JPS61210902A - 試料面高さ測定装置 - Google Patents
試料面高さ測定装置Info
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- JPS61210902A JPS61210902A JP5170985A JP5170985A JPS61210902A JP S61210902 A JPS61210902 A JP S61210902A JP 5170985 A JP5170985 A JP 5170985A JP 5170985 A JP5170985 A JP 5170985A JP S61210902 A JPS61210902 A JP S61210902A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/026—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring distance between sensor and object
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、試料面の高さを光学的に測定する試料面高さ
測定装置に係わり、特に半導体製造装置におけるウェハ
やマスク等の試料面の＾さを測定するのに適した試料面
高さ測定装置に関する。
測定装置に係わり、特に半導体製造装置におけるウェハ
やマスク等の試料面の＾さを測定するのに適した試料面
高さ測定装置に関する。
ＬＳＩ製造装置、例えば電子ビーム露光装置において、
半導体ウェハやマスク基板等の試料にパターンを描画形
成する場合、試料の反りその他の要因により試料表面の
高さく光学系に対する距離）が変動すると、描画パター
ンに誤差が生じる。そこで従来、試料の高さ方向の変動
量を測定し、該変動量に応じてその補正を行う方法を採
用している。
半導体ウェハやマスク基板等の試料にパターンを描画形
成する場合、試料の反りその他の要因により試料表面の
高さく光学系に対する距離）が変動すると、描画パター
ンに誤差が生じる。そこで従来、試料の高さ方向の変動
量を測定し、該変動量に応じてその補正を行う方法を採
用している。
試料面高さ測定装置としては、第５図に示す如く光学的
手法を利用したものがある（特開昭５６−２６３２号公
報）。この装置では、レーザ光源りから放射された光を
レンズＬ１によりスポット状に集束して試料面上に照射
し、その反射光をレンズＬ２によって検出器り上に結像
させる。そして、この検出器りの検出出力を演算処理す
ることによって、試料表面の高さ位置を測定している。
手法を利用したものがある（特開昭５６−２６３２号公
報）。この装置では、レーザ光源りから放射された光を
レンズＬ１によりスポット状に集束して試料面上に照射
し、その反射光をレンズＬ２によって検出器り上に結像
させる。そして、この検出器りの検出出力を演算処理す
ることによって、試料表面の高さ位置を測定している。
しかしながら、この種の測定装置にあっては次のような
問題があった。即ち、試料面上に照射された光束内で、
第６図に示す如く試料７０の表面に反射率の高い部分７
１と反射率の低い部分７２とがあると、反射率の差異に
よる光束内光量分布に測定誤差を生じる。例えば、最近
多くの所で使用されている光量の重心位置を測定するＰ
ＳＤ（半導体装置検出素子）を検出器に使用した場合、
第７図（ａ）に示す如き光量分布の差によって、同１
（ｂ）に示す如く重心位置が変動してしまい、測定誤差
を生じる。
問題があった。即ち、試料面上に照射された光束内で、
第６図に示す如く試料７０の表面に反射率の高い部分７
１と反射率の低い部分７２とがあると、反射率の差異に
よる光束内光量分布に測定誤差を生じる。例えば、最近
多くの所で使用されている光量の重心位置を測定するＰ
ＳＤ（半導体装置検出素子）を検出器に使用した場合、
第７図（ａ）に示す如き光量分布の差によって、同１
（ｂ）に示す如く重心位置が変動してしまい、測定誤差
を生じる。
また、例えば光電顕微鏡等で良く知られている振動スリ
ット法による位置検出手段を第８図に示すが、この例に
おいても同様なことが言え、光束内光量分布の不均一性
が測定誤差を招くことになる。
ット法による位置検出手段を第８図に示すが、この例に
おいても同様なことが言え、光束内光量分布の不均一性
が測定誤差を招くことになる。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、被測定面の反射率の差によって生じる
測定誤差を低減することができ、測定精度の向上をはか
り得る試料面高さ測定装置を提供することにある。
とするところは、被測定面の反射率の差によって生じる
測定誤差を低減することができ、測定精度の向上をはか
り得る試料面高さ測定装置を提供することにある。
本発明の骨子は、反射光の光束内光量分布による測定誤
差を低減するために、入射光を振動させてその誤差を平
均化することにある。
差を低減するために、入射光を振動させてその誤差を平
均化することにある。
即ち本発明は、試料表面の＾さを測定する試料面高さ測
定装置において、被測定試料の表面に対し斜め方向から
集束光を照射する光照射部と、上記試料の表面に入射す
る入射光を振動数ｆ１で振動する手段と、前記光照射に
より試料の表面で反射された反射光を検出する光検出部
と、上記光検出部と前記試料との間に配置されたスリッ
トと、上記スリット或いは前記試料からの反射光を前記
入射光の振動数で１とは異なる振動数で２で振動する手
段と、前記スリット或いは反射光の振動に同期して前記
光検出部の検出信号を検波する手段と、上記同期検波さ
れた信号に基づいて前記試料表面の高さ方向の位置を演
算する手段とを具備してなるものである。
定装置において、被測定試料の表面に対し斜め方向から
集束光を照射する光照射部と、上記試料の表面に入射す
る入射光を振動数ｆ１で振動する手段と、前記光照射に
より試料の表面で反射された反射光を検出する光検出部
と、上記光検出部と前記試料との間に配置されたスリッ
トと、上記スリット或いは前記試料からの反射光を前記
入射光の振動数で１とは異なる振動数で２で振動する手
段と、前記スリット或いは反射光の振動に同期して前記
光検出部の検出信号を検波する手段と、上記同期検波さ
れた信号に基づいて前記試料表面の高さ方向の位置を演
算する手段とを具備してなるものである。
また、本発明は上記構成に加え、前記光照射により試料
の表面で反射された反射光を前記振動数ｆ１で振動する
手段を設けるようにしたものである。
の表面で反射された反射光を前記振動数ｆ１で振動する
手段を設けるようにしたものである。
本発明によれば、試料表面に入射する入射光を振動させ
、試料面上での多数の測定点を平均化しているので、従
来ｉ置に比して試料面の反射率の差異等に起因する測定
誤差を大幅に低減することができる。さらに、従来装置
に比して入射光を振動させる構成、例えば振動ミラーを
付加するのみで容易に実現できる等の利点がある。また
、試料表面からの反射光をも振動させることにより、測
定のダイナミックレンジを拡大することが可能である。
、試料面上での多数の測定点を平均化しているので、従
来ｉ置に比して試料面の反射率の差異等に起因する測定
誤差を大幅に低減することができる。さらに、従来装置
に比して入射光を振動させる構成、例えば振動ミラーを
付加するのみで容易に実現できる等の利点がある。また
、試料表面からの反射光をも振動させることにより、測
定のダイナミックレンジを拡大することが可能である。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係わる試料面高さ測定
装置を示す概略構成図である。図中１１は光源であり、
この光源１１からの光はスリット１２を通して振動ミラ
ー１３に照射される。ミラー１３は圧電素子或いは電磁
力を利用した加振器１４に取付けられており、この加振
器１４は図示しない駆動回路により駆動されている。そ
して、振動ミラー１３は図中矢印六方向に振動数ｆ１で
振動するものとなっている。
装置を示す概略構成図である。図中１１は光源であり、
この光源１１からの光はスリット１２を通して振動ミラ
ー１３に照射される。ミラー１３は圧電素子或いは電磁
力を利用した加振器１４に取付けられており、この加振
器１４は図示しない駆動回路により駆動されている。そ
して、振動ミラー１３は図中矢印六方向に振動数ｆ１で
振動するものとなっている。
振動ミラー１３で反射した光は集束レンズ１５により集
束され、この集束光（入射光）１６が、試料台２１上に
載置された試料２２の表面に照射される。試料２２の表
面で反射した反射光３１は、集束レンズ３２により集束
されてミラー３３に照射される。そして、ミラー３３で
反射した光は、スリット３４を介して光検出器３５の受
光面上に照射結像される。
束され、この集束光（入射光）１６が、試料台２１上に
載置された試料２２の表面に照射される。試料２２の表
面で反射した反射光３１は、集束レンズ３２により集束
されてミラー３３に照射される。そして、ミラー３３で
反射した光は、スリット３４を介して光検出器３５の受
光面上に照射結像される。
スリット３４は加振器３６に取付けられており、この加
振器３６は発振器（Ｏ２０）３７の発振出力に応じて振
動するものである。そして、この加振器３６の振動によ
り、スリット３４は図中矢印Ｂ方向に振動する。ここで
、スリット３４の振動数ｆ２は前記振動数ｆ１より低い
ものとなっている。
振器３６は発振器（Ｏ２０）３７の発振出力に応じて振
動するものである。そして、この加振器３６の振動によ
り、スリット３４は図中矢印Ｂ方向に振動する。ここで
、スリット３４の振動数ｆ２は前記振動数ｆ１より低い
ものとなっている。
光検出器３５の検出信号は前置増幅器（ＡＭＰ）３８に
より増幅され、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３９を介
して同期検波回路４０に供給される。ＢＰＦ３９の通過
帯域は、スリット３４の振動数ｆ２と略一致するもので
ある。同期検波回路４０は前記０３Ｃ３７の発振出力を
入力し、この発振出力により上記検出信号を同期検波す
る。
より増幅され、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３９を介
して同期検波回路４０に供給される。ＢＰＦ３９の通過
帯域は、スリット３４の振動数ｆ２と略一致するもので
ある。同期検波回路４０は前記０３Ｃ３７の発振出力を
入力し、この発振出力により上記検出信号を同期検波す
る。
即ち、同期検波回路４０では、スリット３４の振動に同
期して光検出器３５の検出信号を検波するものとなって
いる。同期検波回路４０の出力（位置信号）は、位置測
定回路４１に供給される。そして、位置測定回路４１は
、上記入力した位置信号に応じて前記試料２２の表面位
置を演算するものとなっている。
期して光検出器３５の検出信号を検波するものとなって
いる。同期検波回路４０の出力（位置信号）は、位置測
定回路４１に供給される。そして、位置測定回路４１は
、上記入力した位置信号に応じて前記試料２２の表面位
置を演算するものとなっている。
このような構成であれば、振動スリット法と同様に試料
２２の高さ位置を測定できるのは勿論、入射光１６を振
動しているので、試料２２の表面の多数の測定点を取る
ことになり、従来の方式によるものより測定誤差が大幅
に低減されることになる。なお、入射光１６の振動によ
り影響を受けるのはＢＰＦ３９．同期検波回路４０でカ
ットしきれないで残った入射光の振動数成分であるが、
この成分は２つの振動数ｆ１．ｆ２の比を１から遠ざけ
ることにより容易に小さくすることが可能である。
２２の高さ位置を測定できるのは勿論、入射光１６を振
動しているので、試料２２の表面の多数の測定点を取る
ことになり、従来の方式によるものより測定誤差が大幅
に低減されることになる。なお、入射光１６の振動によ
り影響を受けるのはＢＰＦ３９．同期検波回路４０でカ
ットしきれないで残った入射光の振動数成分であるが、
この成分は２つの振動数ｆ１．ｆ２の比を１から遠ざけ
ることにより容易に小さくすることが可能である。
かくして本実施例によれば、入射光１６を振動させるこ
とにより試料面の反射率の差異等に起因する測定誤差を
大幅に低減することができる。このため、試料面の高さ
測定を高精度に行うことができる。また、従来装置に比
して、ミラー１３を振動する機構を設けるのみの簡易な
構造で実現できる等の利点がある。
とにより試料面の反射率の差異等に起因する測定誤差を
大幅に低減することができる。このため、試料面の高さ
測定を高精度に行うことができる。また、従来装置に比
して、ミラー１３を振動する機構を設けるのみの簡易な
構造で実現できる等の利点がある。
第２図は本発明の第２の実施例を示す概略構成図である
。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明した第１
の実施例と異なる点は、前記スリット３４を振動する代
りにミラー３３を振動するようにしたことにある。即ち
、ミラー３３は加振器４５に取付けられており、この加
振器４５は前記０８Ｃ３７の発振出力により駆動される
。そして、加振器４５の振動により、ミラー３３は振動
数ｆ２で図中矢印Ｃ方向に振動するものとなっている。
。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先に説明した第１
の実施例と異なる点は、前記スリット３４を振動する代
りにミラー３３を振動するようにしたことにある。即ち
、ミラー３３は加振器４５に取付けられており、この加
振器４５は前記０８Ｃ３７の発振出力により駆動される
。そして、加振器４５の振動により、ミラー３３は振動
数ｆ２で図中矢印Ｃ方向に振動するものとなっている。
なお、スリット３４は固定された状態となっている。
このような構成であれば、反射光３１とスリット３４と
の相対的な位置関係、即ちスリット３４を通過した光量
の変化は先の第１の実施例と全く同じである。従って、
先の実施例と同様な効果が得られる。
の相対的な位置関係、即ちスリット３４を通過した光量
の変化は先の第１の実施例と全く同じである。従って、
先の実施例と同様な効果が得られる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す概略構成図である
。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先の第１の実施例
と異なる点は、入射光１６のみならず反射光３１をも振
動することにある。
。なお、第１図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先の第１の実施例
と異なる点は、入射光１６のみならず反射光３１をも振
動することにある。
即ち、ミラー３３は加振器４５に取付けられており、こ
の加振器４５は前記加振器１４と共に、コントローラ５
１によって駆動されている。そして、加振器４５の振動
により、ミラー３３は図中矢印Ｃ方向に振動するものと
なっている。ここで、加振器４５の振動数、つまり反射
光３１の振動数は前記入射光１６の振動数ｆ１と同様で
あり、その位相が正確に逆の関係にある。これにより、
入射光１６の振動が反射光３１の振動でキャンセルされ
るものとなっている。
の加振器４５は前記加振器１４と共に、コントローラ５
１によって駆動されている。そして、加振器４５の振動
により、ミラー３３は図中矢印Ｃ方向に振動するものと
なっている。ここで、加振器４５の振動数、つまり反射
光３１の振動数は前記入射光１６の振動数ｆ１と同様で
あり、その位相が正確に逆の関係にある。これにより、
入射光１６の振動が反射光３１の振動でキャンセルされ
るものとなっている。
このような構成であれば、入射光１６の振動によるもの
は反射光３１の補正によってキャンセルされ、実際の試
料面の高さ方向による光束の移動は入射光１６の振動成
分と異なるため、検出器３５上には光束の移動として現
われてくることになる。即ち、反射光３１を振動させな
い場合検出出力に入射光１６の振動成分が現われるが、
反射光３１を振動させることにより入射光１６の振動成
分は現われないことになる。従って、検出器３５上での
光束の移動は実際の試料面の高さ変動によるもののみと
なり、検出器の測定ダイナミックレンジが拡大すること
になる。また、その分だけ、小さな検出器を用いること
が可能となり、検出器の分解能が上がることになる。
は反射光３１の補正によってキャンセルされ、実際の試
料面の高さ方向による光束の移動は入射光１６の振動成
分と異なるため、検出器３５上には光束の移動として現
われてくることになる。即ち、反射光３１を振動させな
い場合検出出力に入射光１６の振動成分が現われるが、
反射光３１を振動させることにより入射光１６の振動成
分は現われないことになる。従って、検出器３５上での
光束の移動は実際の試料面の高さ変動によるもののみと
なり、検出器の測定ダイナミックレンジが拡大すること
になる。また、その分だけ、小さな検出器を用いること
が可能となり、検出器の分解能が上がることになる。
従って本実施例によれば、先の第１の実施例と同様な効
果は勿論のこと、測定のダイナミックレンジを拡大する
ことができ、その効果は絶大である。
果は勿論のこと、測定のダイナミックレンジを拡大する
ことができ、その効果は絶大である。
第４図は本発明の第４の実施例を示す概略構成図である
。なお、第３図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先の第３の実施例
と異なる点は、スリット３４を振動する代りに、反射光
３１を振動することにある。即ち、前記ミラー３３で反
射された光は新たに設けた振動ミラー５２で再度反射さ
れ、前記スリット３４を通して光検出器３５上に照射結
像される。振動ミラー５２は加振器５３に取付けられて
おり、加振器５３は前記０８Ｃ３７の発振出力により振
動するものとなっている。つまり、振動ミラー５２は前
記振動数ｆ２で図中矢印り方向に振動するものとなって
いる。
。なお、第３図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。この実施例が先の第３の実施例
と異なる点は、スリット３４を振動する代りに、反射光
３１を振動することにある。即ち、前記ミラー３３で反
射された光は新たに設けた振動ミラー５２で再度反射さ
れ、前記スリット３４を通して光検出器３５上に照射結
像される。振動ミラー５２は加振器５３に取付けられて
おり、加振器５３は前記０８Ｃ３７の発振出力により振
動するものとなっている。つまり、振動ミラー５２は前
記振動数ｆ２で図中矢印り方向に振動するものとなって
いる。
このような構成であれば、反射光３１とスリット３４と
の相対的な位置関係、即ちスリット３４を通過した光量
の変化は先の第３の実施例と全く同じである。従って、
先の第３の実施例と同様の効果が得られる。
の相対的な位置関係、即ちスリット３４を通過した光量
の変化は先の第３の実施例と全く同じである。従って、
先の第３の実施例と同様の効果が得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記試料面上に入射する入射光はスリッ
ト状の集束光に限るものではな（、スポット状であって
もよい。また、試料表面に入射する入射光を振動させる
手段として、入射角を機械的に振動する以外に、例えば
音響的手段を用いた方法、またサバール板のように電圧
を印加することにより光の偏向面の透過率と屈折率が異
なるようなものを用いてもよい。機械的な駆動方法とし
ても圧電素子を用いたり、電磁的なものを使用してもよ
い。また、入射角を振動させる代りに、入射光位置を平
行移動することによって振動させることも可能である。
ない。例えば、前記試料面上に入射する入射光はスリッ
ト状の集束光に限るものではな（、スポット状であって
もよい。また、試料表面に入射する入射光を振動させる
手段として、入射角を機械的に振動する以外に、例えば
音響的手段を用いた方法、またサバール板のように電圧
を印加することにより光の偏向面の透過率と屈折率が異
なるようなものを用いてもよい。機械的な駆動方法とし
ても圧電素子を用いたり、電磁的なものを使用してもよ
い。また、入射角を振動させる代りに、入射光位置を平
行移動することによって振動させることも可能である。
さらに、光源は連続点灯でも、変調されていてもよい。
また、前記第４の変形例として、反射光を振動数ｆ１及
びｆ２で振動させるのに１個のミラーを振動させるよう
にしてもよい。さらに、振動数で１及び振動数ｆ２の値
は、仕様に応じて適宜窓めればよい。但し、入射光を振
動させる振動数ｆ１は、スリット或いはこれと等価の効
果を与える反射光の振動数ｆ２よりも、十分高い値をと
ることが望ましい。その他、本発明の一要゛旨−を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
びｆ２で振動させるのに１個のミラーを振動させるよう
にしてもよい。さらに、振動数で１及び振動数ｆ２の値
は、仕様に応じて適宜窓めればよい。但し、入射光を振
動させる振動数ｆ１は、スリット或いはこれと等価の効
果を与える反射光の振動数ｆ２よりも、十分高い値をと
ることが望ましい。その他、本発明の一要゛旨−を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係わる試料面高さ測定
装置を示す概略構成図、第２図は第２の実施例を示す概
略構成図、第３図は第３の実施例を示す概略構成図、第
４図は第４の実施例を示す概略構成図、第５図乃至第８
図はそれぞれ従来装置の問題点を説明するための図であ
る。 １１・・・光源、１２．３４・・・スリット、１３゜３
３．５２・・・ミラー（振動ミラー）、１４．３６゜４
５．５３・・・加振器、１５．３２・・・集束レンズ、
−１６・・・入射光、２１・・・試料台、２２・・：試
料、３１・・・反射光、３５・・・光検出器、３７・・
・発振器（Ｏ２０） 、３Ｂ・−ＰＭＭＡＲ（ＡＭＰ）
、３９・ｔ＜ンドパスフィルタ（ＢＰＦ）、４０・！
・同期検波回路、４１・・・位置測定回路、５１・・・
コントローラ。
装置を示す概略構成図、第２図は第２の実施例を示す概
略構成図、第３図は第３の実施例を示す概略構成図、第
４図は第４の実施例を示す概略構成図、第５図乃至第８
図はそれぞれ従来装置の問題点を説明するための図であ
る。 １１・・・光源、１２．３４・・・スリット、１３゜３
３．５２・・・ミラー（振動ミラー）、１４．３６゜４
５．５３・・・加振器、１５．３２・・・集束レンズ、
−１６・・・入射光、２１・・・試料台、２２・・：試
料、３１・・・反射光、３５・・・光検出器、３７・・
・発振器（Ｏ２０） 、３Ｂ・−ＰＭＭＡＲ（ＡＭＰ）
、３９・ｔ＜ンドパスフィルタ（ＢＰＦ）、４０・！
・同期検波回路、４１・・・位置測定回路、５１・・・
コントローラ。
Claims (8)
- （１）被測定試料の表面に対し斜め方向から集束光を照
射する光照射部と、上記試料の表面に入射する入射光を
振動数ｆ＿１で振動する手段と、前記光照射により試料
の表面で反射された反射光を検出する光検出部と、上記
光検出部と前記試料との間に配置されたスリットと、上
記スリット或いは前記試料からの反射光を前記入射光の
振動数ｆ＿１とは異なる振動数ｆ＿２で振動する手段と
、前記スリット或いは反射光の振動に同期して前記光検
出部の検出信号を検波する手段と、上記同期検波された
信号に基づいて前記試料表面の高さ方向の位置を演算す
る手段とを具備してなることを特徴とする試料面高さ測
定装置。 - （２）前記振動数ｆ＿１及びｆ＿２の関係は、ｆ＿１＞
ｆ＿２であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の試料面高さ測定装置。 - （３）前記振動数ｆ＿１、ｆ＿２及びその振動振幅は、
それぞれ可変可能であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の試料面高さ測定装置。 - （４）前記同期検波する手段は、前記光検出部の検出信
号をフィルタを通した後に同期検波することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の試料面高さ測定装置。 - （５）被測定試料の表面に対し斜め方向から集束光を照
射する光照射部と、上記試料の表面に入射する入射光を
振動数ｆ＿１で振動する手段と、前記光照射により試料
の表面で反射された反射光を前記振動数ｆ＿１で振動す
る手段と、前記試料からの反射光を検出する光検出部と
、上記光検出部と前記試料との間に配置されたスリット
と、上記スリット或いは前記試料からの反射光を前記入
射光及び反射光の振動数ｆ＿１とは異なる振動数ｆ＿２
で振動する手段と、前記スリット或いは反射光の振動に
同期して前記光検出部の検出信号を検波する手段と、上
記周期検波された信号に基づいて前記試料表面の高さ方
向の位置を演算する手段とを具備してなることを特徴と
する試料面高さ測定装置。 - （６）前記振動数ｆ＿１及びｆ＿２の関係は、ｆ＿１＞
ｆ＿２であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の試料面高さ測定装置。 - （７）前記振動数ｆ＿１、ｆ＿２及びその振動振幅は、
それぞれ可変可能であることを特徴とする特許請求の範
囲第５項記載の試料面高さ測定装置。 - （８）前記周期検波する手段は、前記光検出部の検出信
号をフィルタを通した後に同期検波することを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載の試料面高さ測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170985A JPS61210902A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 試料面高さ測定装置 |
| EP85307718A EP0197221B1 (en) | 1985-03-15 | 1985-10-25 | Device for measuring the position of an object |
| DE8585307718T DE3571273D1 (en) | 1985-03-15 | 1985-10-25 | Device for measuring the position of an object |
| US07/009,628 US4698513A (en) | 1985-03-15 | 1987-01-23 | Position detector by vibrating a light beam for averaging the reflected light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170985A JPS61210902A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 試料面高さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210902A true JPS61210902A (ja) | 1986-09-19 |
Family
ID=12894419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5170985A Pending JPS61210902A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 試料面高さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210902A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238508A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | 位置測定装置 |
| JPS6417408U (ja) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | ||
| JPH01112409U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
| KR100490685B1 (ko) * | 1996-07-22 | 2005-09-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면높이계측장치및이를이용한노광장치 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5170985A patent/JPS61210902A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238508A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | 位置測定装置 |
| JPS6417408U (ja) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | ||
| JPH01112409U (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | ||
| KR100490685B1 (ko) * | 1996-07-22 | 2005-09-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면높이계측장치및이를이용한노광장치 |
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