JPS61201491A - Semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser deviceInfo
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- JPS61201491A JPS61201491A JP4099885A JP4099885A JPS61201491A JP S61201491 A JPS61201491 A JP S61201491A JP 4099885 A JP4099885 A JP 4099885A JP 4099885 A JP4099885 A JP 4099885A JP S61201491 A JPS61201491 A JP S61201491A
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- Japan
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- semiconductor laser
- heat sink
- stem
- laser element
- fusion
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コンパクトディスクプレーヤやビデオディス
クプレーヤ等に用いることができる半導体レーザ装置に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor laser device that can be used in compact disc players, video disc players, and the like.
（従来の技術）
近年、半導体レーザ装置は、コンパクトディスクプレー
ヤやビデオディスクプレーヤなどの需要の増加とともに
益々重要な地位を占めるようになり、高信頼性が要求さ
れるようになってきた。(Prior Art) In recent years, semiconductor laser devices have come to occupy an increasingly important position with the increase in demand for compact disc players, video disc players, etc., and high reliability has been required.
以下１図面を参照しながら従来の半導体レーザ装置につ
いて説明する。第２図において、１は半導体レーザ素子
、２はその半導体レーザ素子１を表面に融着、搭載した
ヒートシンクで１両者は半導体レーザ素子１のレーザ出
射面とヒートシンク２の一側面とが一致するように融着
されている。A conventional semiconductor laser device will be described below with reference to one drawing. In FIG. 2, 1 is a semiconductor laser element, and 2 is a heat sink on which the semiconductor laser element 1 is fused and mounted. is fused to.
３はヒートシンク２をさらに表面に融着したステムであ
り、４は融着金属を示す、この場合も半導体レーザ素子
１のレーザ出射面がステム３の一側面と一致するように
融着される。このように構成された半導体レーザ装置を
動作させる場合、半導体レーザ素子１とステム３との間
に電圧を印加する。Reference numeral 3 denotes a stem on which the heat sink 2 is further fused, and 4 indicates a fused metal. In this case as well, the laser emitting surface of the semiconductor laser element 1 is fused so that it coincides with one side surface of the stem 3. When operating the semiconductor laser device configured in this manner, a voltage is applied between the semiconductor laser element 1 and the stem 3.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような構成では、レーザ発振の際
、半導体レーザ素子１で発生する熱は、ヒートシンク２
の底面からしか十分に放散することができない、さらに
ヒートシンク２を融着金属４を用いてステム３に融着す
る場合、融着する位置が明確でないので、第３図のよう
に中心線Ａ−Ａ′よりずれたり、第４図のように傾いて
融着されたりする。このとき、ヒートシンクはその底面
のみが融着されるので、十分な接着強度が得られないこ
とがあり、熱抵抗も高くなるという問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above configuration, the heat generated in the semiconductor laser element 1 during laser oscillation is transferred to the heat sink 2.
Furthermore, when the heat sink 2 is welded to the stem 3 using the welding metal 4, the welding position is not clear, so the center line A- It may be deviated from A' or it may be fused at an angle as shown in FIG. At this time, since only the bottom surface of the heat sink is fused, there are problems in that sufficient adhesive strength may not be obtained and thermal resistance also increases.
本発明は、上記問題点に鑑み、ヒートシンクの融着位置
精度を高め、かつ接着強度を強くするとともに熱抵抗を
下げ、レーザ発振の際に発生する熱を十分放散させるよ
うにした半導体レーザ装置を提供するものである。In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor laser device that improves the precision of the fusion position of the heat sink, strengthens the adhesive strength, lowers the thermal resistance, and sufficiently dissipates the heat generated during laser oscillation. This is what we provide.
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために、ステムの所定の位置に１表
面と一側面の各一部が開口するように凹部を予め形成し
、その凹部に、半導体レーザ素子が搭載されたヒートシ
ンクを嵌合、融着するものである。(Means for solving the problem) In order to achieve the above object, a recess is formed in advance at a predetermined position of the stem so that one surface and a part of one side are open, and a semiconductor laser is inserted into the recess. The heat sink on which the element is mounted is fitted and fused.
（作 用）
ステムの所定の位置に予め設けられた凹部にヒートシン
クが嵌合、融着されるので、ヒートシンクがずれたり、
あるいは傾いて固着されることはなく、位置合わせが正
確になる。またヒートシンクはその底面のみでなく側面
もステムに融着されるので、接着強度が向上するととも
に熱抵抗が小さくなり、半導体レーザ素子から発せられ
た熱を十分放散することができる。(Function) Since the heat sink is fitted and fused into a recess previously provided at a predetermined position on the stem, there is no possibility that the heat sink will shift or
Or, it will not be stuck at an angle, and the alignment will be accurate. Furthermore, since not only the bottom surface but also the side surfaces of the heat sink are fused to the stem, the adhesive strength is improved and the thermal resistance is reduced, making it possible to sufficiently dissipate the heat emitted from the semiconductor laser element.
（実施例） 以下１図面により実施例を詳細に説明する。(Example) An embodiment will be described in detail below with reference to one drawing.
第１図は、本発明の一実施例を示したもので。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
１は半導体レーザ素子、２は半導体レーザ素子１を融着
、搭載したヒートシンク、５はステムであり、その表面
及び一側面の一部が開口するように凹部が設けられ、そ
の凹部に、半導体レーザ素子１を搭載したヒートシンク
２が嵌合され、融着金属４により融着されている。半導
体レーザ素子１のレーザ出射面とヒートシンク２の一側
面とステム５の一側面とはともに一平面上にあるように
位置づけられる。1 is a semiconductor laser element; 2 is a heat sink on which the semiconductor laser element 1 is fused and mounted; 5 is a stem; a recess is provided so that a portion of its surface and one side surface is open; the semiconductor laser is placed in the recess; A heat sink 2 on which the element 1 is mounted is fitted and fused with a fusion metal 4. The laser emission surface of the semiconductor laser element 1, one side of the heat sink 2, and one side of the stem 5 are positioned so that they are all on one plane.
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、ステムの所定の
位置に予め形成された凹部に、半導体レーザ素子が搭載
されたヒートシンクを嵌合、融着するので、位置合わせ
が正確になり、かつヒートシンクの底面のみでなく側面
もステムに融着されるので接着強度が向上するとともに
熱抵抗が低下し、高い放熱効果を有するものである。
・(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the heat sink on which the semiconductor laser element is mounted is fitted and fused into the recess formed in advance at a predetermined position of the stem, so alignment is easy. It is accurate, and since not only the bottom surface but also the side surface of the heat sink is fused to the stem, the adhesive strength is improved and the thermal resistance is reduced, resulting in a high heat dissipation effect.
・
第１図は、本発明の一実施例の斜視図、第２図は、従来
例の斜視図、第３図及び第４図は、それぞれ従来例の、
ヒートシンクがずれたり傾いてステムに固着された例を
示す図である。
１ ・・・半導体レーザ素子、 ２・・・ヒートシンク
、 ４ ・・・融着金属、 ５・・・ステム。
特許出願人 松下電器産業株式会社
第１図
第２囚FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a conventional example, and FIGS. 3 and 4 are respective views of a conventional example.
FIG. 6 is a diagram illustrating an example in which the heat sink is fixed to the stem in a displaced or tilted manner. 1...Semiconductor laser element, 2...Heat sink, 4...Fusion metal, 5...Stem. Patent applicant: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Figure 1, Prisoner 2
Claims (1)
面とが一致するように前記半導体レーザ素子が表面に融
着された前記ヒートシンクを、表面及び一側面の各一部
が開口するように予め凹部が形成されたステムの前記凹
部に、前記半導体レーザ素子のレーザ出射面と前記ステ
ムの一側面とが一致するように嵌合、融着してなること
を特徴とする半導体レーザ装置。A recess is formed in advance in the heat sink, on which the semiconductor laser element is fused so that the laser emission surface of the semiconductor laser element and one side surface of the heat sink are aligned, so that a portion of each of the surface and one side surface is open. A semiconductor laser device characterized in that the laser emitting surface of the semiconductor laser element and one side surface of the stem are fitted and fused into the recessed portion of the stem.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099885A JPS61201491A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099885A JPS61201491A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201491A true JPS61201491A (en) | 1986-09-06 |
Family
ID=12596089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4099885A Pending JPS61201491A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61201491A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8391326B1 (en) * | 2008-03-18 | 2013-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| CN104300356A (en) * | 2014-10-29 | 2015-01-21 | 山东华光光电子有限公司 | Semiconductor laser device with stable wavelength and manufacturing method thereof |
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| WO2016030970A1 (en) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 住友電気工業株式会社 | Optical assembly |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP4099885A patent/JPS61201491A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8391326B1 (en) * | 2008-03-18 | 2013-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| US9644805B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| WO2016030970A1 (en) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 住友電気工業株式会社 | Optical assembly |
| CN104300356A (en) * | 2014-10-29 | 2015-01-21 | 山东华光光电子有限公司 | Semiconductor laser device with stable wavelength and manufacturing method thereof |
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