JPS61246318A - 非晶質磁性合金薄帯の表面性ならびに磁気特性改善方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、非晶質磁性合金薄帯の表面性ならびに磁気特
性改善方法に関するものである０（従来技術） 非晶質磁性合金薄帯は、液体状態から超急冷することに
より作製されるため、理想的には、構造がランダムで結
晶磁気異方性がなくまた結晶粒界等の欠陥もないため、
優れた軟磁気特性をもつ。

また、非晶質磁性合金薄帯は形状的にも、厚さ１５〜５
０μｍと従来材料と比較して薄く、渦電流損失の少ない
優れた高周波特性をもつ材料が容易に得られることから
、磁気ヘッド、コアなどの高周波デバイス用材料として
注目されている。

しかしながら、いわ゛ゆる液体急冷技術で作製されるた
め、非晶質磁性合金薄帯の表面性は悪く、また±１μｍ
程度の精度での厚み制御ができない。

更に作製時の歪みを取り除くため熱処理を施す必要があ
り、デバイス用材料への応用上問題を残している。

形状的問題として非晶質磁性合金薄帯の表面は、一般に
広く用いられている冷却ロールが一つである片ロール法
を用いて作製した場合、雰囲気ガスの巻き込み等により
、薄帯表面に凹凸を生じ、また冷却ロールと反対側の自
由面では、うねシを生じている。その表面粗さは第１図
（ａ）に示すようにロール面で０．５〜３μｍ、自由面
で０．５〜２μｍである。また、２つのロールを用い急
冷、圧延を同時に行なう双ロール法では、片ロール法よ
りも表面性の良好な薄帯が得られるもののロール表面の
傷等の影響を受け、表面粗度及びうねシは、０．５〜１
μｍ程度になる。また、非晶質磁性合金薄帯は、上記の
ように１５〜５０μｍの厚みの薄帯が得られるものの、
更に薄い１５μｍ以下の薄帯を作製する事や厚み制御を
±１μｍ以下にすることは、液体急冷法によっては困難
である。従って、作製時の状態の薄帯をそのままビデオ
ヘッドのような狭トラツクヘッドに用いた場合寸法精度
上の問題を生じる０ 第２図（ａ）は、非晶質磁性合金薄帯を用いたビデオヘ
ッドの一例の斜視図であり、非晶質磁性合金薄帯■をサ
ポート材■で挾み込んだ構造となっている。また、非晶
質磁性合金薄帯■はギャップ■をはさんで突き合わされ
ており、■は巻線用の窓である。第２図（′ｂ）は同図
（ａ）のビデオヘッドのギャップ付近の拡大図であり、
作製時状態の非晶質磁性合金薄帯をそのまま用いると、
サポート材■と薄帯■との境界面に薄帯の凸凹部■があ
られれ、ギャップ■、トラック幅■の精度が良くないこ
とがわかる。特に、２０μｍ以下の狭いトラック幅を有
するヘッドにお°いて、影響が大きくなシ、トラック幅
精度を±１μｍ以下に上げることができず、ヘッド出力
特性に１０％以上のバラツキを生じることに々る０ギャ
ップ部についても、同様に精度が悪いため、ヘッド特性
にバラツキを生じるだけでなく、耐久性にも問題を生じ
る。

一方、非晶質磁性合金薄帯を磁気特性から見ると、超急
冷という作製法のために、作製時の状態では、歪み等が
残留しており、透磁率が低く、高透磁率にするためには
、熱処理を施すことが必要とされている。通常の熱処理
方法としては、非晶質磁性合金薄帯をその結晶化温度Ｔ
ｘより低く、キューリー点Ｔｃより高い温度で適当な時
間保持した後に急冷する水中急冷法（以下Ｗ、　Ｑ、法
とも称す）が用いられている。また、飽和磁束密度Ｂｓ
が９０００Ｇａｕ　ｓ　ｓ以上と高い非晶質磁性合金薄
帯に対しては強磁性金属元素比率が高いため、Ｔｏが上
昇すると共にＴｘがやや下降するため、ＴｏはＴｘより
大きいか或いはＴｃとＴｘは近接した状態となり、通常
のＷ、Ｑ、法熱処理を用いることはできない。その為、
このような材料に対しては、Ｔｘよりも低くかつＴｏよ
シも低い温度で十分に強い磁場を回転させながらかけ、
熱処理を施す回転磁場中熱処理法をはじめとして、多く
の熱処理方法が提案されている（例えば特開昭５９−１
４６０９）ｏまだ、角形比を上昇させるという特殊な磁
気特性改善の効果を上げるために、熱処理中に張力をか
けるなどの方法も提案されている（特開昭５６−１４６
８２１　＞。しかし表から、非晶質磁性合金薄帯に熱処
理を施す場合には、熱処理装置（炉、急冷装置等）が必
要であり、）亡つ工程に時間を要するうえ、熱処理温度
１時間（１′ 等について精度を要求されるので、生産性は良くない。

特に、Ｗ、　Ｑ、法熱処理を用いるととができない飽和
磁束密度の高い非晶質磁性合金薄帯に施こされる磁場中
熱処理法では強い磁場を発生させるために、ｗ、　ｑ、
法よりも更に装置が大きくかつ複雑になり、熱処理に必
要な時間も長く、設備、生産コスト共に高くなる。また
、非晶質磁性合金薄帯を３００℃以上の温度で保持する
と、薄帯は機械的靭性を失ない、破壊され易い状態とな
り加工工程に注意を要するようになることも知られてい
る。

（発明が解決すべき問題点） ところで、従来技術により表面性が良く良好な磁気特性
をもつ非晶質磁性合金薄帯を得るためＫは、特開昭５５
−８０３０２号公報記載の発明の如く圧延加工を行なう
か、或いは何らかの表面処理を行なったのちに熱処理を
行なう必要がある。しかしながら圧延加工によれば、薄
帯表面性のある程度の改善や、磁気異方性の制御による
特性の改善は可能であるが、圧延後に薄帯に曲がシを生
じる車用いる材料を製作することは難しい。

一方、特開昭５７−３９５０９号公報記載のように非晶
質磁性合金薄帯の表面に対し、研磨を施して、磁気特性
の改善を行なう方法が提案されているが、この方法は、
同組成の非晶質磁性合金薄帯にも拘らず、劣った特性を
もつ材料に対し、多くとも１μｍ好ましくは０．５μｍ
の機械研磨或いは化学研磨を施すことにより、正常な特
性に戻すことができるというものである。しかし、この
方法は、あくまでも、磁気特性のバラツキをなくす方法
であり、熱処理による磁気特性の改善効果に匹敵するも
のではない。また、１μｍ以下の研磨では、液体急冷法
で作製した薄帯の表面の凹凸を完全に取シ除くことはで
きず、表面性の向上のためにも不充分なものである。

以上のように、従来技術によっては、非晶質磁性合金薄
帯の表面性と磁気特性の両方を改善することはできず、
実用的かつ効率的な教養方法が望−まれている。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記の問題点を解決することを目的とし特許
請求の範囲記載の方法を提供することＫよって、前記目
的を達成することができる。すなわち本発明は、液体急
冷法により得られた非晶質磁性合金薄帯の表面に熱処理
と研磨処理のうちの少なくとも研磨処理を薄帯の表面か
らの研磨深さが１μｍより深くなるように施すことを特
徴とする非晶質磁性合金薄帯の表面性ならびに磁気特性
改善方法を第１発明とし、また、液体急冷法により得ら
れた非晶質磁性合金薄帯に化学的エツチング。

圧延、張力付加の何れか少なくとも１つの処理を施し、
次に熱処理、研磨処理のうち少なくとも研磨処理を薄帯
の表面からの研磨深さが１μｍより深くなるように施す
ことを特徴とする非晶質磁性合金薄帯の表面性々らびに
磁気特性改善方法を第２発明とする。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明者等は、液体急冷法により作製された非晶質磁性
合金薄帯の表面性を向上させるべく、従来技術の非晶質
磁性合金薄帯への応用を試み、５０μｍ以下という薄板
の研磨の検討を行なった。その結果通常の機械研磨によ
り新たな歪みをほとんどいれることなく、作製時の歪み
を多く持つ表面層を取シ除くことができ、非晶質磁性合
金薄帯の表面性を向上させるばかりでなく、その磁気特
性についても改善されることを新規に知見し、本発明に
想到したのである。

液体急冷片ロール法により作製した非晶質磁性合金薄帯
の表面性について、ロール面及び自由面を表面粗度計を
用いて測定した例を第１図（ａ）Ｋ示す０薄帯の表面粗
度は、ロール面で０．５〜３μｍ、自由面で０．５〜２
μｍ程度であり、特にロール面では、作製時の雰囲気ガ
スの巻き込みによる凹部が生じ表面性が悪くなっている
０このような状態の薄帯のロール面を例えばＧＯ１００
０の研磨テープにより２．５μｍ研磨すると、第１図（
１））に示すように、研磨前の凹凸が除失され、最大粗
さＲｍ＆工が０．３μｍ以下の良好な表面状態になる０
また自由面についてｊ゛′、同様の方法で研磨後のロー
ル面と同じような良好な表面性を得ることができ、圧延
等で見られるような曲がりも生じない。作製したままの
非晶質磁性合金薄帯に対する研磨量としては、自由面で
１μｍ、ロール面で１．５μｍの研磨で、大半の凹凸は
、取シ除く事が可能であるが、自由面２μｍ以上、ロー
ル面２．５μｍ以上研磨をする方が望ましい表面状態及
び精度が得られる。また、研磨テープ＃　　　　　　　
　　　　＃ を　２０００．　４０００．　６０００と研磨粒径を細
かくすることにより、表面状態厚み精度を一層上げられ
る。更に研磨量を増すことにより液体急冷技術では作製
が困難である１５μｍ厚以下、特に１０〜５μｍ厚の非
晶質磁性合金薄帯の作製も可能になる０ 次に薄帯表面に対し上記のような機械研磨を施した非晶
質磁性合金薄帯の磁気特性の変化を一般的な組成である
（Ｆｅ６ＣＯ７４）、５Ｓｉ、６Ｂ、の実験例について
説明する。厚さ１９μｍの上記組成の薄帯の両面に対し
、研磨テープ　１０００で機械研磨を行ない、９μｍ厚
の薄帯を作製した。この研磨したままめ試料（以下Ａｓ
、　Ｌ、と略称する）の透磁率（μｅ）と損失（ｔａｎ
δ）の周波数特性を測定した結果を第３図に示す。比較
例として、作製待状態の試料（以下Ａｓ、　Ｑ、と略称
する）および上記の薄板化した試料に対し、更に水中急
冷法＜　Ｗ、Ｑ、法）による熱処理を施した試料（以下
Ａｎｎ、と略称する）についての結果を合わせて示した
。同図かられかるように本発明によるＡｓ、Ｌ、のもの
は、ＡＳ、Ｑ、に比べ、この場合５００　ｋＨｚ以上の
高周波領域で、透磁率が高く、更にＡｎｎ、と比較して
もＩＭＨｚ以上の高周波領域で透磁率がほとんど同じか
、むしろ、本発明の試料Ａｓ、Ｌ、の方が高くなってい
る。また、損失（ｔａｎδ）についても、Ａｓ　、　Ｑ
、は、むろんのこと、ｉｎｎ、よυも小さい値を示して
おシ、透磁率と損失番合わせた総合的な特性は、熱処理
を施した試料Ａｎｎ、よりも良好な高周波特性をもって
いることがわかる。これは、非晶質磁性合金薄帯の表面
にある作製時の歪みを多くもつ層を機械研磨により取シ
除いた事、また、更に積極的に薄帯表面に機械研磨によ
る微細々キズをいれることＫより磁区構造の細分化が起
こシ、高周波特性が良くなる為と考えられる。

上記実験例は＃１０００の研磨テープを用いた乾式研磨
法によるものであるが、　６００といった粒径の粗いも
のや、　２０００．　４０００等の細かい粒径のもの更
には、湿式研磨法でも同様の効果が得られる。また研磨
により取り除く表面層の量を変化させ、薄帯を薄くして
いくと、非晶質磁性合金薄帯の透磁率は厚みに応じて高
くなシ、はぼ熱処理したものと同程度の特性が得られる
０第４図Ｋ”　４０００研磨テープを用い、研磨面を変
えた時の薄帯の透磁率と厚みとの関係について示したが
、両面研磨と、ロール面或いは自由面のどちらか一面を
一方のみに限ってもよい。また、本発明では非晶質磁性
合金薄帯の表面層を少なくとも１μｍを越える程度さら
に好ましくけ２μｍ以上研磨することにより顕著な磁気
特性についての改善効果が得られる。

本発明は、非晶質磁性合金薄帯、特に磁気デバイスとし
て実用的な特性をもつ非晶質磁性合金薄帯に適用するこ
とができる。このような非晶質磁性合金薄帯は、特開昭
５１−７３９２０　、特公昭５５−３６２５８などによ
り提案されているが、本発明が適用される非晶質磁性合
金薄帯の成分組成について次に述べる。

液体急冷法例よる非晶質磁性合金の製造技術の水準から
一般に１０〜１０　　℃／ｓｅｃの急冷速度で非晶質化
可能な合金組成は、Ｓｉ、Ｂ、Ｐ、（３のようなメタロ
イド元素比率で１０〜３５原子％の範囲である０ここで
、Ｓｉは合金組織の非晶質化を助けるが、２５原子％よ
り多いときは、非晶質合金とすることが困難であり、か
つ合金が脆化するの・− で、２５原子％以下とすることが好ましく、また、Ｓｉ
を必ずしも含有する必要はない。同様の理由からＢは５
〜３０原子％、ＰとＣは合計で２０原子−以下にするこ
とが好ましい。また透磁率や硬度。

耐食性の向上のために添加する元素についても望ましい
成分範囲がある。まずＮｉｐ、飽和磁束密度を低下させ
るので、５０原子％以下にすることが望ましく、Ｏｒ　
、　Ｋｎ　、　Ｒｕはそれぞれもしくは合計で１５原子
％以下＋　ＭＯｌＺｒ　＋　ＴｉＴＡｌ、ｖ、Ｎｔ）。

’Ｉ’ａ　、　Ｗ　、　Ｇｕ　、　Ｇｅ　、　Ｂｅおよ
びＢｉはそれぞれもしくは合計で１０原子−以下の成分
範囲のときに有効である。また、Ｚｎ　＋　Ｇａ　、　
Ｉｎ　、　Ｓｎ　、　Ｐｂ　＊　Ａｓ＋Ｓｂ、およびＨ
ｆは、それぞれもしくは合計で６原子％以下、　Ｐｒ　
、　Ｎｄ　、　Ｐｍ　、　Ｓｍ　＊　Ｅｕ　、　Ｇｄ　
、　Ｔｂ。

ＤｙおよびＨＯはそれぞれもしくけ合計で４原子％以下
にすることが好ましく、Ｆｅ、　ｃｏ以外の添加元素は
合計５０原子％以下にする方が有利である〇また、磁気
ヘッド用材料として実用化の進んでいるＧＯ系非晶質磁
性合金薄帯では、精密加工を要求されることが多く、そ
の場合には本発明を用いることが有利である。

上記ＧＯ系薄帯のうち、特に磁歪の絶対値が０．３ＸＩ
Ｏ以下と零に近く、透磁率の高い材料では研磨による歪
みに対して強く、低周波領域での透磁率の劣化が少なく
、本発明の効果が広い周波数範囲でかつ広い研磨範囲で
大きく現われ特に有効である。また飽和磁束密度Ｂｓが
高く、キューリー点が結晶化温度よりも低くないため、
水中急冷法熱処理の行なえない組成についても、磁気特
性の改善効果が現われ、この場合には、従来技術で必要
であった磁場中熱処理という特に複雑な熱処理工程を省
略することができるため、本発明の工業的意義は大きい
。

次に本発明を実施例について述べる。

（実施例１） 片ロール法で作製した幅６ＩＩＩＩｌＫ厚さ約２４．５
μｍである（　Ｆｅ６（３０９４）　、５Ｓｉ、２Ｂ１
．なる組成の非晶質磁性合金薄帯に対し、との薄帯の両
面をＧＯ１０００の研磨テープにより約８μｍずつ研磨
し、表面の凹凸を取シ除き、厚み８６５μｍの薄帯を得
た。該薄帯の表面粗度を測定したところ、０．３μｍ以
下であった０また、上記試料（Ａｓ、　Ｌ、）の透磁率
（μｅ）と損失（ｔａｎδ）の周波数特性を測定したと
ころ第５図に示すようＫ、比較例に掲げた作製時の状態
（Ａｓ、Ｑ、）よシ大幅に上昇し、また薄板化した試料
に対し、更［４３０℃で、２０分間熱処理を施し、その
後に水中急冷を行なった試料（Ａｎｎｉと較べても、Ｉ
ＭＨｚ以上でほぼ同等の特性を示している。また、損失
についても最も小さくなっており、本発明の効果が現わ
れている。

（実施例２） 実施例１と同様の方法で作製された（Ｆｅ６Ｃｏ、４）
　、。

Ｓｉ、４Ｂ、なる組成の非晶質磁性合金薄帯（厚さ１９
μｍ）Ｋついても実施例１と同様の方法で厚さ１４μｍ
とし透磁率（μｅ）と損失（ｔａｎδ）の周波数特性を
測定した＠上記組成の非晶質磁性合金薄帯は、飽和磁束
密度Ｂｓの高い材料であり、キューリー点Ｔｃが結晶化
温度Ｔｘ　（〜４６０℃）より高くガっているため、実
施例１のような水中急冷法による熱に更に回転磁場中熱
処理を施した試料（Ａｎｎ、　）と作製時状態（Ａｓ、
Ｑ、）の試料について透磁率（μｅ）と損失（ｔａｎδ
）の周波数特性を測定した０第６図に示すように本実施
例の試料（Ａｓ、Ｌ、）は、作製時状態（Ａｓ、Ｑ、）
と比較して、透磁率が３０ｋＨｚ〜１０ＭＨｚのほぼ測
定周波数全域で上昇しており、特忙Ｉ　ＭＨｚ以上の高
周波領域においては、回転磁場中熱処理を施した試料と
同等の値を示し、また、損失も上記熱処理を施した試料
に比べて小さくなっていることがわかる。このように通
常の水中急冷法による熱処理のできない組成についても
非晶質磁性合金薄帯の表面に対し、機械研磨することＫ
より磁気特性を改善できた。

（実施例３） 実施例１と同様の方法で作製された磁歪λユ０の高透磁
率材料である（Ｆｅ５ＧＯ９２Ｍｎ、Ｃｒ２）７５Ｓｉ
、５Ｂよ。

なる組成の非晶質磁性合金薄帯（厚さ３５μｍ）につい
て実施例１と同様の方法で８．５μｍ〜３２μｍの種々
の厚みの試料を作製し、透磁率の周波数特性を測定した
。比較例として本実施例の試料につい虹更に水中急冷法
による熱処理を施した試料について本測定し合わせて示
した０まず第７図に本実施例の内研磨量の最も多い８．
５μｍ厚のものＫついての透磁率の周波数特性を示す。

同図かられかるように本実施例は、作製時の状態から透
磁率も高く、また研磨により薄帯化することで更に透磁
率が大幅に上昇していることがわかる。また熱処理を施
したものと比較しても、この試料の場合３００ｋＨｚ以
上の周波数域でほぼ同じ特性を示しており、実施例１，
２と比べて周波数の低いところから改善効果が現われて
いる。第８図に本実施例と比較例（点線で示す）の３０
　ｋＨｚ〜１０　ＭＨｚにおける透磁率と厚みとの関係
について示す。第８図より明らかなように、薄帯が薄く
なるにつれ、透磁率が大幅に改善されており、特に本実
施例の場合、熱処理を施しだものとほぼ同等の特性を示
す範囲が、薄帯が１５μｍ厚以上では、１００　ｋＨ２
より高周波側で、また上記の８．５μｍ厚の試料でも、
３００　ｋＨｚ以上でみられ、実施例１，２の場合がＩ
　ＭＨｚ以上であったのと比較して、広い周波数域で効
果が見られた。このように、添加元素を加え更に磁歪λ
＝０付近とした高透磁率非晶質磁性合金薄帯では研磨に
よる磁気特性改善効果の得られる周波数域が広く特に有
効であることがわかった。

（発明の効果） 以上本発明によれば、非晶質磁性合金薄帯の表面性を向
上させるとともに、複雑な熱処理を施すことなく、高周
波領域における磁気特性を改善できるばかりでなく、液
体急冷法のみによっては作製することが難かしい１５μ
ｍ以下、更忙は５〜１０１μｍの薄帯の作製が可能であ
る。

本発明によれば、非晶質磁性合金薄帯を磁気ヘッド等の
デバイスに応用する場合に薄帯化により表面性状が向上
し、厚みの寸法精度も良好となシ、更に磁気特性改善の
だめの熱処理工程を省略することもできるので、工業的
に著しく有利である。

また、本発明は、熱処理法の複雑な強磁性金属の含有量
の多い非晶質磁性合金薄帯に対しても有効性の改善効果
が広い範囲にわたっているので特に有利である０

【図面の簡単な説明】

、１．第１図（〜、　（ｂ）はそれぞれ液体急冷法によ
って得Ｆられた非晶質磁性合金薄帯の作製時および研磨
後−・ニ アの表面状態を示す模式図、第２図（ａ）は作製時の非
」 品質磁性合金薄帯を用いた磁気ヘッドの模式斜視図及び
第２図ら）はギャップ部の模式正面図、第３図、第５図
および第６図は本発明の薄帯化を行なった非晶質磁性合
金薄帯の透磁率と損失の周波数特性を示す図、第４図と
第７図は本発明の薄帯化を行なった非晶質磁性合金薄帯
の透磁率と厚みの関係を示す図である。 第８図は実施例と比較例の非晶質磁性合金薄帯の透磁率
と厚みの関係を示す図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、液体急冷法により得られた非晶質磁性合金薄帯に熱
   処理と研磨処理とのうち少なくとも研磨処理を前記薄帯
   の表面からの研磨深さが１μｍより深くなるように施す
   ことを特徴とする非晶質磁性合金薄帯の表面性ならびに
   磁気特性改善方法。 ２、前記液体急冷法により得られた非晶質磁性合金薄帯
   は下記（イ）（ロ）（ハ）（ニ）の合金群のなかから選
   ばれる何れか一群の合金薄帯である特許請求の範囲１項
   記載の方法。 （イ）組成式（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿
   ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗで表わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子
   ％であり、０≦ｘ≦１００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦
   ２５、５≦ｗ≦３０である非晶質磁性合金； （ロ）組成式〔（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）
   ＿１＿０＿０＿−＿ｕＭ＿ｕ〕＿ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗで表
   わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％であり、０≦ｘ≦１
   ００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦２５、かつ５≦ｗ≦３
   ０であつて、上式中 のＭは、下記（１）（２）（３）（４）（５）の群から
   選ばれた何れか１種または２種以上の成分であり、 ０．１≦ｕ≦５０である非晶質磁性合金； （ハ）組成式（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿
   ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗＱ＿ｔで表わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＋ｔ＝
   １００原子％であり、０≦ｘ≦１００、６５≦ｙ≦９０
   、０≦ｚ≦２５、かつ５≦ｗ≦３０であつて、上式中の
   Ｑは、ＰとＣのいずれか１種或いは２種の成分で あり、０．１≦ｔ≦２０である非晶質磁性合金；（ニ）
   組成式〔（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿
   ０＿０＿−＿ｕＭ＿ｕ〕＿ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗＱ＿ｔで表
   わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＋ｔ＝１００原子％であり、０≦ｘ
   ≦１００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦２５、かつ５≦ｗ
   ≦３０であつて、上式中のＭは、下記（１）（２）（３
   ）（４）（５）の群から選ばれた何れか１種または２種
   以上の成分で あり、０．１≦ｕ≦５０の範囲にあり、また上式中のＱ
   は、ＰとＣのいずれか１種或い は２種の成分であり、０．１≦ｔ≦２０である非晶質磁
   性合金。 （１）Ｎｉ；５０原子％以下、 （２）Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｕの少なくとも１種；１５原子％
   以下、 （３）Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、
   Ｃｕ、Ｇｅ、ＢｅおよびＢｉのうちから選ばれた何れか
   １種または２種以上；１０ 原子％以下、 （４）Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂおよ
   びＨｆのうちから選ばれた何れか１ 種または２種以上；６原子％以下、 （５）Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
   ｙおよびＨｏのうちから選ばれた何れか １種または２種以上；４原子％以下。 ３、研磨後の薄帯の厚さは、４５〜５μｍの範囲内であ
   る特許請求の範囲１項或いは第２項 記載の方法。 ４、研磨後の薄帯の厚さは、１５〜５μｍの範囲内であ
   る特許請求の範囲第１項或いは第２項記載の方法。 ５、前記薄帯のキューリー点Ｔｃは結晶化温度Ｔ＿ｘよ
   り低くない薄帯である特許請求の範囲第１〜４項の何れ
   かに記載の方法。 ６、前記薄帯の磁歪の絶対値が０．３×１０＾−＾６以
   下である特許請求の範囲第１〜５項の何れかに記載の方
   法。 ７、液体急冷法により得られた非晶質磁性合金薄帯に化
   学的エッチング、圧延、張力付加の何れか少なくとも１
   つの処理を施し、次に熱処理と研磨処理とのうち少なく
   とも研磨処理を前記薄帯の表面からの研磨深さが１μｍ
   より深くなるように施すことを特徴とする非晶質磁性合
   金薄帯の表面性ならびに磁気特性改善方法。 ８、前記液体急冷法により得られた非晶質磁性合金薄帯
   は下記（イ）（ロ）（ハ）（ニ）の合金群のなかから選
   ばれる何れか一群の合金薄帯である特許請求の範囲第７
   項記載の方法。 （イ）組成式（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿
   ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗで表わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子
   ％であり、０≦ｘ≦１００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦
   ２５、５≦ｗ≦３０である非晶質磁性合金； （ロ）組成式〔（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）
   ＿１＿０＿０＿−＿ｕＭ＿ｕ〕＿ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗで表
   わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００原子％であり、０≦ｘ≦１
   ００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦２５、かつ５≦ｗ≦３
   ０であつて、上式中 のＭは、下記（１）（２）（３）（４）（５）の群から
   選ばれた何れか１種または２種以上の成分であり、 ０．１≦ｕ≦５０である非晶質磁性合金； （ハ）組成式（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿
   ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗＱ＿ｔで表わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＋ｔ＝
   １００原子％であり、０≦ｘ≦１００、６５≦ｙ≦９０
   、０≦ｚ≦２５、かつ５≦ｗ≦３０であつて、上式中 のＱは、ＰとＣのいずれか１種或いは２種 の成分であり、０．１≦ｔ≦２０である非晶質磁性合金
   ； （ニ）組成式〔（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）
   ＿１＿０＿０＿−＿ｕＭ＿ｕ〕＿ｙＳｉ＿ｚＢ＿ｗＱ＿
   ｔで表わされ、ｙ＋ｚ＋ｗ＋ｔ＝１００原子％であり、
   ０≦ｘ≦１００、６５≦ｙ≦９０、０≦ｚ≦２５、かつ
   ５≦ｗ≦３０であつて、上式中のＭは、下記（１）（２
   ）（３）（４）（５）の群から選ばれた何れか１種また
   は２種以上の成分で あり、０．１≦ｕ≦５０の範囲にあり、また上式中のＱ
   は、ＰとＣのいずれか１種或い は２種の成分であり、０．１≦ｔ≦２０である非晶質磁
   性合金； （１）Ｎｉ；５０原子％以下、 （２）Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｕの少なくとも１種；１５原子％
   以下、 （３）Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、
   Ｃｕ、Ｇｅ、ＢｅおよびＢｉのうちから選ばれた何れか
   １種または２種以上；１０ 原子％以下、 （４）Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂおよ
   びＨｆのうちから選ばれた何れか１種 または２種以上；６原子％以下、 （５）Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
   ｙおよびＨｏのうちから選ばれた何れか １種または２種以上；４原子％以下。 ９、研磨後の薄帯の厚さは、４５〜５μｍの範囲内であ
   る特許請求の範囲第７項或いは第８項記載の方法。 Ｉ０、研磨後の薄帯の厚さは、１５〜５μｍの範囲内で
   ある特許請求の範囲第７項或いは第８項記載の方法。 １１、前記薄帯のキューリー点Ｔ＿ｃは結晶化温度Ｔ＿
   ｘより低くない薄帯である特許請求の範囲第７〜１０項
   の何れかに記載の方法。 １２、前記薄帯の磁歪の絶対値が０．３×１０＾−＾６
   以下である特許請求の範囲第７〜１１項の何れかに記載
   の方法。