JPS61255543A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS61255543A JPS61255543A JP9696685A JP9696685A JPS61255543A JP S61255543 A JPS61255543 A JP S61255543A JP 9696685 A JP9696685 A JP 9696685A JP 9696685 A JP9696685 A JP 9696685A JP S61255543 A JPS61255543 A JP S61255543A
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- JP
- Japan
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- recording layer
- optical disk
- disks
- substrate
- crystal
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
微結晶質の記録媒体がレーザ光の照射条件により反射率
が異なるのを利用する光ディスクにおいて、超音波を加
えながら記録媒体を加熱することによって低ノイズの光
ディスクを得る製造方法。
が異なるのを利用する光ディスクにおいて、超音波を加
えながら記録媒体を加熱することによって低ノイズの光
ディスクを得る製造方法。
本発明は低ノイズ光ディスクの製造方法に関する。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約１μｍの小
さなスポットに絞りこむことが可能であり、従って１ビ
ツトの情報記録に要する面積が１μｌＩ＋２程度で足り
る。
さなスポットに絞りこむことが可能であり、従って１ビ
ツトの情報記録に要する面積が１μｌＩ＋２程度で足り
る。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの情
報記録に数１０〜数１００μＩＩ＋２の面積が必要なの
に較べて蟲かに少なくて済み、従って大容量記録が可能
である。
報記録に数１０〜数１００μＩＩ＋２の面積が必要なの
に較べて蟲かに少なくて済み、従って大容量記録が可能
である。
またレンズで絞り込まれたレーザ光の焦点面までの距離
は１〜２１■とれるため、磁気ディスクで問題となるヘ
ッドクラッシュの現象がなく、また光デイスク基板の上
面において光ビームは約１１層径となるので上面に数１
０μｍ２の大きさの塵埃が存在していても記録と再生に
殆ど影響を与えずに済ませることができる。
は１〜２１■とれるため、磁気ディスクで問題となるヘ
ッドクラッシュの現象がなく、また光デイスク基板の上
面において光ビームは約１１層径となるので上面に数１
０μｍ２の大きさの塵埃が存在していても記録と再生に
殆ど影響を与えずに済ませることができる。
このように優れた特性を備えた光ディスクは記録媒体と
して低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により行
う読出し専用のメモリ以外に結晶−非結晶間の相転移を
用いたものや結晶−結晶間の反射率の相違を利用した消
去可能な光メモリもある。
して低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により行
う読出し専用のメモリ以外に結晶−非結晶間の相転移を
用いたものや結晶−結晶間の反射率の相違を利用した消
去可能な光メモリもある。
本発明は後者に使用されるメモリの製造方法に関するも
のである。
のである。
光ディスクはガラス或いはポリメチル・メタクリエイト
（略称ＰＭＭＡ）などのディスク状の透明基板の上にス
パッタ法や真空蒸着法などを用いて金属あるいは非金属
の薄層よりなる記録層を形成し、この上に二酸化硅素（
ＳｉＯ２）などからなる保護膜を被覆してディスクが作
られている。
（略称ＰＭＭＡ）などのディスク状の透明基板の上にス
パッタ法や真空蒸着法などを用いて金属あるいは非金属
の薄層よりなる記録層を形成し、この上に二酸化硅素（
ＳｉＯ２）などからなる保護膜を被覆してディスクが作
られている。
そしてかかる二枚のディスクを記録層を互いに内側とし
、内周部と外周部とにプラスチック或いは金属からなる
スペーサリングを置き、二枚のディスクを上下より接着
し、対向させた構造をとっている。
、内周部と外周部とにプラスチック或いは金属からなる
スペーサリングを置き、二枚のディスクを上下より接着
し、対向させた構造をとっている。
そして情報の記録と再生は、かかる光ディスクを光デイ
スク装置にセットし、回転させた状態で裏側の透明基板
を通してレンズで集光したレーザスポットを照射すると
記録層の被照射部が瞬間的に加熱され、加えられたエネ
ルギーに依存して結晶組成が変化し、反射率が変わるの
を利用している。
スク装置にセットし、回転させた状態で裏側の透明基板
を通してレンズで集光したレーザスポットを照射すると
記録層の被照射部が瞬間的に加熱され、加えられたエネ
ルギーに依存して結晶組成が変化し、反射率が変わるの
を利用している。
第２図はこれを説明するもので、同図（Ａ）は書込みパ
ルス１と消去パルス２の強度をまた同図（Ｂ）は照射位
置からの反射光レベルを示している。
ルス１と消去パルス２の強度をまた同図（Ｂ）は照射位
置からの反射光レベルを示している。
すなわちレーザ光を約１μｍ径のスポットに集光した書
込みパルス１を記録層に照射すると被照射部の記録層は
変質して同図（Ｂ）に示すように反射率の高い書込みレ
ベル３の状態になる。
込みパルス１を記録層に照射すると被照射部の記録層は
変質して同図（Ｂ）に示すように反射率の高い書込みレ
ベル３の状態になる。
一方、レーザ光を４〜５μｍ径のスポットに集光した消
去パルス２を先の書込み位置に照射すると、変質状態は
解消されて再び元の消去レベル４の状態に戻る。
去パルス２を先の書込み位置に照射すると、変質状態は
解消されて再び元の消去レベル４の状態に戻る。
なお、情報の読出しは同図（Ａ）に示す低強度の読出し
光５を用いて行われる。
光５を用いて行われる。
本発明に係る光ディスクはこのようにして生ずる反射光
量の大小を情報の１．０に対応させて読出しを行うもの
であるが、かかる記録層は記録媒体が微少に結晶化した
ものからなっている。
量の大小を情報の１．０に対応させて読出しを行うもの
であるが、かかる記録層は記録媒体が微少に結晶化した
ものからなっている。
ここで従来の結晶化法は先に記したようにスパッタ法或
いは真空蒸着法により形成した厚さが約１０００人の記
録層をつけたディスクを１００℃前後に加熱した恒温槽
中に保持するか、或いはキセノンなどのフラッシュラン
プを用いて加熱するなどの方法で行っていた。
いは真空蒸着法により形成した厚さが約１０００人の記
録層をつけたディスクを１００℃前後に加熱した恒温槽
中に保持するか、或いはキセノンなどのフラッシュラン
プを用いて加熱するなどの方法で行っていた。
然し、これらの方法で結晶化した記録層は結晶粒度にム
ラがあり、結晶境界が原因で情報の読出しに当たってノ
イズが大きいと云う問題があり、ノイズ低減のために記
録層の微結晶化が必要であった。
ラがあり、結晶境界が原因で情報の読出しに当たってノ
イズが大きいと云う問題があり、ノイズ低減のために記
録層の微結晶化が必要であった。
以上説明したように結晶−結晶間の反射率変化を用いて
情報の記録を行う光ディスクにおいては読出しの際のノ
イズを低減するために記録層をどのようにして均一に微
結晶化させるかが問題である。
情報の記録を行う光ディスクにおいては読出しの際のノ
イズを低減するために記録層をどのようにして均一に微
結晶化させるかが問題である。
上記の問題は高反射率状態と低反射率状態とを情報の有
無に対応させて記録を行う光ディスクにおいて、記録層
の結晶化処理を該記録層が形成されている基板に超音波
振動を加えながら加熱して行うことを特徴とする光ディ
スクの製造方法により実現することができる。
無に対応させて記録を行う光ディスクにおいて、記録層
の結晶化処理を該記録層が形成されている基板に超音波
振動を加えながら加熱して行うことを特徴とする光ディ
スクの製造方法により実現することができる。
本発明は記録層を微結晶化する方法として加熱中に超音
波振動をディスク基板に加えるものである。
波振動をディスク基板に加えるものである。
すなわち、スパッタ或いは真空蒸着法で形成された状態
の記録媒体は非晶質であり、これが加熱処理により結晶
化しているが、本発明はディスク基板に超音波振動のエ
ネルギーを加えながら加財することによりディスク上に
数多くの結晶核を化成するもので、これにより粒度分布
のよい微結層化を行うものである。
の記録媒体は非晶質であり、これが加熱処理により結晶
化しているが、本発明はディスク基板に超音波振動のエ
ネルギーを加えながら加財することによりディスク上に
数多くの結晶核を化成するもので、これにより粒度分布
のよい微結層化を行うものである。
（実施例〕
第１図は本発明の詳細な説明するもので、この実施例の
場合、テルル（Ｔｅ）と錫（Ｓｎ）とを原１量比で８：
２に混合したＴｅ−Ｓｎ合金を記録媒体として記録層が
構成されている。
場合、テルル（Ｔｅ）と錫（Ｓｎ）とを原１量比で８：
２に混合したＴｅ−Ｓｎ合金を記録媒体として記録層が
構成されている。
すなわちＰＭ？ＩＡからなる透明基板６の上に二元躊着
法で記録層７を形成し、更にこの上にＳｉ０２１７：保
護膜を設けたディスク８を多数用意し、ステンレスなど
の金属板９を介してＰＺＴ （チタン酸ジルコン酸鉛）
圧電素子１０をおき、これに金属板９を介してディスク
８を置くと云う積層動作を繰り返した後、全体を保持具
で固定し、この状態で恒温糟に入れ、２Ｍ１ｌｚの振動
数で超音波振動を与えな力ら１２０℃で１時間加熱した
。
法で記録層７を形成し、更にこの上にＳｉ０２１７：保
護膜を設けたディスク８を多数用意し、ステンレスなど
の金属板９を介してＰＺＴ （チタン酸ジルコン酸鉛）
圧電素子１０をおき、これに金属板９を介してディスク
８を置くと云う積層動作を繰り返した後、全体を保持具
で固定し、この状態で恒温糟に入れ、２Ｍ１ｌｚの振動
数で超音波振動を与えな力ら１２０℃で１時間加熱した
。
このようにして結晶化したケイスフの記録層７を従来の
記録層と比較すると従来の結晶粒径は１゜００Ａ〜２μ
ｍと広い範囲に分散していたのに対し、本発明を実施し
た記録層は粒径が２００〜１０００人の微結晶が均一に
分布しており、ムラが認められない。
記録層と比較すると従来の結晶粒径は１゜００Ａ〜２μ
ｍと広い範囲に分散していたのに対し、本発明を実施し
た記録層は粒径が２００〜１０００人の微結晶が均一に
分布しており、ムラが認められない。
次にこのディスク８に６ｏｏｒｐｍで２ＭＨｚの信号を
記録してＣ／Ｎ （キャリヤ対ノイズ比）を帯域幅３０
Ｋ Ｈｚで測定したところ４６ｄＢの値が観察でき、こ
れは従来のディスクが４３ｄｌｌであるのに比較してか
なりノイズが低減している。
記録してＣ／Ｎ （キャリヤ対ノイズ比）を帯域幅３０
Ｋ Ｈｚで測定したところ４６ｄＢの値が観察でき、こ
れは従来のディスクが４３ｄｌｌであるのに比較してか
なりノイズが低減している。
以上記したように本発明の実施より光ディスクの読出し
に当たってノイズを低減することができ、従って光ディ
スクの性能向上が可能となる。
に当たってノイズを低減することができ、従って光ディ
スクの性能向上が可能となる。
第１図は本発明に係る結晶化方法の説明図、第２図（Ａ
）は書込みおよび消去パルスの強度を説明する図、また
同図（Ｂ）は書込みおよび消去位置の反射光レベルの説
明図、 である。 図において、 ■は書込みパルス、 ２は消去パルス、３は書込
みレベル、 ４は消去レベル、８はディスク、
９は金属板、 １０は圧電素子、 である。
）は書込みおよび消去パルスの強度を説明する図、また
同図（Ｂ）は書込みおよび消去位置の反射光レベルの説
明図、 である。 図において、 ■は書込みパルス、 ２は消去パルス、３は書込
みレベル、 ４は消去レベル、８はディスク、
９は金属板、 １０は圧電素子、 である。
Claims (1)
- 高反射率状態と低反射率状態とを情報の有無に対応させ
て記録を行う光ディスクにおいて、記録層の結晶化処理
を該記録層が形成されている基板に超音波振動を加えな
がら加熱して行うことを特徴とする光ディスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9696685A JPS61255543A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9696685A JPS61255543A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255543A true JPS61255543A (ja) | 1986-11-13 |
Family
ID=14178975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9696685A Pending JPS61255543A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255543A (ja) |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP9696685A patent/JPS61255543A/ja active Pending
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