JPS6120719A - 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 - Google Patents
光デイスク用プラスチツク基板の製造方法Info
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- JPS6120719A JPS6120719A JP14074684A JP14074684A JPS6120719A JP S6120719 A JPS6120719 A JP S6120719A JP 14074684 A JP14074684 A JP 14074684A JP 14074684 A JP14074684 A JP 14074684A JP S6120719 A JPS6120719 A JP S6120719A
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- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 9
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
- B29C2071/022—Annealing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2033/00—Use of polymers of unsaturated acids or derivatives thereof as moulding material
- B29K2033/04—Polymers of esters
- B29K2033/12—Polymers of methacrylic acid esters, e.g. PMMA, i.e. polymethylmethacrylate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザービーム等によって情報の記録及び再
生を行う光ディスク用プラスチック基板の製造方法に関
する。更に詳しくは、射出成形法によって作成された耐
熱性の優れた光ディスク、用プラスチック基板の製造方
法に関するものである。
生を行う光ディスク用プラスチック基板の製造方法に関
する。更に詳しくは、射出成形法によって作成された耐
熱性の優れた光ディスク、用プラスチック基板の製造方
法に関するものである。
記録層或いは光反射層からなる情報記憶層にレーザー光
を照射することにより情報記憶層に情報を記録及び再生
したり、情報記憶層に形成された情報を再生するいわゆ
る光デ２イスクの基板として、ガラスやプラスチックの
円板が用いられている。
を照射することにより情報記憶層に情報を記録及び再生
したり、情報記憶層に形成された情報を再生するいわゆ
る光デ２イスクの基板として、ガラスやプラスチックの
円板が用いられている。
中でもプラスチック基板は、ガラス基板と比較すると成
形加工が容易であり、取シ扱い中に破損する危険性も少
なく、軽量であるばかシでなく、コスト的にもガラス基
板より優っている。一方、プラスチック基板は成形時の
残留応力等により変形することが多く、特にクリープに
よって生じる経時的な変形が大きく耐熱性の面で問題が
あった。
形加工が容易であり、取シ扱い中に破損する危険性も少
なく、軽量であるばかシでなく、コスト的にもガラス基
板より優っている。一方、プラスチック基板は成形時の
残留応力等により変形することが多く、特にクリープに
よって生じる経時的な変形が大きく耐熱性の面で問題が
あった。
これらの変形を抑制するためにグラスチック基板をアニ
ーリングすることによって残留応力を取り除き、耐熱性
を向上することが行われている。一般にアニーリングの
温度は光ディスクに要求される耐熱温度以上が必要とさ
れておシ、従来、基板材料のガラス転移温度より２０℃
程度低い温度で（特開昭５８−１５１２２２号公報）短
時間でアニーリング処理を行っていた。
ーリングすることによって残留応力を取り除き、耐熱性
を向上することが行われている。一般にアニーリングの
温度は光ディスクに要求される耐熱温度以上が必要とさ
れておシ、従来、基板材料のガラス転移温度より２０℃
程度低い温度で（特開昭５８−１５１２２２号公報）短
時間でアニーリング処理を行っていた。
光ディスク用プラスチック基板の製造法としては射出成
形法、２Ｐ法、キャスト法やプレス法があるが、生産効
率、コスト的に射出成形法が優れている。しかし、射出
成形法によって作られる基板は、その表面が急冷される
ために分子配向歪みが生じ、このため基板表面は、基板
材料のガラス転移温度よりも低い温度でガラス転移する
ことが知られている。特に、射出成形法では、樹脂の流
れを良くするために低分子量の樹脂を用いるので、基板
表面はかなシ低い温度で流動しやすい。このことから、
射出成形法で作られた基板を通常のアニール条件でアニ
ーリング処理すると、基板表面が変形してしまう。特に
、基板にあらかじめ微細な溝やピットを形成したいわゆ
るプレグルーブ付のディスク基板では、その湾やピット
がアニーリング処理によって変形成いは寸法変化してし
まうという問題点があった。
形法、２Ｐ法、キャスト法やプレス法があるが、生産効
率、コスト的に射出成形法が優れている。しかし、射出
成形法によって作られる基板は、その表面が急冷される
ために分子配向歪みが生じ、このため基板表面は、基板
材料のガラス転移温度よりも低い温度でガラス転移する
ことが知られている。特に、射出成形法では、樹脂の流
れを良くするために低分子量の樹脂を用いるので、基板
表面はかなシ低い温度で流動しやすい。このことから、
射出成形法で作られた基板を通常のアニール条件でアニ
ーリング処理すると、基板表面が変形してしまう。特に
、基板にあらかじめ微細な溝やピットを形成したいわゆ
るプレグルーブ付のディスク基板では、その湾やピット
がアニーリング処理によって変形成いは寸法変化してし
まうという問題点があった。
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決すべ
き技術的課題とし、従来のやり方とは異なったアニーリ
ング処理法によって、プレグルーブに悪影響を及ばずこ
となく基板の耐熱性を向上させて経時的に生ずる変形を
抑制した光ディスク用プラスチックの製造法を提供せん
とするものである。
き技術的課題とし、従来のやり方とは異なったアニーリ
ング処理法によって、プレグルーブに悪影響を及ばずこ
となく基板の耐熱性を向上させて経時的に生ずる変形を
抑制した光ディスク用プラスチックの製造法を提供せん
とするものである。
すなわち、本発明は、射出成形法によって作成された光
ディスク用プラスチック基板を、該基板材料のガラス転
移温度より約り０℃〜５０℃以下の温度環境下において
アニーリングすることを特徴とする光ディスク用プラス
チック基板の製造方法に関するものである。
ディスク用プラスチック基板を、該基板材料のガラス転
移温度より約り０℃〜５０℃以下の温度環境下において
アニーリングすることを特徴とする光ディスク用プラス
チック基板の製造方法に関するものである。
本発明に用いる基板は、ポリメチルメタクリレ−）
（ＰＭＭＡ）やポリカーボネート （ＰＣ）等の透明性
に優れたプラスチック材料からなる円板であり、特に射
出成形法によって作られたプレグルーブ付のプラスチッ
ク基板である。ここでプレグルーブとは、情報の記録或
いは再生を定められた法則に従って、ディスク上の定め
られた場所で行うために、基板表面にあらかじめ設けた
溝やピットをいう。従って、情報の再生のみを行ういわ
ゆるビデオディスク用の基板も含む。また、射出成形法
とは、閉鎖している金型キャビティに加熱して流動状態
となったプラスチックを圧入し固化した成形品を取シ出
す成形法である。
（ＰＭＭＡ）やポリカーボネート （ＰＣ）等の透明性
に優れたプラスチック材料からなる円板であり、特に射
出成形法によって作られたプレグルーブ付のプラスチッ
ク基板である。ここでプレグルーブとは、情報の記録或
いは再生を定められた法則に従って、ディスク上の定め
られた場所で行うために、基板表面にあらかじめ設けた
溝やピットをいう。従って、情報の再生のみを行ういわ
ゆるビデオディスク用の基板も含む。また、射出成形法
とは、閉鎖している金型キャビティに加熱して流動状態
となったプラスチックを圧入し固化した成形品を取シ出
す成形法である。
本発明におけるアニーリング処理とは、光ディスク用プ
ラスチック基板を所定の温度環境下に所定時間放置した
後、室温まで師温させる熱処理をさす。ここで、所定の
温度に保つ方法としては温風による恒温槽が一般的であ
るが、目的に応じて温水や他の溶媒中に浸したり、高周
波による誘導加熱を利用することもできる。また、光デ
ィスク用基板は、水平或いは垂直状態で静置させてもよ
いし、回転軸に取り付けた状態で回転させながらアニー
リング処理してもよい。アニーリングの時間は、反りの
増加量で１０００ ｔｒｍ以下、好ましくは７００μｍ
以下におさえる時間が適尚でアシ、その時間は温度、装
置条件、ポリマーの種類により異なるが、一般に５時間
以上が好ましく、特に低い温度でアニーリングを行う場
合は１０時間以上が好ましい。
ラスチック基板を所定の温度環境下に所定時間放置した
後、室温まで師温させる熱処理をさす。ここで、所定の
温度に保つ方法としては温風による恒温槽が一般的であ
るが、目的に応じて温水や他の溶媒中に浸したり、高周
波による誘導加熱を利用することもできる。また、光デ
ィスク用基板は、水平或いは垂直状態で静置させてもよ
いし、回転軸に取り付けた状態で回転させながらアニー
リング処理してもよい。アニーリングの時間は、反りの
増加量で１０００ ｔｒｍ以下、好ましくは７００μｍ
以下におさえる時間が適尚でアシ、その時間は温度、装
置条件、ポリマーの種類により異なるが、一般に５時間
以上が好ましく、特に低い温度でアニーリングを行う場
合は１０時間以上が好ましい。
以下に実施例を示して本発明の効果を明らかにする。
実施例中、溝の変形の度合いを示す尺度として主に変調
度を取り上げたが、ここでいう変調度とは第４図で説明
すると基板１ごしにレーザー光３を溝部２に照射した場
合に溝部と溝の周辺面４とからの反射光同志が千渉して
反射光量が減る時の、反射光量の減少比で、ｂｂ、数式
上は第４図に示すと表わされる。ここでＡは溝のない平
坦部にレーザースポットを照射した場合の反射光量であ
シ、Ｂは溝の中央にレーザースポットを照射した場合の
反射光量である。変調度は溝の形状にもよるが、主に溝
の深さと巾によって変化し、溝の深さがλ／４（λ：レ
ーザー光の波長）以下の範囲では、溝深さが深い程、ま
た溝巾が狭い程、変調度は大きい。以下にいう変調度と
は、波長が８３０ＯＡのレーザー光を用いて測定したも
のである。
度を取り上げたが、ここでいう変調度とは第４図で説明
すると基板１ごしにレーザー光３を溝部２に照射した場
合に溝部と溝の周辺面４とからの反射光同志が千渉して
反射光量が減る時の、反射光量の減少比で、ｂｂ、数式
上は第４図に示すと表わされる。ここでＡは溝のない平
坦部にレーザースポットを照射した場合の反射光量であ
シ、Ｂは溝の中央にレーザースポットを照射した場合の
反射光量である。変調度は溝の形状にもよるが、主に溝
の深さと巾によって変化し、溝の深さがλ／４（λ：レ
ーザー光の波長）以下の範囲では、溝深さが深い程、ま
た溝巾が狭い程、変調度は大きい。以下にいう変調度と
は、波長が８３０ＯＡのレーザー光を用いて測定したも
のである。
実施例１
溝深さ７ｏｏｆ、溝巾ｏ、６μｍ の同心円状の溝を１
．６μｍ間隔に設けたＮｉスタンパ−を用いて、射出成
形法により厚さ１．５鱈、内径３５ｗｍψ、外径３０５
―ψのポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）の円
板を作成した。作成したＰＭＭＡ板の熱的特性を表１に
示す。
．６μｍ間隔に設けたＮｉスタンパ−を用いて、射出成
形法により厚さ１．５鱈、内径３５ｗｍψ、外径３０５
―ψのポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）の円
板を作成した。作成したＰＭＭＡ板の熱的特性を表１に
示す。
表 １
作製したＰＭＭＡ板を表２の条件で、各条件につき１０
枚づつ熱処理を行った後、５枚については溝が形成され
た面にＡｌを真空蒸着法によし厚さ７００Ａになるよう
に形成した後、変調度を測定し、残部５°枚については
温度５０℃の恒温槽内に入れて反シの経時変化を調べた
。
枚づつ熱処理を行った後、５枚については溝が形成され
た面にＡｌを真空蒸着法によし厚さ７００Ａになるよう
に形成した後、変調度を測定し、残部５°枚については
温度５０℃の恒温槽内に入れて反シの経時変化を調べた
。
反シの経時変化は、恒温槽内に円板を外径８０ｍψのス
ペーサーで支持して水平方向に静置した状態で１０日間
放置した後、反シを測定し恒温槽に入れる前の反シから
の変化を評価した。反りの測定は、８０簡ψのターンテ
ーブル１七円板を固定し、直径１４０■ψから２８０
ｗｈψにわたって変位量を触針法によって測定した。
ペーサーで支持して水平方向に静置した状態で１０日間
放置した後、反シを測定し恒温槽に入れる前の反シから
の変化を評価した。反りの測定は、８０簡ψのターンテ
ーブル１七円板を固定し、直径１４０■ψから２８０
ｗｈψにわたって変位量を触針法によって測定した。
表２
Ａ−Ｐのサンプルの変調度及び反りの変化を第１図に示
す。第１図に示した点は５枚の平均値でおる。
す。第１図に示した点は５枚の平均値でおる。
Ｂ−Ｇの結果より、アニール時間が２時間の場合でも７
５℃以上では温度の上昇と共に変調度が急激に低下する
。一方、７０℃以下では、変調度の低下は殆んどないが
、反シはアニールしないものと殆んど変らない。
５℃以上では温度の上昇と共に変調度が急激に低下する
。一方、７０℃以下では、変調度の低下は殆んどないが
、反シはアニールしないものと殆んど変らない。
一方、Ｈ−Ｐの結果より７０℃以下でも、５時間以上ア
ニールすると、変調度の低下は殆んどなく、かつ反りの
変化もアニール時間が長くなるに従って小さくなシ２０
時間位では温度によらず、はぼ一定値となっており、Ｇ
サンプルの反シと殆んど同じになっている。
ニールすると、変調度の低下は殆んどなく、かつ反りの
変化もアニール時間が長くなるに従って小さくなシ２０
時間位では温度によらず、はぼ一定値となっており、Ｇ
サンプルの反シと殆んど同じになっている。
以上より、アニール時間は５時間以上が適しておシ、ア
ニール温度は５０℃〜７０℃が適している。
ニール温度は５０℃〜７０℃が適している。
この温度は、ガラス転移温度より約３０℃〜５０℃低い
温度に相当する。特に、アニール時間は１０時間以上が
望ましい。
温度に相当する。特に、アニール時間は１０時間以上が
望ましい。
実施例２
実施例１で用いたものと同じスタンパ−を用いて、同様
の方法で、別種のＰＭＭＡの円板を作製した。作製した
ＰＭＭＡ板の熱的特性を表３に示す。
の方法で、別種のＰＭＭＡの円板を作製した。作製した
ＰＭＭＡ板の熱的特性を表３に示す。
表 ３
作製したＰＭＭＡ板を表４の条件で、各条件につき１０
枚づつ熱処理を行った後、５枚については溝が形成され
た面にＡＩを真空蒸着法により厚さ７００人になるよう
に形成した後、変調度を測定し、残少５枚については温
度５０℃の恒温槽内に入れて実施例１と同様の方法で反
りの経時変化を測定した。
枚づつ熱処理を行った後、５枚については溝が形成され
た面にＡＩを真空蒸着法により厚さ７００人になるよう
に形成した後、変調度を測定し、残少５枚については温
度５０℃の恒温槽内に入れて実施例１と同様の方法で反
りの経時変化を測定した。
以下余白
表 ４
Ａ−Ｆのサンプルの変調度及び反りの変化を第２図に示
す。第２図に示した点は５枚の平均値である。
す。第２図に示した点は５枚の平均値である。
第２図より、７５℃以上では反りは小さいが、変調度が
極端に低下している。一方６５℃以下では変調度の低下
は殆んどなく、かつ反シも／、１１さく特に５５℃及び
６５℃でアニールした場合の反シは、７５℃以上でアニ
ールした場合の反シと殆んど同じであ〕小さくなってい
る。
極端に低下している。一方６５℃以下では変調度の低下
は殆んどなく、かつ反シも／、１１さく特に５５℃及び
６５℃でアニールした場合の反シは、７５℃以上でアニ
ールした場合の反シと殆んど同じであ〕小さくなってい
る。
以上より、アニール温度は４５℃〜６５℃が適しておシ
、この温度はガラス転移温度より約３０’Ｃ〜５゜℃低
い温度に相当する。
、この温度はガラス転移温度より約３０’Ｃ〜５゜℃低
い温度に相当する。
Ａ−Ｆのサンプルの溝深さを微分干渉顕微鏡で測定した
結、釆を第３図に示す。第３図より、アニール温度が４
５℃〜６５℃の場合は溝深さはアニールしない場合のも
のと殆んど同じであるが７０℃及び８０℃でアニールし
たものの溝深さは極端に浅くなっていることがわかる。
結、釆を第３図に示す。第３図より、アニール温度が４
５℃〜６５℃の場合は溝深さはアニールしない場合のも
のと殆んど同じであるが７０℃及び８０℃でアニールし
たものの溝深さは極端に浅くなっていることがわかる。
本発明によれば、射出成形法によって作成された光デス
ク用プラスチック基板の溝やビットに悪影響を及ぼすこ
となく耐熱性を向上させることができ 従って反りの経
時変化の少ない寸法安定性の良好な光ディスク用基板を
得ることができる。
ク用プラスチック基板の溝やビットに悪影響を及ぼすこ
となく耐熱性を向上させることができ 従って反りの経
時変化の少ない寸法安定性の良好な光ディスク用基板を
得ることができる。
第１図は実施例１について、アニーリング温度及びアニ
ーリング時間と変調度及び反りとの関係を示したグラフ
である。 第２図は実施例２についてアニーリング温度及びアニー
リング時間と変調度及び反シとの関係を示したグラフで
ある。 第３図は実施例２の試料の溝深さと変調度との関係を示
す図である。 第４図は変調度の測定法を示したもので、（４）は基板
の断面図、（Ｂ）は囚の基板に対応する反射光量の変化
を示したものである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 弁理人弁理士 星 ・野 透 第２図 １ｏａ；８閏アニール 第３図
ーリング時間と変調度及び反りとの関係を示したグラフ
である。 第２図は実施例２についてアニーリング温度及びアニー
リング時間と変調度及び反シとの関係を示したグラフで
ある。 第３図は実施例２の試料の溝深さと変調度との関係を示
す図である。 第４図は変調度の測定法を示したもので、（４）は基板
の断面図、（Ｂ）は囚の基板に対応する反射光量の変化
を示したものである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 弁理人弁理士 星 ・野 透 第２図 １ｏａ；８閏アニール 第３図
Claims (1)
- （１）射出成形法によつて作成された光ディスク用プラ
スチック基板を、該基板材料のガラス転移温度より３０
℃〜５０℃以下の温度環境下において、アニーリングす
ることを特徴とする光ディスク用プラスチック基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14074684A JPS6120719A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14074684A JPS6120719A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120719A true JPS6120719A (ja) | 1986-01-29 |
| JPH0533137B2 JPH0533137B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=15275761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14074684A Granted JPS6120719A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120719A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137747A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62222812A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-09-30 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光デイスク基板の製造法 |
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0533137B2 (ja) | 1993-05-18 |
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