JPS61240134A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPS61240134A JPS61240134A JP8872786A JP8872786A JPS61240134A JP S61240134 A JPS61240134 A JP S61240134A JP 8872786 A JP8872786 A JP 8872786A JP 8872786 A JP8872786 A JP 8872786A JP S61240134 A JPS61240134 A JP S61240134A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は差圧伝送器等に用いて圧力を検出する半導体基
板に関する。
板に関する。
（従来の技術）
第５図は半導体感圧素子を用いた差圧伝送器の全体構成
図である。
図である。
１は両側部にＵ部を形成したケース本体部、２ｍ、２ｂ
はそれぞれ圧力導入口ｊｍ 、３ｂを有しケース本体部
１のＵ部部分に隔液ダイヤフラム４＊、４ｂの端部を挾
んで接合してなるフランジである。Ｐａは高圧側被検出
圧力、ｐｂは低圧側被検出圧力を示す。５１は低圧側圧
力伝達媒体室、５ｂはケース本体部１の一側部から他側
部に例えば工学形の通路を形成し隔液ダイヤフラム４ｂ
の内側と連通ずる高圧側圧力伝達媒体室である。こ重力
伝達媒体室５ｂの通路の一端側を閉塞するように半導体
感圧素子６を設け、一方、画室５ａ。
はそれぞれ圧力導入口ｊｍ 、３ｂを有しケース本体部
１のＵ部部分に隔液ダイヤフラム４＊、４ｂの端部を挾
んで接合してなるフランジである。Ｐａは高圧側被検出
圧力、ｐｂは低圧側被検出圧力を示す。５１は低圧側圧
力伝達媒体室、５ｂはケース本体部１の一側部から他側
部に例えば工学形の通路を形成し隔液ダイヤフラム４ｂ
の内側と連通ずる高圧側圧力伝達媒体室である。こ重力
伝達媒体室５ｂの通路の一端側を閉塞するように半導体
感圧素子６を設け、一方、画室５ａ。
５ｂに跨る通路の他端側を閉塞するとともに端部を過圧
保護ベローズ１および過圧保護ベローズ７の曲シを矯正
する板ばね８で支持してなる弁体９が設けられている。
保護ベローズ１および過圧保護ベローズ７の曲シを矯正
する板ばね８で支持してなる弁体９が設けられている。
１０ｈ、１０ｂは隔液ダイヤフラム４ｍ、４ｂの内側に
封入してなるシリコーン油などの圧力伝達媒体、１１ａ
、１１ｂ＃−ｔＯリングである。
封入してなるシリコーン油などの圧力伝達媒体、１１ａ
、１１ｂ＃−ｔＯリングである。
而して、以上のような構造をもった差圧伝送器において
両７ランジ２ｍｍ２ｂの圧力導入口３１゜３ｂから相等
しい静圧力Ｐａ ＝ Ｐｂを導入した場合、原理的には
差圧伝送器から出力する信号は零となって変化しないは
ずである。
両７ランジ２ｍｍ２ｂの圧力導入口３１゜３ｂから相等
しい静圧力Ｐａ ＝ Ｐｂを導入した場合、原理的には
差圧伝送器から出力する信号は零となって変化しないは
ずである。
しかし、実際上半導体感圧素子６自身の持つ静圧り差お
よび圧力伝送器の構造上からくる静圧誤差の影響を受け
て出力の零点が変化し、第６図に示すＡ又はＢのような
静圧誤差が生ずる。
よび圧力伝送器の構造上からくる静圧誤差の影響を受け
て出力の零点が変化し、第６図に示すＡ又はＢのような
静圧誤差が生ずる。
これに対し、従来は以上の不都合を除去するために半導
体感圧索子６を違別して静圧誤差の少ないものを使用す
るようにしているが、半導体感圧素子６は歩留シが悪く
検査工程が増え、価格的にも高くなシ、また半導体感圧
素子６以外の誤差については除去できない欠点がある。
体感圧索子６を違別して静圧誤差の少ないものを使用す
るようにしているが、半導体感圧素子６は歩留シが悪く
検査工程が増え、価格的にも高くなシ、また半導体感圧
素子６以外の誤差については除去できない欠点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように従来の半導体感圧素子では、静圧誤差等に
よシ被検出圧力に対して正確な出力が得られないもので
あった。
よシ被検出圧力に対して正確な出力が得られないもので
あった。
そこで、本発明は上記問題点を解決するために、靜圧哄
差等の影響を受けず高精度な圧力検出ができる半導体基
板を提供することを目的とする。
差等の影響を受けず高精度な圧力検出ができる半導体基
板を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明は、半導体素子および被検出圧力を導入する２つ
の導入管路を設けた半導体素子の基体から第１および第
２の感圧部を形成して上記目的を達成しようとする半導
体基板である。
の導入管路を設けた半導体素子の基体から第１および第
２の感圧部を形成して上記目的を達成しようとする半導
体基板である。
（作用）
このような手段を講じたことによシ、例えば第１の感圧
部が第１被検出圧力と第２被検出圧力との間に配置され
て差圧を検出し、第２の感圧部が大気圧を導入して静圧
力を検出して差圧を補償する。
部が第１被検出圧力と第２被検出圧力との間に配置され
て差圧を検出し、第２の感圧部が大気圧を導入して静圧
力を検出して差圧を補償する。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は半導体基板を上面から見た構成図であシ、第２
図はその断面図である。この半導体基板および大気圧側
導入管路２２を埋設した基体・２３とから成シ、拡散抵
抗Ｒ１＆−ＲＪｄおよび低圧側導入管路２１から第１の
感圧部２４が形成され、また拡散抵抗ＲＺａ＝Ｒｊｄお
よび大気圧側導入管路２２から第２の感圧部２５が形成
されている。
図はその断面図である。この半導体基板および大気圧側
導入管路２２を埋設した基体・２３とから成シ、拡散抵
抗Ｒ１＆−ＲＪｄおよび低圧側導入管路２１から第１の
感圧部２４が形成され、また拡散抵抗ＲＺａ＝Ｒｊｄお
よび大気圧側導入管路２２から第２の感圧部２５が形成
されている。
従って、第１の感圧部２４は、高圧側被検出圧力Ｐａと
低圧側被検出圧力ｐｂとの差圧検出として機能し、また
第２の感圧部２５は高圧側被検出圧力Ｐａと大気圧Ｐｏ
とから静圧力検出として機能するものとなりている。な
お、拡散抵抗Ｒ１＆〜Ｒ１ｄはシリコン基板２０上に同
一方向をなしかつ所定の距離を配して形成されてそれぞ
れその両端を端子２６１〜２６ｄに接続し、また拡散抵
抗Ｒ２ａ 、 Ｒ２ｂは同一のシリコン基板２０上の拡
散抵抗ＲＪａ 、 Ｒｌｂと直交する方向に形成してそ
の両端を端子２７＊、２７ｂに接続し、拡散抵抗Ｒ２ａ
。
低圧側被検出圧力ｐｂとの差圧検出として機能し、また
第２の感圧部２５は高圧側被検出圧力Ｐａと大気圧Ｐｏ
とから静圧力検出として機能するものとなりている。な
お、拡散抵抗Ｒ１＆〜Ｒ１ｄはシリコン基板２０上に同
一方向をなしかつ所定の距離を配して形成されてそれぞ
れその両端を端子２６１〜２６ｄに接続し、また拡散抵
抗Ｒ２ａ 、 Ｒ２ｂは同一のシリコン基板２０上の拡
散抵抗ＲＪａ 、 Ｒｌｂと直交する方向に形成してそ
の両端を端子２７＊、２７ｂに接続し、拡散抵抗Ｒ２ａ
。
Ｒｌｄは拡散抵抗Ｒ１ｃ 、 Ｒｌｄと同一方向に形成
してその両端を端子２７ｃ、２７ｄに接続したものとな
っている。
してその両端を端子２７ｃ、２７ｄに接続したものとな
っている。
このような構成の半導体基板であれば、第１の感圧部２
４に高圧側被検出圧力Ｐａと低圧側被検出圧力ｐｂとが
加わることによシ、これら高圧側被検出圧力Ｐａと低圧
側被検出圧力ｐｂとの差圧に比例した信号が第１の感圧
部２４から取出せる。また、第２の感圧部２５には大気
側導入管路２２を通して大気圧Ｐｏが加わるので、この
第２の感圧部２５からは静圧力に比例した信号が堰出せ
る。従って、第１の感圧部２４から取出した信号を第２
の感圧部２５から取出した信号によシ補償することによ
シ静圧による誤差を除去できる。従って、被検出圧力に
対して正確な信号が得られ高精度な圧力検出ができる。
４に高圧側被検出圧力Ｐａと低圧側被検出圧力ｐｂとが
加わることによシ、これら高圧側被検出圧力Ｐａと低圧
側被検出圧力ｐｂとの差圧に比例した信号が第１の感圧
部２４から取出せる。また、第２の感圧部２５には大気
側導入管路２２を通して大気圧Ｐｏが加わるので、この
第２の感圧部２５からは静圧力に比例した信号が堰出せ
る。従って、第１の感圧部２４から取出した信号を第２
の感圧部２５から取出した信号によシ補償することによ
シ静圧による誤差を除去できる。従って、被検出圧力に
対して正確な信号が得られ高精度な圧力検出ができる。
なお、本発明は上記実施例に限らず種々の変形実施が可
能である。例えば、この半導体基板は同一のシリコン基
板２０上に第１の感圧部２４と第２の感圧部２５の抵抗
Ｒ７ａ〜ＲＪｄ。
能である。例えば、この半導体基板は同一のシリコン基
板２０上に第１の感圧部２４と第２の感圧部２５の抵抗
Ｒ７ａ〜ＲＪｄ。
ＲＺａ〜Ｒ，？ｄを拡散したものであるが、これに代え
て例えば同一基体２３上に個別にシリコン基板を設け、
一方のシリコン基板に第１の感圧部２４．他方のシリコ
ン基板に第２の感圧部２５を形成してもよい。
て例えば同一基体２３上に個別にシリコン基板を設け、
一方のシリコン基板に第１の感圧部２４．他方のシリコ
ン基板に第２の感圧部２５を形成してもよい。
また、上記実施例では、第２の感圧部２５は高圧側被検
出圧力Ｐａと大気圧Ｐｏとで静圧力を検出するようにし
ているが、伝圧側被検出圧力ｐｂと大気圧Ｐｏとで静圧
力を検出する構成としてもよいものである。
出圧力Ｐａと大気圧Ｐｏとで静圧力を検出するようにし
ているが、伝圧側被検出圧力ｐｂと大気圧Ｐｏとで静圧
力を検出する構成としてもよいものである。
次に上記の如く構成された半導体基板を差圧伝送器に適
用した一例について第３図の全体構成図を参照して説明
する。同図において３０は第５図と同様に両側部にＵ部
を形成したケース本体部であって、これの両目部部分に
は隔液ダイヤフラム３１ｍ、３１ｂの端部を挾むように
圧力導入口３２ｍ 、３２ｂを有するフランジ３３ ａ
ｓ ３ Ｊ ｂを接合している。Ｐａはフランジ３３
ａの圧力導入口３２ｍに導入する高圧側被検出圧力、ｐ
ｂは７ランジ３３ｂの圧力導入口３２ｂに導入する低・
・ 圧側被検出圧力である。また、ケース本体部３０
の両側部のはぼ中心部を結ぶ線上にそって内側部分を所
定距離大径部とした弁体収納部をもりた圧力伝達媒体室
３４を形成し、これに支持板３５’を持つ弁体３５を挿
通している。そして、一端を弁体収納部の端部に付設し
た過圧保護ベローズ３６の端部を液密に支持板３５′に
取着して高圧側圧力伝達媒体室３７ｍと低圧側圧力伝達
媒体室ｓｖｂとを閉塞分離している。３８ｍ、３８ｂは
過圧保護ベローズ３６の曲シを矯正するために弁体３５
の両端部を支持する板ばねである。３９ａ。
用した一例について第３図の全体構成図を参照して説明
する。同図において３０は第５図と同様に両側部にＵ部
を形成したケース本体部であって、これの両目部部分に
は隔液ダイヤフラム３１ｍ、３１ｂの端部を挾むように
圧力導入口３２ｍ 、３２ｂを有するフランジ３３ ａ
ｓ ３ Ｊ ｂを接合している。Ｐａはフランジ３３
ａの圧力導入口３２ｍに導入する高圧側被検出圧力、ｐ
ｂは７ランジ３３ｂの圧力導入口３２ｂに導入する低・
・ 圧側被検出圧力である。また、ケース本体部３０
の両側部のはぼ中心部を結ぶ線上にそって内側部分を所
定距離大径部とした弁体収納部をもりた圧力伝達媒体室
３４を形成し、これに支持板３５’を持つ弁体３５を挿
通している。そして、一端を弁体収納部の端部に付設し
た過圧保護ベローズ３６の端部を液密に支持板３５′に
取着して高圧側圧力伝達媒体室３７ｍと低圧側圧力伝達
媒体室ｓｖｂとを閉塞分離している。３８ｍ、３８ｂは
過圧保護ベローズ３６の曲シを矯正するために弁体３５
の両端部を支持する板ばねである。３９ａ。
３９ｂはＯリングである。
一方、過圧保論ベローズ３６で区分された高圧側圧力伝
達媒体室３１ｈと低圧側圧力伝達媒体室ｓｒｂよシそれ
ぞれ同一方向に分岐通路を形成しこれらの通路間に前記
シリコン基板２０および基体２３から成る半導体基板が
配置され、この半導体基板の一方に高圧側の圧力伝達媒
体、他方に低圧側の圧力伝達媒体が加わるようになって
いる。
達媒体室３１ｈと低圧側圧力伝達媒体室ｓｒｂよシそれ
ぞれ同一方向に分岐通路を形成しこれらの通路間に前記
シリコン基板２０および基体２３から成る半導体基板が
配置され、この半導体基板の一方に高圧側の圧力伝達媒
体、他方に低圧側の圧力伝達媒体が加わるようになって
いる。
この半導体基板からの電気信号を引き出すリード線４０
はケース本体部３０のモールド部４１を経て外部に導出
されている。
はケース本体部３０のモールド部４１を経て外部に導出
されている。
従って、以上のような差圧伝送器において７ランジＪ
Ｊ ａ ｍ Ｊ ｊ ｂの圧力導入口３２ｈ 、３２ｂ
に相等しい静圧力Ｐａ ｚ Ｐｂを加えると、第１の感
圧部２４では静圧力に対する零点の誤差信号を取シ出せ
、第２の感圧部２５からはその時の静圧力に比例した信
号を取り出すことができる。一般に。
Ｊ ａ ｍ Ｊ ｊ ｂの圧力導入口３２ｈ 、３２ｂ
に相等しい静圧力Ｐａ ｚ Ｐｂを加えると、第１の感
圧部２４では静圧力に対する零点の誤差信号を取シ出せ
、第２の感圧部２５からはその時の静圧力に比例した信
号を取り出すことができる。一般に。
被検出圧力の差圧力は１ｋｇ・ｆΔが以下で測定する場
合が多いのに対し、静圧力は数１０ｋｌｉＦ・ｆ／ｍ”
〜数１００に９・ｆ々−程度加わる場合が多いので、第
２の感圧部２５の同一圧力に対する感度は第１の感圧部
２４の同一圧力に対する感度に比べ数１０分の１から数
１００分の１程度でよいものである。
合が多いのに対し、静圧力は数１０ｋｌｉＦ・ｆ／ｍ”
〜数１００に９・ｆ々−程度加わる場合が多いので、第
２の感圧部２５の同一圧力に対する感度は第１の感圧部
２４の同一圧力に対する感度に比べ数１０分の１から数
１００分の１程度でよいものである。
以下、第４図を参照して第１の感圧部２４の抵抗ＲＪａ
〜ＲＪｄおよび第２の感圧部２５の抵抗Ｒ２ａ−Ｒ２ｄ
を用いてブリッジ回路を構成し、静圧力に対する誤差信
号を除去する例について説明する。先ず、第１の感圧部
２４の抵抗ＲＪａ 又はＲｌｂを一辺に、抵抗Ｒ１ｅ
又はＲｌｍを他辺に設け、これらの辺の抵抗ＲＪａ又は
ＲＪｂとＲＪｃ又はＲＺｄのそれぞれ他端側を共通接続
する。また、他の２辺のうちその１辺を固定抵抗ＲＤ、
と第２の感圧部２５の抵抗ＲＪｍ又はＲＺｄの直列回路
とし。
〜ＲＪｄおよび第２の感圧部２５の抵抗Ｒ２ａ−Ｒ２ｄ
を用いてブリッジ回路を構成し、静圧力に対する誤差信
号を除去する例について説明する。先ず、第１の感圧部
２４の抵抗ＲＪａ 又はＲｌｂを一辺に、抵抗Ｒ１ｅ
又はＲｌｍを他辺に設け、これらの辺の抵抗ＲＪａ又は
ＲＪｂとＲＪｃ又はＲＺｄのそれぞれ他端側を共通接続
する。また、他の２辺のうちその１辺を固定抵抗ＲＤ、
と第２の感圧部２５の抵抗ＲＪｍ又はＲＺｄの直列回路
とし。
他の辺を固定抵抗ＲＤＩと第２の感圧部２５の抵抗Ｒｊ
ａ又はＲｊｄの直列回路とし、これら回路の一端側を共
通接続する。そして、抵抗ＲＪａ又はＲｌｂの他端側と
固定抵抗ＲＤ、の他端側とを共通接続し、抵抗ＲＪｃ又
はＲＪｄの他端側と固定抵抗ＲＤ１の他端側とを共通接
続としてブリッジ回路を構成するとともＫ、これら共通
接続部間に入力電源電圧ｖｌＮを接続している。そして
、他方の共通接続部間からブリッジ回路の出力信号を取
シ出すようにしている。
ａ又はＲｊｄの直列回路とし、これら回路の一端側を共
通接続する。そして、抵抗ＲＪａ又はＲｌｂの他端側と
固定抵抗ＲＤ、の他端側とを共通接続し、抵抗ＲＪｃ又
はＲＪｄの他端側と固定抵抗ＲＤ１の他端側とを共通接
続としてブリッジ回路を構成するとともＫ、これら共通
接続部間に入力電源電圧ｖｌＮを接続している。そして
、他方の共通接続部間からブリッジ回路の出力信号を取
シ出すようにしている。
而して、第４図のようにブリッジ回路を構成した後、差
圧伝送器のフランジ３３ｍ 、３３ｂ（０両側から静圧
力を加えたとすると、半導体基板および伝送器の構造上
からくる靜圧訣差によって第１の感圧部２４の抵抗例え
ばＲｌｃがＲ１ｃ ＋ ＫＩ Ｐ ｐＲＪａがＲ・バー
に、Ｐとなシ、同時に第２の感圧部２５の抵抗例えばＲ
２ｃがＲＪａ＋に１Ｐ＃ ＲｊａがＲＺｄ−ＫｔＰＫ変
化する。従りて、この時のブリッジ回路の出力信号７０
０丁は、 となシ、これを変形して となる。従って、 のとき、ｖＯυｔｉｊ静圧力Ｐにかかわらず一定となる
。
圧伝送器のフランジ３３ｍ 、３３ｂ（０両側から静圧
力を加えたとすると、半導体基板および伝送器の構造上
からくる靜圧訣差によって第１の感圧部２４の抵抗例え
ばＲｌｃがＲ１ｃ ＋ ＫＩ Ｐ ｐＲＪａがＲ・バー
に、Ｐとなシ、同時に第２の感圧部２５の抵抗例えばＲ
２ｃがＲＪａ＋に１Ｐ＃ ＲｊａがＲＺｄ−ＫｔＰＫ変
化する。従りて、この時のブリッジ回路の出力信号７０
０丁は、 となシ、これを変形して となる。従って、 のとき、ｖＯυｔｉｊ静圧力Ｐにかかわらず一定となる
。
このことは抵抗Ｒ２ａ ＠Ｒ２ａ 、ＲＤｌ ＊ ＲＤ
ｌ ＊ Ｋｓを適宜選択することにより、静圧力Ｐによ
る出力信号ＶＯＵＴの談差を零にすることができる。
ｌ ＊ Ｋｓを適宜選択することにより、静圧力Ｐによ
る出力信号ＶＯＵＴの談差を零にすることができる。
このように半導体基板を用いた差圧伝送器であれば、第
１の感圧部２４の抵抗で構成したブリッジ回路に第２の
感圧部２５の抵抗を挿入し、静圧力時に第１の感圧部２
４に生ずる静圧誤差を第２の感圧部２５で補償する構成
とするので、半導体基板自体の持つ靜圧誂差および伝送
器の構造上からくる静圧誤差を容易に除去することがで
き、また静圧変動の大きい流体でも高精度に測定できる
。
１の感圧部２４の抵抗で構成したブリッジ回路に第２の
感圧部２５の抵抗を挿入し、静圧力時に第１の感圧部２
４に生ずる静圧誤差を第２の感圧部２５で補償する構成
とするので、半導体基板自体の持つ靜圧誂差および伝送
器の構造上からくる静圧誤差を容易に除去することがで
き、また静圧変動の大きい流体でも高精度に測定できる
。
さらに、大気圧状態で差圧力を測定する場合には、第２
の感圧部２５にも同一圧力が加わるが、前述したように
第２の感圧部２５が第１の感圧部２４に比べて感度を充
分小さくできるためにその影響を殆んど無視することが
できる。また第１の感圧部２４の被検出圧力以上の過大
差圧が加わった場合には過圧防止弁が作動して第２の感
圧部２５Ｖｃそれ以上の過圧差圧が加わらないので過大
差圧による影響も無視できる。
の感圧部２５にも同一圧力が加わるが、前述したように
第２の感圧部２５が第１の感圧部２４に比べて感度を充
分小さくできるためにその影響を殆んど無視することが
できる。また第１の感圧部２４の被検出圧力以上の過大
差圧が加わった場合には過圧防止弁が作動して第２の感
圧部２５Ｖｃそれ以上の過圧差圧が加わらないので過大
差圧による影響も無視できる。
従って、差圧の大きさに拘らず静圧誤差を適切に除去す
ることができる効果がある。
ることができる効果がある。
なお、差圧伝送器に適用するブリッジ回路は適宜変形し
て第１の感圧部２４の出力信号を補償してもよい。
て第１の感圧部２４の出力信号を補償してもよい。
［発明の効果コ
以上詳記したように本発明によれば、静圧誤差等の影響
を受けず高精度な圧力検出ができる半導体基板を提供で
きる。
を受けず高精度な圧力検出ができる半導体基板を提供で
きる。
第１図および第２図は本発明に係る半導体基板の一実施
例を示す構成図、第３図は本発明半導体基板を用いた差
圧伝送器の構成図、第４図は差圧伝送器に適用したブリ
ッジ回路図、第５図は従来の差圧伝送器の構成図、第６
図は差圧伝送器において生じる静圧誤差の説明図である
。 ２０・・・シリコン基板、２１・・・低圧側導入管路、
２２・・・大気圧側導入管路、２３・・・基体、２４・
・・第１の感圧部、２５・・・第２の感圧部、２６ａ〜
２６ｄ・・・端子、２７ ａ 〜２７ ｄ ・・・端子
、ＲＺａ−ＲＪｄ・・・拡散抵抗、Ｒ２ａ ＝ Ｒ２ｄ
・・・拡散抵抗、３０・・・ケース本体部、３１ｍ、３
１ｂ・・・隔液ダイヤフラム、３２ｍ、’３２ｂ−圧力
導入ロ、３３ｍ、３３ｂ・・・７ランジ、３５・・・弁
体、３６・・・過圧保護ベローズ、３７ｍ・・・高圧側
圧力伝達媒体室、３７ｂ・・・低圧側圧力伝達媒体室、
３９ｍ 、３９ｂ・・・０リング。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ａ ビ０ 第２図
例を示す構成図、第３図は本発明半導体基板を用いた差
圧伝送器の構成図、第４図は差圧伝送器に適用したブリ
ッジ回路図、第５図は従来の差圧伝送器の構成図、第６
図は差圧伝送器において生じる静圧誤差の説明図である
。 ２０・・・シリコン基板、２１・・・低圧側導入管路、
２２・・・大気圧側導入管路、２３・・・基体、２４・
・・第１の感圧部、２５・・・第２の感圧部、２６ａ〜
２６ｄ・・・端子、２７ ａ 〜２７ ｄ ・・・端子
、ＲＺａ−ＲＪｄ・・・拡散抵抗、Ｒ２ａ ＝ Ｒ２ｄ
・・・拡散抵抗、３０・・・ケース本体部、３１ｍ、３
１ｂ・・・隔液ダイヤフラム、３２ｍ、’３２ｂ−圧力
導入ロ、３３ｍ、３３ｂ・・・７ランジ、３５・・・弁
体、３６・・・過圧保護ベローズ、３７ｍ・・・高圧側
圧力伝達媒体室、３７ｂ・・・低圧側圧力伝達媒体室、
３９ｍ 、３９ｂ・・・０リング。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ａ ビ０ 第２図
Claims (2)
- （１）半導体素子および被検出圧力を導入する２つの導
入管路を設けた前記半導体素子の基体から第１および第
２の感圧部を形成したことを特徴とする半導体基板。 - （２）第１および第２の感圧部は、いずれか一方が第１
被検出圧力と第２被検出圧力との間に配置されて差圧検
出用として機能し、他方が導入管路に大気圧を導びいて
静圧力検出用として機能する特許請求の範囲第（１）項
記載の半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8872786A JPS61240134A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8872786A JPS61240134A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11587679A Division JPS5640735A (en) | 1979-09-10 | 1979-09-10 | Transmitter for differential pressure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240134A true JPS61240134A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13950946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8872786A Pending JPS61240134A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240134A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141328A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Hitachi Ltd | 差圧伝送器 |
| JPH01256177A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Hitachi Ltd | 多機能センサ |
| JPH04113239A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Hitachi Ltd | 複合機能形センサ |
| US5412992A (en) * | 1991-12-09 | 1995-05-09 | Hitachi, Ltd. | Differential pressure sensor capable of removing influence of static pressure and a method of assembling the same |
| US5635649A (en) * | 1991-04-22 | 1997-06-03 | Hitachi, Ltd. | Multi-function differential pressure sensor with thin supporting base |
| US9513182B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-12-06 | Denso Corporation | Pressure sensor having multiple piezoresistive elements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959684A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-10 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8872786A patent/JPS61240134A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959684A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-10 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141328A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Hitachi Ltd | 差圧伝送器 |
| JPH01256177A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Hitachi Ltd | 多機能センサ |
| JPH04113239A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Hitachi Ltd | 複合機能形センサ |
| US5635649A (en) * | 1991-04-22 | 1997-06-03 | Hitachi, Ltd. | Multi-function differential pressure sensor with thin supporting base |
| US5412992A (en) * | 1991-12-09 | 1995-05-09 | Hitachi, Ltd. | Differential pressure sensor capable of removing influence of static pressure and a method of assembling the same |
| US9513182B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-12-06 | Denso Corporation | Pressure sensor having multiple piezoresistive elements |
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