを特徴とするガス絶縁ブ
    ッシング。
  2. (2)絶縁ガスが封入された碍管内を中心導体が貫通し
    、下部金具が接地された構造体に取付けられるガス絶縁
    ブッシングにおいて、前記中心導体が前記下部金具を貫
    通する部分に、前記中心導体と前記構造体の距離をLと
    したとき、g/Lが略0.1となるギャップgを保持す
    るように絶縁材で円筒状に形成しかつ表面に金属層を設
    けた絶縁部材を、前記中心導体と同軸状に配設したこと
    を特徴とするガス絶縁ブッシング。
JP9791585A 1985-05-10 1985-05-10 ガス絶縁ブツシング Pending JPS61256511A (ja)

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JP9791585A JPS61256511A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 ガス絶縁ブツシング

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JP9791585A JPS61256511A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 ガス絶縁ブツシング

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JPS61256511A true JPS61256511A (ja) 1986-11-14

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JP9791585A Pending JPS61256511A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 ガス絶縁ブツシング

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