JPS612319A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS612319A JPS612319A JP59122767A JP12276784A JPS612319A JP S612319 A JPS612319 A JP S612319A JP 59122767 A JP59122767 A JP 59122767A JP 12276784 A JP12276784 A JP 12276784A JP S612319 A JPS612319 A JP S612319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- orifice
- reaction chamber
- torr
- thin film
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、気相反応法の一種であるプラズマ、光または
熱化学反応を利用した薄膜形成装置（以下ＣＶＤ装置と
記す）の製品歩留り改善及び製品性能のバラツキの低域
に関する。
熱化学反応を利用した薄膜形成装置（以下ＣＶＤ装置と
記す）の製品歩留り改善及び製品性能のバラツキの低域
に関する。
「従来の技術」
ＣＶＤ装置、例えばプラズマＣＶＤ装置は適当な高周波
もしくは直流もしくはそれらの組合わせをエネルギ源と
し、反応性ガスをグロー放電分解することにより、所与
の目的にかなった薄膜を基体上へ堆積形成することを目
的としている。一般に、ＣＶＤ装置は上記プラズマＣＶ
Ｄ装置および紫外光を反応ガスの分解反応のエネルギ源
とする光ＣＶＤ装置、及び熱を反応ガスの分解反応のエ
ネルギ源とする熱ＣＶＤ装置などに大別される。これら
のＣＶＤ装置は大面積基体工費の大面積薄膜形成もしく
は多数の小面積基体」二に同時に薄膜形成を行う量産技
術性に優れたところから、将来的にデ、イスプレイ用Ｔ
ＦＴアレイ、アモルファス太陽電池等の大量生産に期待
される装置となっている。
もしくは直流もしくはそれらの組合わせをエネルギ源と
し、反応性ガスをグロー放電分解することにより、所与
の目的にかなった薄膜を基体上へ堆積形成することを目
的としている。一般に、ＣＶＤ装置は上記プラズマＣＶ
Ｄ装置および紫外光を反応ガスの分解反応のエネルギ源
とする光ＣＶＤ装置、及び熱を反応ガスの分解反応のエ
ネルギ源とする熱ＣＶＤ装置などに大別される。これら
のＣＶＤ装置は大面積基体工費の大面積薄膜形成もしく
は多数の小面積基体」二に同時に薄膜形成を行う量産技
術性に優れたところから、将来的にデ、イスプレイ用Ｔ
ＦＴアレイ、アモルファス太陽電池等の大量生産に期待
される装置となっている。
従来のＣＶＤ装置においては、この素子の大面積化を果
たそうとすると、かえって反応中に発生する微小フレイ
クが薄膜中に取り込まれピンホール等を発生し、製品の
歩留りを低下させる原因となっていた。この歩留り低下
は作製する素子面積の増大に伴い太き（なり、特に１０
０ｃｍ”以上の大きな面積を持つ素子アレイもしくは単
体の素子を作製せんとすると、製品の歩留りの低下や性
能のバラツキが大きくなり、きわめて困難になっていた
。
たそうとすると、かえって反応中に発生する微小フレイ
クが薄膜中に取り込まれピンホール等を発生し、製品の
歩留りを低下させる原因となっていた。この歩留り低下
は作製する素子面積の増大に伴い太き（なり、特に１０
０ｃｍ”以上の大きな面積を持つ素子アレイもしくは単
体の素子を作製せんとすると、製品の歩留りの低下や性
能のバラツキが大きくなり、きわめて困難になっていた
。
この事は反応性ガスが分解しても、薄膜形成元素のすべ
てが薄膜の形成に関わらずに、その一部が排気される際
に微小フレイクになり、これが形成中の薄膜に取り込ま
れることによる。
てが薄膜の形成に関わらずに、その一部が排気される際
に微小フレイクになり、これが形成中の薄膜に取り込ま
れることによる。
従来のＣＶＤ装置の例として代表的なプラズマＣＶＤ装
置を第４図に示す。装置は反応性ガス供給部、す、仕切
弁（１１）〜（１４）、流量コントロール計（２１）〜
（２４）、共通仕切弁（２５）、反応性ガス供給管（２
６）から構成されている。ここでは最大４種のガスを混
合供給する場合を示している。
置を第４図に示す。装置は反応性ガス供給部、す、仕切
弁（１１）〜（１４）、流量コントロール計（２１）〜
（２４）、共通仕切弁（２５）、反応性ガス供給管（２
６）から構成されている。ここでは最大４種のガスを混
合供給する場合を示している。
反応室部は図の（２７）〜（３１）及び（４０）で構成
される部分であり、上部電極兼ガスノズル（２７） 、
下部電極（２８）、基体（２９）、反応室（３０）、電
源（３１）、加熱ヒータ（４０）から構成されている。
される部分であり、上部電極兼ガスノズル（２７） 、
下部電極（２８）、基体（２９）、反応室（３０）、電
源（３１）、加熱ヒータ（４０）から構成されている。
上部電極兼ガスノズルは、内部が空洞になっており、一
般に複数個の穴が開けられており、電極のみならずガス
ノズルをも形成している。また、下部電極（２８）はこ
の図では基体（２９）を乗せるサセプタを兼用している
。図中の矢印は反応ガスの流れを表している。
般に複数個の穴が開けられており、電極のみならずガス
ノズルをも形成している。また、下部電極（２８）はこ
の図では基体（２９）を乗せるサセプタを兼用している
。図中の矢印は反応ガスの流れを表している。
排気部は図の（３３）〜（３７）で構成される部分であ
り、排気配管（３３） 、 （３５） 、 （３７）
、粉体トラップ（３４）。
り、排気配管（３３） 、 （３５） 、 （３７）
、粉体トラップ（３４）。
ポンプ（３６）から構成されている。ここで用いられる
粉体トラップ（３４）は排気系で発生するフレイフカポ
ンプ（３６）へ侵入することにより、ポンプノ正常な機
能を阻害するのを防止するためのものである。ポンプは
複数個が直列に使用されることもある。
粉体トラップ（３４）は排気系で発生するフレイフカポ
ンプ（３６）へ侵入することにより、ポンプノ正常な機
能を阻害するのを防止するためのものである。ポンプは
複数個が直列に使用されることもある。
「発明が解決しようとする問題点」
第４図に示されるように、従来粉体トラップはもっばら
ポンプの保護のために用いられている。
ポンプの保護のために用いられている。
ところが、図中の排気配管（３３）内で発生する微小フ
レイクはガス流とは逆方向へ拡散しく３２）で示される
排気口を通り、反応室へ戻り、膜中へ取り込まれ、先に
述べたところの製造歩留りの低下や製品性能のバラツキ
を招いていることが判明した。
レイクはガス流とは逆方向へ拡散しく３２）で示される
排気口を通り、反応室へ戻り、膜中へ取り込まれ、先に
述べたところの製造歩留りの低下や製品性能のバラツキ
を招いていることが判明した。
一般的に（３４）で示される粉体トラップを（３２）で
示される反応室排気口へ十分近づけることも考えられる
が、この場合排気配管（３３）内のトラップ（３４）周
辺は微小フレイク濃度が大きくなっているため、かえっ
て逆効果となってしまった。−また、粉体トラップ（３
４）を用いない時には（３３） 、 （３５）で示され
る分だけの配管内で発生する微小フレイクが逆流する。
示される反応室排気口へ十分近づけることも考えられる
が、この場合排気配管（３３）内のトラップ（３４）周
辺は微小フレイク濃度が大きくなっているため、かえっ
て逆効果となってしまった。−また、粉体トラップ（３
４）を用いない時には（３３） 、 （３５）で示され
る分だけの配管内で発生する微小フレイクが逆流する。
そこで、粉体トラップはある程度排気口（３２）から遠
ざけてなお設置する必要があり、この方法では微小フレ
イクの逆流を防くことが困難であり、本発明者等はこの
問題を解決すべく鋭意努力を行ってきた。
ざけてなお設置する必要があり、この方法では微小フレ
イクの逆流を防くことが困難であり、本発明者等はこの
問題を解決すべく鋭意努力を行ってきた。
ｒ問題点を解決するための手段」
本発明の特徴は粉体トラップなどの特別な装置を用いず
に、反応室と排気側との間にオリフィスを形成すること
により、この問題を解決することにある。このオリフィ
スは実質的にガス噴出ノズルを形成し、微小フレイクの
逆流を防止する。第１図、第２図、第３図はそれぞれ実
施様態例を図示したものである。これらの図から、オリ
フィスは、反応室の壁面を構成する場合（第１図（Ａ）
〜（Ｄ））、排気配管内へ設置される場合（第２図（Ａ
）。
に、反応室と排気側との間にオリフィスを形成すること
により、この問題を解決することにある。このオリフィ
スは実質的にガス噴出ノズルを形成し、微小フレイクの
逆流を防止する。第１図、第２図、第３図はそれぞれ実
施様態例を図示したものである。これらの図から、オリ
フィスは、反応室の壁面を構成する場合（第１図（Ａ）
〜（Ｄ））、排気配管内へ設置される場合（第２図（Ａ
）。
（Ｂ））及び反応室内へ設置される場合（第３図）の３
通りがある。
通りがある。
「作用ｊ
このオリフィスは、−Ｃに排気配管内と反応室（３０）
内に圧力比を生じせしめ、この比が大きい程小フレイク
の逆流を防くことができる。一般にこ襲 の比はオリフィスの断面積が小さい程、また、そ内をｐ
ｂとすると、Ｐａ／Ｐｂが２以上の時に効果が表れるこ
とが判明した。第４図の場合Ｐａ／Ｐｂは１に近い。
内に圧力比を生じせしめ、この比が大きい程小フレイク
の逆流を防くことができる。一般にこ襲 の比はオリフィスの断面積が小さい程、また、そ内をｐ
ｂとすると、Ｐａ／Ｐｂが２以上の時に効果が表れるこ
とが判明した。第４図の場合Ｐａ／Ｐｂは１に近い。
このオリフィスの形状は、以上から明らかな通り、圧力
比の関係はＰａ／Ｐｂ≧２が満たされる範囲で任意性が
あり、第１図（ａ）〜（ｄ）に示されるごとく、種々の
形状が考えられる。図中には円形の断面を持つ穴を１ま
たは複数個有するオリフィスの例が示されているが、一
般には上記圧力比の条件が満たされる範囲で円形、四辺
形、綱目状等の任意な形状を持つ穴や、またそれらの組
合わせが使用され等ｉる。また（Ｃ）〜（Ｄ）の様にこ
れらを２段直列に設置してもよい。またこれらのオリフ
ィスは第１図のごとく、必ずしも反応室の壁面を構成す
る必要はなく、実質的な効果をもたらす範囲で第２図（
Ａ） 、 （Ｂ）の様に排気配管中に設けてもよい。こ
の場合、斜線で示される部分を最小限にとどめる必要が
ある。さらには、第１図の改良形として第３図の如く、
オリフィスを反応室（３０）内部に設けることにより、
オリフィスを反応ガス排気側のサセプタあるいは電極の
周囲に配置することも効果を大きくする。
比の関係はＰａ／Ｐｂ≧２が満たされる範囲で任意性が
あり、第１図（ａ）〜（ｄ）に示されるごとく、種々の
形状が考えられる。図中には円形の断面を持つ穴を１ま
たは複数個有するオリフィスの例が示されているが、一
般には上記圧力比の条件が満たされる範囲で円形、四辺
形、綱目状等の任意な形状を持つ穴や、またそれらの組
合わせが使用され等ｉる。また（Ｃ）〜（Ｄ）の様にこ
れらを２段直列に設置してもよい。またこれらのオリフ
ィスは第１図のごとく、必ずしも反応室の壁面を構成す
る必要はなく、実質的な効果をもたらす範囲で第２図（
Ａ） 、 （Ｂ）の様に排気配管中に設けてもよい。こ
の場合、斜線で示される部分を最小限にとどめる必要が
ある。さらには、第１図の改良形として第３図の如く、
オリフィスを反応室（３０）内部に設けることにより、
オリフィスを反応ガス排気側のサセプタあるいは電極の
周囲に配置することも効果を大きくする。
「実施例」
几較叢
第４図に示される装置において、電源（３１）に高周波
１３．５６Ｍ）ｌｚを用いて５ｉＨａガスの分解堆積薄
膜形成を行った。（３２）に示される排気口（３３）で
示される排気配管内部乃至は（２８）で示される下部電
極の周辺などにオリフィスをまったく用いずに膜形成を
行った。反応室の真空引きを十分行った後に、ＳｉＨ４
ガスが図中の（１１）の仕切弁より導入され（２１）の
流量コントロール計により４０３ＣＣＭの流量にセント
された。（２５）の仕切弁を開け、ＳｉＨ４ガスを反応
室部および排気部へ流した後、（４０）の加熱ヒータに
より（２９）の基体を２５０°Ｃに保ちながら（３１）
の高周波電源によりエネルギの供給を行い、ＳｉＨｇを
分解し、（２９）の基体上にアモルファスＳｉ膜を堆積
した。（２９）の基体としては、１００ｃｍ” （１０
ｃｍ Ｘ １０ｃｍ）コーニング７０５９ガラスを用い
た。この時、ポンプ（３６）の排気量を調節し、Ｐａを
０．１００ｔｏｒｒとした。
１３．５６Ｍ）ｌｚを用いて５ｉＨａガスの分解堆積薄
膜形成を行った。（３２）に示される排気口（３３）で
示される排気配管内部乃至は（２８）で示される下部電
極の周辺などにオリフィスをまったく用いずに膜形成を
行った。反応室の真空引きを十分行った後に、ＳｉＨ４
ガスが図中の（１１）の仕切弁より導入され（２１）の
流量コントロール計により４０３ＣＣＭの流量にセント
された。（２５）の仕切弁を開け、ＳｉＨ４ガスを反応
室部および排気部へ流した後、（４０）の加熱ヒータに
より（２９）の基体を２５０°Ｃに保ちながら（３１）
の高周波電源によりエネルギの供給を行い、ＳｉＨｇを
分解し、（２９）の基体上にアモルファスＳｉ膜を堆積
した。（２９）の基体としては、１００ｃｍ” （１０
ｃｍ Ｘ １０ｃｍ）コーニング７０５９ガラスを用い
た。この時、ポンプ（３６）の排気量を調節し、Ｐａを
０．１００ｔｏｒｒとした。
また、この時のｐｂは０．０９８ｔｏｒｒであり、Ｐａ
／Ｐｂ ＝１．０２０であった。膜厚が５０００人とな
った時に成膜を止め反応室からサンプルを取り出し、０
．５３μｍの波長をもつレーザビームを走査し、その透
過時の吸収減衰量を検出することにより、基体全体に渡
り膜の欠陥を検出した。レーザスポット径は１０μｍと
した。
／Ｐｂ ＝１．０２０であった。膜厚が５０００人とな
った時に成膜を止め反応室からサンプルを取り出し、０
．５３μｍの波長をもつレーザビームを走査し、その透
過時の吸収減衰量を検出することにより、基体全体に渡
り膜の欠陥を検出した。レーザスポット径は１０μｍと
した。
このサンプルをＡとし欠陥箇所数を表１に示す。
実施例１
第１図（Ａ）及び（ａ）の様な様態により１つの穴で構
成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまったく同
じ条件で薄膜形成を行った。
成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまったく同
じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ”” ｏ、 １００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０
．００５ｔｏｒｒであり、実施例２ 第１図（Ｂ）及び（ｂ）の様な様態により、４つの穴に
より構成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまっ
たく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ−０，１００ｔ
ｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０５０ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐ
ｂ−２であった。このサンプルをＣとし、欠陥箇所数を
表１に示す。
．００５ｔｏｒｒであり、実施例２ 第１図（Ｂ）及び（ｂ）の様な様態により、４つの穴に
より構成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまっ
たく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ−０，１００ｔ
ｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０５０ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐ
ｂ−２であった。このサンプルをＣとし、欠陥箇所数を
表１に示す。
汰財ｌ汁走
第１図（Ｃ）及び（ｃ）の様な様態により、それぞれ４
つの穴及び１つの穴により構成した２つのオリフィスを
用いた以外は、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を
行った。Ｐａ＝０．１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０
０３ ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝３３．３であった
。このサンプルをＤとし、欠陥箇所数を表１に示す。
つの穴及び１つの穴により構成した２つのオリフィスを
用いた以外は、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を
行った。Ｐａ＝０．１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０
０３ ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝３３．３であった
。このサンプルをＤとし、欠陥箇所数を表１に示す。
劫Ｍ↓
第２図（Ｄ）及び（ｄ）の様な様態により、それぞれ１
つの穴により構成した２つのオリフィスを用いた以外は
、比較例とまったく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ
＝ ０．１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０Ｏ１ｔｏ
ｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサシプ
ルをＥとし、欠陥箇所数を表１に示す。
つの穴により構成した２つのオリフィスを用いた以外は
、比較例とまったく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ
＝ ０．１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０Ｏ１ｔｏ
ｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサシプ
ルをＥとし、欠陥箇所数を表１に示す。
実施例５
第２図（八）及び（ａ）の様な様態により、１つの穴に
より構成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまっ
たく同じ条件で薄膜形成を行った。斜゛線部の容積は反
応室容積に比べ１％の容積であった。Ｐａ＝０．１００
ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．００５ ｔｏｒｒであり
Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプルをＦとし、
欠陥箇所数を表１に示す。
より構成したオリフィスを用いた以外は、比較例とまっ
たく同じ条件で薄膜形成を行った。斜゛線部の容積は反
応室容積に比べ１％の容積であった。Ｐａ＝０．１００
ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．００５ ｔｏｒｒであり
Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプルをＦとし、
欠陥箇所数を表１に示す。
実施例６
第２図（Ｂ）及び（ｂ）の様な様態により、それぞれ１
つの穴により構成した２つのオリフィスを用いた以外は
、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。斜線
部の容積は反応室容積に比べ２″Ａの容積であった。Ｐ
ａ−０，１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００１ｔｏｒ
ｒでありＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサンプル
をＧとし、欠陥箇所数を表１に示す。
つの穴により構成した２つのオリフィスを用いた以外は
、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。斜線
部の容積は反応室容積に比べ２″Ａの容積であった。Ｐ
ａ−０，１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００１ｔｏｒ
ｒでありＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサンプル
をＧとし、欠陥箇所数を表１に示す。
より構成したオリフィスを下部電極の周辺に配置した以
外は、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
外は、比較例とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ＝０．１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．０５０
ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ−２であった。このサンプル
をＨとし、欠陥箇所数を表１に示す。
ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ−２であった。このサンプル
をＨとし、欠陥箇所数を表１に示す。
実施例８
実施例１と同様な様態により、反応性ガスをＳ ｉ Ｉ
Ｉ ｓに加え第１図中の（１２）に示される仕切弁から
ＮＨ３ガスを流し、（２１） 、 （２２）の流量コン
トロール計によりＳｉＨ４／ＮＨ４の比を１：４になる
様に、それぞれ８ＳＣＣＭ及び３２ＳＣＣＭに合わせる
ことにより５ｉｘＮ、−ｘ薄膜の形成を行った。反応ガ
スを５ｉＨａから５ｉｌＬとＮＨ３の混合ガスに変更し
た以外は比較例とまったく同じ条件でオリフィスを用い
ずに薄膜形成を行った。Ｐａ −０，１００ｔｏｒｒの
時、Ｐｂ＝０．０９８ｔｏｒｒであすＰａ／Ｐｂ ＝１
．０２０であった。このサンプルし、欠陥箇所数を表２
に示す。
Ｉ ｓに加え第１図中の（１２）に示される仕切弁から
ＮＨ３ガスを流し、（２１） 、 （２２）の流量コン
トロール計によりＳｉＨ４／ＮＨ４の比を１：４になる
様に、それぞれ８ＳＣＣＭ及び３２ＳＣＣＭに合わせる
ことにより５ｉｘＮ、−ｘ薄膜の形成を行った。反応ガ
スを５ｉＨａから５ｉｌＬとＮＨ３の混合ガスに変更し
た以外は比較例とまったく同じ条件でオリフィスを用い
ずに薄膜形成を行った。Ｐａ −０，１００ｔｏｒｒの
時、Ｐｂ＝０．０９８ｔｏｒｒであすＰａ／Ｐｂ ＝１
．０２０であった。このサンプルし、欠陥箇所数を表２
に示す。
大施適主
実施例１で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例１と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００５ｔｏｒｒで
ありＰａ／Ｐｂ ＝ ２０であった。このサンプルをＢ
”とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例１と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００５ｔｏｒｒで
ありＰａ／Ｐｂ ＝ ２０であった。このサンプルをＢ
”とし、欠陥箇所数を表２に示す。
大族桝■
実施例２で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例２と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０ 、 ０５０
ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝ ２であった。このサン
プルをＣ゛とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例２と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０ 、 ０５０
ｔｏｒｒでありＰａ／Ｐｂ ＝ ２であった。このサン
プルをＣ゛とし、欠陥箇所数を表２に示す。
実施例１１
実施例３で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例３と
まったく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０ 、 ００３ ｔｏｒｒ
でありＰａ／Ｐｂ ＝３３．３であった。このサンプル
をＤ′とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例３と
まったく同し条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０ 、 ００３ ｔｏｒｒ
でありＰａ／Ｐｂ ＝３３．３であった。このサンプル
をＤ′とし、欠陥箇所数を表２に示す。
実施例１２
実施例４で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例４と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００１ｔｏｒｒであ
りＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサンプルをＥｏ
とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例４と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ０．
１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．００１ｔｏｒｒであ
りＰａ／Ｐｂ ＝１００であった。このサンプルをＥｏ
とし、欠陥箇所数を表２に示す。
実施例１３
実施例５で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例５と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ｏ．
１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．Ｏ０５ｔｏｒｒ
でありＰａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプルをＦ
゛とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例５と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ ＝ ｏ．
１００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．Ｏ０５ｔｏｒｒ
でありＰａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプルをＦ
゛とし、欠陥箇所数を表２に示す。
大施桝旦
実施例６で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例６と
まった（同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０． ００１ ｔｏｒｒで
ありＰａ／Ｐｂ−ｌＯＯであった。このサンプルをＧ″
とし、欠陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例６と
まった（同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０． ００１ ｔｏｒｒで
ありＰａ／Ｐｂ−ｌＯＯであった。このサンプルをＧ″
とし、欠陥箇所数を表２に示す。
実施例１５
実施例７で使用したオリフィスの様態により、反応性ガ
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例７と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０５０ｔｏｒｒでありＰａ
／Ｐｂ ＝ ２であった。このサンプルをＨ゛とじ、欠
陥箇所数を表２に示す。
ス組成のみ実施例８と同様に変更した以外は実施例７と
まったく同じ条件で薄膜形成を行った。Ｐａ＝０．１０
０ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０５０ｔｏｒｒでありＰａ
／Ｐｂ ＝ ２であった。このサンプルをＨ゛とじ、欠
陥箇所数を表２に示す。
実施例１６
ポンプ排気量を調節し、反応室内の圧力を１ 、 ００
０ｔｏｒｒとした以外は比較例とまったく同じ条件で薄
膜形成を行った。Ｐａ ＝ １．０００ｔｏｒｒの時、
Ｐｂ＝１．０００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝ １
であった。このサンプルを八”とし欠陥箇所数を表３に
示す。
０ｔｏｒｒとした以外は比較例とまったく同じ条件で薄
膜形成を行った。Ｐａ ＝ １．０００ｔｏｒｒの時、
Ｐｂ＝１．０００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝ １
であった。このサンプルを八”とし欠陥箇所数を表３に
示す。
実施例１７
実施例１で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒとした以外は実施
例１とまったく同し条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒとした以外は実施
例１とまったく同し条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ＝１．０００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．０５０ｔｏ
ｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプ
ルをＢ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
ｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。このサンプ
ルをＢ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
大旌班邦
実施例２で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０００ｔｏｒｒとした以外は実施例２
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０００ｔｏｒｒとした以外は実施例２
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １．０’００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．
５００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ＝２であった。この
サンプルをＣ″とし、欠陥箇所を表３に示す。
５００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ＝２であった。この
サンプルをＣ″とし、欠陥箇所を表３に示す。
実施例３で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒとした以外は実施
例３とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒとした以外は実施
例３とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒＯ時、Ｐｂ ＝ ０
．０３０ ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝３３．３で
あった。このサンプルをＤ”とし、欠陥箇所を表３に示
す。
．０３０ ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝３３．３で
あった。このサンプルをＤ”とし、欠陥箇所を表３に示
す。
叉施孤刈
実施例４で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例４
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例４
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒＯ時、Ｐｂ ＝ ０
．０１０ ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝１００であ
った。このサンプルをＥ”とし、欠陥箇所を表３に示す
。
．０１０ ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝１００であ
った。このサンプルをＥ”とし、欠陥箇所を表３に示す
。
尖施炎旦
実施例５で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例５
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ ＝ １．０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例５
とまったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １．０００ｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．０
５０ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。こ
のサンプルをＦ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
５０ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝２０であった。こ
のサンプルをＦ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
実施例２２
実施例６で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ−１，０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例６とま
ったく同じ条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ−１，０ＯＯｔｏｒｒとした以外は実施例６とま
ったく同じ条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １．０ＯＯｔｏｒｒの時、Ｐｂ ＝ ０．０
１０ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝１００であった。
１０ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ ＝１００であった。
このサンプルを６”とし、欠陥箇所を表３に示す。
実施例２３
実施例７で使用したオリフィスの様態により、ポンプ排
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ＝１．０００ｔｏｒｒとした以外は実施例７とま
ったく同し条件で薄膜形成を行った。
気量及びオリフィスの穴の径を調節し、反応室内の圧力
をＰａ＝１．０００ｔｏｒｒとした以外は実施例７とま
ったく同し条件で薄膜形成を行った。
Ｐａ ＝ １ 、０００ ｔｏｒｒの時、Ｐｂ＝０．５
００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ＝２であった。このサ
ンプルをＨ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
００ｔｏｒｒであり、Ｐａ／Ｐｂ＝２であった。このサ
ンプルをＨ”とし、欠陥箇所を表３に示す。
表 １ 表 ２
表 ３ 「発明の効果」 実施例からみて明らかなごとく、サンプルＡ、サンプル
Ａ゛およびサンプルＡ”においては欠陥箇所数が１００
以上見られたものが、サンプルＣ及びサンプＣ″におい
てはそれぞれサンプルＡ、サンプルＡ゛及びサンプルＡ
”に比べ２０％以下に減っていた。
表 ３ 「発明の効果」 実施例からみて明らかなごとく、サンプルＡ、サンプル
Ａ゛およびサンプルＡ”においては欠陥箇所数が１００
以上見られたものが、サンプルＣ及びサンプＣ″におい
てはそれぞれサンプルＡ、サンプルＡ゛及びサンプルＡ
”に比べ２０％以下に減っていた。
さらには他のサンプルにおいてもそれ以上の良好な結果
が得られた。特に、サンプルＥ、Ｅ′及びＥ”において
は欠陥箇所がまったくみられなかった。以上の様に本発
明により製品歩留りの改善及び製品性能のバラツキを効
果的に低減し得ることがわかる。本発明は、「作用」で
述べた如＜ 、Ｐａ／Ｐｂ≧２に満たされる範囲でを効
であり、オリフィスの形状や数には依存しないこと及び
使用される圧力Ｐａに依存しないことが明らかである。
が得られた。特に、サンプルＥ、Ｅ′及びＥ”において
は欠陥箇所がまったくみられなかった。以上の様に本発
明により製品歩留りの改善及び製品性能のバラツキを効
果的に低減し得ることがわかる。本発明は、「作用」で
述べた如＜ 、Ｐａ／Ｐｂ≧２に満たされる範囲でを効
であり、オリフィスの形状や数には依存しないこと及び
使用される圧力Ｐａに依存しないことが明らかである。
また、オリフィスを反応室排気口（３２）から遠ざける
ことも、本発明の効果を損なわない範囲で可能である。
ことも、本発明の効果を損なわない範囲で可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分解反応中の反応ガスを排気する際に、反応室が排
気側に対しオリフィスによって仕切られたことを特徴と
するＣＶＤ装置。 ２、反応室と排気側を仕切るオリフィスが１個ないしは
２個以上の位置的に異なるオリフィスから構成される特
許請求範囲第１項記載のＣＶＤ装置。 ３、オリフィスによって仕切られた反応室の圧力（Ｐａ
）と排気側の圧力（Ｐｂ）が反応ガスを排気する際に少
なくともＰａ／Ｐｂ＝２以上の圧力比を以て排気される
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載のＣＶＤ装置
。 ４、プラズマエネルギ、光エネルギ、熱エネルギ、また
はそれらの組合わせにより反応性気体が分解または反応
することを特徴とした特許請求範囲第１項記載のＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122767A JPS612319A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122767A JPS612319A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612319A true JPS612319A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14844106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122767A Pending JPS612319A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612319A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322567A (en) * | 1990-06-28 | 1994-06-21 | Applied Materials, Inc. | Particulate reduction baffle with wafer catcher for chemical-vapor-deposition apparatus |
| US5772770A (en) * | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6103014A (en) * | 1993-04-05 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100720A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Seiko Epson Corp | Manufacture of amorphous semiconductor film |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59122767A patent/JPS612319A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100720A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Seiko Epson Corp | Manufacture of amorphous semiconductor film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322567A (en) * | 1990-06-28 | 1994-06-21 | Applied Materials, Inc. | Particulate reduction baffle with wafer catcher for chemical-vapor-deposition apparatus |
| US6103014A (en) * | 1993-04-05 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| US5772770A (en) * | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI768093B (zh) | 電漿蝕刻製程中使用塗佈部件的製程裕度擴充 | |
| US5624498A (en) | Showerhead for a gas supplying apparatus | |
| KR101044355B1 (ko) | 가스 헤드 및 박막제조장치 | |
| TWI550123B (zh) | 在直線型大面積的電漿反應器均勻處理的氣體輸送和分配系統及其處理腔室 | |
| US8257497B2 (en) | Insitu post atomic layer deposition destruction of active species | |
| JP4960134B2 (ja) | プラズマ化学気相成長法に基づく多層薄膜構造の製造方法 | |
| KR20190032077A (ko) | 리모트 플라즈마를 이용한 원자층 증착 시스템 | |
| EP1354981B1 (en) | Film-forming apparatus and film-forming method | |
| KR20160013818A (ko) | 샤워헤드 어셈블리 및 그것의 컴포넌트들 | |
| US20080035169A1 (en) | Cleaning means for large area pecvd devices using a remote plasma source | |
| JP2007247066A (ja) | 回転サセプタを備える半導体処理装置 | |
| US8431996B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same | |
| JPH09293681A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2004296526A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| CN101748378B (zh) | 成膜载板及太阳能电池的生产方法 | |
| JPS612319A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP7166759B2 (ja) | Ｈｄｐ－ｃｖｄチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 | |
| JPS62139876A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| KR100484945B1 (ko) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자 제조장치 | |
| KR100457455B1 (ko) | 박막 증착 속도를 조절하는 샤워헤드를 구비한 화학 기상증착 장치. | |
| JP2023547379A (ja) | 処理チャンバをシーズニングする方法 | |
| TW201700782A (zh) | 薄膜沉積用的噴灑頭以及含有此噴灑頭的薄膜沉積裝置 | |
| JPH02184022A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| CN110093593A (zh) | 一种用于大面积pecvd工艺腔室双层排气结构 | |
| KR102170451B1 (ko) | 프리커서와 반응가스를 함께 분사하는 라디컬 유닛 및 이를 포함하는 ald장치 |