JPS61208651A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61208651A JPS61208651A JP4988685A JP4988685A JPS61208651A JP S61208651 A JPS61208651 A JP S61208651A JP 4988685 A JP4988685 A JP 4988685A JP 4988685 A JP4988685 A JP 4988685A JP S61208651 A JPS61208651 A JP S61208651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stearate
- film
- recording medium
- protective film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＥ −Ｄ ＲＡ Ｗ （Ｅｒａｓａｂｌｅ−旧
ｒｅＣｔ ＲｅａｄＡｆｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型光ディ
スクに関し、特に希土類金属元素と遷移金属元素とのア
モルファス合金を記録材料として薄膜形成した光磁気記
録媒体に関する。
ｒｅＣｔ ＲｅａｄＡｆｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型光ディ
スクに関し、特に希土類金属元素と遷移金属元素とのア
モルファス合金を記録材料として薄膜形成した光磁気記
録媒体に関する。
１且呈Ｉ
第１図に従来の光磁気記録媒体の構造を拡大断面図にて
示す。ガラス、合成樹脂、金属又はセラミックス等の基
板１の主面上に、記録膜としてＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ等の
アモルファス合金膜２、及び５ｉ０２．ＡＩＮ等の保護
膜３を順に積層して従来の光磁気記録媒体は形成される
。従来の光磁気記録媒体は基板に直接アモルファス合金
を設け、その上に保護膜を設けている。一定の条件下で
作成される希土類金属と遷移金属との合金膜はアモルフ
ァス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁気異方性を有する
ことが知られている。
示す。ガラス、合成樹脂、金属又はセラミックス等の基
板１の主面上に、記録膜としてＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ等の
アモルファス合金膜２、及び５ｉ０２．ＡＩＮ等の保護
膜３を順に積層して従来の光磁気記録媒体は形成される
。従来の光磁気記録媒体は基板に直接アモルファス合金
を設け、その上に保護膜を設けている。一定の条件下で
作成される希土類金属と遷移金属との合金膜はアモルフ
ァス構造をとり、膜面に垂直な一軸磁気異方性を有する
ことが知られている。
かかる光磁気記録媒体の情報の記録再生は次のように行
われる。先ず、アモルファス合金膜２上にレーザービー
ムを焦光することによってアモルファス合金のキューリ
一温度又は補償温度付近の温度まで局部的に加熱せしめ
る。この時の熱消磁又は磁極の反転等の熱的効果を利用
して、一方向に一様に磁化された膜面内に小さな反転磁
区を任意に形成する。次に、この反転磁区に偏光光を入
射し、その反射光におけるファラデー効果及び／又はカ
ー効果による偏光楕円体の主軸の回転と楕円率との変化
から反転磁区の有無を信丹として検出できる。このよう
にして上記磁気記録媒体において反転磁区の有無を“１
″、０″に対応させることによって情報の記録再生が可
能となる。
われる。先ず、アモルファス合金膜２上にレーザービー
ムを焦光することによってアモルファス合金のキューリ
一温度又は補償温度付近の温度まで局部的に加熱せしめ
る。この時の熱消磁又は磁極の反転等の熱的効果を利用
して、一方向に一様に磁化された膜面内に小さな反転磁
区を任意に形成する。次に、この反転磁区に偏光光を入
射し、その反射光におけるファラデー効果及び／又はカ
ー効果による偏光楕円体の主軸の回転と楕円率との変化
から反転磁区の有無を信丹として検出できる。このよう
にして上記磁気記録媒体において反転磁区の有無を“１
″、０″に対応させることによって情報の記録再生が可
能となる。
従来からの希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金
例えばＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等は、比較的キュー
リ一点、補償温度が低くかつ保磁力があり光磁気効果及
び磁気特性が光磁気記録材料として適しているため光磁
気記録媒体の記録膜材として注目されその実用化が進ん
でいる。
例えばＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等は、比較的キュー
リ一点、補償温度が低くかつ保磁力があり光磁気効果及
び磁気特性が光磁気記録材料として適しているため光磁
気記録媒体の記録膜材として注目されその実用化が進ん
でいる。
しかしながら、これらアモルファス合金は酸化され易い
故に高温高湿の環境中では経時変化が生じて特性が劣化
するので長期の信頼性に欠は安定性に問題を有していた
。この酸化は、アモルファス合金膜を直接大気に晒した
場合はもちろんのこと、基板に含まれる腐蝕性物質ある
いは大気中から基板を透過してきた腐蝕性物質によって
も起きる。
故に高温高湿の環境中では経時変化が生じて特性が劣化
するので長期の信頼性に欠は安定性に問題を有していた
。この酸化は、アモルファス合金膜を直接大気に晒した
場合はもちろんのこと、基板に含まれる腐蝕性物質ある
いは大気中から基板を透過してきた腐蝕性物質によって
も起きる。
及Ｅｌ（７と１里
本発明の目的は、再生時のカー回転角の増大を維持しつ
つ経時変化の少ない長期保存性に優れた光記録媒体を提
供することである。
つ経時変化の少ない長期保存性に優れた光記録媒体を提
供することである。
本発明の光磁気記録媒体は、基板の主面上に、ステアリ
ン酸塩で形成された第１保護膜と、希土類金属−遷移金
属の合金からなり膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を
有するアモルファス合金膜と、第２保護膜とを順に積層
してなることを特徴とする。
ン酸塩で形成された第１保護膜と、希土類金属−遷移金
属の合金からなり膜面に垂直な方向に一軸磁気異方性を
有するアモルファス合金膜と、第２保護膜とを順に積層
してなることを特徴とする。
衷−」Ｌ−豊
以下、本発明の一実施例を添附図面に基づいて説明する
。
。
第２図は本実施例の光磁気記録媒体の構造を示す拡大断
面図である。該光磁気記録媒体は案内溝付きＰＭＭＡ基
板１１の主面上に、ステアリン酸亜鉛の第１保護膜１２
と、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ０等のアモルファス合金
からなる記録１！１３と、Ｓ ｉ Ｏ２、Ａ Ｉ Ｎ等
からなる第２保護膜１４とを真空蒸着、スパッタリング
、スピンコード等の方法により順に積層されている。第
１保護膜１２は案内溝付きＰＭＭＡＷ板１１から侵入す
る水分、ガス等腐蝕性物質からアモルファス合金膜３を
保護する。
面図である。該光磁気記録媒体は案内溝付きＰＭＭＡ基
板１１の主面上に、ステアリン酸亜鉛の第１保護膜１２
と、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ０等のアモルファス合金
からなる記録１！１３と、Ｓ ｉ Ｏ２、Ａ Ｉ Ｎ等
からなる第２保護膜１４とを真空蒸着、スパッタリング
、スピンコード等の方法により順に積層されている。第
１保護膜１２は案内溝付きＰＭＭＡＷ板１１から侵入す
る水分、ガス等腐蝕性物質からアモルファス合金膜３を
保護する。
第３図は、本実施例の光磁気記録媒体と従来のものとに
ついて、室ａ！４５℃、湿度９０％の状態で波長６３３
ｎｍの偏光レーザー光によって再生した場合における反
射光のカー回転角（θｋ” ）の経時変化を調べた結果
を示すグラフである。第３図において、グラフ縦軸にカ
ー回転角を示し、グラフ横軸に時間経過を示し、曲線Ａ
は本実施例の光磁気記録媒体の経時変化を示し、曲線Ｂ
Ｇ、ｔ＊従来の光磁気記録媒体の経時変化を示している
。
ついて、室ａ！４５℃、湿度９０％の状態で波長６３３
ｎｍの偏光レーザー光によって再生した場合における反
射光のカー回転角（θｋ” ）の経時変化を調べた結果
を示すグラフである。第３図において、グラフ縦軸にカ
ー回転角を示し、グラフ横軸に時間経過を示し、曲線Ａ
は本実施例の光磁気記録媒体の経時変化を示し、曲線Ｂ
Ｇ、ｔ＊従来の光磁気記録媒体の経時変化を示している
。
グラフに示す如く本実施例の光磁気記録媒体は従来のも
のよりカー回転角の減少が少ないことが分る。
のよりカー回転角の減少が少ないことが分る。
上記実施例では案内溝付き基板とアモルファス合金膜間
に一層だけのステアリン酸亜鉛の第１保護躾を設けた構
造を示したが、その第１保護層を二層以上設けたもので
も良い。またステアリン酸亜鉛の代りに゛ステアリン酸
カリウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸マグ
ネシウム、ステアリン酸鉛から選ばれるステアリン酸塩
を第１保護膜としても良く、第１保護膜を１又は２種類
以上のステアリン酸塩からなる多層構造としても良い。
に一層だけのステアリン酸亜鉛の第１保護躾を設けた構
造を示したが、その第１保護層を二層以上設けたもので
も良い。またステアリン酸亜鉛の代りに゛ステアリン酸
カリウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸マグ
ネシウム、ステアリン酸鉛から選ばれるステアリン酸塩
を第１保護膜としても良く、第１保護膜を１又は２種類
以上のステアリン酸塩からなる多層構造としても良い。
更に、５ｉ０２．ＡＩＮ等の一層だけの第２保護膜の代
りに本発明によるステアリン酸塩の保護膜を一層又は二
層以上第２保護層として設けても良い。こうすることに
より、更に経時変化を押えることが出来る。
りに本発明によるステアリン酸塩の保護膜を一層又は二
層以上第２保護層として設けても良い。こうすることに
より、更に経時変化を押えることが出来る。
１１立皇１
以上のように本発明によれば、アモルファス合金膜と基
板間にステアリン酸塩の保護膜を設けた構造にすること
により、カー回転角が時間とともに減少しない経時変化
の少ない長期保存性に優れた光磁気記録媒体を得ること
が出来る。
板間にステアリン酸塩の保護膜を設けた構造にすること
により、カー回転角が時間とともに減少しない経時変化
の少ない長期保存性に優れた光磁気記録媒体を得ること
が出来る。
第１図は従来の光磁気記録媒体の構造を示す拡大部分断
面図であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体の構
造を示す拡大部分断面図であり、第３図は従来の光磁気
記録媒体と本発明による光磁気記録媒体の室１４５℃、
湿度９０％におけるカー回転角経時変化を示すグラフで
ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・アモルファス合金膜 ３・・・・・・保ｌｌ１ １１・・・・・・案内溝付きＰＭＭＡ基板１２・・・・
・・ステアリン酸塩の第１保ｍｗａ１３・・・・・・ア
モルファス合金膜 １４・・・・・・第２保護膜
面図であり、第２図は本発明による光磁気記録媒体の構
造を示す拡大部分断面図であり、第３図は従来の光磁気
記録媒体と本発明による光磁気記録媒体の室１４５℃、
湿度９０％におけるカー回転角経時変化を示すグラフで
ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・アモルファス合金膜 ３・・・・・・保ｌｌ１ １１・・・・・・案内溝付きＰＭＭＡ基板１２・・・・
・・ステアリン酸塩の第１保ｍｗａ１３・・・・・・ア
モルファス合金膜 １４・・・・・・第２保護膜
Claims (2)
- （１）基板の主面上に、ステアリン酸塩で形成された第
１保護膜と、希土類金属−遷移金属の合金からなり膜面
に垂直な方向に一軸磁気異方性を有するアモルファス合
金膜と、第２保護膜とを順に積層してなることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - （２）前記ステアリン酸塩で形成された第１保護膜は、
前記ステアリン酸塩がステアリン酸カリウム、ステアリ
ン酸ナトリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリ
ン酸鉛、ステアリン酸亜鉛から選ばれる１又は２種類以
上のステアリン酸塩の単層膜又は多層膜からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4988685A JPS61208651A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4988685A JPS61208651A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208651A true JPS61208651A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12843514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4988685A Pending JPS61208651A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208651A (ja) |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP4988685A patent/JPS61208651A/ja active Pending
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