JPS61231819A - 絶縁スペ−サ - Google Patents
絶縁スペ−サInfo
- Publication number
- JPS61231819A JPS61231819A JP60069919A JP6991985A JPS61231819A JP S61231819 A JPS61231819 A JP S61231819A JP 60069919 A JP60069919 A JP 60069919A JP 6991985 A JP6991985 A JP 6991985A JP S61231819 A JPS61231819 A JP S61231819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield electrode
- voltage
- insulating
- low
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
- H02G5/068—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure being part of the junction between two enclosures
Landscapes
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、密閉形ガス絶縁閤器において、配置される高
圧導体を支持する為の絶縁スペーサに関する。
圧導体を支持する為の絶縁スペーサに関する。
［発明の技術的背景］
密閉形ガス絶縁義器は、充電部をＳ Ｆｓガス等の様な
絶縁ガスと共に接地金属タンクに収納した構造を有する
ものである。そして、この様な密閉形ガス絶縁機器にお
いては、充電部、特に高圧導体をタンクに絶縁支持する
必要があり、この目的で、絶縁材により形成されたいわ
ゆる絶縁スペーサが用いられている。
絶縁ガスと共に接地金属タンクに収納した構造を有する
ものである。そして、この様な密閉形ガス絶縁機器にお
いては、充電部、特に高圧導体をタンクに絶縁支持する
必要があり、この目的で、絶縁材により形成されたいわ
ゆる絶縁スペーサが用いられている。
この絶縁スペーサとしては、ディスク形、コーン形等の
ガス区分用絶縁スペーサや円柱状のポスト形絶縁スペー
サがあり、配置箇所に応じて適宜使用されているが、こ
の内、ディスク形、コーン形の絶縁スペーサは、ガス絶
縁機器のガス区分を必要とする箇所に用いられ、また、
ポスト形絶縁スペーサは、ディスク形又はコーン形に比
べ小形であり、且つ、廉価である為、ガス絶縁機器のガ
ス区分を必要としない箇所等に多く用いられている。
ガス区分用絶縁スペーサや円柱状のポスト形絶縁スペー
サがあり、配置箇所に応じて適宜使用されているが、こ
の内、ディスク形、コーン形の絶縁スペーサは、ガス絶
縁機器のガス区分を必要とする箇所に用いられ、また、
ポスト形絶縁スペーサは、ディスク形又はコーン形に比
べ小形であり、且つ、廉価である為、ガス絶縁機器のガ
ス区分を必要としない箇所等に多く用いられている。
従来のコーン形絶縁スペーサの一例を第７図に示す。同
図において、絶縁スペーサＳは、エポキシ樹脂等の絶縁
材１に高圧シールド電極２及び低圧シールド電極３を埋
め込んで形成され、この絶縁スペーサＳによって、高圧
導体４がタンク５内に絶縁支持されている。
図において、絶縁スペーサＳは、エポキシ樹脂等の絶縁
材１に高圧シールド電極２及び低圧シールド電極３を埋
め込んで形成され、この絶縁スペーサＳによって、高圧
導体４がタンク５内に絶縁支持されている。
［背景技術の問題点］
ところで、従来、ガス絶縁機器では、電圧階級により、
高圧導体４及びタンク５の直径が異なり、それに応じて
コーン形絶縁スペーサの大きさもまた、異なっていた。
高圧導体４及びタンク５の直径が異なり、それに応じて
コーン形絶縁スペーサの大きさもまた、異なっていた。
しかし、最近では、輸出競争力の強化及び、より一層の
コンパクト化の要求により、従来のガス絶縁機器の寸法
を代えずに、ＳＦ６ガスの封入圧力を増加することによ
って、絶縁階級を格上げする傾向にある。その為、高圧
導体４及びタンク５の導電性突起及び導電性異物又は、
絶縁材１に付着した導電性異物等により、試験電圧に絶
えられず、フラッジオーバを生じ易くなっている。
コンパクト化の要求により、従来のガス絶縁機器の寸法
を代えずに、ＳＦ６ガスの封入圧力を増加することによ
って、絶縁階級を格上げする傾向にある。その為、高圧
導体４及びタンク５の導電性突起及び導電性異物又は、
絶縁材１に付着した導電性異物等により、試験電圧に絶
えられず、フラッジオーバを生じ易くなっている。
フラッジオーバ時の経路が、絶縁スペーサ以外のガス中
で生じる時は、高圧導体４及びタンク５の導電性突起又
は導電性異物を除去すれば、そのまま、当該ガス絶縁機
器は、支障なく使用可能であり、即ち、絶縁回復性を有
する。
で生じる時は、高圧導体４及びタンク５の導電性突起又
は導電性異物を除去すれば、そのまま、当該ガス絶縁機
器は、支障なく使用可能であり、即ち、絶縁回復性を有
する。
しかしながら、フラッジオーバ時の経路が、第８図に示
す様に、絶縁スペーサＳの近傍（経路工）又は沿面（経
路■）を経由した場合、フラッジオーバにより、低圧シ
ールド電極への貫通破壊が生じる恐れがある。この場合
、絶縁スペーサの耐電圧値は、正常晶の１／１０以下に
なり、絶縁支持部材としての機能を果せなくなり、即ち
、絶縁回復性を持たない為、スペーサＳを交換しなけれ
ばならない。この場合、機器を解体して交換作業を行わ
なければならず、多大な労力及び時間を要し、このこと
はまた、ガス絶縁機器の長時間の運転停止でもある為、
従来大きな問題となっていた。
す様に、絶縁スペーサＳの近傍（経路工）又は沿面（経
路■）を経由した場合、フラッジオーバにより、低圧シ
ールド電極への貫通破壊が生じる恐れがある。この場合
、絶縁スペーサの耐電圧値は、正常晶の１／１０以下に
なり、絶縁支持部材としての機能を果せなくなり、即ち
、絶縁回復性を持たない為、スペーサＳを交換しなけれ
ばならない。この場合、機器を解体して交換作業を行わ
なければならず、多大な労力及び時間を要し、このこと
はまた、ガス絶縁機器の長時間の運転停止でもある為、
従来大きな問題となっていた。
［発明の目的］
本発明は、上述の如き従来技術の欠点を解消する為に提
案されたものであり、その目的は、低圧シールド電極へ
の貫通破壊を生じることのない、絶縁回復性を有する様
な絶縁スペーサを提供することにより、スペーサの交換
作業を不要として、従来交換作業に要していた多大な労
力及び時間を削減し、且つガス絶縁機器の長時間の運転
停止等を生じない様にすることである。
案されたものであり、その目的は、低圧シールド電極へ
の貫通破壊を生じることのない、絶縁回復性を有する様
な絶縁スペーサを提供することにより、スペーサの交換
作業を不要として、従来交換作業に要していた多大な労
力及び時間を削減し、且つガス絶縁機器の長時間の運転
停止等を生じない様にすることである。
［発明の概要コ
かかる目的を達成する為のＳＦ６ガス中放電によるエポ
キシ注型品の破壊特性の実験例について述べる。
キシ注型品の破壊特性の実験例について述べる。
Ｘｌ」ＬＬ
まず、第８図の７ラツシオーバエを模擬した特性につい
て述べる。第１図は、模擬電極の構成を示す図であり、
同図において、高圧・半球棒電極６と平板電極７の２電
極が対向配置され、平板電極７上には、板厚ｔ（ｍｍ）
のエポキシ板８が、高圧半球電極６との間にギャップ長
ｃｘ（ｍｍ）を介して配置され、また、絶縁媒体として
ＳＦ６ガス９が封入されている。
て述べる。第１図は、模擬電極の構成を示す図であり、
同図において、高圧・半球棒電極６と平板電極７の２電
極が対向配置され、平板電極７上には、板厚ｔ（ｍｍ）
のエポキシ板８が、高圧半球電極６との間にギャップ長
ｃｘ（ｍｍ）を介して配置され、また、絶縁媒体として
ＳＦ６ガス９が封入されている。
ここでインパルス電圧を印加すると最大電界部の存在す
る高圧・半球棒電極６の先端を始発点とするリーダ１０
が生じ、それにより、エポキシ板８が貫通破壊を生じる
ことがある。貫通破壊する経路は゛、いろいろ考えられ
るが、ここでは、第８図の経路工を考えて、第１図のり
−ダ１０で示す様なエポキシ板８の沿面を経由しないも
のを貫通破壊とする。ギャップ長ｑ及びＳＦ６ガス封入
圧力等を変化させて、エポキシ板８の貫通破壊特性を調
査した結果を第２図に示す。
る高圧・半球棒電極６の先端を始発点とするリーダ１０
が生じ、それにより、エポキシ板８が貫通破壊を生じる
ことがある。貫通破壊する経路は゛、いろいろ考えられ
るが、ここでは、第８図の経路工を考えて、第１図のり
−ダ１０で示す様なエポキシ板８の沿面を経由しないも
のを貫通破壊とする。ギャップ長ｑ及びＳＦ６ガス封入
圧力等を変化させて、エポキシ板８の貫通破壊特性を調
査した結果を第２図に示す。
第２図に示す様に、Ｓ Ｆｓガスギャップを経由した放
電によるエポキシ板のインパルス破壊特性は、インパル
ス電圧Ｖ（ＫＶ＞とエポキシ板厚ｔ（＋ｎｍ）の間にＶ
＝１９０ｔ の関係があることが分かった。即ち、第
８図に示したフラッジオーバ経路工による貫通破壊を防
止する為には、所用インパルス電圧をＶ ｉｍｐ（ＫＶ
）とすると、第８図に示した高圧シールド電極２と近接
する絶縁材１表面までの絶縁材厚をｔ（ｍｍ）、また、
低圧シールド電極３と近接する絶縁材１表面までの絶縁
材厚をｔ＝（ｍｍ）とした時、ｔ、ｔ−＞ （Ｖ ｉｍ
ｐ／１９０）°７７の関係になる様に前記シールド電極
を配置すればよい。
電によるエポキシ板のインパルス破壊特性は、インパル
ス電圧Ｖ（ＫＶ＞とエポキシ板厚ｔ（＋ｎｍ）の間にＶ
＝１９０ｔ の関係があることが分かった。即ち、第
８図に示したフラッジオーバ経路工による貫通破壊を防
止する為には、所用インパルス電圧をＶ ｉｍｐ（ＫＶ
）とすると、第８図に示した高圧シールド電極２と近接
する絶縁材１表面までの絶縁材厚をｔ（ｍｍ）、また、
低圧シールド電極３と近接する絶縁材１表面までの絶縁
材厚をｔ＝（ｍｍ）とした時、ｔ、ｔ−＞ （Ｖ ｉｍ
ｐ／１９０）°７７の関係になる様に前記シールド電極
を配置すればよい。
ＵＬＬ
次に、第８図のフラッジオーバ■を模擬した特性につい
て述べる。第３図は、模擬電極の構成を示す図であり、
同図において、埋め込み電極１１を一体中継されたエポ
キシ棒１２が、高圧電極１２と低圧電極１４の間に嵌合
され、また、絶縁媒体としては、ＳＦ６ガス１５を封入
した。ここで、インパルス電圧を印加するとガス中の最
大電界部の存在する低圧電極１４のＡ部を始発点とする
リーダ１６が生じ、エポキシ棒１２の沿面に沿って進展
し、エポキシ棒１２の埋め込み電極１１に向かって貫通
破壊する場合と、高圧電極１３に向かって沿面フラッジ
オーバを生じる場合の２経路が考えられる。今回は、第
８図の経路■を考えて、第３図のリーダ１６で示す様な
１ポキシ棒１２の埋め込み電極１１に向かうものを貫通
破壊とする。
て述べる。第３図は、模擬電極の構成を示す図であり、
同図において、埋め込み電極１１を一体中継されたエポ
キシ棒１２が、高圧電極１２と低圧電極１４の間に嵌合
され、また、絶縁媒体としては、ＳＦ６ガス１５を封入
した。ここで、インパルス電圧を印加するとガス中の最
大電界部の存在する低圧電極１４のＡ部を始発点とする
リーダ１６が生じ、エポキシ棒１２の沿面に沿って進展
し、エポキシ棒１２の埋め込み電極１１に向かって貫通
破壊する場合と、高圧電極１３に向かって沿面フラッジ
オーバを生じる場合の２経路が考えられる。今回は、第
８図の経路■を考えて、第３図のリーダ１６で示す様な
１ポキシ棒１２の埋め込み電極１１に向かうものを貫通
破壊とする。
埋め込み電極１１とエポキシ棒１２の間のエポキシ厚ｔ
を１０（ｍｍ）として埋め込み電極１１の先端と高圧電
極１３の沿面距離Ｌ（ｍｌ）を変化した時のインパルス
破壊特性を第４図に示す。
を１０（ｍｍ）として埋め込み電極１１の先端と高圧電
極１３の沿面距離Ｌ（ｍｌ）を変化した時のインパルス
破壊特性を第４図に示す。
第４図より、ＳＦ６ガス中沿面沿面放電るエポキシの破
壊特性は、埋め込み電極１１とエポキシ棒１２の間のエ
ポキシ厚をｔ（ｎ＋ｍ）、埋め込み電極１１と同電位の
高圧電極１３の沿面距離をＬ（１１＋１１＞とすると、
次の特性を持つことがわかった。
壊特性は、埋め込み電極１１とエポキシ棒１２の間のエ
ポキシ厚をｔ（ｎ＋ｍ）、埋め込み電極１１と同電位の
高圧電極１３の沿面距離をＬ（１１＋１１＞とすると、
次の特性を持つことがわかった。
非破壊領域＜［Ｌ／ｌ］≦破壊領域
即ち、第８図に示したフラッジオーバ経路■による貫通
破壊を防止する為には、低圧シールド電極３と高圧導体
４の最短距離に存在する絶縁材表面を第８図のＱ点と呼
称すると、Ｑ点とタンク５までの最短沿面距離をＬ（ｍ
ｌｌｌ）とし、Ｑ点と低圧シールド電極３との絶縁材厚
をｔ（ｎｕｎ）とした時、Ｌ ／ ｔ ＜ ９の関係に
なる様に低圧シールド電極３を配置すればよい。
破壊を防止する為には、低圧シールド電極３と高圧導体
４の最短距離に存在する絶縁材表面を第８図のＱ点と呼
称すると、Ｑ点とタンク５までの最短沿面距離をＬ（ｍ
ｌｌｌ）とし、Ｑ点と低圧シールド電極３との絶縁材厚
をｔ（ｎｕｎ）とした時、Ｌ ／ ｔ ＜ ９の関係に
なる様に低圧シールド電極３を配置すればよい。
本発明は、上述した実験例を元に提案されたものであり
、即ち、絶縁材に埋め込んだ低圧シールド電極と高圧導
体の最短距離に存在する絶縁部材の絶縁厚をｔ（ｍｍ）
とした時、所用インパルス電圧Ｖ ｉ ｒｒ＋ｐ （Ｋ
Ｖ）との間にｔ＞（Ｖｉｍｌ）／１９０）Ｔ′ｗの関係
を有する様に前記低圧シールド電極を配置したことを特
徴とするものである。
、即ち、絶縁材に埋め込んだ低圧シールド電極と高圧導
体の最短距離に存在する絶縁部材の絶縁厚をｔ（ｍｍ）
とした時、所用インパルス電圧Ｖ ｉ ｒｒ＋ｐ （Ｋ
Ｖ）との間にｔ＞（Ｖｉｍｌ）／１９０）Ｔ′ｗの関係
を有する様に前記低圧シールド電極を配置したことを特
徴とするものである。
そして、この様な構成を有することにより、絶縁スペー
サの近傍を経由したフラッジオーバによる低圧シールド
電極への貫通破壊を防止でき、従って絶縁回復性を有す
る。
サの近傍を経由したフラッジオーバによる低圧シールド
電極への貫通破壊を防止でき、従って絶縁回復性を有す
る。
［発明の実施例］
上述した様な本発明の絶縁スペーサにおける一実施例を
第５図に示す。なお、構成の概要は、第７図で示した従
来の絶縁スペーサとほぼ等しい為、同一部材については
同一符号を付して説明を省略し、以下相違点についての
み言及する。
第５図に示す。なお、構成の概要は、第７図で示した従
来の絶縁スペーサとほぼ等しい為、同一部材については
同一符号を付して説明を省略し、以下相違点についての
み言及する。
第５図において、高圧シールド電極２に対向する低圧シ
ールド電極１７と高圧導体４の最短距離に存在する絶縁
材１の表面Ｑ点までの絶縁材厚をｔ（ｍｍ）とした時、
所用インパルス電圧ｖｉｍｐ（ＫＶ）との間にｔ＞ （
Ｖｉｍｐ／１９０）０７７の関係が成立つ様に低圧シー
ルド電極１７が配置されている。また、低圧シールド電
極１７は、高圧シールド電極２に対して逆方向に延出さ
れ、しかもその一部が、絶縁材１の表面に露出されてお
り、絶縁材１表面の前記Ｑ点と低圧シールド電極１７の
露出部Ｒ点までの沿面距離をＬ（ｆｉｌｍ）とした時、
Ｌ／ｌぐ９の関係になる様に配置されている。
ールド電極１７と高圧導体４の最短距離に存在する絶縁
材１の表面Ｑ点までの絶縁材厚をｔ（ｍｍ）とした時、
所用インパルス電圧ｖｉｍｐ（ＫＶ）との間にｔ＞ （
Ｖｉｍｐ／１９０）０７７の関係が成立つ様に低圧シー
ルド電極１７が配置されている。また、低圧シールド電
極１７は、高圧シールド電極２に対して逆方向に延出さ
れ、しかもその一部が、絶縁材１の表面に露出されてお
り、絶縁材１表面の前記Ｑ点と低圧シールド電極１７の
露出部Ｒ点までの沿面距離をＬ（ｆｉｌｍ）とした時、
Ｌ／ｌぐ９の関係になる様に配置されている。
以上の構成を有する本実施例では、前述の如く絶縁スペ
ーサＳの近傍を経由したフラッジオーバによる低圧シー
ルド電極１７への貫通破壊を防止できる上、特に、低圧
シールド電極１７の一部を露出させて、沿面距離を短縮
している為、絶縁スペーサＳの沿面を経由したフラッジ
オーバによって低圧シールド電極への貫通破壊を生じる
こともない。この様に、絶縁回復性を有する様な絶縁ス
ペーサを提供できることにより、従来必要であった貫通
破壊によるスペーサの交換作業が不要となる為、この交
換作業に要していた多大な労力及び時間を削減でき、且
つガス絶縁機器の長時間の運転停止を生じる不都合も解
消される。
ーサＳの近傍を経由したフラッジオーバによる低圧シー
ルド電極１７への貫通破壊を防止できる上、特に、低圧
シールド電極１７の一部を露出させて、沿面距離を短縮
している為、絶縁スペーサＳの沿面を経由したフラッジ
オーバによって低圧シールド電極への貫通破壊を生じる
こともない。この様に、絶縁回復性を有する様な絶縁ス
ペーサを提供できることにより、従来必要であった貫通
破壊によるスペーサの交換作業が不要となる為、この交
換作業に要していた多大な労力及び時間を削減でき、且
つガス絶縁機器の長時間の運転停止を生じる不都合も解
消される。
本発明による他の実施例を第６図に示す。本実施例にお
いては、前記実施例の低圧シールド電極１７を絶縁材１
の表面に露出させる構成に対し、タンク５に接地シール
ド電極１８を設け、これを絶縁材１表面に沿って延出し
て配置している。そして、この接地シールド電極１８の
先端部は、絶縁材１に埋め込んだ低圧シールド電極３の
、高圧電−／Ｌ′Ｉ’！４４２．！″′、ｔ ！ ＩＩ
ｍ Ｗ １７）近７１１１様にされている。従って、
前記実施例と同様、スペーサ沿面からの経路によるフラ
ッジオーバにて貫通破壊を生ずることはない。
いては、前記実施例の低圧シールド電極１７を絶縁材１
の表面に露出させる構成に対し、タンク５に接地シール
ド電極１８を設け、これを絶縁材１表面に沿って延出し
て配置している。そして、この接地シールド電極１８の
先端部は、絶縁材１に埋め込んだ低圧シールド電極３の
、高圧電−／Ｌ′Ｉ’！４４２．！″′、ｔ ！ ＩＩ
ｍ Ｗ １７）近７１１１様にされている。従って、
前記実施例と同様、スペーサ沿面からの経路によるフラ
ッジオーバにて貫通破壊を生ずることはない。
［発明の効果］
以上説明した様に本発明によれば、低圧シールド電極の
配置構成を考慮することにより、低圧シールド電極への
貫通破壊を生じることのない、絶縁回復性を有する様な
絶縁スペーサを提供することができ、従って、従来交換
作業に要していた多大な労力及び時間を削減し、且つガ
ス絶縁ｎ器の長時間の運転停止等を生ずることもない。
配置構成を考慮することにより、低圧シールド電極への
貫通破壊を生じることのない、絶縁回復性を有する様な
絶縁スペーサを提供することができ、従って、従来交換
作業に要していた多大な労力及び時間を削減し、且つガ
ス絶縁ｎ器の長時間の運転停止等を生ずることもない。
第１図は本発明の内容説明の為の電極構成を示す断面図
、第２図は第１図にお（プるインパルス破＠特性を示す
特性図、第３図は本発明の内容説明の為の他の電極構成
を示す断面図、第４図は第３図におけるインパルス破壊
特性を示す特性図、第５図は本発明における絶縁スペー
サの一実施例を示す断面図、第６図は本発明による他の
実施例を示す断面図、第７図は従来のコーン形絶縁スペ
ーサを示す断面図、第８図はコーン形絶縁スペーサの貫
通破壊経路を示す説明図である。 １・・・絶縁材、２・・・高圧シールド電極、３．１７
・・・低圧シールド電極、４・・・高圧導体、５・・・
接地タンク、６，１３・・・高圧電極、７，１４・・・
低圧電極、８・・・エポキシ板、９．１５・・・絶縁媒
体、１０，１６・・・リーダ、１１・・・埋め込み電極
、１２・・・エポキシ棒、１８・・・接地シールド電極
。 第１図 第２図 工肘〜シに４ ｔ （ｍｒｒｃ） 第３図 第４図 投面距、＃ Ｌ（ｒｒｍ） 第５図 第６図 第７図 第８図
、第２図は第１図にお（プるインパルス破＠特性を示す
特性図、第３図は本発明の内容説明の為の他の電極構成
を示す断面図、第４図は第３図におけるインパルス破壊
特性を示す特性図、第５図は本発明における絶縁スペー
サの一実施例を示す断面図、第６図は本発明による他の
実施例を示す断面図、第７図は従来のコーン形絶縁スペ
ーサを示す断面図、第８図はコーン形絶縁スペーサの貫
通破壊経路を示す説明図である。 １・・・絶縁材、２・・・高圧シールド電極、３．１７
・・・低圧シールド電極、４・・・高圧導体、５・・・
接地タンク、６，１３・・・高圧電極、７，１４・・・
低圧電極、８・・・エポキシ板、９．１５・・・絶縁媒
体、１０，１６・・・リーダ、１１・・・埋め込み電極
、１２・・・エポキシ棒、１８・・・接地シールド電極
。 第１図 第２図 工肘〜シに４ ｔ （ｍｒｒｃ） 第３図 第４図 投面距、＃ Ｌ（ｒｒｍ） 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (3)
- （１）密閉形ガス絶縁機器の高圧導体を接地タンクに絶
縁支持する為の、絶縁材に高圧シールド電極及び低圧シ
ールド電極を埋め込んで成る絶縁スペーサにおいて、 絶縁材に埋め込んだ低圧シールド電極と高圧導体の最短
距離に存在する絶縁材の絶縁厚をｔ（ｍｍ）とした時、
所用インパルス電圧Ｖｉｍｐ（ＫＶ）との間に、ｔ＞（
Ｖｉｍｐ／１９０）＾１＾／＾０＾．＾７＾７の関係が
成立する様に前記低圧シールド電極を配置したことを特
徴とする絶縁スペーサ。 - （２）低圧シールド電極が、その一部を絶縁材の表面に
露出し、且つ前記絶縁厚ｔ（ｍｍ）に対応する絶縁材表
面の一点と前記した低圧シールド電極の露出部までの沿
面距離をＬ（ｍｍ）とした時、Ｌ／ｔ＜９の関係が成立
する様に配置されたものである特許請求の範囲第１項記
載の絶縁スペーサ。 - （３）低圧シールド電極が、その高圧シールド電極とは
逆側端部の近傍に、接地タンクに設けた接地シールド電
極を延出して配置されたものである特許請求の範囲第１
項記載の絶縁スペーサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069919A JPH0642764B2 (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 絶縁スペ−サ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60069919A JPH0642764B2 (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 絶縁スペ−サ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231819A true JPS61231819A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH0642764B2 JPH0642764B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=13416576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60069919A Expired - Lifetime JPH0642764B2 (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 絶縁スペ−サ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642764B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109951948A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-28 | 厦门大学 | 一种板级安规绝缘方案 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP60069919A patent/JPH0642764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109951948A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-06-28 | 厦门大学 | 一种板级安规绝缘方案 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0642764B2 (ja) | 1994-06-01 |
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