JPS61225811A - チツプ型インダクタ−素子 - Google Patents
チツプ型インダクタ−素子Info
- Publication number
- JPS61225811A JPS61225811A JP6727685A JP6727685A JPS61225811A JP S61225811 A JPS61225811 A JP S61225811A JP 6727685 A JP6727685 A JP 6727685A JP 6727685 A JP6727685 A JP 6727685A JP S61225811 A JPS61225811 A JP S61225811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- chip
- inductor element
- type inductor
- ferrite sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明はチップ型インダクター素子に関し、さらに詳し
くは、安価で、しかも導電部の抵抗が低くＱの高いチッ
プ型インダクター素子に関する。
くは、安価で、しかも導電部の抵抗が低くＱの高いチッ
プ型インダクター素子に関する。
（従来の技術）
従来のインダクターとして、第２図に示すものがある。
このインダクターにおいて、１は筒状フェライト焼結体
であり、一端面から他端面にかけて通孔１ａが形成され
ている。２は導電線であり、筒状フェライト焼結体１の
通孔１ａに挿通されている。このインダクターは、簡単
な構造で導電線２の一端と他端の間にインダクタンス成
分を形成するものであるが、プリン１〜回路基板に直接
付けるチップ型にすることができないという問題点があ
った。
であり、一端面から他端面にかけて通孔１ａが形成され
ている。２は導電線であり、筒状フェライト焼結体１の
通孔１ａに挿通されている。このインダクターは、簡単
な構造で導電線２の一端と他端の間にインダクタンス成
分を形成するものであるが、プリン１〜回路基板に直接
付けるチップ型にすることができないという問題点があ
った。
この問題点を解消したものとして、第３図（Ａ）および
（Ｂ）に示すチップ型インダクター素子がある。このチ
ップ型インダクター素子において、３ａおよび３ｂはフ
ェライト焼結体である。４は導電層であり、たとえばパ
ラジウムや銀−パラジウム合金などからなり、フェライ
ト焼結体３ａと３ｂの間に介在されている。５ａおよび
５ｂは外部電極であり、たとえば銀などからなり、それ
ぞれ導電層４に電気的に接続されている。
（Ｂ）に示すチップ型インダクター素子がある。このチ
ップ型インダクター素子において、３ａおよび３ｂはフ
ェライト焼結体である。４は導電層であり、たとえばパ
ラジウムや銀−パラジウム合金などからなり、フェライ
ト焼結体３ａと３ｂの間に介在されている。５ａおよび
５ｂは外部電極であり、たとえば銀などからなり、それ
ぞれ導電層４に電気的に接続されている。
このチップ型インダクター素子は、たとえば次のような
方法で製造されている。まず、第４図に示すように、フ
ェライト生シート３ａ−表面にパラ４′の形成されたフ
ェライト生シート３８′上にフェライト生シート３ｂ′
を積層し、熱圧着し、焼成して一体化する。焼成するこ
とにより、フェライト生シート３ａ−はフェライト焼結
体３ａに、フェライト生シート３ｂ＝はフェライト焼結
体３ｂになる。
方法で製造されている。まず、第４図に示すように、フ
ェライト生シート３ａ−表面にパラ４′の形成されたフ
ェライト生シート３８′上にフェライト生シート３ｂ′
を積層し、熱圧着し、焼成して一体化する。焼成するこ
とにより、フェライト生シート３ａ−はフェライト焼結
体３ａに、フェライト生シート３ｂ＝はフェライト焼結
体３ｂになる。
また、導電ペーストＩＩ ４”は導電層４になる。最後
に、外部電極５ａおよび５ｂを焼付けにより形成する。
に、外部電極５ａおよび５ｂを焼付けにより形成する。
（発明の解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のチップ型インダクター素子には次
のような問題点があった。すなわち、フェライト生シー
ト３ａ−および３ｂ−・を焼成するには、１２００℃程
度の温度が必要とされるため、導電ペースト層４′とし
て、パラジウムや銀−パラジウム合金といった高価な高
融点金属を使用しなければならないという問題点があっ
た。また、導電層４が薄いため、外部電極５ａと５ｂの
間の抵抗が高くなってしまうという問題があった。
のような問題点があった。すなわち、フェライト生シー
ト３ａ−および３ｂ−・を焼成するには、１２００℃程
度の温度が必要とされるため、導電ペースト層４′とし
て、パラジウムや銀−パラジウム合金といった高価な高
融点金属を使用しなければならないという問題点があっ
た。また、導電層４が薄いため、外部電極５ａと５ｂの
間の抵抗が高くなってしまうという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもの
である。その手段として本発明のチップ型インダクター
素子は、筒状フェライト焼結体の両端部に細孔の形成さ
れた金属キャップを固着するとともに、筒状フェライト
焼結体の通孔に低融点金属からなる導電部を形成するよ
うにした。
である。その手段として本発明のチップ型インダクター
素子は、筒状フェライト焼結体の両端部に細孔の形成さ
れた金属キャップを固着するとともに、筒状フェライト
焼結体の通孔に低融点金属からなる導電部を形成するよ
うにした。
外部電極として金属キャップ、導電部を形成する低融点
金属として鉛、または鉛−錫合金などを使用することが
できるため、第３図（Ａ）および（Ｂ）に示した導電層
にパラジウムや銀−パラジウム合金を使用しなければな
らない従来のチップ型インダクター素子に比べて、安価
にチップ型インダクター素子を製造することができる。
金属として鉛、または鉛−錫合金などを使用することが
できるため、第３図（Ａ）および（Ｂ）に示した導電層
にパラジウムや銀−パラジウム合金を使用しなければな
らない従来のチップ型インダクター素子に比べて、安価
にチップ型インダクター素子を製造することができる。
また、筒状フェライト焼結体の通孔に形成された低融点
金属からなる導電部は大きな断面積を有しているため、
両外部電極間の抵抗は低くなる。
金属からなる導電部は大きな断面積を有しているため、
両外部電極間の抵抗は低くなる。
したがって、Ｑの高いチップ型インダクター素子を得る
ことができる。
ことができる。
（実施例の説明）
第１図（Ａ）および（Ｂ）は、本発明のチップ型インダ
クター素子を示している。６は筒状フェであり、直径０
．１ｍｍから０．５ｍｍ程度の細孔７ａが形成されてお
り、筒状フェライト焼結体６の両端に嵌合されて外部Ｎ
極の機能をはたしている。金属キャップ７の外部側表面
には、さらに銅１３７ｂ、錫１ｉ７ｃが順に形成されて
いる。８は導電部であり、筒状フェライト焼結体６の通
孔６ａに低融点金属を充填して形成されている。この実
施例においては、低融点金属として鉛が使用されている
。
クター素子を示している。６は筒状フェであり、直径０
．１ｍｍから０．５ｍｍ程度の細孔７ａが形成されてお
り、筒状フェライト焼結体６の両端に嵌合されて外部Ｎ
極の機能をはたしている。金属キャップ７の外部側表面
には、さらに銅１３７ｂ、錫１ｉ７ｃが順に形成されて
いる。８は導電部であり、筒状フェライト焼結体６の通
孔６ａに低融点金属を充填して形成されている。この実
施例においては、低融点金属として鉛が使用されている
。
このチップ型インダクター素子は、たとえば次の方法に
よって製造される。まず、筒状フェライト焼結体６の両
端部に、すでに細孔７ａが形成され、またすでに電解メ
ッキによって銅層７ｂ、錫層７ｃの形成された金属キャ
ップ７を嵌合する。次に、金属キャップ７の嵌合された
筒状フェライト焼結体６を、鉛溶液を収容した内部圧力
可変容器に入れ、内部圧力をほぼ真空に減圧したのち鉛
溶液中に浸漬する。そして内部圧力を１０気圧から２０
気圧程度に加圧することによって、細孔７ａから鉛溶液
を筒状フェライト焼結体６の通孔６ａ内に充填する。最
後に、筒状フェライト焼結体６を鉛溶液中から引き上げ
、冷却して通孔６ａ内に充填された鉛溶液を固化させて
導電部８を形成し、容器の内部圧力を大気圧まで減圧し
たのち容器から取り出す。筒状フェライト焼結体６を鉛
溶液中から引き上げても、細孔１ａの直径は０．１ｍｍ
から０．５ｍｍ程度であり小さいため、鉛溶液が細孔７
ａから流出することはない。
よって製造される。まず、筒状フェライト焼結体６の両
端部に、すでに細孔７ａが形成され、またすでに電解メ
ッキによって銅層７ｂ、錫層７ｃの形成された金属キャ
ップ７を嵌合する。次に、金属キャップ７の嵌合された
筒状フェライト焼結体６を、鉛溶液を収容した内部圧力
可変容器に入れ、内部圧力をほぼ真空に減圧したのち鉛
溶液中に浸漬する。そして内部圧力を１０気圧から２０
気圧程度に加圧することによって、細孔７ａから鉛溶液
を筒状フェライト焼結体６の通孔６ａ内に充填する。最
後に、筒状フェライト焼結体６を鉛溶液中から引き上げ
、冷却して通孔６ａ内に充填された鉛溶液を固化させて
導電部８を形成し、容器の内部圧力を大気圧まで減圧し
たのち容器から取り出す。筒状フェライト焼結体６を鉛
溶液中から引き上げても、細孔１ａの直径は０．１ｍｍ
から０．５ｍｍ程度であり小さいため、鉛溶液が細孔７
ａから流出することはない。
以上は、本発明のチップ型インダクター素子の一実施例
、およびその製法の一例であり、本発明の趣旨を損なわ
ない範囲内で設計変更をなしうろことはいうまでもない
。たとえば、上記の実施例においては導電部８を形成す
る低融点金属として鉛を使用しているが、これに限定さ
れることばなく鉛−錫合金などであってもよい。また、
筒状フェライト焼結体６の形状、および金属キャップ７
の形状は任意であり、上記の実施例において示した形状
に限定されることはない。
、およびその製法の一例であり、本発明の趣旨を損なわ
ない範囲内で設計変更をなしうろことはいうまでもない
。たとえば、上記の実施例においては導電部８を形成す
る低融点金属として鉛を使用しているが、これに限定さ
れることばなく鉛−錫合金などであってもよい。また、
筒状フェライト焼結体６の形状、および金属キャップ７
の形状は任意であり、上記の実施例において示した形状
に限定されることはない。
（発明の効果）
以上の説明からも明らかなように、本発明のチップ型イ
ンダクター素子は、筒状フェライト焼結体の両端部に細
孔の形成された金属キャップを固着するとともに、筒状
フェライト焼結体の通孔に低融点金属からなる導電部を
形成したものであり、外部電極として金属キャップ、導
電部を形成する低融点金属として鉛、または鉛−錫合金
などを使用することができるため、第３図（Ａ）および
（Ｂ）に示した導電層にパラジウムや銀−パラジウム合
金を使用しなければならない従来のチップ型インダクタ
ー素子に比べて、安価に製造することができる。
ンダクター素子は、筒状フェライト焼結体の両端部に細
孔の形成された金属キャップを固着するとともに、筒状
フェライト焼結体の通孔に低融点金属からなる導電部を
形成したものであり、外部電極として金属キャップ、導
電部を形成する低融点金属として鉛、または鉛−錫合金
などを使用することができるため、第３図（Ａ）および
（Ｂ）に示した導電層にパラジウムや銀−パラジウム合
金を使用しなければならない従来のチップ型インダクタ
ー素子に比べて、安価に製造することができる。
また、筒状フェライト焼結体の通孔に形成された導電部
は大きな断面積を有しているため、画体部電極間の抵抗
は低くなる。したがって、Ｑの高いチップ型インダクタ
ー素子を得ることができる。
は大きな断面積を有しているため、画体部電極間の抵抗
は低くなる。したがって、Ｑの高いチップ型インダクタ
ー素子を得ることができる。
第１図（Ａ）は本発明のチップ型インダクター素子の一
実施例を示す斜視図、第１図（Ｂ）はその側断面図、第
２図は従来のインダクターを示す斜視図、第３図（Ａ）
は従来のチップ型インダクター素子を示す斜視図、第３
図（Ｂ）はその側断面図、第４図はその製造方法を示す
分解斜視図である。 ６・・・筒状フェライト焼結体、６ａ・・・通孔、７・
・・金属キャップ、７ａ・・・細孔、８・・・低融点金
属からなる導電部。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 箋 ｌ 閏（Ａ） ′ｌ ｖＩ ｌ 口（Ｂ） ′ＩＫ ２ 図 １３ 口（Ａ） ′ｌｉ ３ 圓（Ｅ） Ｑ ’１１４ 図 ３ｂ″
実施例を示す斜視図、第１図（Ｂ）はその側断面図、第
２図は従来のインダクターを示す斜視図、第３図（Ａ）
は従来のチップ型インダクター素子を示す斜視図、第３
図（Ｂ）はその側断面図、第４図はその製造方法を示す
分解斜視図である。 ６・・・筒状フェライト焼結体、６ａ・・・通孔、７・
・・金属キャップ、７ａ・・・細孔、８・・・低融点金
属からなる導電部。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 箋 ｌ 閏（Ａ） ′ｌ ｖＩ ｌ 口（Ｂ） ′ＩＫ ２ 図 １３ 口（Ａ） ′ｌｉ ３ 圓（Ｅ） Ｑ ’１１４ 図 ３ｂ″
Claims (3)
- （１）筒状フェライト焼結体の両端部に細孔の形成され
た金属キャップが固着されるとともに、筒状フェライト
焼結体の通孔に低融点金属からなる導電部が形成されて
なるチップ型インダクター素子。 - （２）前記金属キャップが鉄製であり、さらに表面に銅
層、錫層が順に形成されている特許請求の範囲第１項記
載のチップ型インダクター素子。 - （３）前記低融点金属が、鉛、または鉛−錫合金からな
る特許請求の範囲第１項記載のチップ型インダクター素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6727685A JPS61225811A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | チツプ型インダクタ−素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6727685A JPS61225811A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | チツプ型インダクタ−素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225811A true JPS61225811A (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=13340281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6727685A Pending JPS61225811A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | チツプ型インダクタ−素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139618U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-25 | ||
| JPH06236819A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-08-23 | Boam R & D Co Ltd | フェライト磁性体チップビード構造及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6727685A patent/JPS61225811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139618U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-25 | ||
| JPH06236819A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-08-23 | Boam R & D Co Ltd | フェライト磁性体チップビード構造及びその製造方法 |
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