JPS61205020A - スイツチング回路 - Google Patents

スイツチング回路

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JPS61205020A
JPS61205020A JP61047172A JP4717286A JPS61205020A JP S61205020 A JPS61205020 A JP S61205020A JP 61047172 A JP61047172 A JP 61047172A JP 4717286 A JP4717286 A JP 4717286A JP S61205020 A JPS61205020 A JP S61205020A
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JP
Japan
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coupled
modules
module
power supply
switching
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Application number
JP61047172A
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English (en)
Inventor
ジヨージ・エム・コンラツド
ケネス・エム・スモーリイ
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Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/785Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/102Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、一般的には高電圧ソリッド・ステート・スイ
ッチに関し、更に詳細には無線周波数信号の増幅に使用
されるカソード・パルス化管のためのパルス変調器とし
て使用されるスイッチに関する。
(背景技術) 当該技術分野において既知の如く、無線周波数エネルギ
の増幅されたパルスを発生することは例えばレーダ送信
機におけるように望ましいことがある。そのような技術
の一例は、パルス変調信号を変調回路に供給し、該変調
回路はその変調信号に従って選択的に電源を交差電磁界
管に電気的に結合し、又はそれから電気的に分離する。
そのような交差電磁界管は、例えばマグネトロン、クラ
イストロン又は交差電磁界増幅(CFA)管である。典
型的には、変調回路は、高電力スイッチ管で、その陽極
(プレート)は無線周波数管のカソードに直列に接続さ
れ、無線周波数管のアノードは接地され、スイッチ管の
カソードは正端子が接地された高電圧電源の負端子に直
列に接続される。
こうして、高電圧電源が変調器によって無線周波数管に
電気的に結合されるとき、無線周波数管の入力ポートに
供給される無線周波数エネルギは無線周波数管において
増幅され、その出力ポートに結合されるっこれとは逆に
、変調器が高電圧電源を無線周波数管から電気的に分離
するとき、入力無線周波数信号は無線周波数管の出力ポ
ートから分離される。このようにして、変調器をパルス
動作させ無線周波数管の出力端子にパルス化され増幅さ
れた無線周波数(RF)エネルギを生じさせ、そのパル
ス化RFエネルギはパルス変調器に送られる変調信号と
同じパルス幅、同じデユティ・サイクル及び同じパルス
反復周波数を有する。
そのようなパルス変調器はいくつかの適用例において有
用であることが知られているが、そこに使用されるスイ
ッチング管は無線周波数管に比較して寿命が短かく、従
ってそのようなスイッチング管は送信機のメンテナンス
、材料及び使用負荷に大きな影響を与える。更に、その
ようなスイッチ管に必要となるヒータ電力は非常に大き
な電力を消費し、送信機全体の効率は低下する0その理
由は、とシわけ、大きいプレート抵抗のため大きな電圧
降下が生じ、バイアスに多数の高電圧電源を必要とする
からである◇更に、スイッチ管は大きな衝撃及び振動の
ある環境においては損傷を非常に受けやすい。従って、
そのようなスイッチ管は比較的小さな平均故障間隔(M
TBF)を示す。
そのようなスイッチ管の使用を避けるために提案された
1つの技術は、代りにソリッド・ステート・デバイス、
例えばトランジスタを使用するものである。しかし、単
一トランジスタの使用は、高電圧装置には実用的ではな
い。それは、トランジスタが不導通状態のとき、その両
端に電源の高電圧がかかるからである。トランジスタに
かかるこの過剰電圧状態を回避するものとして提案され
た1つの技術は、高電圧電源と負荷との間に直列に結合
された複数のトランジスタを供給するものである。しか
し、そのような構成では、各トランジスタに対する駆動
信号は、一般に異なる比較的高電圧にバイアスされなけ
ればならない。そのような駆動信号を供給するためには
、典型的にはタップ付トランス又は一連の抵抗を使用し
て直列結合されたトランジスタの各々に適切にバイアス
され六制御信号を供給することが必要となシ、それによ
ってタップ付トランス又は一連の抵抗による共振、時間
避退及び電力損失のためそのような構成の望ましさは低
下してしまう。
(発明の概要) 本発明によれば、高電圧スイッチング回路が提供され、
放射エネルギ制御信号に従って高電圧電源を負荷と電気
的に結合し、又は負荷から電気的に分離する。そのスイ
ッチング回路は、負荷と高電圧電源との間に直列に結合
された複数のスイッチング・モジュールを有し、そのモ
ジュールの各々は、放射エネルギ制御信号の検出に応答
して電気的駆動(ドライブ)信号を発生する手段と、そ
の駆動信号に従ってトランジスタを導通及び不導通状態
の間で駆動するスイッチング・トランジスタと、から成
シ、高電圧電源が負荷から分離されるとき、高電圧電源
の電圧を直列に結合されたモジュールに配分する。その
ような構成によって、モジュールの各々は放射エネルギ
制御信号に応答してそれ自体のための駆動信号を発生す
るので、各駆動信号はモジュールの基準電位に自己参照
され、それによってタップ付トランスや一連抵抗の使用
が回避される。
本発明の好適実施例によれば、スイッチング・モジュー
ルの各々は、トランジスタの両端に結合され、モジュー
ルの故障の場合スイッチング回路が電源を負荷に結合す
るときトランジスタと並列に短絡回路を供給する手段を
含み、通常高電圧電源から故障したモジュールに配分さ
れる電圧が故障していないモジュールに分配される。使
用されるモジュールの数によりN個のモジュールのうち
1つのモジュールの故障によって、それまでそのモジュ
ールに配分されていた電圧を残りのモジュールに増加さ
せ、それによって残シのモジュールのトランジスタの適
切な動作を確保する。
本発明の好適実施例によれば、制御信号は発光ダイオー
ドによって発生され、電気的駆動信号発生手段の各々が
発光ダイオードからの光パルスを受信する光ファイバ・
レシーバを含む0本発明の更に別の特徴によれば、モジ
ュールの各々はエネルギ蓄積手段(好適にはコンデンサ
)を含む。その蓄積手段は、電源が負荷に結合されると
き、電気的駆動信号発生手段を付勢するためにエネルギ
を供給する。
(実施例の説明) 本発明を実施例に従って詳細に説明する。
図面を参照すると、本発明が適用できるコヒーレント・
パルス・ドツプラ・レーダ装置10が示される。図示の
レーダ装置10は、レーダ・アンテナ12、送受切換器
14、レーダ受信機16、レーダ送信機18、無線周波
数(R,F、)発振器20、同期装置24.及びシステ
ム・トリが装置28を含む。それらは、周知の態様で構
成され、(a)送信モードの間、同期装置24はシステ
ム・トリガ装置28に信号を送出し、それに応答して発
振器20によって発生され送信機18に慣用の方向性結
合器22を通して結合される無線周波数エネルギは、送
信機18によって増幅及びパルス変調され、その増幅及
びパルス変調された無線周波数エネルギはアンテナ12
に送受切換器14を介して結合されて送信される。(b
)受信モードの間、送信されたエネルギのうちアンテナ
12のビーム内にある目標によって反射された部分はア
ンテナ12によって受信され送受切換器14を介してレ
ーダ受信機16に通過し、そこで発振器20によって発
生される信号とヘテロダインされてビデオ信号が発生さ
れ、そのビデオ信号は同期装置124からバス26を介
して受信機20に送られる信号に応答してレンジ・ビン
に分触される。ここで、アンテナ12、送受切換器14
、受信後16、発振器20、同期装置24及びシステム
・トリガ装置28は、すべて慣用の設計によるが、送信
機18は、本発明によるパルス変調器32によって制御
される慣用のカソード・パルス化無線周波数増幅管、こ
こでは交差電磁界増幅器(CFA)30を含むことが注
目される。
図示の如く、交差電磁界増幅器30は、グランドに結合
されるアノード34、変調器32に結合されるカソード
36、発振器20に方向性結合器22を通して結合され
る入力ポート38、及び送受切換器14に結合される出
力ポート40を含む。
テイルハイp −(teilbiter )抵抗33は
周知の態様でアノード34及びカソード36の間に結合
される。パルス変調器32は、複数(ここではN)の同
様に構成されるスイッチ・モジュール421〜42N(
その−例、ここではスイッチ・モジュール42N−、が
詳細に示される)が交差電磁界増幅器30のカソード3
6と高電圧源44との間に直列に結合される。ここで電
源44は、慣用の設計のものでよく、電圧Vを発生し、
負電位は負端子46に、正電位はグランドに結合される
。また、パルス変調器32には、複数(ここではN)の
発光ダイオード481〜48N が設けられ、その各々
の出力はスイッチ・モジュール421〜42Nの対応す
るものに入力を供給する。発光ダイオード481〜48
N に対する入力信号はシステム・トリガ装置28から
ライン50を通して共通信号として供給される。
動作について説明する0無線周波数エネルギの増幅され
たパルスが送信されるとき、システム・トリガ装置28
は発光ダイオード48.〜48Nをパルス番オンする。
ダイオード481〜48Nによって発生された光パルス
はスイッチ・モジュール421〜42Nによって検知さ
れ、その検知された光に応答して、スイッチ・モジュー
ルは電源44の負端子46を交差電磁界増幅器300カ
ソードに電気的に結合し、それによって増幅器30を付
勢しそこに発据器20から送られる無線周波数エネルギ
を増幅することを可能にする。それとは逆に、スイッチ
・モジュール421〜42Nがダイオード481〜48
Nからの光を検知しないとき、モジュール421〜42
Nは電源44をCFA30のカソード36から電気的に
分離し、発振器20からの無線周波数エネルギはCFA
30の出力ポート40から電気的に分離される。こうし
て、RFエネルギのパルスが送信される毎に、対応する
光パルスがダイオード481〜48Nの各々によって同
時に発生され、それに応答してモジュール42.〜42
Nの各々が発生せられた光パルスを電気的に複製し、モ
ジュール421〜42Nは同時に動作としてCFA30
にパルス変調を行なわせる。
スイッチ・モジュール421〜42Nの典型例、ここで
はスイッチ・モジュール42N−、について詳述する。
そのモジュール42N−、は一対の出力端子52N−、
,54N−tを有し、出力端子52N−1はモジュール
42N−2即ち、そこに直接的に直列接続されるモジュ
ールの出力端子54N−2に接続され、モジュール42
N−tの出力端子54N+はモジュール42N (ff
ljち、そこに直接的に直列接続されるもう1つのモジ
ュール)の出力端子52Nに接続される。そして、N個
の対列接続されたモジュール421〜42Nの第1モジ
ユールiIjチ、モジュール42、)はCFA30のカ
ソード36に接続され、N個の直列接続されたモジュー
ル421〜42Nの最後のモジュール(IIJち、モジ
ュール42N)の出力端子54Nは電源44の負端子4
6に接続される。後に明白になるように、モジュール4
2.〜42Nがダイオード481〜48Nによって発せ
られる光を検出するとき、モジュール421〜42Nの
出力端子521.541〜52N。
54Nは一緒に電気的に結合される(比較的低いインピ
ーダンスで結合される)が、検出される光がないときは
、モジュール42.〜42Nの出力端子520.54.
〜52N、54Nは電気的に分離される(より正確には
、実質上オープン回路に等しい非常に高いインピーダン
スで結合される)。
ここで、モジュール42N−tは慣用の光ファイバ・レ
シーバ(以後、オプトレシーバといつ)56を含むこと
が注目される。このオプトレシーバ56は、例えば、カ
ルフォルニアのPa1o Altoの)(ewlett
 packard によって販売されているモデルHF
BR2202である。オプトレシーバ56の入力58は
、発光ダイオード48N−1からの光を受けるように整
列され、後述する態様で端子60.62間に結合される
電圧(ここでは10ボルト)によって付勢されるoしか
し、ここでは、端子60.62間に適切な電圧が加えら
れるとき、オプトレシーバ56がダイオード48N−t
によって発ぜられふ光ノ寸ルスを感知すると立下りパル
スがライン64に発生されることを述べておく。ライン
64上の電気信号は端子62の電位と参照され、光パル
スがないときのライン64上の信号は端子62の電位に
比較して高い正で、光パルスが存在するとライン64上
の信号は負、即ち端子62の電位に近い電7位となる。
ライン64上の信号は一対の等しい反転駆動増幅器、こ
こでは増幅器66a、66bに並列に結合される。イン
バータ66a、66bは、端子68a、70a間に結合
される電圧(インバータ66aに対し)及び端子68b
170b間の11圧(インバータ66bに対し)によっ
て付勢される。こうしてインバータ66a、66bはL
ED48N−tによる光パルスに応答してオプトレシー
バ56によって発生される立下シ(資)パルスを立上り
(正)パルスに反転させる。ここでインバータ66a、
66bから出力される信号は、端子70a、70bの電
圧と参照され、ライン64上の負パルスに応答して、端
子70a、70bの電位に近い基準電位から、端子68
a、68bの電位に近いよυ正の電位になる。
インバータ66a、66bの各々によって発生される正
パルスは駆動信号として一対のnチャンネル・エンハン
スメント・モードのMO8t界効果トランジスタ(FE
T)72a、72bの夫々のゲート電極(G)に夫々抵
抗74a、74bを介して結合される。このようにして
、ゲート電極Gに送られる制御信号の電圧変化は端子5
4N−、の電圧と無関係のΔVである。FET 72 
a、72bのソース電極(S) (及びサブストレート
)は出力端子54N−1に抵抗76a、76bを介して
結合され、FET 72 a、 72 b(7) トv
−:y’fl極(D)は出力端子52N1に結合される
FET 72 a、 72 bのゲート、即ち制御電極
(Gンは、図示の如く出力端子52N−、に抵抗78a
78b及びコンデンサCa、Cbを介して接続される。
ツェナー・ダイオード80は、出力端子54N−、に接
続されるアノード電極(A)と出力端子52N−、に接
続されるカソード電極(C)とを有する。ダイオード8
2は出力端子52N−1に接続されるアノードと、慣用
のDC−DCコンバータ84の入力に接続されるカンー
ドと、を有する。
DC−DCコンバータ84の端子86.88の間に発生
される出力電圧は、オプトレシーバ56の端子60.6
2の間、インバータ66aの端子66a、70a(7)
間、イ:/バータロ6bの端子68、b、70bの間に
、結合される。そして、DC−DCコンバータ84の端
子8G、88の間に結合される蓄積コンデンサCsによ
ってモジュール42N−hが完成する。
動作について説明する。光パルスがLED 481〜4
8Nの各々によって発生されるとき、対応する負パルス
がオプトレシーバ56によってライン64に発生される
。その負パルスは一対のインバータ66a、66bによ
って対応する正パルスに変換される。そのインバータ6
6a、66bによって発生された正パルスはFET 7
2a、72bを導通状態に駆動する(即ち、比較的低い
インピーダンスがソース(S)及びドレーン(D)電極
間に発生される)。ここで、インバータ66a、66b
によって発生される駆動電圧は端子54N−□の電位に
自己参照されることが注目される。FET72a、72
bのゲート電極(G)への駆動電圧(即ち、端子52N
−、の電圧に対するゲート(G)の電圧)は、後述する
態様で、ここでは10 mV以内に調節され、一対のト
ランジスタ72a、72bの各々に一定の電流(ここで
は12アンペア)を流させる。それはCFA30の適正
な動作のため24アンペアを供給するのに望ましい。C
FA30は、その入力ボート38に与えられる無線周波
数信号の増幅をするのに、14,000ボルト及び24
アンペアを必要とする。各モジュールは、24アンペア
を流さなければならないので、各モジュールに一対の並
列接続されたFET 72 a、72bが使用され、各
FETは12アンペアを流す。ここで、電源44は18
,000ボルトを供給する。従って、4,000ボルト
が複数のモジュール421〜42Nの間で降下する。こ
こで、Nは80であるので、80個の七ジュール42.
〜42Nの各々で50ボルトの降下が生じる。80個の
421〜42Nの各々の端子541〜54Nは異なる電
位V 54 (yl)にあり、その電位けVS2(fi
)=−18,000+ 50 (N−n)で与えられ、
ココテ1’J”80.nはモジュールの数である。従っ
て、モジュール42N−s(即ち、n=N−1)に対し
て、端子54N−tノミ位はVS2(N−t)=−18
,000+50 (N −(N−1))=−17,95
0ボルトである◇しかし、前述したように、オプトレシ
ーバ56及びインバータ66a、66bによって発生さ
れるパルスはVS2(N−1)  と参照され、FET
 72a、72bのソース(S)は電圧V54(N−r
)  と参照される。ここで典型的モジュール42N−
tを考えると、50ボルトが端子52N−t、54N−
tの間にかかシ、端子52N−。
は端子54N、の電位に対して正電位となる。インバー
タ66a、66bによって発生される正パルスが除去さ
れると、FET 72a、72bは不導通状態にされ(
即ち、高抵抗がFET72a。
72bのソース(S)及びドレーン(D)電極間に発生
される)、電源44をCFA30から実質上電気的に分
離する。しかし、CFAのアノード電極34とカソード
電、極36の間のキャパシタンスのため、CFAが電源
44から離されたとき、それらの電、極は最初14,0
00ボルトを保持することが注目される。この保持され
た14.000ボルトは、テイルバイター抵抗33(こ
こでは20にオーム)を通して放電し、その結果CFA
30のカソード36は最初グランドに対し負の14,0
00ボルトで、短時間のうちに放電する。こうして、電
源44の完全な18,000ボルトの電位が80個のモ
ジュール42.〜42Nの両端に現われる。
ここで、そのモジュールが不導通状態にあるとき、。
1つのモジュールの両端(j!IIち、モジュール42
N−1の端子52N−t、54H−*の間)の実効抵抗
は、ダイオード82のカソードとモジュール42N−1
の端子54N−tとの間に接続される破線の抵抗87に
よって表わされるDC/DCコンバータ86の入力イン
ピーダンスに実質上等しいと考えることができる。DC
/DCコンバータ86の入力インピーダンス87は、モ
ジュールが不導通のとき、約50にオームであるので、
CFA 30のカソード36と電源44の端子46との
間の全抵抗は、モジュール42.〜42Nが不導通のと
き、はぼ4メグ・オームである。その全体で4メグ・オ
ームの抵抗はテイルバイター抵抗33の20にオームの
抵抗より200@も大きく、電源44の18.000ボ
ルトの実質上全部が80個のモジュール40.〜4ON
の間に婢しく分配され、その結果、各モジュールはその
端子52N、54Nの間に250ボルトの電位を有し、
端子52Nの電位は端子54Nの電位よシも正である。
こうして各モジュールは異なる基準電位にあることにな
る。
部ち、端子54nの電圧はV 54 (1)=−18,
000+250(N−n)  として表わすことができ
、端子54N−tのt圧V54N−tは18,000+
250(N −(N−1) ) =−17,750ボル
トである。しかし、そのモジュールの素子56.68a
、68b。
72 a、 72 b、80.84の各々は端子54N
−1の電位と参照される。従って、端子52N−1の2
50ボルトの電位はダイオード82を順方向にバイアス
し、その250ボルトの電位がDC/DCコンバータ8
4に電気的に結合される。DC/DCコンバータ84は
そこに与えられゐ250ボルトの電位を端子54N−s
の電圧に対して10ボルトに変声する。その10ボルト
は端子60.68a、68bに結合され、それによって
オプトレシーバ56及びインバータ66a、66bに電
力を供給する。ここで、蓄積コンデンサCsは端子54
N−1に対して10ボルトに充電され、それによってモ
ジz−k 421〜42NのFET 72a、72bが
導通し、電源44がCFA30に電気的に結合されると
き、ダイオード82は逆バイアスされ、コンデンサCs
に蓄積され7’(10ボルトの電圧は端子60.68a
、68bに結合されて、能動回路(即ち、オプトレシー
バ56及びインノく一タロ6a、66b)を付勢するエ
ネルギを供給することが注目される。抵抗76a、76
bはトランジスタ72a、72bにおける相互コンダク
タンス変動に対する安定性を与え、それらのトランジス
タ間に適切に電流を分配することを可能にする。
抵抗74a、!=74bと接続される抵抗78a、78
bは、モジュール間に電圧を均等に分配させるのに必要
な低ダイタミツク・インピーダンスをモジュールが有す
るようにするためのフィードバックを提供する。
次に、モジュール42s〜42Nのうちの1つの故障、
例えば、そのモジュールを駆動するLED481〜48
Nの1つの故障、1つのモジュールのオプトレシーバ5
6の故障、又はDC−DCコンバータ84の故障を考え
ると、CFA30がON状態にされるとき(即ち、電源
44に結合される)、故障したモジュールのツェナー・
ダイオード80がブレーク・ダウンし、短絡して必要な
電流を電源44からCFA 30に流し、パルス変調器
32全体の故障を防止する。しかし、故障したモジュー
ルで降下するはずの250ボルトは、残りのモジュール
(ここでは79個のモジュール)に分配され、その結果
、残シのモジュールは250ボルト+(250/79)
ボルトの降下となる。その付加されfc (250/7
9 )ボルトは正常時の250ボルトの小さな部分で、
モジュール内のトランジスタは設計通りに動作した0ツ
エナー・ダイオード80は、また、モジュール421〜
42Nを相互接続し、モジュールをCFA30に接続す
るワイヤの不可避の一連のインダクタンスによりパルス
変調器32全体に電圧サージを引き起すアークがCFA
30内に生じた場合、モジュールの両端の電圧を制限す
る(ここでは300ボルト)。
前述したように、FET 72a、72bのゲート電極
の電圧を安定化することが望ましい。これはコンデンサ
Ca、Cbによって達成される。モジュールが不導通モ
ードにあるとき、端子52!、541〜52N、54N
の夫々の両端に250ボルトがかかる。従って、例示的
モジュール42N−tの52N−1,54N−1間にも
250ボルトがかかる。コンデンサCa、Cbは、この
状態のとき直流阻止コンデンサとして作用し、それによ
って抵抗74a、74bにおける電力損失を防止する。
しかし、コンデンサCa、Cbは不導通状態では充電さ
れることが注目される。前述の如く、導通モードのとき
、蓄積コンデンサC8はオプトレシーバ56及びインバ
ータ66a、66bに電力を供給する。しかし、エネル
ギが蓄積コンデンサCsから放出されるに従って、FE
T 72 a、72bのゲート(G)の電圧はコンデン
サCa、Cbが不存在の如く作用して「降下」する傾向
にある。コンデンサCa、Cbは、FET 72 a、
 72 bのドレーン・ソース電極、抵抗76a、76
b、蓄積コンデンサCs、インバータ66a、66bの
端子68a、68b、そして抵抗74a、74bを通し
て放電することによって、「降下」を減少させる。コン
デンサCa、Cbから抵抗74a。
74bを通して放電する電流は、抵抗74a、74bの
両端に電圧を発生し、その電圧はFET72a、72b
のゲートの電圧よジインバータロ6a、66bの出力の
電圧をよシ正にする。こうして、コンデンサCa、Cb
が放電するに従って、このコンデンサCa、Cbによっ
て発生される放電電流は減少し、ゲー)Gの電圧は正方
向に上昇する。
(O3/2 ) ’ R74a=RysB ” Ca=
R7sl) ’ Cb(ここで、CsはコンデンサC8
のキャパシタンス、R743は抵抗74aの抵抗値、R
,、l)は抵抗74bの抵抗値、Caはコンデンサ(a
のキャパシタンス、cbはコンデンサcbのキャパシタ
ンス)とすることによって、コンデンサCa、Cbの放
電からFET72a、?2bのゲートGの電圧の正方向
の上昇は、コンデンサCBの放電から 。
ゲー)Gにおける電圧の降下とつυあって、その結果ゲ
ートGの電圧はモジュールの導通モードの間実質上一定
となる0 以上、本発明を好適実施例に従って説明したが、本発明
の範囲内で他の実施例を使用できることは。
当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明によるパルス変調器を含むレーダ装置の回
路図である0 (外5名)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電気的制御信号に従って、選択的に電源を負荷に
    電気的に結合し、又は電源を負荷から電気的に分離する
    スイッチング回路であって、 (a)前記電気的制御信号を放射エネルギ信号に変換す
    る手段と、 (b)前記負荷と電源との間に直列に結合される複数の
    スイッチング・モジュールであって、各々が、スイッチ
    ング・トランジスタ、及び前記放射エネルギ信号に応答
    して前記スイッチング・トランジスタを放射エネルギに
    従って選択的に導通状態と不導通状態の間で駆動する手
    段を含む、複数のスイッチング・モジュールと、 から構成されるスイッチング回路。
  2. (2)前記モジュールの各々が、前記トランジスタの両
    端に結合され、モジュールに故障が生じた場合スイッチ
    ング回路が電源を負荷に結合するとき、前記トランジス
    タと並列に短絡回路を供給する手段を含み、前記故障し
    たモジュールに通常配分される電圧が残りの故障のして
    いないモジュールに分配される、特許請求の範囲第1項
    記載のスイッチング回路。
  3. (3)前記モジュールの各々が、前記トランジスタに結
    合される能動回路とエネルギ蓄積手段を含み、電源が負
    荷から分離されるときエネルギ蓄積手段は電源に結合さ
    れ、電源が負荷に結合されるときエネルギ蓄積手段は能
    動回路に結合される、特許請求の範囲第1項記載のスイ
    ッチング回路。
  4. (4)前記モジュールの1つが、電源と能動回路との間
    に結合される電圧コンバータを含む特許請求の範囲第3
    項記載のスイッチング回路。
JP61047172A 1985-03-04 1986-03-04 スイツチング回路 Pending JPS61205020A (ja)

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