JPS61203664A - 一次元視覚センサ - Google Patents
一次元視覚センサInfo
- Publication number
- JPS61203664A JPS61203664A JP60045032A JP4503285A JPS61203664A JP S61203664 A JPS61203664 A JP S61203664A JP 60045032 A JP60045032 A JP 60045032A JP 4503285 A JP4503285 A JP 4503285A JP S61203664 A JPS61203664 A JP S61203664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light
- photoelectric
- closed
- photo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光電効果を有する半導体基盤と、その両面に
設けられた表電極および裏電極からなる光電素子によっ
て構成される画素が一列に配列され、各画素から順次映
像信号値（取り出される一次元視覚センサに関する。
設けられた表電極および裏電極からなる光電素子によっ
て構成される画素が一列に配列され、各画素から順次映
像信号値（取り出される一次元視覚センサに関する。
【従来技術とその問題点］
第２図（ａ）〜（ｅ）は−次元視覚センサを示し、（Ｍ
ｌおよび−）は光電素子部の上面図ならびに下面図であ
る。光電効果を有する半導体基盤１の両面に対向して表
電極２および３が配置され、各画素を構成する。半導体
基盤ｌに被写体から反射または放射された光が入射する
ことによって生ずる光電流、すなわち映像信号は、スイ
ッチング用のＦＥＴ４を走査パルス発生回路５からのパ
ルスにより順次オンさせることにより両電極２．３から
演算増幅器６を介して取り出される。しかしこのような
従来の一次元視覚センサにおいては、次の様な問題点が
あうた。 （！）被写体から反射または放射された光が表電極２の
間隙に照射される場合に映像信号が得られるが、この場
合その間隙をはさむ両側の電極から同時にほとんど同じ
映像信号が得られるため、表示される映像の鮮明度が落
ちる。 （２）各画素を構成する光電素子には暗電流が流れるが
、この暗電流は温度変化によって大きく変動し、映像の
信号レベルが周囲の温度変化によって変動する事になり
、表示装置などとの整合がとりにくく、結局鮮明な映像
が得られなくなる。 【発明の目的】 本発明は、上述の欠点を除去して鮮明な映像を表示でき
る信号を与える一次元視覚センサを提供することを目的
とする。
ｌおよび−）は光電素子部の上面図ならびに下面図であ
る。光電効果を有する半導体基盤１の両面に対向して表
電極２および３が配置され、各画素を構成する。半導体
基盤ｌに被写体から反射または放射された光が入射する
ことによって生ずる光電流、すなわち映像信号は、スイ
ッチング用のＦＥＴ４を走査パルス発生回路５からのパ
ルスにより順次オンさせることにより両電極２．３から
演算増幅器６を介して取り出される。しかしこのような
従来の一次元視覚センサにおいては、次の様な問題点が
あうた。 （！）被写体から反射または放射された光が表電極２の
間隙に照射される場合に映像信号が得られるが、この場
合その間隙をはさむ両側の電極から同時にほとんど同じ
映像信号が得られるため、表示される映像の鮮明度が落
ちる。 （２）各画素を構成する光電素子には暗電流が流れるが
、この暗電流は温度変化によって大きく変動し、映像の
信号レベルが周囲の温度変化によって変動する事になり
、表示装置などとの整合がとりにくく、結局鮮明な映像
が得られなくなる。 【発明の目的】 本発明は、上述の欠点を除去して鮮明な映像を表示でき
る信号を与える一次元視覚センサを提供することを目的
とする。
本発明によれば、光電効果を有する半導体基盤とその両
面に対向して設けられる電極とからなる光電素子によっ
て構成される画素が一列に配置され、各光電素子に交互
に閉にされるスイッチング素子が接続される一次元視覚
センサにおいて、光電素子の光の入射側に設けられる電
極が中央に窓を有する金属電極よりなると共に、窓のな
い電極も育し他は光電素子と同様な構造の付加素子を備
え、閉にされたスイッチング素子に接続された光電素子
に流れろ光電流と付加素子に流れろ暗電流との差が映像
信号として取り出されることにょうて上記の目的が達成
される。
面に対向して設けられる電極とからなる光電素子によっ
て構成される画素が一列に配置され、各光電素子に交互
に閉にされるスイッチング素子が接続される一次元視覚
センサにおいて、光電素子の光の入射側に設けられる電
極が中央に窓を有する金属電極よりなると共に、窓のな
い電極も育し他は光電素子と同様な構造の付加素子を備
え、閉にされたスイッチング素子に接続された光電素子
に流れろ光電流と付加素子に流れろ暗電流との差が映像
信号として取り出されることにょうて上記の目的が達成
される。
第１図１８１〜（０）は本発明の一実施例を第２図に対
応して示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。光導電物質としての、例えば結晶あるいは非
晶質シリコンからなる半導体基盤１の光の入射側に設け
られる表電極２は、この場杏中央に受光窓７を有する金
属電極である。但し端に設けられた表電極２１は受光窓
を持たない金属電極である。半導体基ｉｌｌには電ｆｆ
１８により表電極２と裏−極３を介してバイアスが加え
られ春かる。 各表電極２に接続されたＦＥＴ４は走査パルス発生回路
５からのパルスにより順次交互に閉にされると共に、電
極２１に接続されたＦＥＴ４１も閉にされ、閉にされた
画素の電極２，３間に流れる光電流と、電極２１とその
対向電極３１の間に流れる暗電流とは差動増幅器９に入
力される。この結果、差動増幅器９の出力として得られ
る映像信号は、光電流から暗電流成分が除去されたもの
となり、信号レベルが常に安定になる。また差動増幅の
過程において固定パターンノイズなども除去できる。 一方電極２．３の間に流れろ光電流は、光が受光窓７を
通じて入射するときに最も太き（なり、その両隣りの画
素において得られる光電流との差が明確になろため、映
像の分解度および鮮明度が高くなる。 【発明の効果］ 本発明は、画素を構成する光電素子の表電極に受光窓を
持たせ、その窓より入射する光により生ずる光電流と受
光窓のない素子に生ずる暗電流との差を映像信号として
取り出すもので、光の入射する部分にある画素において
のみ大きな映像信号が得られると共に、その信号から暗
電流分が除去されるため、分解度および鮮明度の高い映
像を得ることがてきる。
応して示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。光導電物質としての、例えば結晶あるいは非
晶質シリコンからなる半導体基盤１の光の入射側に設け
られる表電極２は、この場杏中央に受光窓７を有する金
属電極である。但し端に設けられた表電極２１は受光窓
を持たない金属電極である。半導体基ｉｌｌには電ｆｆ
１８により表電極２と裏−極３を介してバイアスが加え
られ春かる。 各表電極２に接続されたＦＥＴ４は走査パルス発生回路
５からのパルスにより順次交互に閉にされると共に、電
極２１に接続されたＦＥＴ４１も閉にされ、閉にされた
画素の電極２，３間に流れる光電流と、電極２１とその
対向電極３１の間に流れる暗電流とは差動増幅器９に入
力される。この結果、差動増幅器９の出力として得られ
る映像信号は、光電流から暗電流成分が除去されたもの
となり、信号レベルが常に安定になる。また差動増幅の
過程において固定パターンノイズなども除去できる。 一方電極２．３の間に流れろ光電流は、光が受光窓７を
通じて入射するときに最も太き（なり、その両隣りの画
素において得られる光電流との差が明確になろため、映
像の分解度および鮮明度が高くなる。 【発明の効果］ 本発明は、画素を構成する光電素子の表電極に受光窓を
持たせ、その窓より入射する光により生ずる光電流と受
光窓のない素子に生ずる暗電流との差を映像信号として
取り出すもので、光の入射する部分にある画素において
のみ大きな映像信号が得られると共に、その信号から暗
電流分が除去されるため、分解度および鮮明度の高い映
像を得ることがてきる。
第１図は本発明の一実施例を示し、＜４１）は光電素子
部の上面図、伽）は同じく下面図、（０）は視覚センサ
の回路図、第２図は従来の一次元視覚センサを示し、同
様に（ａ）が光電素子部の上面図、伽）が下面図、（ｅ
）が回路図である。 １：半導体基盤、 ２：表電極、３：裏電極、５８走査
パルス発生回路、７：受光窓、８：バイアス電源９：差
動増幅器、２１：暗電流除去用表電極。 ７メ ″。 、Ｘ・
部の上面図、伽）は同じく下面図、（０）は視覚センサ
の回路図、第２図は従来の一次元視覚センサを示し、同
様に（ａ）が光電素子部の上面図、伽）が下面図、（ｅ
）が回路図である。 １：半導体基盤、 ２：表電極、３：裏電極、５８走査
パルス発生回路、７：受光窓、８：バイアス電源９：差
動増幅器、２１：暗電流除去用表電極。 ７メ ″。 、Ｘ・
Claims (1)
- １）光電効果を有する半導体基盤と該基盤の両面に対向
して設けられる電極とからなる光電素子によって構成さ
れる画素が一列に配置され、各光電素子に交互に閉にさ
れるスイッチング素子が接続されるものにおいて、光電
素子の光の入射側に設けられる電極が中央に窓を有する
金属電極からなると共に、窓のない電極を有し他は光電
素子と同様な構造の付加素子を備え、閉にされたスイッ
チング素子に接続された光電素子に流れる光電流と付加
素子に流れる暗電流の差が映像信号として取り出される
ことを特徴とする一次元視覚センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045032A JPS61203664A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 一次元視覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045032A JPS61203664A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 一次元視覚センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203664A true JPS61203664A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12707997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045032A Pending JPS61203664A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 一次元視覚センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152363A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Kao Corp | 流体輸送用管体の連結構造 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51145289A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-14 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor light image detector |
| JPS53108315A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Light receiving unit |
| JPS5432028A (en) * | 1977-08-17 | 1979-03-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Solid electroniccoptical scanning type reader |
| JPS57124484A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical reading sensor |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP60045032A patent/JPS61203664A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51145289A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-14 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor light image detector |
| JPS53108315A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Light receiving unit |
| JPS5432028A (en) * | 1977-08-17 | 1979-03-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Solid electroniccoptical scanning type reader |
| JPS57124484A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical reading sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007152363A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Kao Corp | 流体輸送用管体の連結構造 |
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