JPS61207062A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPS61207062A
JPS61207062A JP60048750A JP4875085A JPS61207062A JP S61207062 A JPS61207062 A JP S61207062A JP 60048750 A JP60048750 A JP 60048750A JP 4875085 A JP4875085 A JP 4875085A JP S61207062 A JPS61207062 A JP S61207062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state image
image pickup
pickup device
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60048750A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Oka
秀明 岡
Tetsuyoshi Takeshita
竹下　哲義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP60048750A priority Critical patent/JPS61207062A/ja
Publication of JPS61207062A publication Critical patent/JPS61207062A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像装置の実装形態に関するＯ〔従来の技
術〕 第２図に従来使用されている固体撮像装置の実装形態の
一例を示す。第２図において、２１は実装基板、２２は
固体撮像素子、２３は固体撮像素子面、２４は保護膜、
２５はボンディングワイヤー、２６はポンディングパッ
ド部、２７は接着層で、光は保護膜２４を通して入射す
る構造になっている〇 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、前述の従来技術では、保護膜２４を通して光が
入射する為、該保護膜としては、光吸収係数が小さく透
明な材料を用いることが必要となる他、該保護膜厚の均
一性も要求され、さらに該膜厚も可能な限り薄くする必
要がある。これら諸条件を満たしつつ、高い耐湿性、耐
環境性を有し、素子の段差部の被覆性（ステップカバー
）の優れた保護膜材としては、有機絶縁膜、シリコン系
樹脂等が候補に上がるが、上述の諸条件を全て満足し、
しかも簡便な方法で形成できる保護膜材としては有力な
ものは無いと言える０そこで本発明はこのような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、保護膜を
設けずに、優れた耐湿性、耐環境性を有する固体撮像装
置の実装形態を提供するところにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の固体撮像装置は、絶縁性透明基板と固体撮像素
子面とを接着剤により接着した構造を有することを基本
的特徴とする。
〔作　用〕
本発明の上記構成によれば、固体撮像素子面と絶縁性透
明基板とを接着剤により接着することにより該透明基板
が該固体撮像素子の保護層となることから、有機絶縁膜
等を保護膜とした従来型と比べて、高い耐湿性、耐環境
性を有する固体撮像装置をしかも簡便に作製することが
できる＠さらに、該透明基板を実装基板と兼ねることに
より、固体撮像素子を実装する工程と保護膜を形成する
工程とが同一工程で同時に行なえることから製造工程の
大巾な短縮及び簡略化が行なえることから信頼性の優れ
た固体撮像装置を低コストで提供することが可能となる
◇ 〔実施例〕 第１図は本発明の実施例における断面の概念図である。
第１図において、１１は絶縁性透明板、１２は固体撮像
素子、１３は該素子面、１４は接着層であり、光は該透
明板１１側より入射する構造となっている。１６はボン
ディングワイヤー、１７はポンディングパッド部、１８
は接着層である。第１図に示した構造を用いることによ
り、固体撮像素子は接着剤及び透明基板により保護され
ることから、従来の様な絶縁保護膜を用いた場合と比べ
て、優れた耐湿性及び耐環境性を有し、透明基板及び光
学接着剤を用いることにより・光の吸収損も無視できる
程度に低く押さえることができる他、従来型でみられた
保護膜の段差被覆性が耐湿性、耐環境性に影響を与える
という問題も、本発明の構造では問題とならない０又、
製造方法においても、素子面と透明基板を接着するとい
う極めて簡便な方法で作製できることから従来型と比べ
て大巾な製造工程の簡略化が図れる。
第３図は本発明の実施例における概念図であり、第１園
に示した基本構造の一応用例である◎第３図において、
３１は絶縁性透明基板で実装基板を兼ねている＠３２は
固体撮像素子、３３は該素子面、５４は接着層、３５は
ボンディングワイヤーで該素子面上のパッド３６と該透
明基板上のパッド６６にボンディングされている。又、
図中３７に示した保護層を設ける場合もあり、モール材
等を用いることにより、耐湿性、耐環境性の向上を図る
と共に、遮光層としての働きを兼ねさせることもできる
。この様な保護層３７を設けることができる点は従来型
に無い本発明に基づく実装形態の有用な特徴の一つと言
える。尚、第５図において、（ａ）　、　（６）図は該
基板３１に垂直な断面図で、２方向よりみた断面図を示
す。
第３図に示した実装形態では絶縁性透明基板が固体撮像
素子の保護層と実装基板を兼ねることから、該素子面と
該透明基板とを接着する工程で保護膜の形成及び実装基
板上への素子の固定が同時に行なえることから製造工程
の短縮及び簡略化が図れる。
第４図は第１図に示した従来型と第３図に示した本発明
に基づく型との耐湿性を比べた結果である。第４図にお
いて、縦軸は不良率、横軸はエージング時間を示す０尚
、本結果は６０℃、９０％の雰囲気中でのエージングの
結果である。不良率としては、固体撮像装置単位で一画
素以上の不良を生じた場合、該装置を不良とみなす方法
で求めたものである。尚、図において、４１は従来型、
４２は本発明の実装形態による結果である。
図より、本発明に基づく実装形態が、従来型と比べて・
優れた耐湿性を有することがわかる〇〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、高い耐湿性、耐環境
性を有する固体撮像装置を簡便に作製ギることができる
。さらに絶縁性透明基板を実装基板と兼ねることにより
、該透明基板を固体撮像素子面と接着する工程で、素子
の保護膜の形成と素子の実装基板上への固定が同時に行
なえることがら、製造工程の大巾な短縮及び簡略化が行
なえることから信頼性の優れた固体撮像装置を低コスト
で提供することが可能となる。
又、さらに、本発明に基づく実装形態では、従来型と異
なり、第３図に示した゛厚い保護層３７により固体撮像
素子全体を覆うことができる為、さらに一層高い耐湿性
、耐環境性が得られる〇又、従来型では、素子の保護膜
形成後、ワイヤーボンディングのパッド部をフォト工程
により穴開けし、素子をダイシング等により分割後、ワ
イヤーボンディングを行なう必要があったが、本発明に
基づく実装形態では、素子分割後、透明基板に接着し、
ワイヤーボンディングを行なえばよく、従来型で必要と
された保護膜の穴開けが不要となることから、フォト工
程が一工程少なくなる０尚従来型でも、素子を分割後、
素子を実装基板に固定しワイヤーボンディングを行ない
、その後で、保護膜を形成すれば、保護膜への穴開けを
行なうフォト工程が省略できるものの・素子分割後・各
々の素子に保護膜を均一な膜厚で薄く形成することは、
技術的に困難である上、量産性が無いことから、大巾な
コストの増加をもたらす・特に素子が長尺となる密着型
固体撮像装置においてはこの問題が顕著となる〇 さらに、ワイヤーボンディング等を行なう実装工程で素
子上に保護膜が無いと実装歩溜りの低下を招く。以上の
様な理由から、従来型で保護膜への穴開けを行なうフォ
ト工程を省くことは事実上不可能と言える＠すなわち、
該フォト工程を省くことができる特徴は、本発明に基づ
く実装形態の有する有用な効果の一つであると言える。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の断面図・ １１・・・絶縁性透明板、１２・・・固体撮像素子、１
３・・・素子面、１４・・−接着層、１５・・・実装基
板、１６・・・ボンディングワイヤー、１７・・・パッ
ド、１８・・・接着層 ｆａ２図は従来の実装形態を示した図。 ２１・・・実装基板、２２・・・固体撮像素子、２３・
・・素子面、２４・・・保護膜、２５・・・ボンディン
グワイヤー、２６・・・パッド、２７・・・接着層第３
図（（１）　、　（ｂ）は本発明の実施例における一応
用例の断面図。 ３１・・・絶縁性透明基板、３２・・・固体撮像素子、
３３・・・素子面、３４・・・接着層、３５・・・ボン
ディングワイヤー、３６・・・パッド、３７・・・保護
層第４図はエージング試験の結果を示した図。 縦軸、不良率、横軸、エージング時間、４１・・・従来
型、４２・・・本発明型取　　上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）固体撮像装置において、絶縁性透明板１１を固体
    撮像素子面１３に接着したことを特徴とする固体撮像装
    置。
  2. （２）絶縁性透明板を実装基板とし、固体撮像素子３２
    を絶縁性透明基板３１上に接着し、固定したことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
  3. （３）前記構造を密着型固体撮像装置に用いたことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
JP60048750A 1985-03-12 1985-03-12 固体撮像装置 Pending JPS61207062A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60048750A JPS61207062A (ja) 1985-03-12 1985-03-12 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60048750A JPS61207062A (ja) 1985-03-12 1985-03-12 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61207062A true JPS61207062A (ja) 1986-09-13

Family

ID=12811958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60048750A Pending JPS61207062A (ja) 1985-03-12 1985-03-12 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61207062A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040660A1 (en) * 2002-10-29 2004-05-13 Freescale Semiconductor, Inc. Optical sensor package

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004040660A1 (en) * 2002-10-29 2004-05-13 Freescale Semiconductor, Inc. Optical sensor package
US6958261B2 (en) 2002-10-29 2005-10-25 Freescale Semiconductor, Inc. Optical sensor package
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
CN100452441C (zh) * 2002-10-29 2009-01-14 飞思卡尔半导体公司 光传感器封装
JP4705784B2 (ja) * 2002-10-29 2011-06-22 タング スング キャピタル エルエルシー イメージセンサデバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100982621B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법
JP2001351997A (ja) 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
JPS61207062A (ja) 固体撮像装置
US20100181636A1 (en) Optical device, solid-state imaging device, and method of manufacturing optical device
JP2007150266A (ja) 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
JP4463194B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JPH06105791B2 (ja) 光電変換装置
JPH0513738A (ja) オンチツプレンズ付固体撮像装置
JPS60193345A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20100102669A (ko) 스크린된 샌드위치 구조를 갖는 열 방출을 감지하기 위한 장치, 및 상기 장치의 사용
JP4463193B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JPH11164209A (ja) 固体撮像素子の取付装置
JP3022818B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPS6329973A (ja) 電子写真複写装置
JPH11354764A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPS61253437A (ja) 半導体圧力センサ
JPH06291206A (ja) 半導体装置
JPS63242072A (ja) 固体撮像装置
JPH04291886A (ja) Ｃｃｄを用いた撮像装置
JPH05335534A (ja) 光半導体デバイス
JP2694710B2 (ja) 焦電素子及びその製造方法
JPH0529385A (ja) フイルムキヤリア実装半導体装置
JPH05260393A (ja) 固体撮像装置
JPS61222359A (ja) 半導体装置
JPS63318158A (ja) 固体撮像装置