JPS6124231A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS6124231A JPS6124231A JP14556984A JP14556984A JPS6124231A JP S6124231 A JPS6124231 A JP S6124231A JP 14556984 A JP14556984 A JP 14556984A JP 14556984 A JP14556984 A JP 14556984A JP S6124231 A JPS6124231 A JP S6124231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- lens
- electron beam
- distortion
- Prior art date
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- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子線描画装置に関する。
従来、縮小露光装置を用いて、レチクルのパターンを半
導体ウェーハ面に投影する場合、第４図に示す構成を採
っている。同図において、光源ｌがらり、この光源１に
より光が照射されたレチクル２のパターンはレンズ３を
介して半導体ウェーハからなる試料１面に１１５または
１／１０に縮小転写されるようになっている。前記試料
ｌは試料台５上に載置されておシ、この試料台５は駆動
モータ６を含む機構によってＸ方向およびＹ方向へ移動
できるようになっている。
導体ウェーハ面に投影する場合、第４図に示す構成を採
っている。同図において、光源ｌがらり、この光源１に
より光が照射されたレチクル２のパターンはレンズ３を
介して半導体ウェーハからなる試料１面に１１５または
１／１０に縮小転写されるようになっている。前記試料
ｌは試料台５上に載置されておシ、この試料台５は駆動
モータ６を含む機構によってＸ方向およびＹ方向へ移動
できるようになっている。
一方、レーザ光源１０があシ、このＶ−ザ光源１０の光
はハーフミラ−１３およびミラー１４、およびハーフミ
ラ−１３′を介して受光器１１に投光されるようになっ
ているとともに、前記ハーフミラ−１３に反射し、ハー
フミラ−１３′を通過した後前記試料台ｓ上のミラー１
２に反射するようになっている。葦た、前記ミラー１２
を反射した光はハーフミラ−１３′を反射した後前記受
光器１１に投光されるようになっている。この受光器１
１からの出力はレーザ干渉計９によって前記試料台５の
位置を０．０１μｍの精度で計測するようになっている
。そしてこの計測値とコンピュータ８からのデータ罠基
づいて、試料台制御系７によシ、前記試料台５を所定の
位置に設定するため前記駆動モータ６を駆動させるよう
になっている。
はハーフミラ−１３およびミラー１４、およびハーフミ
ラ−１３′を介して受光器１１に投光されるようになっ
ているとともに、前記ハーフミラ−１３に反射し、ハー
フミラ−１３′を通過した後前記試料台ｓ上のミラー１
２に反射するようになっている。葦た、前記ミラー１２
を反射した光はハーフミラ−１３′を反射した後前記受
光器１１に投光されるようになっている。この受光器１
１からの出力はレーザ干渉計９によって前記試料台５の
位置を０．０１μｍの精度で計測するようになっている
。そしてこの計測値とコンピュータ８からのデータ罠基
づいて、試料台制御系７によシ、前記試料台５を所定の
位置に設定するため前記駆動モータ６を駆動させるよう
になっている。
このようにレチクル２のパターンを試料４面に縮小転写
した図を第５図に示す。同図は一試料面にレチクル２の
同一パターンが並設されて複数転写されている模様を示
している。
した図を第５図に示す。同図は一試料面にレチクル２の
同一パターンが並設されて複数転写されている模様を示
している。
しかしながら、レチクル２のパターンを縮小転写させる
゛ためのレンズ３にはそれ固有でかつ除去のできない歪
みが生じておシ、これによりレチクルパターンが完全な
正方形であるとすると転写パターンは第５図の点線に示
すように糸巻形状となってしまう。このような歪みは現
時点での技術でもってしても１０闘口のパターンに対し
０．１〜０．２μｍの非直線的歪みが生ずるものである
。
゛ためのレンズ３にはそれ固有でかつ除去のできない歪
みが生じておシ、これによりレチクルパターンが完全な
正方形であるとすると転写パターンは第５図の点線に示
すように糸巻形状となってしまう。このような歪みは現
時点での技術でもってしても１０闘口のパターンに対し
０．１〜０．２μｍの非直線的歪みが生ずるものである
。
このため、半導体装置の製造過程において、レチクル変
換の手間を省くため数台の縮小投影装置を用いて露光を
行なう場合、各縮小投影装置のレンズの歪みが異なるこ
とに原因して試料４面における各パターンの重ね合せが
困難であるという問題があった。
換の手間を省くため数台の縮小投影装置を用いて露光を
行なう場合、各縮小投影装置のレンズの歪みが異なるこ
とに原因して試料４面における各パターンの重ね合せが
困難であるという問題があった。
本発明の目的は、パターンをレンズを介して投影する場
合にあって、前記レンズによるパターンの歪みをなくす
ようにして上記パターンを形成する電子線描画装置を提
供するものである。
合にあって、前記レンズによるパターンの歪みをなくす
ようにして上記パターンを形成する電子線描画装置を提
供するものである。
このような目的を達成するために、本発明は、試料面に
光学レンズを介して投影するパターンを形成するため、
加速電子ビームを電子レンズを介して所望の形状と電流
密度に制御し、電子線感光剤を塗布した該パターン表面
上にあらかじめ記憶されたデータに基づいて図形を描画
する電子線描画装置において、前記光学形レンズの歪の
情報を記憶させた記憶手段と、この記憶手段の情報に基
づき前記光学形レンズを介した際に前記歪が生じないよ
うに前記図形を描画させるようにしたものである。
光学レンズを介して投影するパターンを形成するため、
加速電子ビームを電子レンズを介して所望の形状と電流
密度に制御し、電子線感光剤を塗布した該パターン表面
上にあらかじめ記憶されたデータに基づいて図形を描画
する電子線描画装置において、前記光学形レンズの歪の
情報を記憶させた記憶手段と、この記憶手段の情報に基
づき前記光学形レンズを介した際に前記歪が生じないよ
うに前記図形を描画させるようにしたものである。
第１図は本発明による電子線描画装置の一実施例を示す
構成図である。同図において、電子線１６から放出され
る電子線１７は絞シ１８および電子レンズ１９によって
所望の形状および電流密度にされるようになっている。
構成図である。同図において、電子線１６から放出され
る電子線１７は絞シ１８および電子レンズ１９によって
所望の形状および電流密度にされるようになっている。
その後、ブランカ２０、絞り１８′および投影レンズ１
９を通過し、偏向器２１を介してレチクル２面に照射さ
れるようになっている。
９を通過し、偏向器２１を介してレチクル２面に照射さ
れるようになっている。
一方、レチクル２の描画のための描画データはそれを図
示しない磁気ディスクに格納し、コンピュータ２６を介
して順次偏向制御系２４に送出されるようになっており
、この偏向制御系２４からは前記偏向器２１へ偏向位置
信号を入力するとともに、ブランカ制御系２３にブラン
カ制御信号を入力するようになっている。ブランカ制御
系２３からの出力信号はブランカ２０に入力し、これに
よシミ子線１７のオン・オフを行なっている。
示しない磁気ディスクに格納し、コンピュータ２６を介
して順次偏向制御系２４に送出されるようになっており
、この偏向制御系２４からは前記偏向器２１へ偏向位置
信号を入力するとともに、ブランカ制御系２３にブラン
カ制御信号を入力するようになっている。ブランカ制御
系２３からの出力信号はブランカ２０に入力し、これに
よシミ子線１７のオン・オフを行なっている。
また、電子線１７が照射されるレチクル２面上の近傍に
は二次電子検出器２２が配置され、これからレチクル２
上のマークを検出して出力される信号はマーク位置検出
回路２５を介して前記コンピュータ２６に出力されてい
る。さらに、レーザ発振器３１があシ、このレーザ発振
器３１の光はハーフミラ−３２およびミラー３３、およ
びノ１−フミラー３２′を介して受光器３０に投光され
るようになっているとともに、前記Ｉ・−フミラー３２
に反射し、ノ１−フミラー３２′全通過した後ステージ
３４上のミラー３３に反射するようになっている。また
前記ミラー３３を反射した光はノ・−フミ゛ラー３２′
全反射した後前記受光器３０に投光されるようになって
いる。この受光器３０からの出力はＶ−ザ干渉測長針２
８によって前記ステージ３４の位置を計測するようにな
っている。
は二次電子検出器２２が配置され、これからレチクル２
上のマークを検出して出力される信号はマーク位置検出
回路２５を介して前記コンピュータ２６に出力されてい
る。さらに、レーザ発振器３１があシ、このレーザ発振
器３１の光はハーフミラ−３２およびミラー３３、およ
びノ１−フミラー３２′を介して受光器３０に投光され
るようになっているとともに、前記Ｉ・−フミラー３２
に反射し、ノ１−フミラー３２′全通過した後ステージ
３４上のミラー３３に反射するようになっている。また
前記ミラー３３を反射した光はノ・−フミ゛ラー３２′
全反射した後前記受光器３０に投光されるようになって
いる。この受光器３０からの出力はＶ−ザ干渉測長針２
８によって前記ステージ３４の位置を計測するようにな
っている。
そしてこの計測値とコンピュータ２６からのデータに基
づいてステージ駆動系２７によシ、前記ステージ３４を
所定の位置に設定するため駆動モータ２９を駆動させる
ようになっている。
づいてステージ駆動系２７によシ、前記ステージ３４を
所定の位置に設定するため駆動モータ２９を駆動させる
ようになっている。
このように構成したものにあって、電子線１７の偏向に
伴なう収差あるいは偏向歪を考慮すると、電子線１７を
レチクル２の全面に亘って偏向させることは困難である
。このため、数順の範囲を偏内器２１による電子線の偏
向でカバーし、それ以上の領域はステージ３４を移動し
、精度良く偏向位置決めを実行することによシレチクル
２の全面における描画を行なうものである。
伴なう収差あるいは偏向歪を考慮すると、電子線１７を
レチクル２の全面に亘って偏向させることは困難である
。このため、数順の範囲を偏内器２１による電子線の偏
向でカバーし、それ以上の領域はステージ３４を移動し
、精度良く偏向位置決めを実行することによシレチクル
２の全面における描画を行なうものである。
次に、偏向位置の位置決めに関して、ステージ３４はレ
ーザ干渉測長計２８によって精度良く計測されておシ、
レーザ発振器３１から発したレーザビームはハーフミラ
−３２，３２’によって基準光と計測光に分けられ、そ
れぞれミラー３３で反射した後、受光器３ｏにより干渉
波の明暗をパルス化する。このパルスの計数を行なうこ
とにょシレーザ干渉測長針２８に位置情報として認識さ
れ、さらにコンピュータ２６に読み込まれるようになっ
ている。
ーザ干渉測長計２８によって精度良く計測されておシ、
レーザ発振器３１から発したレーザビームはハーフミラ
−３２，３２’によって基準光と計測光に分けられ、そ
れぞれミラー３３で反射した後、受光器３ｏにより干渉
波の明暗をパルス化する。このパルスの計数を行なうこ
とにょシレーザ干渉測長針２８に位置情報として認識さ
れ、さらにコンピュータ２６に読み込まれるようになっ
ている。
さらに、ステージ３４の制御に関しては、レーザ干渉測
長針２８からステージ駆動系２７に目標位置が与えられ
、モータ２９に起動をかける。ステージ３４が目標位置
に到達するとレーザ干渉測長計２８はステージ駆動系２
７を停止させる。この際、コンピュータ２６は停止誤差
をレーザ干渉測長計２８から読み取９、偏気制御系２４
に偏向位置補正データを送出する。こうすることによっ
て、ビーム偏向とステージ移動をステップアンドリピー
トで実行し、レチクル２上に精度良く所望のパターンを
描画することができる。
長針２８からステージ駆動系２７に目標位置が与えられ
、モータ２９に起動をかける。ステージ３４が目標位置
に到達するとレーザ干渉測長計２８はステージ駆動系２
７を停止させる。この際、コンピュータ２６は停止誤差
をレーザ干渉測長計２８から読み取９、偏気制御系２４
に偏向位置補正データを送出する。こうすることによっ
て、ビーム偏向とステージ移動をステップアンドリピー
トで実行し、レチクル２上に精度良く所望のパターンを
描画することができる。
なお、二次電子検出器２２とマーク位置検出回路２５は
レチクル２上の基準マークを検出して電子ビーム１７の
位置の確認に用いるようになっている。
レチクル２上の基準マークを検出して電子ビーム１７の
位置の確認に用いるようになっている。
また、第２図に示すように、レチクル２上に描かれるパ
ターンは、実線３５ａ内に描かれるものとなるが、本実
施例では、図中点線３５ｂ内に描かれるパターンとして
設定される。この点線３５ｂ内に描かれるパターンは、
縮小露光装置を用いて半導体ウェーハの試料上に縮小転
写する際、該縮小露光装置のレンズにおける歪みを考慮
して設定されるものであり、前記レンズを介して投影さ
れた場合、レチクル２における点線３５ｂ内のパターン
はその外周部が直線上となって縮小されるものとなる。
ターンは、実線３５ａ内に描かれるものとなるが、本実
施例では、図中点線３５ｂ内に描かれるパターンとして
設定される。この点線３５ｂ内に描かれるパターンは、
縮小露光装置を用いて半導体ウェーハの試料上に縮小転
写する際、該縮小露光装置のレンズにおける歪みを考慮
して設定されるものであり、前記レンズを介して投影さ
れた場合、レチクル２における点線３５ｂ内のパターン
はその外周部が直線上となって縮小されるものとなる。
したがって該レチクル２を１１５〜１／１０に縮小した
際の歪量が０．１〜０．２μｍであることからレチクル
２は１μｍ〜２μｍの歪補正をして形成すればよいこと
になる。第２図においてレチクル２のパターン３５ａの
大きさは約１００ｍ口であり、１００ｍｍ全体を３關口
ずつ破線３５ｂに沿ってステップ移動し描画フィールド
を配列することにより描画を実行する一辺当りのフィー
ルド数は約３０であり、両端での位置ずれが２μｍあっ
たとしてもフィールド接続は０．０７μｍとなり特にこ
のことは問題とならない。
際の歪量が０．１〜０．２μｍであることからレチクル
２は１μｍ〜２μｍの歪補正をして形成すればよいこと
になる。第２図においてレチクル２のパターン３５ａの
大きさは約１００ｍ口であり、１００ｍｍ全体を３關口
ずつ破線３５ｂに沿ってステップ移動し描画フィールド
を配列することにより描画を実行する一辺当りのフィー
ルド数は約３０であり、両端での位置ずれが２μｍあっ
たとしてもフィールド接続は０．０７μｍとなり特にこ
のことは問題とならない。
ステージ３４の位置すなわちフィールド３６の配列位置
の補正方法について説明する。一般に光学レンズの歪は
３次式で表わすことができる。
の補正方法について説明する。一般に光学レンズの歪は
３次式で表わすことができる。
ΔＸ＝： ａ ｘ３＋ｂ ｘ２ｙ＋ｃ ｘ ｙ２＋ｄ
ｙ３＋ｅ ｘ２＋ｆ ｘ ｙ＋ｇ ’／２＋ｈ ｘ＋
ｉ ｙ ・・・・・・・・・・・・・・・（
１）ΔＹ＝ａ’ ｘ３＋ｂ’ ｘ２ｙ＋ｃ’ ｘ ｙ２
＋ｄ’ ｙ３＋ｅ’ ｘ２＋ｆ’ｘｙ＋ｇ’ｙ２＋ｈ’
ｘ−４−ｉｙ ・・・・・・・・・・・・（２）上記
（１）、（２）式においてＸ、ｙが目的位置ΔＸ。
ｙ３＋ｅ ｘ２＋ｆ ｘ ｙ＋ｇ ’／２＋ｈ ｘ＋
ｉ ｙ ・・・・・・・・・・・・・・・（
１）ΔＹ＝ａ’ ｘ３＋ｂ’ ｘ２ｙ＋ｃ’ ｘ ｙ２
＋ｄ’ ｙ３＋ｅ’ ｘ２＋ｆ’ｘｙ＋ｇ’ｙ２＋ｈ’
ｘ−４−ｉｙ ・・・・・・・・・・・・（２）上記
（１）、（２）式においてＸ、ｙが目的位置ΔＸ。
ΔＹがその位置における目的位置からのずれ量である。
この場合、上記係数ａ−ｉ、ａ’〜Ｃ′はレンズ毎に求
めておく値である。
めておく値である。
描画する手段は、第３図に示すように、まずステップ３
０１でレンズの種類により補正係数を外部メモリより読
出す。次に、ステップ３０２で描画位置（ｘ、ｙ）より
前述した式（１）、 （２）にＸ、ｙを代入しΔＸ、Δ
ｙ（ｒ求める。さらに、ステップ３０３で目的位置（Ｘ
＋ΔＸ＋Ｙ＋Δｙ）を設定し、これにともないステップ
３０４で試料台を移動する。次にステップ３０５で停止
誤差補正を行ないステップ３０６で描画を行なう、さら
に再びステップ３０２に戻り描画を行ないこの描画が全
フィールドに亘って終了したときは終了する。
０１でレンズの種類により補正係数を外部メモリより読
出す。次に、ステップ３０２で描画位置（ｘ、ｙ）より
前述した式（１）、 （２）にＸ、ｙを代入しΔＸ、Δ
ｙ（ｒ求める。さらに、ステップ３０３で目的位置（Ｘ
＋ΔＸ＋Ｙ＋Δｙ）を設定し、これにともないステップ
３０４で試料台を移動する。次にステップ３０５で停止
誤差補正を行ないステップ３０６で描画を行なう、さら
に再びステップ３０２に戻り描画を行ないこの描画が全
フィールドに亘って終了したときは終了する。
このように、パターンをレンズを介して投影する場合に
あって、前記レンズによる歪み分を予め認識しておき、
その歪み分を補正しながら前記パターンを形成するよう
にしていることから、前記レンズによるパターンの歪み
をなくした正常なパターンを形成することができる。
あって、前記レンズによる歪み分を予め認識しておき、
その歪み分を補正しながら前記パターンを形成するよう
にしていることから、前記レンズによるパターンの歪み
をなくした正常なパターンを形成することができる。
以上説明したことから明らかなように、本発明による電
子線描画装置によれば、パターンをレンズを介して投影
する場合にあって、前記レンズによるパターンの歪みを
なくすようにして上記パターンを形成することができる
ようになる。
子線描画装置によれば、パターンをレンズを介して投影
する場合にあって、前記レンズによるパターンの歪みを
なくすようにして上記パターンを形成することができる
ようになる。
第１図は本発明による電子線描画装置の一実施例を示す
構成図、第２図は本発明による電子線描画装置によりレ
チクルを形成する方法を説明する図、第３図は本発明に
よる電子線描画装置の動作フローを示す図、第４図は、
前記レチクルを半導体ウェーハに露光させる場合の縮小
露光装置の一例を示す図、第５図は、第４図に示す縮小
露光にあっての欠点を説明するための説明図である。 １・・・光源、２・・・レチクル、３・・・縮小レンズ
、４・・・試料、５．３４・・・ステージ、６．２９・
・・モータ、７．２７・・・ステージ制御系、８．２６
・・・コンピュータ、９．２８・・・レーザ測長系、１
０．３１・・・レーザ光源、１１．３０・・・受光器、
１２，１４゜３３・・・ミラー、１３．３２・・・ハー
フミラ−１１５・・・縮小パターン、１６・・・電子銃
、１７・・・電子ビーム、１８・・・絞シ、１９・・・
電磁レンズ、２０・・・ブランカ、２１・・・偏向器、
２２・・・二次電子検出器、２３・・・ブランカ制御系
、２４・・・偏向制御系、２５・・・マーク検出器、３
５・・・レチクルパターン、３６・・・描画フィールド
。
構成図、第２図は本発明による電子線描画装置によりレ
チクルを形成する方法を説明する図、第３図は本発明に
よる電子線描画装置の動作フローを示す図、第４図は、
前記レチクルを半導体ウェーハに露光させる場合の縮小
露光装置の一例を示す図、第５図は、第４図に示す縮小
露光にあっての欠点を説明するための説明図である。 １・・・光源、２・・・レチクル、３・・・縮小レンズ
、４・・・試料、５．３４・・・ステージ、６．２９・
・・モータ、７．２７・・・ステージ制御系、８．２６
・・・コンピュータ、９．２８・・・レーザ測長系、１
０．３１・・・レーザ光源、１１．３０・・・受光器、
１２，１４゜３３・・・ミラー、１３．３２・・・ハー
フミラ−１１５・・・縮小パターン、１６・・・電子銃
、１７・・・電子ビーム、１８・・・絞シ、１９・・・
電磁レンズ、２０・・・ブランカ、２１・・・偏向器、
２２・・・二次電子検出器、２３・・・ブランカ制御系
、２４・・・偏向制御系、２５・・・マーク検出器、３
５・・・レチクルパターン、３６・・・描画フィールド
。
Claims (1)
- １、試料面に光学形レンズを介して投影するパターンを
形成するため、加速電子ビームを電子レンズを介して所
望の形状と電流密度に制御し、電子線感光剤を塗布した
該パターン表面上にあらかじめ記憶されたデータに基づ
いて図形を描画する電子線描画装置において、前記光学
形レンズの歪の情報を記憶させた記憶手段と、この記憶
手段の情報に基づき前記光学形レンズを介した際に前記
歪が生じないように前記図形を描画する手段とを具備し
てなることを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14556984A JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14556984A JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124231A true JPS6124231A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0715874B2 JPH0715874B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15388145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14556984A Expired - Lifetime JPH0715874B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715874B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251873A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Jeol Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS56161641A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Fujitsu Ltd | Exposure apparatus to electron beam |
| JPS57186331A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Jeol Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59178726A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | パタ−ン転写用マスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14556984A patent/JPH0715874B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251873A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Jeol Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS56161641A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Fujitsu Ltd | Exposure apparatus to electron beam |
| JPS57186331A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Jeol Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59178726A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | パタ−ン転写用マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715874B2 (ja) | 1995-02-22 |
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