JPS61226977A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JPS61226977A
JPS61226977A JP60067005A JP6700585A JPS61226977A JP S61226977 A JPS61226977 A JP S61226977A JP 60067005 A JP60067005 A JP 60067005A JP 6700585 A JP6700585 A JP 6700585A JP S61226977 A JPS61226977 A JP S61226977A
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JP
Japan
Prior art keywords
bond
substrate
film
compounds
organic
Prior art date
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Pending
Application number
JP60067005A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuyuki Naito
勝之 内藤
Koichi Mizushima
公一 水島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61226977A publication Critical patent/JPS61226977A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、金属−絶縁体一半導体の接合より構成される
MIS接合構造の発光素子の改良に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
半導体の禁制帯幅が大きく、良好なpn接合を得ること
が困難な青色発光素子については、MIS接合が採用さ
れている。しかしながら、青色発光素子に用いられる窒
化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化シリコン等
の半導体においては、半導体シリコンにおける酸化シリ
コンに相当する良好な絶縁体膜を形成することが困難で
あった。
このようなことから、最近、ラングミーアプロジーソト
の方法により有機物の超薄膜を半導体表面に形成し、絶
縁体として用いる試みが主として英国ダーハム・太字の
J、J、ロバーツ教授のグループが中心になって進めら
れている。MIS接合に用いられる有機絶縁膜は、電子
又は正孔のトンネル効果が生じる程度にその膜厚が十分
に薄く(通常1oo18度又はそれ以下)、ピンホール
等の欠陥がないことが必要である。しかも、電子、正孔
を捕獲するトラップ準位が絶縁膜中又は絶縁膜と金属、
半導体の界面に存在しないこと、通電発光に伴なう発熱
によって絶縁膜が劣化しないことが必要である。
ところで、前記ロパーツ教授の報告によると、カドミウ
ムステアリン酸のラングミーアブロジzット膜(以下、
LB膜と称す)を用いたGaP発光素子では、その発光
効率が絶縁膜の膜厚と共に上昇し、形成した最も厚い1
75X以上でも更に効率が上昇するようにみられ、一方
、発光効率が時間と共に減少することを示している。
同教授は、更に銅フタロシアニン誘導体により形成した
LB膜を絶縁膜として用いたGaP発光素子においては
、絶縁膜の厚さが40Xでその発光効率が最大になり、
その効率が8.6 X 10−3チとpn接合を用いた
素子に匹適する発光効率が得られたことを報告している
が、40Xという膜厚のS io2を絶縁膜として用い
九GaP発光素子においても観測されている。
しかしながら、上記2例のうち、カドミウムステアリン
酸の場合は、その電気、発光特性から電子のトンネル現
象に基づく注入型発光素子として動作しているとは考え
難く、シかもその発光効率も低い。他方、銅フタロシア
ニン誘導体を用いた発光素子では、注入型発光素子とし
て動作していると考えられ、LB膜のMIS接合への応
用の可能性を示唆している。しかし、発光の終時射変化
が観測されている。このだめ、更に熱安定性とトラップ
準位の少ないLB膜の開発が要望されている。
〔発明の目的〕
本発明は、発光効率の向上と安定性の向上を達成した発
光素子を提供しようとするものであるO 〔発明の概要〕 本発明者らは、従来の青色発光素子に用いられているL
B膜について鋭意研究を重ねた結果、分子内に不飽和結
合の他、芳香族環、エステル結合、アミド結合、イミド
結合、ウレタン結合、尿素結合、カルボネート結合又は
エーテル結合の少なくとも1つを含み、薄膜中で重合、
官能基変換反応を起こし、化合物間又は化合物と基板の
間で架橋反応を生じると共に基板上に単分子膜を形成し
得る有機化合物を用いて、半導体表面に有機超薄膜を形
成することによって、従来の発光素子に比べて発光効率
、安定性の優れたMIS接合構造の青色発光素子を見い
出した。
〔発明の実施例〕
以下、本発明に用いる有機化合物の合成例、実施例につ
いて詳細に説明する。
合成例1 本合成例1は、 の構造式で示される4−(22−)リコセノイルアミノ
)安息香酸の製造に適用した例である。
まず、4−アミノ安息香酸5 、ji’ (0,023
mol )トリエチルアミン3 g(0,030mol
)を三つロス2スコ内の乾燥エーテル20m1に溶解し
、水浴で2℃以下にした。つづいて、22−トリコセン
酸クロリド9.69 (0,026mol)を乾燥エー
テル30m7!に溶解した後、この溶解液を激しく攪拌
しながら前記三つロフラスコ内に滴下した。
滴下中の反応温度を5℃以下に制御した。約1時間かけ
て滴下した後、反応混合物を塩酸を含む氷水中に投入し
、生成した沈殿物をろ過した。
次いで、沈殿物を冷水で洗浄した後、エタノール中から
再結晶させることにより目的の4−(22−トリコセノ
イルアミノ)安息香酸を合成した。この有機化合物の元
素分析値(実測値)はC76,6、Hl O,0、N3
.2であった。なお、計算値はC76,4、Hl O,
4、N3.0である。
合成例2 本合成例2は、 の構造式で示される22−トリフセニル−2−アミノア
セテートの製造に適用した例である。
まず、グリシン5g(0,067mol)を乾燥四塩化
炭素200ゴ中に懸濁させ、五塩化リン15p(0,0
72mol)を加え、室温で10時間攪拌反応させた。
反応終了後、生成した沈殿物をろ過し、乾燥四塩化炭素
及び乾燥石油エーテルで洗浄し、アセチルクロリド中か
ら再結晶させることにより、グリシニルクロリド塩酸付
加物を造った。
次いで、22−トリコセトル5g(0,015mol 
)を乾燥ジメチルホルムアミド207M中に溶解し、こ
の溶解液に既に造ったグリシニルクロリド塩酸付加物2
.6g(0,026rnol )を加えた後、室温で1
時間半攪拌反応させた。生成した沈殿物をろ過踵酢酸エ
チル中から再結晶させることにより、22−トリフセニ
ル−2−アミノアセテート塩酸付加物を得た。
次いで、22−トリフセニル−2−アミノアセテート塩
酸付加物を塩化メチレン中で水酸化ナトIJウム水溶液
と攪拌、混合した。つづいて、塩化メチレン溶液を分別
し、塩化メチレンを留去した。残渣を石油エーテル中か
ら再結晶させることにより目的の22−トリフセニル−
2−アミノアセテートを合成した・この有機化合物の元
素分析値(実測値)はC75,6、Hl 1.9 # 
N4、0であった。なお、計算値はC75,6,Hl2
.3.N3.7である。
合成例3 本合成例3は、 の構造式で示される3−(22−1リコセニルオキシカ
ルがニル)−アクリル酸の製造に適用した例である。
まず、22−トリコセノール5g(0,015mol 
)とマレイン酸無水物109 (0,10mol)k5
0mlのナスフラスコ内に入れ、130〜140℃で1
0分間攪拌反応させた。反応終了後、減圧下で未反応の
マレイン酸無水物を留去した。この後、反応混合物をエ
タノール中で再結晶させるととにより目的とする3−(
22−トリコセニルオキシカルがニル)−アクリル酸を
合成した。この有機化合物の元素分析値(実測値)はC
74,0、Hl O,9であった。なお、計算値はC7
4,1、Hl 1.2である。
合成例4 本合成例4は、 の構造式で示される2−ヒドロキシエチル−22−トリ
コセネートの製造に適用した例である。
まず、エチレングリコール30m1とトリエチル−<y
3.F(0,030mol )を100m/の三ツロフ
ラスコ内に入れ、水浴で2℃以下にした。
つづいて、22−トリコセン酸クロリド9.61(0,
026mol)″f、乾燥エーテル20?d中に溶解し
た後、この溶解液を激り、 <攪拌しながら、前記三ツ
ロフラスコ内に滴下した。滴下中の反応温度を5℃以下
にコントロールした。約1時間30分かげて滴下した後
、反応混合物を塩酸を含む氷水中に投入し、生成した沈
殿物をろ過した0次いで、沈殿物を冷水で洗浄した後、
エタノール中から再結晶させることにより目的の2−ヒ
ドロキシエチル−22−トリコセネートを合成した。こ
の有機化合物の元素分析値(実測値)はC75,7,H
l2.0であった。なお、計算値はC75,8、I(1
2,1である。
合成例5 本合成例5は、 の構造式で示される22−トリコセニルアクリレートの
製造に適用した例である。
まず、22−トリコセノール5g(0,015mol)
、トリエチルアミン3.0g(0,030mol )及
び乾燥エーテル29mA!を100dの三つロフラスコ
内に入れ、水浴で2℃以下にした。
つづいて、アクリル酸クロリド1.8g (0,020
mol )を乾燥エーテル5プに溶解した後、この溶解
液を激しく攪拌しながら、前配三つロフラスコ内に滴下
した。滴下中の反応温度を5℃以下にコントロールした
。約40分間かけて滴下した後、反応混合物を塩酸を含
む氷水中に投入し、生成した沈殿物をろ過した。次いで
、沈殿物をエタノール中から再結晶させることにより目
的の22−トリコセニルアクリレートを合成した。この
有機化合物の元素分析値(実測値)は、C79,5、H
l 2.0であった。なお、計算値はC79,6、Hl
 2.2である。
合成例6 本合成例6は、 の構造式で示される2、3−エポキシプロビル−22−
)リコセネートの製造に適用した例である。
まず、グリシドール2ji (0,027mol )、
トリエチルアミン3.5g(0,035mol )及び
乾燥エーテル20m/’il OQmlの三つロフラス
コ内に入れ、水浴で2℃以下にした。つづいて、22−
トリコセン酸クロリド11.F(0,030mol)を
乾燥エーテル301rLlに溶解した後、この溶解液を
激しく攪拌しながら、前記三つロフラスコ内に滴下した
。滴下中の反応温度を5℃以下にコントロールした。約
1時間かけて滴下した後、反応混合物を塩酸を含む氷水
中に投入し、生成した沈殿物を除去した。次いで、沈殿
物を酢酸エチル中から再結晶させることにより目的の2
,3−エボキシグロビル−22−トリコネートを合成し
た。この有機fヒ合物の元素分析値(実測値)はC76
,8、Hl 1.7であった。
なお、計算値はC76,5、Hl 1.8である。
実施例1.2 前記合成例1,3で得られた末端にカルボキシル基を有
する有機化合物f 5 X 10−’molAの濃度で
クロロホルム(又はベンゼン)に溶解する。
この溶液を5 X 10−’mol/A’の濃度の塩化
カドミウム水溶液上に滴下し、ジョイスレーベル社のL
B膜形成装置を用いて25℃でGap基板上KY形のL
B膜を積層した。ひきつづき、LB膜を高圧水銀ランプ
により同相重合を行なった後、70〜80℃で熱処理し
てGap基板上にLB膜からなる超薄膜を形成した。こ
の熱処理過程において、エステル変換停の反応が更に進
行する。次いで、超薄膜上に金層を、GaP基板の裏面
にインジウム層を蒸着して2種の発光素子を製造した。
実施例3〜6 前記合成例2,4,5.6で得られた有機化合物をそれ
ぞれ5 X 10−’mol/lの濃度でクロロホルム
(又はベンゼン)に溶解する。リン酸水素二ナトリウム
10−2mol/J1水酸化ナトリウムー塩酸を添加し
てPH7,5に調整した水溶液上に、クロルホルム溶液
を滴下し、Gap基板上VcY形のLB膜を形成し、以
後、実施例1と同様な方法により4種の発光素子を製造
した。
しかして、本実施例1〜6の発光素子及び従来の銅フタ
ロシアニンLB膜を用いた発光素子(比較例)について
、初期発光効率及び24時間後の発光効率を調べたとこ
ろ、下記表に示す結果を得た。
上表から明らかなように、本実施例1〜6の発光素子は
従来の発光素子に比べて初期発光効率が高いことがわか
る。特に、実施例の中でも末端にカルがキシル基を有す
る合成例1,3の有機化合物を用いて超薄膜を形成した
発光素子(実施例1,2)は他のものに比べて初期発光
効率、24時間後の発光効率が高いことがわかる。これ
は、合成例1,3の有機化合物からなる超薄膜がGap
基板との密着性がよく、それらの間の界面準位が少ない
ためと考えられる。
また、本実施例1の発光素子についての特性を第1図〜
第3図に示す。第1図は超薄膜の積層数と該超薄膜のキ
ャ/4’シタの逆数との関係を示すもので、はぼ線形の
関係が得られており、積層膜が形成されていることがわ
かる。第2図は超薄膜の積層数と発光効率の関係を示し
、5層の積層で発光効率の最大値である〜6 X 10
−3チが得られることがわかる。第3図は、発光効率の
時間的変化を示し、−日(24時間)で初期発光効率の
約Aに減少するが銅フタロシアニンLB膜に比べて減少
が少なかった。
〔発明の効果〕
以上詳2述した如く、本発明によれば発光効率の向上と
安定性の向上を達成した発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1における発光素子の超薄膜の
積層数とキャパシタの関係を示す線図、第2図は同発光
素子における超薄膜の積層数と発光効率との関係を示す
線図、第3図は同発光素子における発光効率の時間的変
化を示す線図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=     (
、J)60LX○/I 卸口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属、絶縁体及び半導体の接合より構成されるMIS接
    合構造の発光素子において、前記絶縁体は分子内に不飽
    和結合の他、芳香族環、エステル結合、アミド結合、イ
    ミド結合、ウレタン結合、尿素結合、カルボネート結合
    、エーテル結合の少なくとも1つを含み、薄膜中で重合
    、官能基交換反応を起こし、化合物間又は化合物と基板
    の間で架橋を生じ、かつ基板上に単分子膜を形成するこ
    とが可能な有機化合物よりなる有機超薄膜であることを
    特徴とする発光素子。
JP60067005A 1985-03-30 1985-03-30 発光素子 Pending JPS61226977A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2865473A1 (fr) * 2004-01-23 2005-07-29 Isochem Sa Esters insatures pour modification hydrophobe de carbohydrates et de polymeres
JP2006502213A (ja) * 2002-10-10 2006-01-19 イエダ リサーチ アンド デベロップメント カンパニー リミテッド 脂肪族アルコール類の塩基性エステルおよび抗炎症薬または免疫調整薬としての使用

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