JPS61247681A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61247681A JPS61247681A JP8785485A JP8785485A JPS61247681A JP S61247681 A JPS61247681 A JP S61247681A JP 8785485 A JP8785485 A JP 8785485A JP 8785485 A JP8785485 A JP 8785485A JP S61247681 A JPS61247681 A JP S61247681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- liquid phase
- liquid
- polycrystal
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野−〕
本発明は半導体の製造装置に係わり、特に半導体単結晶
の製造装置に関するものでるる。
の製造装置に関するものでるる。
〔従来の技術」
第5図に従来の半導体製造装fit、會例えばボート法
を例にとって示したものでろる。同図において31扛ポ
ート、32に固相の半導体(単結晶)、33け溶融状態
の液相半導体でるる。
を例にとって示したものでろる。同図において31扛ポ
ート、32に固相の半導体(単結晶)、33け溶融状態
の液相半導体でるる。
次に動作について説明する。まず、ボート31内に牛導
体材料?仕込み、炉内に挿入して昇温し融解する。次い
で炉体もしくはボート31を徐々にスライドさせ、ボー
ト31の長さ方向LK対して第6図に示すような温度勾
配S會もって#動させる仁とによって低温@から半導体
単結晶32ケ成長させる。
体材料?仕込み、炉内に挿入して昇温し融解する。次い
で炉体もしくはボート31を徐々にスライドさせ、ボー
ト31の長さ方向LK対して第6図に示すような温度勾
配S會もって#動させる仁とによって低温@から半導体
単結晶32ケ成長させる。
し発明か解決しようとする問題点1
したしながら、従来の成長法ね、結晶成長中に液相半導
体33に新たにソースが供給されないので、結晶成長に
伴なって液相半導体31こ組成変化が生じ、&長結晶(
ておいて、組成お工びドーピング−紘か戚長刀回ヲ′(
対して分布紮もち、1iIllφ型できないという問題
かめった。
体33に新たにソースが供給されないので、結晶成長に
伴なって液相半導体31こ組成変化が生じ、&長結晶(
ておいて、組成お工びドーピング−紘か戚長刀回ヲ′(
対して分布紮もち、1iIllφ型できないという問題
かめった。
本発明は、前述のような問題点ケ解消するためになされ
たもので、液相半導体からの単結晶成長時にg相牛纒体
の組成全制御し、その結果、単結晶半導体の組成お工ひ
ドーピングiit ’& 1fil制御可能VCした半
導体製造装*會得ること?目的としている。
たもので、液相半導体からの単結晶成長時にg相牛纒体
の組成全制御し、その結果、単結晶半導体の組成お工ひ
ドーピングiit ’& 1fil制御可能VCした半
導体製造装*會得ること?目的としている。
し問題点葡解決するための手段J
本発明に係わる半導体製造装& b、 、液相半導体内
に、融解し液状となった半導体材料ケ注入する注入装置
全般けたものである。 ′ (”作用] 本発明における半導体製造装置iに、液状材料金液相半
導体内に注入することに↓V、液相半導体の組成および
不純物量全制御できるので、成長結晶の組成、ドルピン
ク全制御することかできる。
に、融解し液状となった半導体材料ケ注入する注入装置
全般けたものである。 ′ (”作用] 本発明における半導体製造装置iに、液状材料金液相半
導体内に注入することに↓V、液相半導体の組成および
不純物量全制御できるので、成長結晶の組成、ドルピン
ク全制御することかできる。
「実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、11はボート、12は同相の半導体単
結晶、13h液相半導体、141内部に液状半導体15
が収容されかつその先端部か液相半導体13内に挿入さ
れた注入′&置である。この注入装置14は液状半導体
15全収容するシリンダ14g と、このシリンダ1
4a内の液状半導体15を液相半導体13内ニ注出する
開口部14bと、このシリンダ14a 内の液状半導体
15會押し出丁ピストン14c とから構成されてい
る。この場合、開口部14b の大きさは液状半導体1
5の自然拡散金防IFできる程度に小さく形成する。
結晶、13h液相半導体、141内部に液状半導体15
が収容されかつその先端部か液相半導体13内に挿入さ
れた注入′&置である。この注入装置14は液状半導体
15全収容するシリンダ14g と、このシリンダ1
4a内の液状半導体15を液相半導体13内ニ注出する
開口部14bと、このシリンダ14a 内の液状半導体
15會押し出丁ピストン14c とから構成されてい
る。この場合、開口部14b の大きさは液状半導体1
5の自然拡散金防IFできる程度に小さく形成する。
このような構成において、まず、注入装置14内に収容
する液状半導体15全作製する。この液状半導体15に
、第2図(a)に示す工うにコルッ管21内に高純度の
半導体材料22紫封入し、同図(b)に示すように加熱
装置23に↓すi解させた後、これ?急冷し、同図(C
)に示す工うなコルツ管21に、l:り形成さ71.た
ポリクリスタル24を得る。そして、同図<d)tlこ
4・Tlうにこのポリクリスタル24を注入装置に14
内に収納する。
する液状半導体15全作製する。この液状半導体15に
、第2図(a)に示す工うにコルッ管21内に高純度の
半導体材料22紫封入し、同図(b)に示すように加熱
装置23に↓すi解させた後、これ?急冷し、同図(C
)に示す工うなコルツ管21に、l:り形成さ71.た
ポリクリスタル24を得る。そして、同図<d)tlこ
4・Tlうにこのポリクリスタル24を注入装置に14
内に収納する。
引き続き、第1図にボテエうにボート11内に従来法に
したがって半導体材料ケ収納した後、前記ポリクリスタ
ル24’に収納した注入装置14′k、その先端Kfi
1llll 1旧」部14b側會半導体材料内に挿入
させて配置し、注入装置jit14とともに炉体内部に
挿入する。すなわち、注入装置14の開口部14b は
牛専俸材料浴融時に液相半導体13内に浸漬されるよう
に配置する。次に炉体全昇温し、半導体材料およびポリ
クリスタル24が浴融した後、炉体もしく051ボート
11全徐々にスライドさせ、第3図に示すような温度勾
配S?もって移動させることに工9、半導体単結晶12
の成長全開始する。このとき、成長に伴なってピストン
14cを矢印A方向に徐々に押すと、開口部14bから
it半導体15が液相半導体13内に放出され、液相半
導体13中に拡散さn、液状半導体15の材質と注入線
とに応じて液相半導体13の組成および不純物量が制御
される。このような方法によれば、第4図に示すように
従来法による組成領域Ia、Ib に比べて均一な組成
領域11に大きく得ることができる。
したがって半導体材料ケ収納した後、前記ポリクリスタ
ル24’に収納した注入装置14′k、その先端Kfi
1llll 1旧」部14b側會半導体材料内に挿入
させて配置し、注入装置jit14とともに炉体内部に
挿入する。すなわち、注入装置14の開口部14b は
牛専俸材料浴融時に液相半導体13内に浸漬されるよう
に配置する。次に炉体全昇温し、半導体材料およびポリ
クリスタル24が浴融した後、炉体もしく051ボート
11全徐々にスライドさせ、第3図に示すような温度勾
配S?もって移動させることに工9、半導体単結晶12
の成長全開始する。このとき、成長に伴なってピストン
14cを矢印A方向に徐々に押すと、開口部14bから
it半導体15が液相半導体13内に放出され、液相半
導体13中に拡散さn、液状半導体15の材質と注入線
とに応じて液相半導体13の組成および不純物量が制御
される。このような方法によれば、第4図に示すように
従来法による組成領域Ia、Ib に比べて均一な組成
領域11に大きく得ることができる。
なお、前述した実施例においては、不発明會ポート法に
適用した場合について説明したが、液相半導体内に液状
半導体全注入し、液相半導体の組成全制御する本発明灯
液相牛導体力・らの半導体単結晶製造の他の方法にも同
様に適用できる。
適用した場合について説明したが、液相半導体内に液状
半導体全注入し、液相半導体の組成全制御する本発明灯
液相牛導体力・らの半導体単結晶製造の他の方法にも同
様に適用できる。
υ上統明したように本発明によれば、液相半導体内に液
状半導体全注入する注入;ii:、餘?設け、液相半導
体からの単結晶作成時に液相半導体の組成を制御できる
↓う構成したので、成長方向での組成、キャリアIs度
の制御された篩品位の半導体結晶が得らするという極め
て優れた効果が得られる。
状半導体全注入する注入;ii:、餘?設け、液相半導
体からの単結晶作成時に液相半導体の組成を制御できる
↓う構成したので、成長方向での組成、キャリアIs度
の制御された篩品位の半導体結晶が得らするという極め
て優れた効果が得られる。
第1図は本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
断面構成図、第2図は注入用半導体材料の製造方法全説
明する図、第3図11ボートの長さ方向りに対する温度
勾配Sを示す温度分布図、第4図は従来および本発明の
半導体製造装置に19製造された半導体単結晶の組成領
域を示す図、第5図は従来の半導体製造装置の一例葡示
j断面徊成図、第6図はその温度勾配Sを示す図でめる
。 11・・・・ボート、12・・φ・半導体単結晶、13
・・・・液相半導体、14・・・・注入装置、14a
−拳書・シリンダ、14b−−・・開口部、14cmφ
・・ ピストン、15・・・・液状半導体、21・・・
・コルツ管、22咎・・・半導体材料、23・・・・加
熱装置、24・・・eポリクリスタル。
断面構成図、第2図は注入用半導体材料の製造方法全説
明する図、第3図11ボートの長さ方向りに対する温度
勾配Sを示す温度分布図、第4図は従来および本発明の
半導体製造装置に19製造された半導体単結晶の組成領
域を示す図、第5図は従来の半導体製造装置の一例葡示
j断面徊成図、第6図はその温度勾配Sを示す図でめる
。 11・・・・ボート、12・・φ・半導体単結晶、13
・・・・液相半導体、14・・・・注入装置、14a
−拳書・シリンダ、14b−−・・開口部、14cmφ
・・ ピストン、15・・・・液状半導体、21・・・
・コルツ管、22咎・・・半導体材料、23・・・・加
熱装置、24・・・eポリクリスタル。
Claims (1)
- 液相半導体単結晶製造装置において、前記液相半導体内
に融解した半導体材料を注入する注入手段を設けたこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8785485A JPS61247681A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8785485A JPS61247681A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61247681A true JPS61247681A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13926469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8785485A Pending JPS61247681A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61247681A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650008A (en) * | 1995-12-01 | 1997-07-22 | Advanced Materials Processing, Llc | Method for preparing homogeneous bridgman-type single crystals |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8785485A patent/JPS61247681A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650008A (en) * | 1995-12-01 | 1997-07-22 | Advanced Materials Processing, Llc | Method for preparing homogeneous bridgman-type single crystals |
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