JPS61225064A - シヤトル方式シリアルラインプリンタにおける印字位置調整装置 - Google Patents
シヤトル方式シリアルラインプリンタにおける印字位置調整装置Info
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- JPS61225064A JPS61225064A JP6612585A JP6612585A JPS61225064A JP S61225064 A JPS61225064 A JP S61225064A JP 6612585 A JP6612585 A JP 6612585A JP 6612585 A JP6612585 A JP 6612585A JP S61225064 A JPS61225064 A JP S61225064A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J29/42—Scales and indicators, e.g. for determining side margins
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シャトル方式シリアルラインプリンタにおい
て印字位置を調整する装置に関し、特シこ印字駆動のタ
イミングをつくるための手段として磁気リニアスケール
と磁気抵抗効果素子を用いた場合の印字位置誤差を解消
する印字位置調整装置に関する。
て印字位置を調整する装置に関し、特シこ印字駆動のタ
イミングをつくるための手段として磁気リニアスケール
と磁気抵抗効果素子を用いた場合の印字位置誤差を解消
する印字位置調整装置に関する。
従来の技術
シャトル方式シリアルラインプリンタでは、第５図に示
すように、紙送り方向Ｂと略直角なＡ。
すように、紙送り方向Ｂと略直角なＡ。
Ａ”方向に一定ピッチで多数のプリント素子（第５図で
はドツトインパクト式印字）為ンマ）Ｄｉをアレイ状に
取り付けたヘッドバンク１を備え、このヘッドバンク１
を駆動モータ（図示せず）により偏心円板２を介してＡ
、Ａ’力方向往復直線運動させる間に各プリント素子Ｄ
ｉを複数の所定ドツト位置に印字駆動する。図中、３ａ
および３ｂはヘッドバンク１をＡ、Ａ’力方向案内する
ためのレールである。ヘッドバンク１の運動は非等速で
、第６図に示すように略正弦波状になり、印字期間（Ｃ
Ｉ、Ｃ１′）の初めと終わり付近では比較的遅く、中間
点では最も速い。ヘッドバンク１の瞬間的位置は位置検
出装置により一定の距離間隔で検知され、第７図に示す
ように、各プリント素子が次に印字すべきドツト位置Ｑ
ｉから所定距離だけ前の位置にあるときのタイミングを
示す位置検出パルスＰｉが位置検出装置からの位置検出
信号に基づいて生成される。プリント素子駆動装置は、
この位置検出パルスＰｉに応答して励磁され。
はドツトインパクト式印字）為ンマ）Ｄｉをアレイ状に
取り付けたヘッドバンク１を備え、このヘッドバンク１
を駆動モータ（図示せず）により偏心円板２を介してＡ
、Ａ’力方向往復直線運動させる間に各プリント素子Ｄ
ｉを複数の所定ドツト位置に印字駆動する。図中、３ａ
および３ｂはヘッドバンク１をＡ、Ａ’力方向案内する
ためのレールである。ヘッドバンク１の運動は非等速で
、第６図に示すように略正弦波状になり、印字期間（Ｃ
Ｉ、Ｃ１′）の初めと終わり付近では比較的遅く、中間
点では最も速い。ヘッドバンク１の瞬間的位置は位置検
出装置により一定の距離間隔で検知され、第７図に示す
ように、各プリント素子が次に印字すべきドツト位置Ｑ
ｉから所定距離だけ前の位置にあるときのタイミングを
示す位置検出パルスＰｉが位置検出装置からの位置検出
信号に基づいて生成される。プリント素子駆動装置は、
この位置検出パルスＰｉに応答して励磁され。
各プリント素子をドツト位置Ｑｉに選択的に（すなわち
キャラクタ内には印字しないドツト位置もあるので選択
的に）印打する。
キャラクタ内には印字しないドツト位置もあるので選択
的に）印打する。
従来、そのような位置検出装置としてロータリエンコー
ダが知られているが、最近では磁気リニアスケールと磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）とを組み合わせたものがこ
の種のプリンタに使用されてきている。
ダが知られているが、最近では磁気リニアスケールと磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）とを組み合わせたものがこ
の種のプリンタに使用されてきている。
第８図に磁気リニアスケールとＭＲ素子とからなる位置
検出装置を示す。磁気リニアスケール１０は、紙送り方
向Ｂと略直角なＡ、Ａ’力方向なわちヘッドバンク１の
往復直線運動方向にＮ極およびＳ極を一定ピツチＨ（例
えば１４０μｍ）で交互に配列してなる。ＭＲ素子取付
体２０は、磁気リニアスケール１０と対向してＡ、Ａ’
力方向配置されるＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４を支持する。これ
らのＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４はＳｉ基板またはガラス基板上
に蒸着膜またはスパッタ膜として形成されてよく、０５
Ｈの間隔で配置され、第１１図に示すようにブリッジ接
続される。磁気リニアスケール１０に対してＭＲ素子取
付体２０がＡ、Ａ”方向に移動すると、第１１図のセン
サ回路の出力端子２１ａ、２１ｂから正弦波状のセンサ
出力信号が得られる。すなわち、各ＭＲ素子Ｆｉにはそ
の膜と平行な磁界が印加され、この磁界の向きはＭＲ素
子Ｆｉが磁気リニアスケール１０に対してピッチＨ移動
すると１回転する。この磁界の向きの変化に対してＭＲ
素子の抵抗値は正弦波状に変化し、その周期速度は２倍
になって現れる。したがって第１１図のセンサ回路では
ＭＲ素子Ｆｌ、Ｆ３の抵抗値が同相で正弦波状に変化し
、これらと１８０°位相を異にしてＭＲ素子Ｆ２．Ｆ４
の抵抗値が同相で正弦状波に変化し、これにより出力端
子２１ａ、２１ｂからは増倍された正弦状波のセンナ出
力信号が取り出される。
検出装置を示す。磁気リニアスケール１０は、紙送り方
向Ｂと略直角なＡ、Ａ’力方向なわちヘッドバンク１の
往復直線運動方向にＮ極およびＳ極を一定ピツチＨ（例
えば１４０μｍ）で交互に配列してなる。ＭＲ素子取付
体２０は、磁気リニアスケール１０と対向してＡ、Ａ’
力方向配置されるＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４を支持する。これ
らのＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４はＳｉ基板またはガラス基板上
に蒸着膜またはスパッタ膜として形成されてよく、０５
Ｈの間隔で配置され、第１１図に示すようにブリッジ接
続される。磁気リニアスケール１０に対してＭＲ素子取
付体２０がＡ、Ａ”方向に移動すると、第１１図のセン
サ回路の出力端子２１ａ、２１ｂから正弦波状のセンサ
出力信号が得られる。すなわち、各ＭＲ素子Ｆｉにはそ
の膜と平行な磁界が印加され、この磁界の向きはＭＲ素
子Ｆｉが磁気リニアスケール１０に対してピッチＨ移動
すると１回転する。この磁界の向きの変化に対してＭＲ
素子の抵抗値は正弦波状に変化し、その周期速度は２倍
になって現れる。したがって第１１図のセンサ回路では
ＭＲ素子Ｆｌ、Ｆ３の抵抗値が同相で正弦波状に変化し
、これらと１８０°位相を異にしてＭＲ素子Ｆ２．Ｆ４
の抵抗値が同相で正弦状波に変化し、これにより出力端
子２１ａ、２１ｂからは増倍された正弦状波のセンナ出
力信号が取り出される。
磁気リニアスケール１０は、ハンマバンク１（図示せず
）の所定箇所、例えば下側部分に一体的に取り付けられ
、ＭＲ素子取付体２０は第８図に示すような配置関係で
磁気リニアスケール１０と対向してシャーシベース（図
示せず）に固定される。したがって、ヘッドバンク１が
Ａ、Ａ’力方向直線運動するとき磁気リニアスケール１
０も一緒に運動し、ＭＲ素子取付体２０の各ＭＲ素子は
Ｍ１’Ａリニアスケール１０に対してその長さ方向すな
わちＡ、Ａ’力方向相対的な直線運動を行い、前述した
ようにセンサ回路の出力端子２１ａ、２１ｂから正弦波
状のセンサ出力信号が位置検出信号として得られ、この
センサ出力信号が矩形波状に波形整形され次いで微分さ
れることにより位置検出パルスＰｊが生成される。
）の所定箇所、例えば下側部分に一体的に取り付けられ
、ＭＲ素子取付体２０は第８図に示すような配置関係で
磁気リニアスケール１０と対向してシャーシベース（図
示せず）に固定される。したがって、ヘッドバンク１が
Ａ、Ａ’力方向直線運動するとき磁気リニアスケール１
０も一緒に運動し、ＭＲ素子取付体２０の各ＭＲ素子は
Ｍ１’Ａリニアスケール１０に対してその長さ方向すな
わちＡ、Ａ’力方向相対的な直線運動を行い、前述した
ようにセンサ回路の出力端子２１ａ、２１ｂから正弦波
状のセンサ出力信号が位置検出信号として得られ、この
センサ出力信号が矩形波状に波形整形され次いで微分さ
れることにより位置検出パルスＰｊが生成される。
位置検出パルスＰｉはＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４が磁気リニア
スケール１０の着磁部１０ａと対向するときに発生し、
その期間は印字期間Ｃｌ、ＣＩ’となる。また第９図お
よび第１０図に示すようにＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４が非着磁
部ｔｏｂと対向するときは位置検出パルスＰｉは発生せ
ず、その期間は印字体止期間または運動方向切替期間ｃ
ｏ、ｃ ｏ’となる。そして、ヘッドバンク１がＡ、
Ａ”方向に往復直線運動するとき、磁気リニアスケール
１０とＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４との相対的な位置関係は、第
９図の状態（印字体止期間ＣＯ）から第８図の状態（印
字期間ＣＩ）を経て第１０図の状態（印字体止期間ＣＯ
”）に至り、それから折り返して第８図の状！！（印字
期間０１′）を経て第９図の状態（印字体止期間ＣＧ）
に戻るというようなサイクルを繰り返す。・ 発明が解決しようとする問題点 上述した位置検出装置では、偏心円板等により駆動され
て往復直線運動を行うヘッドバンク１の瞬時的位置を直
接検出して位置検出信号を発生するので、ロータリエン
コーダ式のものと比較してより高い精度の位置検出パル
スが得られるが、磁気リニアスケールとＭＲ素子Ｆｌ−
Ｆ４との間の相対的な基準位置または取付位置がずれた
ときに問題がある。すなわち、設計上はヘッドバンク１
が往復直線運動の中心点にあるとき（Ｘ＝Ｏ）にリニア
スケール１０の中心点ＧｌとＭＲ素子Ｆ１〜Ｆ４の中心
点Ｇ２とが一致し、したがって印字体止期間ｃ ｏ、ｃ
ｏ’が同じ長さになるように設定されるのであるが、
製作上または取付上の誤差により実際の磁気リニアスケ
ール１０およびＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４間の相対的な取付位
置がずれることがあり、その場合には印字体止期間ｃｏ
、ｃｏ’は等しくならず、位置検出パルスＰｉの発生時
点はＡ方向とＡ”方向で一致しなくなり、実際のドツト
位置が予設定のドツト位置Ｑから外れてしまう。
スケール１０の着磁部１０ａと対向するときに発生し、
その期間は印字期間Ｃｌ、ＣＩ’となる。また第９図お
よび第１０図に示すようにＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４が非着磁
部ｔｏｂと対向するときは位置検出パルスＰｉは発生せ
ず、その期間は印字体止期間または運動方向切替期間ｃ
ｏ、ｃ ｏ’となる。そして、ヘッドバンク１がＡ、
Ａ”方向に往復直線運動するとき、磁気リニアスケール
１０とＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４との相対的な位置関係は、第
９図の状態（印字体止期間ＣＯ）から第８図の状態（印
字期間ＣＩ）を経て第１０図の状態（印字体止期間ＣＯ
”）に至り、それから折り返して第８図の状！！（印字
期間０１′）を経て第９図の状態（印字体止期間ＣＧ）
に戻るというようなサイクルを繰り返す。・ 発明が解決しようとする問題点 上述した位置検出装置では、偏心円板等により駆動され
て往復直線運動を行うヘッドバンク１の瞬時的位置を直
接検出して位置検出信号を発生するので、ロータリエン
コーダ式のものと比較してより高い精度の位置検出パル
スが得られるが、磁気リニアスケールとＭＲ素子Ｆｌ−
Ｆ４との間の相対的な基準位置または取付位置がずれた
ときに問題がある。すなわち、設計上はヘッドバンク１
が往復直線運動の中心点にあるとき（Ｘ＝Ｏ）にリニア
スケール１０の中心点ＧｌとＭＲ素子Ｆ１〜Ｆ４の中心
点Ｇ２とが一致し、したがって印字体止期間ｃ ｏ、ｃ
ｏ’が同じ長さになるように設定されるのであるが、
製作上または取付上の誤差により実際の磁気リニアスケ
ール１０およびＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４間の相対的な取付位
置がずれることがあり、その場合には印字体止期間ｃｏ
、ｃｏ’は等しくならず、位置検出パルスＰｉの発生時
点はＡ方向とＡ”方向で一致しなくなり、実際のドツト
位置が予設定のドツト位置Ｑから外れてしまう。
本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みてなされたもの
で、シャトル方式シリアルラインプリンタにおいて印字
駆動のタイミング（位置検出パルス）をつくるための手
段として磁気リニアスケールと磁気抵抗効果素子を用い
た場合の印字位置誤差を解消する印字位置調整装置を提
供することを目的とする。
で、シャトル方式シリアルラインプリンタにおいて印字
駆動のタイミング（位置検出パルス）をつくるための手
段として磁気リニアスケールと磁気抵抗効果素子を用い
た場合の印字位置誤差を解消する印字位置調整装置を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成する本発明の印字位置調整装置は、紙送
り方向と略直角な所定方向に複数のプリント素子をアレ
イ状に取り付けてなるヘッドバンクを所定方向に往復直
線運動させる間にプリント素子を複数の所定ドツト位置
に印字駆動し、該所定方向にＮ極、Ｓ極を一定ピッチで
交互に配列してなる磁気リニアスケールおよびそれと対
向する磁気抵抗効果素子の一方をヘッドバンクと一体的
に運動させるとともに他方を固定配置し、磁気抵抗効果
素子からセンサ出力信号に基づいてプリント素子を印字
駆動するためのタイミングを得るようにしたシャトル方
式シリアルラインプリンタにおいて、磁気リニアスケー
ルおよび磁気抵抗効果素子の少なくともいずれか一方の
取付位置を該所定方向に可変調整する手段を備えること
を特徴とする。
り方向と略直角な所定方向に複数のプリント素子をアレ
イ状に取り付けてなるヘッドバンクを所定方向に往復直
線運動させる間にプリント素子を複数の所定ドツト位置
に印字駆動し、該所定方向にＮ極、Ｓ極を一定ピッチで
交互に配列してなる磁気リニアスケールおよびそれと対
向する磁気抵抗効果素子の一方をヘッドバンクと一体的
に運動させるとともに他方を固定配置し、磁気抵抗効果
素子からセンサ出力信号に基づいてプリント素子を印字
駆動するためのタイミングを得るようにしたシャトル方
式シリアルラインプリンタにおいて、磁気リニアスケー
ルおよび磁気抵抗効果素子の少なくともいずれか一方の
取付位置を該所定方向に可変調整する手段を備えること
を特徴とする。
作用
磁気リニアスケールと磁気抵抗効果素子との２間の相対
的な位置関係がずれることによって印字位置に誤差が生
じるときには、磁気リニアスケールまたは磁気抵抗効果
素子の取付位置をその相対的移動方向、すなわち紙送り
と直角な方向にシフトして調整し、実際の印字位置が予
設定の印字位置に実質上型なるところでその取付位置を
固定する。
的な位置関係がずれることによって印字位置に誤差が生
じるときには、磁気リニアスケールまたは磁気抵抗効果
素子の取付位置をその相対的移動方向、すなわち紙送り
と直角な方向にシフトして調整し、実際の印字位置が予
設定の印字位置に実質上型なるところでその取付位置を
固定する。
実施例
第１図ないし第４図を参照して本発明の詳細な説明する
。図中、第５図ないし第１１図と同一の構成部分には同
一の符号を付し、その説明を省略する。
。図中、第５図ないし第１１図と同一の構成部分には同
一の符号を付し、その説明を省略する。
実」Ｅ倒」−
第１図に本発明の第１の実施例を示す。
磁気リニアスケール１０は、ヘッドバンク１の下側部に
取付固定され、ヘッドバンク１と一体的にＡ、Ａ”方向
に往復直線運動するようになっている。磁気リニアスケ
ール１０と対向するＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４は、本実施例に
よるＭＲ素子取付体３０を介してシャーシベース（図示
せず）に固定配置される。このＭＲ素子取付体３０は、
ＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４のＳｉ基板またはガラス基板Ｆを支
持するブロック３１、ブロック３１をＡ方向に付勢する
コイルバネ３２と、ブロック３１をコイルバネ３２に抗
してＡ′方向に押圧する調整ネジ３３と、ブロック３１
をＡ、Ａ”方向に案内する筐体３４とからなる。調整ネ
ジ３３を通す筐体３４の孔３４ａには、ネジ３３と螺合
するネジ山が設けられている。また調整ネジ３３の外側
部３３ａには、調整ネジ３３を回すためのつまみ３５が
取り付けられている。
取付固定され、ヘッドバンク１と一体的にＡ、Ａ”方向
に往復直線運動するようになっている。磁気リニアスケ
ール１０と対向するＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４は、本実施例に
よるＭＲ素子取付体３０を介してシャーシベース（図示
せず）に固定配置される。このＭＲ素子取付体３０は、
ＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４のＳｉ基板またはガラス基板Ｆを支
持するブロック３１、ブロック３１をＡ方向に付勢する
コイルバネ３２と、ブロック３１をコイルバネ３２に抗
してＡ′方向に押圧する調整ネジ３３と、ブロック３１
をＡ、Ａ”方向に案内する筐体３４とからなる。調整ネ
ジ３３を通す筐体３４の孔３４ａには、ネジ３３と螺合
するネジ山が設けられている。また調整ネジ３３の外側
部３３ａには、調整ネジ３３を回すためのつまみ３５が
取り付けられている。
ブロック３１と筐体３２との間にはＡ、Ａ”方向にすき
ま３８．３７が設けられ、ブロック３１をＡ、Ａ’力方
向シフトできるようになっている。
ま３８．３７が設けられ、ブロック３１をＡ、Ａ’力方
向シフトできるようになっている。
普通、ＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４の基準位置または取付位置は
、すきま３４．３５が大体等しくなるところで設定され
る。印字位置に誤差がでる場合にはネジ３３を回してブ
ロック３１をＡまたはＡ９方向にシフトさせ、ＭＲ素子
Ｆｌ−Ｆ４の取付位置を調整する。
、すきま３４．３５が大体等しくなるところで設定され
る。印字位置に誤差がでる場合にはネジ３３を回してブ
ロック３１をＡまたはＡ９方向にシフトさせ、ＭＲ素子
Ｆｌ−Ｆ４の取付位置を調整する。
実施例２
第２図に本発明の第２の実施例を示す。この実施例によ
るＭＲ素子取付体４０は、ＭＲ素子Ｆｌ〜Ｆ４の基板Ｆ
を支持するブロック４１と、ブロック４１をＡ、Ａ’力
方向送る送りネジ４２と、ブロック４１をＡ、Ａ’力方
向案内する筐体４３とからなる。送りネジ４２を通すブ
ロック４１の孔４１ａには、送りネジ４２と螺合するネ
ジ山が設けられている。また送りネジ４２には、送りネ
ジ４２を回すための調整つまみ４３と送りネジ４２をＡ
、Ａ”方向に固定するためのストッパ４４が取り付けら
れ、これにより調整つまみ４３を回すとブロック４１が
すきま４５．４６の範囲内でＡ、Ａ’力方向送られるよ
うになっている。第１の実施例と同様に印字位置に誤差
がでる場合には、つまみ４３を回してブロック４２をＡ
またはＡ１方向にシフトさせ、ＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４の取
付位置を調整する。
るＭＲ素子取付体４０は、ＭＲ素子Ｆｌ〜Ｆ４の基板Ｆ
を支持するブロック４１と、ブロック４１をＡ、Ａ’力
方向送る送りネジ４２と、ブロック４１をＡ、Ａ’力方
向案内する筐体４３とからなる。送りネジ４２を通すブ
ロック４１の孔４１ａには、送りネジ４２と螺合するネ
ジ山が設けられている。また送りネジ４２には、送りネ
ジ４２を回すための調整つまみ４３と送りネジ４２をＡ
、Ａ”方向に固定するためのストッパ４４が取り付けら
れ、これにより調整つまみ４３を回すとブロック４１が
すきま４５．４６の範囲内でＡ、Ａ’力方向送られるよ
うになっている。第１の実施例と同様に印字位置に誤差
がでる場合には、つまみ４３を回してブロック４２をＡ
またはＡ１方向にシフトさせ、ＭＲ素子Ｆｌ−Ｆ４の取
付位置を調整する。
実」１例」Ｌ
第３図に本発明の実施例を示す。この実施例によるＭＲ
素子取付体５０は、ＭＲ素子Ｆｌ〜Ｆ４の基板Ｆを支持
する支持板５１と、支持板５１を支持するフレーム５２
と、支持板５１を両側から押圧するネジ５３．５４とか
らなる。第４図に取付体５０の構成を分解して示す。支
持板５１はＬ字状に形成され、磁気リニアスケール１０
（図示せず）と対向するＭＲ素子支持面５１ａにはＭＲ
素子基板Ｆが固定され、フレーム５２と接する取付部５
１ｂにはフレーム５２に立設されたピン５５を通すため
の孔５６と止めネジ５７を通すための孔５８とが設けら
れる。これにより支持板５１はピン５５により枢支され
て矢印Ｅ、Ｅ”方向に止めネジ５７と孔５８間のすきま
５９で回動可能になっており、フレー５２に設けられた
ボス（図示せず）に止めネジ５７をねじ込むことによっ
て支持板５１が固定される。なお支持板５１の側部に耳
形の側板５１ｃ、５１ｂが一体的に形成され、それらの
側板５１ｃ、５１ｄにネジ５３．５４の内側端面５３ｂ
、５４ｂが当たって押圧することにより、支持板５１（
したがってＭＲ素子Ｆ！〜Ｆ４）の取付位置の微調整と
確実な固定が行えるようになっている。ネジ５３．５４
を通すフレーム５２の孔５２ａ、５２ｂにはネジ５３．
５４とそれぞれ螺合するネジ山が設けられている。なお
、ｅｏ、ａｔはネジ５３．５４をそれぞれ回すためのつ
まみであり、６２はＭＲ素子の端子に接続するリード線
である。この実施例では、ＭＲ素子Ｆ１−Ｆ４がピン５
５を中心としてＥ、Ｅ’力方向回動するようになってい
るが、その移動範囲は０．５〜１腸霧程度なのでほとん
どＡ、Ａ’力方向直線移動であり、印字位置の調整に関
して上述した第１および第２の実施例と同様な作用効果
が得られる。
素子取付体５０は、ＭＲ素子Ｆｌ〜Ｆ４の基板Ｆを支持
する支持板５１と、支持板５１を支持するフレーム５２
と、支持板５１を両側から押圧するネジ５３．５４とか
らなる。第４図に取付体５０の構成を分解して示す。支
持板５１はＬ字状に形成され、磁気リニアスケール１０
（図示せず）と対向するＭＲ素子支持面５１ａにはＭＲ
素子基板Ｆが固定され、フレーム５２と接する取付部５
１ｂにはフレーム５２に立設されたピン５５を通すため
の孔５６と止めネジ５７を通すための孔５８とが設けら
れる。これにより支持板５１はピン５５により枢支され
て矢印Ｅ、Ｅ”方向に止めネジ５７と孔５８間のすきま
５９で回動可能になっており、フレー５２に設けられた
ボス（図示せず）に止めネジ５７をねじ込むことによっ
て支持板５１が固定される。なお支持板５１の側部に耳
形の側板５１ｃ、５１ｂが一体的に形成され、それらの
側板５１ｃ、５１ｄにネジ５３．５４の内側端面５３ｂ
、５４ｂが当たって押圧することにより、支持板５１（
したがってＭＲ素子Ｆ！〜Ｆ４）の取付位置の微調整と
確実な固定が行えるようになっている。ネジ５３．５４
を通すフレーム５２の孔５２ａ、５２ｂにはネジ５３．
５４とそれぞれ螺合するネジ山が設けられている。なお
、ｅｏ、ａｔはネジ５３．５４をそれぞれ回すためのつ
まみであり、６２はＭＲ素子の端子に接続するリード線
である。この実施例では、ＭＲ素子Ｆ１−Ｆ４がピン５
５を中心としてＥ、Ｅ’力方向回動するようになってい
るが、その移動範囲は０．５〜１腸霧程度なのでほとん
どＡ、Ａ’力方向直線移動であり、印字位置の調整に関
して上述した第１および第２の実施例と同様な作用効果
が得られる。
以上本発明の好適な実施例を説明したが本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲
内で種々の変形、変更が可能であり、例えば、上記実施
例ではＭＲ素子の取付位置を可変調整できるようにした
が、磁気リニアスケ−ルの取付位置を上記実施例と同様
、な構成の取付体により可変調整することもできる。ま
た、上記実施例ではＭＲ素子を４個配列したが、それに
限定されず、１個または２個でもよく、あるいは２つ以
上の組のＭＲ素子を設けた場合でも同様である。
施例に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲
内で種々の変形、変更が可能であり、例えば、上記実施
例ではＭＲ素子の取付位置を可変調整できるようにした
が、磁気リニアスケ−ルの取付位置を上記実施例と同様
、な構成の取付体により可変調整することもできる。ま
た、上記実施例ではＭＲ素子を４個配列したが、それに
限定されず、１個または２個でもよく、あるいは２つ以
上の組のＭＲ素子を設けた場合でも同様である。
発明の効果
本発明は、シャトル方式シリアルプリンタにおいてプリ
ント素子を印字駆動するためのタイミングを得る手段と
して設けられた磁気リニアスケールと磁気抵抗素子間の
相対的取付位置を可変調整することにより、製造または
取付等でその相対的取付位置に誤差が生じても、それを
是正できるので、実際の印字位置と予設定の印字位置と
のずれ（印字ずれ）をなくすことができる。
ント素子を印字駆動するためのタイミングを得る手段と
して設けられた磁気リニアスケールと磁気抵抗素子間の
相対的取付位置を可変調整することにより、製造または
取付等でその相対的取付位置に誤差が生じても、それを
是正できるので、実際の印字位置と予設定の印字位置と
のずれ（印字ずれ）をなくすことができる。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す略断面図、
第２図は、本発明の第２の実施例を示す略断面図、
第３図は、本発明の第３の実施例を示す正面図、第４図
は、第３図のＭＲ素子取付体の分解斜視図、 第５図は、シャトル方式シリアルラインプリンタのヘッ
ドバンクを示す斜視図、 第６図は、第５図のヘッドバンクの運動特性を示す図、 第７図は、所定ドツト位置（Ｑｉ）と、位置検出パルス
（Ｐｉ）との関係を示す図、 第８図は、第９図および第１０図の磁気リニアスケール
と磁気抵抗効果素子間の相対的位置関係を示す図、およ
び 第１Ｏ図は、磁気抵抗効果素子からなるセンサ回路の回
路図である。 １・・・・ヘッドバンク、２・・・・偏心円板、３ ａ
ｔ ａ ｂ・・・・レール、Ｆｌ−Ｆ４・・・・磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）、Ｆ・・・・ＭＲ素子基板、
３０・・・・ＭＲ素子取付体３１・・・・ブロック、３
２・・・・コイルバネ、３３・・・・ネジ３４・・・・
筐体、３５・・・・つまみ、４０−・・・ＭＲ素子取付
体、４２・・・・送りネジ、５０・・・・ＭＲ素子取付
体、５１・・・・支持板、５２・・・・フレーム、５３
．５４・・・・ネジ、５５・・・・ピン、５７・・・・
止めネジ。
は、第３図のＭＲ素子取付体の分解斜視図、 第５図は、シャトル方式シリアルラインプリンタのヘッ
ドバンクを示す斜視図、 第６図は、第５図のヘッドバンクの運動特性を示す図、 第７図は、所定ドツト位置（Ｑｉ）と、位置検出パルス
（Ｐｉ）との関係を示す図、 第８図は、第９図および第１０図の磁気リニアスケール
と磁気抵抗効果素子間の相対的位置関係を示す図、およ
び 第１Ｏ図は、磁気抵抗効果素子からなるセンサ回路の回
路図である。 １・・・・ヘッドバンク、２・・・・偏心円板、３ ａ
ｔ ａ ｂ・・・・レール、Ｆｌ−Ｆ４・・・・磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）、Ｆ・・・・ＭＲ素子基板、
３０・・・・ＭＲ素子取付体３１・・・・ブロック、３
２・・・・コイルバネ、３３・・・・ネジ３４・・・・
筐体、３５・・・・つまみ、４０−・・・ＭＲ素子取付
体、４２・・・・送りネジ、５０・・・・ＭＲ素子取付
体、５１・・・・支持板、５２・・・・フレーム、５３
．５４・・・・ネジ、５５・・・・ピン、５７・・・・
止めネジ。
Claims (4)
- （１）紙送り方向と略直角な所定方向に複数のプリント
素子をアレイ状に取り付けてなるヘッドバンクを前記所
定方向に往復直線運動させる間に各プリント素子を複数
の所定ドット位置に印字駆動し、前記所定方向にＮ極、
Ｓ極を一定ピッチで交互に配列してなる磁気リニアスケ
ールおよびそれと対向する磁気抵抗効果素子の一方を前
記ヘッドバンクと一体的に運動させるとともに他方を固
定配置し、前記磁気抵抗効果素子のセンサ出力信号に基
づいてプリント素子を印字駆動するためのタイミングを
得るようにしたシャトル方式シリアルラインプリンタに
おいて、 前記磁気リニアスケールおよび前記磁気抵抗効果素子の
少なくともいずれか一方の取付位置を前記所定方向に可
変調整する手段を備えることを特徴とする印字位置調整
装置。 - （２）前記調整手段は、前記磁気抵抗効果素子を支持す
るブロックと；前記ブロックを前記所定方向の一方の向
きに付勢するバネと；前記ブロックを前記バネの付勢力
に抗して前記所定方向の他方の向きに押圧する調節ネジ
と；前記ブロックを前記所定方向に案内する筐体とから
なる特許請求の範囲第１項に記載の印字位置調整装置。 - （３）前記調整手段は、前記磁気抵抗効果素子を支持す
るブロックと；前記ブロックを貫通して延びて前記ブロ
ックを前記所定方向に送る送りネジと；前記ブロックを
前記所定方向に案内する筐体とからなる特許請求の範囲
第１項に記載の印字位置調整装置。 - （４）前記調整手段は、前記磁気抵抗効果素子を支持す
る支持板を支持して前記磁気抵抗効果素子を前記所定方
向に偏位可能とするフレームと；前記支持板を前記フレ
ームに固定する止めネジと；前記支持板を前記所定方向
の両側から押圧する微調整用ネジとからなる特許請求の
範囲第１項に記載の印字位置調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6612585A JPS61225064A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シヤトル方式シリアルラインプリンタにおける印字位置調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6612585A JPS61225064A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シヤトル方式シリアルラインプリンタにおける印字位置調整装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225064A true JPS61225064A (ja) | 1986-10-06 |
Family
ID=13306839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6612585A Pending JPS61225064A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | シヤトル方式シリアルラインプリンタにおける印字位置調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225064A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855272A1 (fr) * | 1997-01-24 | 1998-07-29 | Neopost Industrie | Tête d'impression postale munie d'un dispositif de réglage d'alignement |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6612585A patent/JPS61225064A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855272A1 (fr) * | 1997-01-24 | 1998-07-29 | Neopost Industrie | Tête d'impression postale munie d'un dispositif de réglage d'alignement |
| FR2758762A1 (fr) * | 1997-01-24 | 1998-07-31 | Neopost Ind | Tete d'impression postale munie d'un dispositif de reglage d'alignement |
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