JPS61240677A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61240677A JPS61240677A JP60080405A JP8040585A JPS61240677A JP S61240677 A JPS61240677 A JP S61240677A JP 60080405 A JP60080405 A JP 60080405A JP 8040585 A JP8040585 A JP 8040585A JP S61240677 A JPS61240677 A JP S61240677A
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- JP
- Japan
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- black
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- photo diodes
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- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100083253 Caenorhabditis elegans pho-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、画像入力装置に用いることができる固体撮像
装置に関する。
装置に関する。
従来の技術
感光画素を直線的に配列した一次元固体撮像装置は、各
画素を走査するためにＭＯＳのシフトレジスタを使う方
式と、ＣＯＤを使う方式とに大別されるが、現在のとこ
ろ、ファクシミリ、ＯＣＲ。
画素を走査するためにＭＯＳのシフトレジスタを使う方
式と、ＣＯＤを使う方式とに大別されるが、現在のとこ
ろ、ファクシミリ、ＯＣＲ。
寸法測定の分野では、ＣＣＤ型が主流となっている。
これらの−次元固体撮像装置は、従来の文字や信号等の
２値レベルの情報のみならず、画像、写真等の多値化レ
ベルの情報検出に用いられるようになってきている。
２値レベルの情報のみならず、画像、写真等の多値化レ
ベルの情報検出に用いられるようになってきている。
また、取扱い情報量の増加に伴い、高速、高解像（多画
素）化がなされている。
素）化がなされている。
以下、図面を参照しながら、上述したような、従来のＣ
０Ｄ−次元固体撮像装置について説明する。
０Ｄ−次元固体撮像装置について説明する。
第２図にＣ０Ｄ−次元固体撮像装置の素子構成図を示す
。素子は、直線的に配列されたフォトダイオード列から
なる受光部１１当該フオトダイオードに蓄積された信号
電荷を転送するＣＯＤ転送部（シフトレジスタ）■及び
同■並びに信号出力部■から構成されている。受光部Ｉ
には、黒Ｍ準となる光シールドされたフォトダイオード
Ｂ１．・・・・・・Ｂ６４がフォ１〜ダイオード１．２
．３・・・、 ５０００の列の一方に設けられている。
。素子は、直線的に配列されたフォトダイオード列から
なる受光部１１当該フオトダイオードに蓄積された信号
電荷を転送するＣＯＤ転送部（シフトレジスタ）■及び
同■並びに信号出力部■から構成されている。受光部Ｉ
には、黒Ｍ準となる光シールドされたフォトダイオード
Ｂ１．・・・・・・Ｂ６４がフォ１〜ダイオード１．２
．３・・・、 ５０００の列の一方に設けられている。
以上のように構成されたＣ０Ｄ−次元固体１ｔｆｕｌｌ
ｉｌ装置では、フォ１へダイオード１，２．３・・・、
４９９９゜５０００で光電変化された信号電荷は、偶
奇それぞれのＣＣＤＣＤ転送部組に移され、このアナロ
グシフトレジスタに移された信号電荷は順次転送され、
２段のソースフォロワ−トランジスタから構成される出
力回路■で増巾され、後段回路へと出力される。このと
き、黒基準のフォトダイオードＢｌ。
ｉｌ装置では、フォ１へダイオード１，２．３・・・、
４９９９゜５０００で光電変化された信号電荷は、偶
奇それぞれのＣＣＤＣＤ転送部組に移され、このアナロ
グシフトレジスタに移された信号電荷は順次転送され、
２段のソースフォロワ−トランジスタから構成される出
力回路■で増巾され、後段回路へと出力される。このと
き、黒基準のフォトダイオードＢｌ。
Ｂ２・・・、 ３６３．３６４の電荷も出力され、これ
らの出力が信号の黒レベルの基準となり、光が入射する
他のフォトダイオードの黒レベルを示す。
らの出力が信号の黒レベルの基準となり、光が入射する
他のフォトダイオードの黒レベルを示す。
発明が解決しようとする問題点
しかし、５０００画素程度のものでは、受光部のフォト
ダイオード列の長さも４ｃｍ程度となり、フォトダイオ
ード列の片端に設けられた黒基準用のフォトダイオード
の出力は、距離の離れたフォトダイオードの黒レベルと
は異なる場合が生じる。
ダイオード列の長さも４ｃｍ程度となり、フォトダイオ
ード列の片端に設けられた黒基準用のフォトダイオード
の出力は、距離の離れたフォトダイオードの黒レベルと
は異なる場合が生じる。
すなわち、黒基準用フォトダイオードの近くのフォトダ
イオードでは問題はないが、距離が長くなるに従ってフ
ォトダイオードの黒基準レベルは、変わり、その結果、
シェーディングが生じ、正確な画像再生ができなくなる
という欠点を有していた。
イオードでは問題はないが、距離が長くなるに従ってフ
ォトダイオードの黒基準レベルは、変わり、その結果、
シェーディングが生じ、正確な画像再生ができなくなる
という欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、正確な黒基準レベルを確保し
、シ丁−デイングのない良好な出力信号を得ることので
きる固体搬像装置を提供するものである。
、シ丁−デイングのない良好な出力信号を得ることので
きる固体搬像装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の固体塵像装置で
は、前記受光部の黒Ｍ＃＝どなる光シールドされた複数
個のフィトダイオードからなる画素領域を２ケ所以上設
ける。
は、前記受光部の黒Ｍ＃＝どなる光シールドされた複数
個のフィトダイオードからなる画素領域を２ケ所以上設
ける。
作 用
この構成によって、フォトダイオード列の複数場所の黒
レベルを検出することができ、その結果黒レベルの場所
依存性によるシェープインクを改善できることとなる。
レベルを検出することができ、その結果黒レベルの場所
依存性によるシェープインクを改善できることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例におけるＣ０Ｄ−次元固体撮
像装置の構成を示すものである。
像装置の構成を示すものである。
■は直線的に配列されたフォトダイオード列からなる受
光部、■及び■はフォトダイオード列■に蓄積された信
号電荷を転送するＣＯＤ転送部（シフトレジスタ）、■
は信号電荷を検出し、出力する出力部である。
光部、■及び■はフォトダイオード列■に蓄積された信
号電荷を転送するＣＯＤ転送部（シフトレジスタ）、■
は信号電荷を検出し、出力する出力部である。
フォトダイオード列１において直線的に配列されたフォ
トダイオード１，２．３・・・、 ４９９９．５０００
の両端に、黒基準となる光シールドされたフォトダイオ
ード列Ｂｌ 、８２・・・Ｂ６３． Ｂ６４および０１
゜Ｃ２・・・Ｃ６３，０６４が設けられている。フォト
ダイオード列■は、７μｍピッチで、直線上に５０００
個のフォトダイオード（ただし、光シールドされた１２
８（６４ｘ ２）個のフＪ［−ダイオードを除く）が配
列されている。
トダイオード１，２．３・・・、 ４９９９．５０００
の両端に、黒基準となる光シールドされたフォトダイオ
ード列Ｂｌ 、８２・・・Ｂ６３． Ｂ６４および０１
゜Ｃ２・・・Ｃ６３，０６４が設けられている。フォト
ダイオード列■は、７μｍピッチで、直線上に５０００
個のフォトダイオード（ただし、光シールドされた１２
８（６４ｘ ２）個のフＪ［−ダイオードを除く）が配
列されている。
また、アナログシフ１〜レジスタ■、■には、２相で駆
動できる埋め込み型ＣＯＤを使用した。ま−４＝ た、転送された信号電荷を出力する出力部■は、２段の
ソースフＡロワートランジスタを使用している。以上の
ように構成された固体搬像装置について、以下にその動
作を説明する。
動できる埋め込み型ＣＯＤを使用した。ま−４＝ た、転送された信号電荷を出力する出力部■は、２段の
ソースフＡロワートランジスタを使用している。以上の
ように構成された固体搬像装置について、以下にその動
作を説明する。
本実施例に示すように、フォトダイオード列の両端に、
光シールドしたフォトダイオードを配列することによっ
て、光シールドされないフォトダイオードの信号出力の
前後には、黒基準を示す、光シールドされたフォトダイ
オードの信号レベルが得られる。これら２ケ所の黒基準
レベルを検知することによって、信号出力（光シールド
されていないフォ１〜ダイオードの信号）の黒レベルの
場所的依存性を、大巾に改善し・、シェーディングを軽
減することができる。
光シールドしたフォトダイオードを配列することによっ
て、光シールドされないフォトダイオードの信号出力の
前後には、黒基準を示す、光シールドされたフォトダイ
オードの信号レベルが得られる。これら２ケ所の黒基準
レベルを検知することによって、信号出力（光シールド
されていないフォ１〜ダイオードの信号）の黒レベルの
場所的依存性を、大巾に改善し・、シェーディングを軽
減することができる。
本実施例においては、光シールドされた黒基準用フォト
ダイオードを、フォトダイオード列の両端２ケ所に設け
たが、黒レベルの場所依存性の改善のために、３ケ所以
上設けてもよい。またＣＯＤ、ＭＯＳ型−次元固体撮像
装置に限らず、ＣＣＤ、ＣＰＤ、ＭＯＳ型の２次元固体
胤像装置にも適用できることは言うまでもない。
ダイオードを、フォトダイオード列の両端２ケ所に設け
たが、黒レベルの場所依存性の改善のために、３ケ所以
上設けてもよい。またＣＯＤ、ＭＯＳ型−次元固体撮像
装置に限らず、ＣＣＤ、ＣＰＤ、ＭＯＳ型の２次元固体
胤像装置にも適用できることは言うまでもない。
発明の効果
以、七のように本発明によれば、複数ケ所の黒基準レベ
ルの検知が可能となり、シェーディングを軽減すること
ができ、その実用的効果は大なるものがある。
ルの検知が可能となり、シェーディングを軽減すること
ができ、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は、本発明の実施例におけるＣＯＤ固体固体製像
装置成図、第２図は、従来のＣＯＤ固体固体製像装置成
図である。 ■・・・フォトダイオード列 ■、■・・・シフトレジ
スタ ■・・・信号出力部 特許出願人 松下電子工業株式会社 ７一
装置成図、第２図は、従来のＣＯＤ固体固体製像装置成
図である。 ■・・・フォトダイオード列 ■、■・・・シフトレジ
スタ ■・・・信号出力部 特許出願人 松下電子工業株式会社 ７一
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、フォトダイオード列からなる光
電変換部、信号電荷転送部及び信号電荷検出部が設けら
れるとともに、上記光電変換部のフォトダイオード列の
うち、複数カ所で複数個のフォトダイオードが光遮蔽さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。 - （２）光遮蔽されたフォトダイオードが、フォトダイオ
ード列の両端に配置されている特許請求の範囲第（１）
項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080405A JPS61240677A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60080405A JPS61240677A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240677A true JPS61240677A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13717379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60080405A Pending JPS61240677A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240677A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107684A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-23 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled device |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP60080405A patent/JPS61240677A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107684A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-23 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled device |
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