JPS61240208A - 光伝送体とその製造方法 - Google Patents
光伝送体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は通信、非通信の分野で用いられる光伝送体とそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
ｒ従来の技術Ｊ
光ファイバにおける低屈折率用のドーパントとして、現
在フッ素とホウ素が使用されている。
在フッ素とホウ素が使用されている。
上記ドーパントのうち、ホウ素はドーパント濃度に対す
る屈折率の低減率が小さく、長波長領域（１，１ル■以
上）での基準振動による赤外吸収も無視できない。
る屈折率の低減率が小さく、長波長領域（１，１ル■以
上）での基準振動による赤外吸収も無視できない。
これに対し、フッ素は上記の問題がなく、耐水素性にも
優れ、低価格である点でも望ましい。
優れ、低価格である点でも望ましい。
低屈折率のドーパントを必要とする光ファイバの代表的
なものに、耐放射線光ファイバがある。
なものに、耐放射線光ファイバがある。
この耐放射線光ファイバは、主としてコアが純粋なシリ
カガラスからなり、クラッドが上記低屈折率用ドーパン
トの添加されたシリカガラスからなりτその屈折率分布
はＳＩ型である。
カガラスからなり、クラッドが上記低屈折率用ドーパン
トの添加されたシリカガラスからなりτその屈折率分布
はＳＩ型である。
かかるＳＩ型光ファイバの場合、耐放射線性は優れてい
るが、帯域の狭さが問題となっている。
るが、帯域の狭さが問題となっている。
これに対処すべく、上記低屈折率用ドーパントを用いた
ＣＩ型光ファイバが検討されはじめているが、このＣＩ
型の場合は、５Ｉｆｉと比べ耐放射線性の劣ることが指
摘されている。
ＣＩ型光ファイバが検討されはじめているが、このＣＩ
型の場合は、５Ｉｆｉと比べ耐放射線性の劣ることが指
摘されている。
その他、耐放射線性光ファイバの一般的傾向として、被
爆後の被覆劣化によるマイクロベンド損失が大きいので
、ＳＩ型、ＣＩ型を問わず、ＮＡの大きいことが望まし
い。
爆後の被覆劣化によるマイクロベンド損失が大きいので
、ＳＩ型、ＣＩ型を問わず、ＮＡの大きいことが望まし
い。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、上述した低屈折率用ドーパントを含む光ファ
イバを作製するとき、当然のことではあるが、所定ガラ
ス中ヘドーブしたフッ素が散逸しないのが望ましく、こ
うしたドーパントの散逸が生じると、特性のよい光ファ
イバが得られない。
イバを作製するとき、当然のことではあるが、所定ガラ
ス中ヘドーブしたフッ素が散逸しないのが望ましく、こ
うしたドーパントの散逸が生じると、特性のよい光ファ
イバが得られない。
フッ素が石英ガラス中に取りこまれるのは、下記量論式
の反応による。
の反応による。
ＳｉＦ４＋３Ｓｉ０２ ＝＝ ４Ｓｉ０１．ｓＦ上記
の式において、反応を左から右へ進行させるには合成温
度を低くする必要があり、逆に温度を高くすれば反応は
右から左へと進行する。
の式において、反応を左から右へ進行させるには合成温
度を低くする必要があり、逆に温度を高くすれば反応は
右から左へと進行する。
したがって、フッ素の添加量を増加させるには合成温度
をできるだけ下げる必要が生じる。
をできるだけ下げる必要が生じる。
ところが、ガラスパイプの内周面にフッ素ドープト石英
ガラスを堆積形成するとき、その堆積ガラス中に多量の
フッ素をドープしたとしても、ガラスパイプをコラプス
する際の強加熱とか、パイプ内ヘロッドインする際の強
加熱により、堆積ガラスの最内層では上記式の「左←右
」反応が起こり、その堆積ガラスの内周面（表面）から
フッ素が散逸してしまう。
ガラスを堆積形成するとき、その堆積ガラス中に多量の
フッ素をドープしたとしても、ガラスパイプをコラプス
する際の強加熱とか、パイプ内ヘロッドインする際の強
加熱により、堆積ガラスの最内層では上記式の「左←右
」反応が起こり、その堆積ガラスの内周面（表面）から
フッ素が散逸してしまう。
フッ素の散逸は、ＧＩ型光ファイバでの屈折率分布異常
を招き、伝送帯域に支障をきたす。
を招き、伝送帯域に支障をきたす。
上記フッ素散逸とは異なる問題点として、ガラスパイプ
の内周面に堆積されたガラス層がフッ素を含有している
場合、そのパイプ丙にガラス棒をロッドインしてこれら
両者を融着した際に発泡が生じる。
の内周面に堆積されたガラス層がフッ素を含有している
場合、そのパイプ丙にガラス棒をロッドインしてこれら
両者を融着した際に発泡が生じる。
特に、フッ素の添加量が多いほど、その傾向が強くなる
。
。
本発明は上記の問題点に鑑み、フッ素の散逸、発泡等の
ない光伝送体とその製造方法を提供しようとするもので
ある。
ない光伝送体とその製造方法を提供しようとするもので
ある。
ｒ問題点を解決するための手段Ｊ
本発明に係る光伝送体は、フッ素を含有しない石英、ま
たはフッ素含有率の低いドープト石英からなるコアと、
フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッドとを
備えた光伝送体において、コアと径方向に隣接する部分
に、石英ガラスを主成分とするドーパント散逸防止層が
設けられていることを特徴としている。
たはフッ素含有率の低いドープト石英からなるコアと、
フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッドとを
備えた光伝送体において、コアと径方向に隣接する部分
に、石英ガラスを主成分とするドーパント散逸防止層が
設けられていることを特徴としている。
本発明方法のうち、その一つはフッ素を含有しない石英
、またはフッ素含有率の低いドープト石英からなるコア
と、フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッド
とを備え、コアと径方向に隣接する部分に、石英ガラス
を主成分とするドーパント散逸防止層が設けられている
光伝送体の製遣方法において、高純度石英ガラスからな
るガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英からな
るガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面にフ
ッ素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後の
ガラスパイプをコラプスして光伝送体用の母材をつくり
、その母材を紡糸することを特徴としている。
、またはフッ素含有率の低いドープト石英からなるコア
と、フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッド
とを備え、コアと径方向に隣接する部分に、石英ガラス
を主成分とするドーパント散逸防止層が設けられている
光伝送体の製遣方法において、高純度石英ガラスからな
るガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英からな
るガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面にフ
ッ素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後の
ガラスパイプをコラプスして光伝送体用の母材をつくり
、その母材を紡糸することを特徴としている。
本発明方法のうち、他の一つはフッ素を含有しない石英
、またはツー２素含有率の低いドープト石英からなるコ
アと、フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッ
ドとを備え、コアと径方向に隣接する部分に、石英ガラ
スを主成分とするドーパント散逸防止層が設けられてい
る光伝送体の製造方法において、高純度石英ガラスから
なるガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英から
なるガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面に
フッ素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後
のガラスパイプ内にコア用のガラスロンドをロッドイン
し、これにより得られた光伝送体用の母材を紡糸するこ
とを特徴としている。
、またはツー２素含有率の低いドープト石英からなるコ
アと、フッ素含有率の高いドープト石英からなるクラッ
ドとを備え、コアと径方向に隣接する部分に、石英ガラ
スを主成分とするドーパント散逸防止層が設けられてい
る光伝送体の製造方法において、高純度石英ガラスから
なるガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英から
なるガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面に
フッ素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後
のガラスパイプ内にコア用のガラスロンドをロッドイン
し、これにより得られた光伝送体用の母材を紡糸するこ
とを特徴としている。
「作用１
本発明のフッ素ドープト石英からなる光伝送体は、コア
と径方向に隣接する部分、例えばＧＩ型におけるコアの
中心部とか、ＳＩ型におけるコア外周部とクラッド内周
部との間に、ドーパント散逸防止層が設けられている。
と径方向に隣接する部分、例えばＧＩ型におけるコアの
中心部とか、ＳＩ型におけるコア外周部とクラッド内周
部との間に、ドーパント散逸防止層が設けられている。
上記ＣＩ型光伝送体の場合、ガラスパイプの内周面にク
ラッド用のフッ素ドープト石英、コア用のフッ素ドープ
ト石英（ＧＩ型屈折率分布）、フッ素を含まないガラス
Ｍ（ドーパント散逸防止用）を順次堆積させ、その後、
該ガラスパイプをコラプスし、紡糸することにより得ら
れるが、こうした製造時、ドーパント散逸防止用のガラ
ス層が各堆積ガラス層の最内側にあるから、コラプスの
ための強加熱を受けてもフッ素は散逸しない。
ラッド用のフッ素ドープト石英、コア用のフッ素ドープ
ト石英（ＧＩ型屈折率分布）、フッ素を含まないガラス
Ｍ（ドーパント散逸防止用）を順次堆積させ、その後、
該ガラスパイプをコラプスし、紡糸することにより得ら
れるが、こうした製造時、ドーパント散逸防止用のガラ
ス層が各堆積ガラス層の最内側にあるから、コラプスの
ための強加熱を受けてもフッ素は散逸しない。
すなわち、かかる構成のＧＩ型光伝送体は、コアの中心
部にドーパント散逸防止層が設けられ、製造段階におけ
るフッ素の散逸がないものであるため、屈折率分布の異
常がない。
部にドーパント散逸防止層が設けられ、製造段階におけ
るフッ素の散逸がないものであるため、屈折率分布の異
常がない。
Ｓｌ型光伝送体の場合、ガラスパイプの内周面にクラッ
ド用のフッ素ドープト石英、フッ素を含まないガラス層
（ドーパント散逸防止用）を順次堆積させ、その後、該
ガラスパイプ内にコア用ガラス棒をロッドインし、紡糸
することにより得られるが、この際の製造時、ドーパン
ト散逸防止層用のガラス層があるから、ロッドインのた
めの強加熱を受けてもフッ素は散逸せず、しかもコア用
ガラス棒とガラスパイプとの界面にフッ素を含まない上
記ガラス層が介在されるため、発泡も生じない。
ド用のフッ素ドープト石英、フッ素を含まないガラス層
（ドーパント散逸防止用）を順次堆積させ、その後、該
ガラスパイプ内にコア用ガラス棒をロッドインし、紡糸
することにより得られるが、この際の製造時、ドーパン
ト散逸防止層用のガラス層があるから、ロッドインのた
めの強加熱を受けてもフッ素は散逸せず、しかもコア用
ガラス棒とガラスパイプとの界面にフッ素を含まない上
記ガラス層が介在されるため、発泡も生じない。
すなわち、かかる構成のＳｌ型光伝送体は、そのコア外
周部とクラッド内周部との間に、ドーパント散逸防止層
が設けられ、製造段階におけるフッ素の散逸、発泡等が
ないものであるため、特性、品質とも優れた光伝送体と
なる。
周部とクラッド内周部との間に、ドーパント散逸防止層
が設けられ、製造段階におけるフッ素の散逸、発泡等が
ないものであるため、特性、品質とも優れた光伝送体と
なる。
一方１本発明における一つの方法は、所定ガラスパイプ
の内周面に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆
積させた後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まない
ガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後のガラスパイプを
コラプスして光伝送体用の母材をつくり、その母材を紡
糸するから、前述したＧＩ型の光伝送体を製造する際の
コラプス時、フッ素を含まない上記ガラス層によりフッ
素の散逸が防止でき、したがって屈折率分布異常のない
ＧＩ型光伝送体が製造できる。
の内周面に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆
積させた後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まない
ガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後のガラスパイプを
コラプスして光伝送体用の母材をつくり、その母材を紡
糸するから、前述したＧＩ型の光伝送体を製造する際の
コラプス時、フッ素を含まない上記ガラス層によりフッ
素の散逸が防止でき、したがって屈折率分布異常のない
ＧＩ型光伝送体が製造できる。
本発明における他の一つの方法は、所定ガラスからなる
ガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英からなる
ガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面にフッ
素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後のガ
ラスパイプ内にコア用のガラスロンドをロッドインし、
これにより得られた光伝送体用の母材を紡糸するから、
前述したＳｒ型の光伝送体を製造する際のロッドイン時
、フッ素を含まない上記ガラス層によりフッ素の散逸、
発泡等が防止でき、したがって屈折率分布異常、発泡等
のないＳｌ型光伝送体が製造できる。
ガラスパイプの内周面に、フッ素ドープト石英からなる
ガラス層を堆積させた後、そのガラス層の内周面にフッ
素を含まないガラス層を堆積し、該ガラス層堆積後のガ
ラスパイプ内にコア用のガラスロンドをロッドインし、
これにより得られた光伝送体用の母材を紡糸するから、
前述したＳｒ型の光伝送体を製造する際のロッドイン時
、フッ素を含まない上記ガラス層によりフッ素の散逸、
発泡等が防止でき、したがって屈折率分布異常、発泡等
のないＳｌ型光伝送体が製造できる。
ｒ実 施 例ｊ
以下、本発明に係る光伝送体とその製造方法につき、図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
第１図はＧＩ型の光伝送体ＩＡを示し、第２図はＳｒ型
の光伝送体ＩＢを示す。
の光伝送体ＩＢを示す。
第１図、第２図の光伝送体ＩＡ、ＩＢはコア２とクラッ
ド３とドーパント散逸防止層４とパイプガラス層５とか
らなる。
ド３とドーパント散逸防止層４とパイプガラス層５とか
らなる。
第１図の光伝送体ＩＡは第３図のごとき屈折率分布を有
し、そのコア２、クラッド３はフッ素ドープト石英から
なり、ドーパント散逸防止層４、パイプガラス層５はフ
ッ素を含まない高純度石英からなる。
し、そのコア２、クラッド３はフッ素ドープト石英から
なり、ドーパント散逸防止層４、パイプガラス層５はフ
ッ素を含まない高純度石英からなる。
第２図の光伝送体ＩＢは第４図のごとき屈折率分布を有
し、そのクラッド３はフッ素ドープト石英からなるが、
コア２．ドーパント散逸防止層４゜パイプガラス層５は
フッ素を含まない高純度石英からなる。
し、そのクラッド３はフッ素ドープト石英からなるが、
コア２．ドーパント散逸防止層４゜パイプガラス層５は
フッ素を含まない高純度石英からなる。
つぎに、上記光伝送体ＩＡ、ＩＢの製造方法を第５図〜
第７図により説明する。
第７図により説明する。
第５図に示すプラズマＣＶＤ法は、ガラスの低温合成、
スート状態を経ない直接的なガラス堆積等が行なえるた
め、他の方法に比ベガラス中に多量のフッ素が添加でき
る。
スート状態を経ない直接的なガラス堆積等が行なえるた
め、他の方法に比ベガラス中に多量のフッ素が添加でき
る。
第５図において、５ａは高純度石英からなるガラスパイ
プ（サブストレイトパイプ）、１１はガラスパイプ５ａ
内に発生させたプラズマ、１２はマイクロ波発振機、１
３はプラズマ発生用のキャビティ、 １４はアニール用
電気炉、１５は原料供給系、１６は真空排気系である。
プ（サブストレイトパイプ）、１１はガラスパイプ５ａ
内に発生させたプラズマ、１２はマイクロ波発振機、１
３はプラズマ発生用のキャビティ、 １４はアニール用
電気炉、１５は原料供給系、１６は真空排気系である。
第１図の光伝送体ＩＡをつくるべく、第５図のプラズマ
ＣＶＤ法を実施するとき、マイクロ波発振機１２による
マイクロ波電界が、キャビティ１３を介してガラスパイ
プ５ａに印加され、これによりガラスパイプ５ａ内には
プラズマ１１が発生する。
ＣＶＤ法を実施するとき、マイクロ波発振機１２による
マイクロ波電界が、キャビティ１３を介してガラスパイ
プ５ａに印加され、これによりガラスパイプ５ａ内には
プラズマ１１が発生する。
さらにガラスパイプ５ａ内が電気炉１４により加熱され
る。
る。
かかるガラスパイプ５ａ内には、原料供給系１５から石
英ガラス原料、フッ素系のドープ原料、酸素が供給され
、これら原料のＣＶＤ反応によりガラスパイプ５ａの内
周面にはクラッド用のガラスＮ３ａが堆積形成される。
英ガラス原料、フッ素系のドープ原料、酸素が供給され
、これら原料のＣＶＤ反応によりガラスパイプ５ａの内
周面にはクラッド用のガラスＮ３ａが堆積形成される。
この際、パイプ５ａ内は真空排気系１６により吸引かつ
排気されている。
排気されている。
つぎに上記原料供給系１５からのドープ原料が徐々に減
じられながらガラス堆積が行なわれ、これにより、上記
ガラス層３ａの内周面には二乗分布の屈折率構造をもつ
コア用のガラス層２ａが形成される。
じられながらガラス堆積が行なわれ、これにより、上記
ガラス層３ａの内周面には二乗分布の屈折率構造をもつ
コア用のガラス層２ａが形成される。
その後、上記原料供給系１５からのドープ原料供給が停
止された状態でガラス堆積が行なわれ、これにより上記
ガラス層２ａの内周面にはドーパント散逸防止用のガラ
ス層４ａが形成される。
止された状態でガラス堆積が行なわれ、これにより上記
ガラス層２ａの内周面にはドーパント散逸防止用のガラ
ス層４ａが形成される。
第６図は上記プラズマＣＶＤ法によりガラス堆積された
ガラスパイプ５ａを示す。
ガラスパイプ５ａを示す。
上記ガラス堆積後のガラスパイプ５ａは、これを適当な
加熱手段で加熱し、コラプスすることにより所定の母材
となり、以下、その母材を既知の紡糸手段で加熱延伸す
ることにより、第１図の光伝送体ＩＡが得られる。
加熱手段で加熱し、コラプスすることにより所定の母材
となり、以下、その母材を既知の紡糸手段で加熱延伸す
ることにより、第１図の光伝送体ＩＡが得られる。
第１図の光伝送体ＩＢをつくる場合のプラズマＣＶＤ法
も、概ね前記と同様であるが、この場合はガラスパイプ
５ａの内周面にクラッド用のガラス層３ａが堆積形成さ
れた後、そのガラス層３ａの内周面にドーパント散逸防
止用のガラス層４ａが堆積形成される。
も、概ね前記と同様であるが、この場合はガラスパイプ
５ａの内周面にクラッド用のガラス層３ａが堆積形成さ
れた後、そのガラス層３ａの内周面にドーパント散逸防
止用のガラス層４ａが堆積形成される。
第７図は上記プラズマＣＶＤ法によりガラス堆積された
ガラスパイプ５ａである。
ガラスパイプ５ａである。
このガラスパイプ５ａ内には、高純度石英からなるガラ
ス棒２ｂが内挿され、その後の加熱処理により、ガラス
パイプ５ａとガラス棒２ｂとが一体化される。
ス棒２ｂが内挿され、その後の加熱処理により、ガラス
パイプ５ａとガラス棒２ｂとが一体化される。
こうして作製され母材が前記と同様に紡糸されて第２図
の光伝送体ｌＢとなる。
の光伝送体ｌＢとなる。
つぎに本発明方法の具体例について説明する。
具体例１
前述した第５図のガラス堆積手段、既知のコラプス手段
、紡糸手段等を介して第１図のＧＩ型光伝送体を製造す
るとき、つぎの条件で実施した。
、紡糸手段等を介して第１図のＧＩ型光伝送体を製造す
るとき、つぎの条件で実施した。
ガラスパイプ５ａは外径（直径） ２０ｍｍ、内径（直
径） １７ｍｍ高純度石英を用いた。
径） １７ｍｍ高純度石英を用いた。
放電プラズマ１１の発生には２ 、４５ＧＨｚのマイク
ロ波発振機１２を用い、出力を７５０ｗに設定した。
この際のマクロ波電界はキャビティ１３を介してガラス
バイプ５ａに印加される。
ロ波発振機１２を用い、出力を７５０ｗに設定した。
この際のマクロ波電界はキャビティ１３を介してガラス
バイプ５ａに印加される。
電気炉１４は、上記パイプ５ａの表面温度が１２００℃
となるよう、これの加熱温度を設定した。
となるよう、これの加熱温度を設定した。
ガラスパイプ５ａ内には、原料供給系１５から石英ガラ
ス原料５ｉＣ１４を７０ｓｃｃｍ、０２を５００ｓｃｃ
■供給し、ざらにドープ原料０２Ｇ１２Ｆ４（フロン１
１４）を１０ｓｃｃ鵬供給し、ガラスパイプ５ａの内圧
を１２．３Ｔｏｒｒに保持しつつ、２５００回の堆積に
よりクラッド用のガラス層３ａを形成した。
ス原料５ｉＣ１４を７０ｓｃｃｍ、０２を５００ｓｃｃ
■供給し、ざらにドープ原料０２Ｇ１２Ｆ４（フロン１
１４）を１０ｓｃｃ鵬供給し、ガラスパイプ５ａの内圧
を１２．３Ｔｏｒｒに保持しつつ、２５００回の堆積に
よりクラッド用のガラス層３ａを形成した。
その後、５ｉＣ１４，０２の流量はそのままに保持して
、かつ、ガラスパイプ５ａの内圧もそのままに保持して
０２ＣＩ２Ｆ４の流量を徐々に減らし、二乗屈折率分布
をもつコア用ガラスＲ２ａを形成した。
、かつ、ガラスパイプ５ａの内圧もそのままに保持して
０２ＣＩ２Ｆ４の流量を徐々に減らし、二乗屈折率分布
をもつコア用ガラスＲ２ａを形成した。
このコア用ガラス層２ａの堆積回数は１３００回である
が、このうち、最後の二回は全くフッ素を含まないドー
パント散逸防止用のガラス層４ａとした。
が、このうち、最後の二回は全くフッ素を含まないドー
パント散逸防止用のガラス層４ａとした。
上記ガラス堆積後のガラスパイプ５ａをガラス旋盤にセ
ットし、酸水素炎によりコラプスして所定の棒状母材と
した後、当該母材をＺ ｒ０２の誘導加熱炉により紡糸
した。
ットし、酸水素炎によりコラプスして所定の棒状母材と
した後、当該母材をＺ ｒ０２の誘導加熱炉により紡糸
した。
これにより得られた光伝送体ＩＡは、コア直径５０４ｔ
ｓ、クラッド厚１５ＩＬ１１、外径（直径） １２Ｓ
ＩＬ層であり、ＮＡは０．２２であった。
ｓ、クラッド厚１５ＩＬ１１、外径（直径） １２Ｓ
ＩＬ層であり、ＮＡは０．２２であった。
かかる光伝送体ＩＡの端面を干渉顕微鏡にて観察したと
ころ、屈折率分布は滑らかで、フッ素の散逸による屈折
率の上昇は認めらず、一方、８該光伝送体】Ａの伝送帯
域を測定したところ、波長１．３用ｌ帯において８００
Ｍ）Ｉｚ ｋ層とよい特性を示した。
ころ、屈折率分布は滑らかで、フッ素の散逸による屈折
率の上昇は認めらず、一方、８該光伝送体】Ａの伝送帯
域を測定したところ、波長１．３用ｌ帯において８００
Ｍ）Ｉｚ ｋ層とよい特性を示した。
具体例２
前述した第５図のガラス堆積手段、既知のロッドイン手
段、紡糸手段等を介して第１図のＣＩ型光伝送体を製造
するとき、つぎの条件で実施した。
段、紡糸手段等を介して第１図のＣＩ型光伝送体を製造
するとき、つぎの条件で実施した。
放電プラズマ１１の発生には２．４５ＧＨｚのマイクロ
波発振機１２を用い、出力を８５０ｗに設定した。 こ
の際のマクロ波電界はギヤビティ１３を介してガラスパ
イプ５ａに印加される。
波発振機１２を用い、出力を８５０ｗに設定した。 こ
の際のマクロ波電界はギヤビティ１３を介してガラスパ
イプ５ａに印加される。
電気炉１４は、上記パイプ５ａの表面温度が」１５０℃
となるよう、これの加熱温度を設定した。
となるよう、これの加熱温度を設定した。
ガラスパイプ５ａ内には、原料供給系１５から石英ガラ
ス原料５ｉＧ１４ を１０１００５ｅ 、 ０２を７０
０ｓｃｃｍ供給し、ざらにドープ原料０３ＦＢを１５ｓ
ｅｃｍ供給し、ガラスパイプ５ａの内圧を１２．５Ｔｏ
ｒｒに保持しながら３０００回の堆積によりクラ−２ド
用のガラスＭ３ａを形成した。
ス原料５ｉＧ１４ を１０１００５ｅ 、 ０２を７０
０ｓｃｃｍ供給し、ざらにドープ原料０３ＦＢを１５ｓ
ｅｃｍ供給し、ガラスパイプ５ａの内圧を１２．５Ｔｏ
ｒｒに保持しながら３０００回の堆積によりクラ−２ド
用のガラスＭ３ａを形成した。
その後、５ｉＧ１４．０２の流量はそのまま、ガラスパ
イプ５ａの内圧もそのままに保持し、０３Ｆ８の供給だ
けを停止して１０回の堆積によりドーパント散逸防止用
のガラス層４ａを形成した。
イプ５ａの内圧もそのままに保持し、０３Ｆ８の供給だ
けを停止して１０回の堆積によりドーパント散逸防止用
のガラス層４ａを形成した。
つぎに直径１０＋ｏ＋の石英製コア用ガラス棒２ｂを上
記ガラスパイプ５ａ内に挿入し、これら両者５ａ、２ｂ
を熱融着した。
記ガラスパイプ５ａ内に挿入し、これら両者５ａ、２ｂ
を熱融着した。
この際の熱融着時、堆積ガラス層からの発泡がなく、上
記両者５ａ、２ｂの界面がきれいな母材が得られた。
記両者５ａ、２ｂの界面がきれいな母材が得られた。
かかる母材をセンタレス研磨手段により研磨して所定の
外径とした後、その母材を前記具体例と同様に紡糸して
コア直径１００ル鑓、クラッド厚１５ｐｍ、外径１４０
ｐ、ｔｓの光伝送体ＩＢを得た。
外径とした後、その母材を前記具体例と同様に紡糸して
コア直径１００ル鑓、クラッド厚１５ｐｍ、外径１４０
ｐ、ｔｓの光伝送体ＩＢを得た。
この光伝送体ＩＢはＮＡが０．３０であり、伝送特性は
１．３ルｍであった。
１．３ルｍであった。
ｒ発明の効果１
以上説明した通り、本発明に係る光伝送体は、所定部が
フッ素ドープト石英で構成されたものにおいて、コアと
径方向に隣接する部分に、石英ガラスを主成分とするド
ーパント散逸防止層が設ζすられ、屈折率分布の異常、
発泡等がないから優れた光伝送体となり得る。
フッ素ドープト石英で構成されたものにおいて、コアと
径方向に隣接する部分に、石英ガラスを主成分とするド
ーパント散逸防止層が設ζすられ、屈折率分布の異常、
発泡等がないから優れた光伝送体となり得る。
一方、本発明方法によるときは、所定ガラスパイプの内
周面に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆積さ
せた後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まないガラ
ス層を堆積し、以下、かかるガラスパイプをコラプスし
、あるいはそのガラスパイプ内にロッドインして光伝送
体用の母材をつくり、これを紡糸するから、上記フッ素
を含まない上記ガラス層によりドーパント散逸を防上し
て屈折率分布の異常、発泡等のない光伝送体を製造し得
る。
周面に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆積さ
せた後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まないガラ
ス層を堆積し、以下、かかるガラスパイプをコラプスし
、あるいはそのガラスパイプ内にロッドインして光伝送
体用の母材をつくり、これを紡糸するから、上記フッ素
を含まない上記ガラス層によりドーパント散逸を防上し
て屈折率分布の異常、発泡等のない光伝送体を製造し得
る。
第１図、第２図は本発明に係る各種光伝送体の断面図、
第３図、第４図は上記各光伝送体の屈折率分布図、第５
図は本発明方法におけるガラス堆積手段の説明図、第６
図、第７図は本発明方法における各種母材の製造速時の
状態を示した断面図である。 ＩＡ−・・・光伝送体 １Ｂ・・・・光伝送体 ２・・・・・コア ２・・・・・クラッド ４・・・・・ドーパント散逸防止層 ５・・・・・パイプガラス層 ２ａ・・・・コア用ガラス層 ２ｂ・・・−コア用ガラス棒 ３ａ・・・・クラッド用ガラス層 ４ａ・・・−ドーパント散逸防止用ガラス層５ａ・・・
・ガラスパイプ 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１ｗｉ 第２図 第３図 Ｗｉ４図 第 ５ 図 第ｂｗｉ１１７１１
第３図、第４図は上記各光伝送体の屈折率分布図、第５
図は本発明方法におけるガラス堆積手段の説明図、第６
図、第７図は本発明方法における各種母材の製造速時の
状態を示した断面図である。 ＩＡ−・・・光伝送体 １Ｂ・・・・光伝送体 ２・・・・・コア ２・・・・・クラッド ４・・・・・ドーパント散逸防止層 ５・・・・・パイプガラス層 ２ａ・・・・コア用ガラス層 ２ｂ・・・−コア用ガラス棒 ３ａ・・・・クラッド用ガラス層 ４ａ・・・−ドーパント散逸防止用ガラス層５ａ・・・
・ガラスパイプ 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄 第１ｗｉ 第２図 第３図 Ｗｉ４図 第 ５ 図 第ｂｗｉ１１７１１
Claims (5)
- （１）フッ素を含有しない石英またはフッ素含有率の低
いドープト石英からなるコアと、フッ素含有率の高いド
ープト石英からなるクラッドとを備えた光伝送体におい
て、コアと径方向に隣接する部分に、石英ガラスを主成
分とするドーパント逸散防止層が設けられていることを
特徴とする光伝送体。 - （２）コアがＧＩ型の屈折率分布を有し、そのコアの中
心部にドーパント散逸防止層が設けられている特許請求
の範囲第１項記載の光伝送体。 - （３）コアがＳＩ型の屈折率分布を有し、そのコア外周
部とクラッド内周部との間にドーパント散逸防止層が設
けられている特許請求の範囲第１項記載の光伝送体。 - （４）フッ素を含有しない石英、またはフッ素含有率の
低いドープト石英からなるコアと、フッ素含有率の高い
ドープト石英からなるクラッドとを備え、コアと径方向
に隣接する部分に、石英ガラスを主成分とするドーパン
ト散逸防止層が設けられている光伝送体の製造方法にお
いて、高純度石英ガラスからなるガラスパイプの内周面
に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆積させた
後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まないガラス層
を堆積し、該ガラス層堆積後のガラスパイプをコラプス
して光伝送体用の母材をつくり、その母材を紡糸するこ
とを特徴とする光伝送体の製造方法。 - （５）フッ素を含有しない石英、またはフッ素含有率の
低いドープト石英からなるコアと、フッ素含有率の高い
ドープト石英からなるクラッドとを備え、コアと径方向
に隣接する部分に、石英ガラスを主成分とするドーパン
ト散逸防止層が設けられている光伝送体の製造方法にお
いて、高純度石英ガラスからなるガラスパイプの内周面
に、フッ素ドープト石英からなるガラス層を堆積させた
後、そのガラス層の内周面にフッ素を含まないガラス層
を堆積し、該ガラス層堆積後のガラスパイプ内にコア用
のガラスロッドをロッドインし、これにより得られた光
伝送体用の母材を紡糸することを特徴とする光伝送体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082081A JPS61240208A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光伝送体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082081A JPS61240208A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光伝送体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240208A true JPS61240208A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13764501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082081A Pending JPS61240208A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光伝送体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240208A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536580A (ja) * | 2004-05-06 | 2007-12-13 | ベイカー ヒューズ インコーポレイテッド | 長波長用純シリカ製コアシングルモードファイバ及び該ファイバを形成する方法 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP60082081A patent/JPS61240208A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536580A (ja) * | 2004-05-06 | 2007-12-13 | ベイカー ヒューズ インコーポレイテッド | 長波長用純シリカ製コアシングルモードファイバ及び該ファイバを形成する方法 |
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