JPS61225848A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
- Publication number
- JPS61225848A JPS61225848A JP60065034A JP6503485A JPS61225848A JP S61225848 A JPS61225848 A JP S61225848A JP 60065034 A JP60065034 A JP 60065034A JP 6503485 A JP6503485 A JP 6503485A JP S61225848 A JPS61225848 A JP S61225848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor rectifier
- case
- frame
- substrate
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は半導体整流装置に関し、特に、従来の樹脂封
止型の半導体整流装置にくらべて放熱特性が極めて車番
で、単純な構造にすることができる、改良された半導体
整流装置に関するものである。
止型の半導体整流装置にくらべて放熱特性が極めて車番
で、単純な構造にすることができる、改良された半導体
整流装置に関するものである。
［発明の技術的背景］
従来の樹脂封止型半導体整流装置の構造を第３図に示す
。
。
この公知の半導体整流装置においては、底根付きの箱形
の樹脂製ケース１が使用されており、整流ブリッジ回路
を構成する４個のダイオード２が該ケース１の樹脂製の
底板１ａ上に配設されたＬ字形入力端子３の一辺に半田
４により固定されている。 また、該ダイオード２のリ
ードにはそれぞれのＬ字形出力端子５が半田によって取
り付けられている。 樹脂製ケース１内には封止用の樹
脂６が充填されて封止された後、該ケースの底板１ａの
底面を外部放熱板にねじ止めして使用している。
の樹脂製ケース１が使用されており、整流ブリッジ回路
を構成する４個のダイオード２が該ケース１の樹脂製の
底板１ａ上に配設されたＬ字形入力端子３の一辺に半田
４により固定されている。 また、該ダイオード２のリ
ードにはそれぞれのＬ字形出力端子５が半田によって取
り付けられている。 樹脂製ケース１内には封止用の樹
脂６が充填されて封止された後、該ケースの底板１ａの
底面を外部放熱板にねじ止めして使用している。
［背景技術の問題点］
前記のごとき従来の半導体整流装置においては、樹脂製
ケースの底板部分が樹脂で構成されているため放熱特性
が悪いという欠点があった。 従って、放熱特性をよく
するためにダイオードの接着面を大きくしたり、ケース
底面積を必要以上に大きくする等の放熱設計上の配慮を
する必要があった。
ケースの底板部分が樹脂で構成されているため放熱特性
が悪いという欠点があった。 従って、放熱特性をよく
するためにダイオードの接着面を大きくしたり、ケース
底面積を必要以上に大きくする等の放熱設計上の配慮を
する必要があった。
また、特に高い放熱特性を要求される用途には金属製ケ
ースを使用した半導体整流装置が望ましいが、金属製ケ
ースを使用するとケースがコスト高になるばかりでなく
、ケースとダイオード及び端子との絶縁を十分に行う必
要があるため、構造が複雑になったり、ケースが大型に
なる等の問題があった。
ースを使用した半導体整流装置が望ましいが、金属製ケ
ースを使用するとケースがコスト高になるばかりでなく
、ケースとダイオード及び端子との絶縁を十分に行う必
要があるため、構造が複雑になったり、ケースが大型に
なる等の問題があった。
［発明の目的］
この発明の目的は、従来の樹脂封止型半導体整流装置よ
りも高い放熱特性を有するとともに金属製ケース使用の
気密封止型の半導体整流装置より安価で且つ従来の樹脂
封止型半導体装置よりも小型の、改良された半導体整流
装置を提供することである。
りも高い放熱特性を有するとともに金属製ケース使用の
気密封止型の半導体整流装置より安価で且つ従来の樹脂
封止型半導体装置よりも小型の、改良された半導体整流
装置を提供することである。
［発明の概要］
この発明による半導体整流装置の特徴は、底板のない枠
型の樹脂製ケースを使用するとともに放熱に適する金属
板にセラミックと銅パターンとを溶射した基板を該ケー
スの底板として該ケースの下端部に嵌装し、且つ、該溶
射基板の底面が該樹脂製ケースの下端縁よりも下方位置
にあるように該溶射基板を該ケースの底から突出させた
外囲器構造にある。 このような構造においては、ダイ
オードから発生する熱が溶射基板を介して外部に放散さ
れるため、従来の樹脂封止型半導体整流装置よりも著し
く高い放熱特性が得られる。 溶射基板としては、Ａ１
板にセラミック絶縁層と銅の配線パターンとを溶射形成
したものが挙げられ、本発明の半導体整流装置では、こ
のＡ１溶射基板の銅パターンの上にダイオードを直接に
半田付けする。
型の樹脂製ケースを使用するとともに放熱に適する金属
板にセラミックと銅パターンとを溶射した基板を該ケー
スの底板として該ケースの下端部に嵌装し、且つ、該溶
射基板の底面が該樹脂製ケースの下端縁よりも下方位置
にあるように該溶射基板を該ケースの底から突出させた
外囲器構造にある。 このような構造においては、ダイ
オードから発生する熱が溶射基板を介して外部に放散さ
れるため、従来の樹脂封止型半導体整流装置よりも著し
く高い放熱特性が得られる。 溶射基板としては、Ａ１
板にセラミック絶縁層と銅の配線パターンとを溶射形成
したものが挙げられ、本発明の半導体整流装置では、こ
のＡ１溶射基板の銅パターンの上にダイオードを直接に
半田付けする。
なお、使用に際しては、溶射基板の底面を更に外部放熱
板に取り付ける。
板に取り付ける。
内面側にセラミックを溶射したＡ１溶射基板と樹脂製の
枠型ケースとを外囲器とした場合は、ケースと回路との
絶縁を考慮することは余り必要でない。
枠型ケースとを外囲器とした場合は、ケースと回路との
絶縁を考慮することは余り必要でない。
溶射した銅パターンの上にはダイオードばかりでなく入
出力端子も直接半田付けすることが容易である。 その
結果、従来の整流装置では、第３図の入力端子と出力端
子とはともに１字形の端子であるが寸法の異なる別形状
をしているのに対して、本発明における入出力端子は、
すべて全く同一の形状として整流装置を組立てることが
でき、従って本発明の整流装置の構造を簡素化して大幅
のコスト低減を実現した。 その場合の具体的構造は下
記の実施例の記載から理解できよう。
出力端子も直接半田付けすることが容易である。 その
結果、従来の整流装置では、第３図の入力端子と出力端
子とはともに１字形の端子であるが寸法の異なる別形状
をしているのに対して、本発明における入出力端子は、
すべて全く同一の形状として整流装置を組立てることが
でき、従って本発明の整流装置の構造を簡素化して大幅
のコスト低減を実現した。 その場合の具体的構造は下
記の実施例の記載から理解できよう。
［発明の実施例］
第１図に本発明の半導体整流装置の一実施例を示す。
なお、同図において、第３図と同一の符号で表示された
部分は従来の半導体整流装置と同一の部分である。
なお、同図において、第３図と同一の符号で表示された
部分は従来の半導体整流装置と同一の部分である。
本発明の半導体整流装置では、底板のない枠型樹脂製ケ
ース７をケースとして用いるとともに、該ケースの底板
としてＡＩ製のＡ１溶射基板８を用い、該Ａ１溶射基板
８を該ケース７の底から突出するように該ケースに固定
したことを特徴とするものである。 ここに、Ａ１溶射
基板とは、Ａｊ板の表面にセラミック絶縁層８ａを形成
するとともに該セラミック絶縁層８ａの上に銅製の配線
パターン８ｂを溶射形成したものであり、各ダイオード
２は銅の配線パターン８ｂの上に半田４で接着されてい
る。
ース７をケースとして用いるとともに、該ケースの底板
としてＡＩ製のＡ１溶射基板８を用い、該Ａ１溶射基板
８を該ケース７の底から突出するように該ケースに固定
したことを特徴とするものである。 ここに、Ａ１溶射
基板とは、Ａｊ板の表面にセラミック絶縁層８ａを形成
するとともに該セラミック絶縁層８ａの上に銅製の配線
パターン８ｂを溶射形成したものであり、各ダイオード
２は銅の配線パターン８ｂの上に半田４で接着されてい
る。
枠型樹脂製ケース７とＡ１溶射基板８との結合部におい
ては第２図に示すように、Ａ１溶射基板８が枠型樹脂製
ケース７の下端から下側へ突出するように両者が嵌合さ
れており、図示実施例では、枠型樹脂製ケース７の下端
面の内周縁に沿って形成された段状切欠部７ａにＡ１溶
射基板８の外９周縁が嵌合されている。 この段状切欠
部７ａの上下方向の切込み深さｈはＡ１熔射基板の外周
縁の肉厚よりも小さいため、該枠型樹脂製ケース７がＡ
１溶射基板８の上に乗った状態で両者は結合されている
。 従って、Ａ１溶射基板８は枠型樹脂製ケース７の下
端よりも下側へ突出しており、外部放熱板をＡ１溶射基
板８の底面に取り付けたときに該放熱板とＡ１熔射基板
とが密着しうるようになっている。
ては第２図に示すように、Ａ１溶射基板８が枠型樹脂製
ケース７の下端から下側へ突出するように両者が嵌合さ
れており、図示実施例では、枠型樹脂製ケース７の下端
面の内周縁に沿って形成された段状切欠部７ａにＡ１溶
射基板８の外９周縁が嵌合されている。 この段状切欠
部７ａの上下方向の切込み深さｈはＡ１熔射基板の外周
縁の肉厚よりも小さいため、該枠型樹脂製ケース７がＡ
１溶射基板８の上に乗った状態で両者は結合されている
。 従って、Ａ１溶射基板８は枠型樹脂製ケース７の下
端よりも下側へ突出しており、外部放熱板をＡ１溶射基
板８の底面に取り付けたときに該放熱板とＡ１熔射基板
とが密着しうるようになっている。
なお、枠型樹脂製ケース７とＡ１溶射基板８との結合構
造は図示実施例に限られるものではなく、他の結合構造
であってもよいことは当然であるが、Ａ１溶射基板８が
該枠型ケース７の下側へ突出する構造であることが望ま
しい。
造は図示実施例に限られるものではなく、他の結合構造
であってもよいことは当然であるが、Ａ１溶射基板８が
該枠型ケース７の下側へ突出する構造であることが望ま
しい。
前記のごときケース内の空間に封止用樹脂６を充填し、
且つ硬化せしめた後、外部放熱板をＡｌ熔射基板８の底
面に取り付けて使用に供する。
且つ硬化せしめた後、外部放熱板をＡｌ熔射基板８の底
面に取り付けて使用に供する。
次にこの実施例のブリッジ回路を説明すると、図示した
ようにほぼ正方形のＡ１溶射基板８を用いるが、該基板
８の４隅にダイオード２と端子３又は５をそれぞれ１個
づつ半田付けする同形の銅パット８ｂが溶射形成されて
いる。 入力端子３も出力端子５もＷ形に折り曲げられ
た全く同形の端子であり、入力端子３も出力端子５もＷ
形の第１辺が銅バッド８ｂに取り付けられている。 ま
た入力端子３も出力端子５もＷ形の第３辺はダイオード
２のリードに取り付けられている。 このようにこの実
施例の整流装置は、全く部材組立てが標準化されている
。
ようにほぼ正方形のＡ１溶射基板８を用いるが、該基板
８の４隅にダイオード２と端子３又は５をそれぞれ１個
づつ半田付けする同形の銅パット８ｂが溶射形成されて
いる。 入力端子３も出力端子５もＷ形に折り曲げられ
た全く同形の端子であり、入力端子３も出力端子５もＷ
形の第１辺が銅バッド８ｂに取り付けられている。 ま
た入力端子３も出力端子５もＷ形の第３辺はダイオード
２のリードに取り付けられている。 このようにこの実
施例の整流装置は、全く部材組立てが標準化されている
。
一方、この実施例の整流装置は、４辺のどの辺からみて
も区別がつかない。 そのため、枠型ケースの１つの角
部７ｂの形状を他の角部７Ｃの形状と異なるものにして
区別している。
も区別がつかない。 そのため、枠型ケースの１つの角
部７ｂの形状を他の角部７Ｃの形状と異なるものにして
区別している。
［発明の効果］
前記構造の本発明の半導体整流装置と従来の樹脂封止型
半導体整流装置について同一条件で熱抵抗測定を行った
ところ、従来の半導体整流装置の熱抵抗値は２．２℃／
Ｗであるのに対し、本発明の′半導体整流装置では１．
８℃／Ｗであり、２０％以上もの改善が達成された。
半導体整流装置について同一条件で熱抵抗測定を行った
ところ、従来の半導体整流装置の熱抵抗値は２．２℃／
Ｗであるのに対し、本発明の′半導体整流装置では１．
８℃／Ｗであり、２０％以上もの改善が達成された。
また、本発明の半導体整流装置によれば、溶射基板の銅
パターンに直接端子及び素子を半田付けすることが容易
で、その結果、実施例のごとき簡易化された整流装置を
提供することができる。
パターンに直接端子及び素子を半田付けすることが容易
で、その結果、実施例のごとき簡易化された整流装置を
提供することができる。
以上の説明のように、本発明によれば、従来よりも放熱
特性がよくしかも底面面積の小さな樹脂封止型半導体整
流装置を得ることができ、また、金属製ケースを使用す
る場合にくらべて比較的安価で且つ放熱特性のよい半導
体整流装置を得ることができる。
特性がよくしかも底面面積の小さな樹脂封止型半導体整
流装置を得ることができ、また、金属製ケースを使用す
る場合にくらべて比較的安価で且つ放熱特性のよい半導
体整流装置を得ることができる。
第１図は本発明の半導体整流装置の一実施例を示す未完
成品の斜視図、第２図は第１図のＡ部分の拡大図、第３
図は従来の樹脂封止型半導体整流装置の未完成品の斜視
図である。 １・・・箱形の樹脂製ケース、 １ａ・・・底板、 ２
・・・ダイオード、 ３・・・入力端子、 ４・・・半
田、５・・・出力端子、 ６・・・封止用樹脂、 ７・
・・枠型樹脂製ケース、 ７ａ・・・段状切欠部、 ７
ｂ、７ｃ・・・角部、 ８・・・Ａ１熔射基板、 ８ａ
・・・セラミック絶縁層、 ８ｂ・・・パターン。
成品の斜視図、第２図は第１図のＡ部分の拡大図、第３
図は従来の樹脂封止型半導体整流装置の未完成品の斜視
図である。 １・・・箱形の樹脂製ケース、 １ａ・・・底板、 ２
・・・ダイオード、 ３・・・入力端子、 ４・・・半
田、５・・・出力端子、 ６・・・封止用樹脂、 ７・
・・枠型樹脂製ケース、 ７ａ・・・段状切欠部、 ７
ｂ、７ｃ・・・角部、 ８・・・Ａ１熔射基板、 ８ａ
・・・セラミック絶縁層、 ８ｂ・・・パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱に適する金属板の一面にセラミック絶縁層及び
銅のパターンを順次溶射して形成した基板と、該パター
ンに導通固着した複数の整流素子からなる整流ブリッジ
回路と、該基板の金属板側底面が底から露出するように
該基板の外周に嵌合固定させるとともに下端縁全体が該
金属板側底面よりも突出しないように該基板と結合させ
た樹脂製の枠型ケースとを具備する半導体整流装置。 ２ ブリッジ回路が、４個のパッドからなるパターンに
それぞれ固着した４個の整流素子と、Ｗ形に折り曲げて
該Ｗ形の第１辺をそれぞれのパッドに固着するとともに
該Ｗ形の第３辺を所定の整流素子に接続した４個の入出
力端子からなるブリッジ回路である、特許請求の範囲第
１項記載の半導体整流装置。 ３ 基板及び枠型ケースがほぼ正方形の形状を有し、４
個の入出力端子が同一形状であって、該４個の入出力端
子を井桁に配置して基板のパッドに固着した、特許請求
の範囲第２項記載の半導体整流装置。 ４ 枠型ケースが、一の角部の形状を他の角部の形状と
異なるものにしてブリッジ回路の接続方向に対応させた
枠型ケースである、特許請求の範囲第３項記載の半導体
整流装置。 ５ ブリッジ回路の入出力端子の一部を残し該枠型ケー
ス内に充填して前記ブリッジ回路を保護した封止樹脂部
を有する、特許請求の範囲第１項記載の半導体整流装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065034A JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065034A JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225848A true JPS61225848A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0433138B2 JPH0433138B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=13275288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065034A Granted JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821618A (en) * | 1994-08-12 | 1998-10-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with insulating housing |
| JP2002238260A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010284079A (ja) * | 2010-09-24 | 2010-12-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612756A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Nec Corp | Integrated circuit device |
| JPS59198740A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体複合素子 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60065034A patent/JPS61225848A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612756A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Nec Corp | Integrated circuit device |
| JPS59198740A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体複合素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821618A (en) * | 1994-08-12 | 1998-10-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with insulating housing |
| JP2002238260A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4631179B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2011-02-16 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置およびこれを用いたインバータ装置 |
| JP2010284079A (ja) * | 2010-09-24 | 2010-12-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0433138B2 (ja) | 1992-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100307465B1 (ko) | 파워모듈 | |
| US5293301A (en) | Semiconductor device and lead frame used therein | |
| KR900003828B1 (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| US5644163A (en) | Semiconductor device | |
| US4338621A (en) | Hermetic integrated circuit package for high density high power applications | |
| JP3209320B2 (ja) | マルチチップモジュールパッケージ | |
| US5543663A (en) | Semiconductor device and BGA package | |
| US3469017A (en) | Encapsulated semiconductor device having internal shielding | |
| JPH05304247A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3094768B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR102196397B1 (ko) | 메탈포스트, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조방법 | |
| JPS5893358A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62104056A (ja) | 半導体部品の実装構造 | |
| JPS61225848A (ja) | 半導体整流装置 | |
| KR20230144969A (ko) | 디스크리트 전력 반도체 패키지 | |
| TWI625833B (zh) | 封裝結構 | |
| KR102552424B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH05343607A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH02203555A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003023126A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS635250Y2 (ja) | ||
| JP2736155B2 (ja) | ハイブリッドモジュール回路装置 | |
| JPH03206690A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003060132A (ja) | 基板構造、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05292744A (ja) | 電源モジュールの実装構造 |