JPH02235384A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device

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Publication number
JPH02235384A
JPH02235384A JP5662189A JP5662189A JPH02235384A JP H02235384 A JPH02235384 A JP H02235384A JP 5662189 A JP5662189 A JP 5662189A JP 5662189 A JP5662189 A JP 5662189A JP H02235384 A JPH02235384 A JP H02235384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
cap
block
protrusion
light emitting
Prior art date
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Pending
Application number
JP5662189A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Ishii
光男 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5662189A priority Critical patent/JPH02235384A/en
Publication of JPH02235384A publication Critical patent/JPH02235384A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To contrive miniaturization and improvement in reliability by forming a protrusion after surrounding a place at which a block for radiation of heat is installed at the mainface of a stem. CONSTITUTION:A protrusion 10 is mounted so that the protrusion may surround a block 2 for radiation of heat that is soldered at the center of the main face of a stem 1; besides, it may hold a position inside of the welded part of a cap 7. The protrusion 10 prevents a surplus soldering flux from flowing out up to the welded part of the cap 7 on the occasion of soldering the block 2 to the stem 1. As the protrusion 10 prevents effectively the soldering flux from spreading over surroundings, both stem 1 and cap 7 diameters can be reduced and then this device is miniaturized. Further, concentration of the surplus soldering flux into the surroundings of the block 2 renders close contact strength between the block 2 and the stem 1 more secure and then high reliability is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体発光装置の構造に関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to the structure of a semiconductor light emitting device.

(従来の技術〕 第2図,第3図は従来の半導体発光装置で、光学式・デ
ィスク装置の光ピックアップ用の光源として用いられ、
レーザ光をモニターするフォトダイオードを同一ステム
内に組込んだレーザダイオード装置を示した断面図であ
る。図において、(1)は金属からなるステム、(2)
はステム(1)の主面(}.面》中央部にろう付した熱
伝導性の良好な金属からなる放熱用ブロック、(3)は
放熱用ブロック12)の側面Kサプマウント(4)を介
して固定されたレープダイオードチップ(以下、LDチ
ップと称す)であるO 次に動作について説明するOLDチップ(3)は上端及
び下端からレーザ光(5)を出射する。下方に向かうレ
ーザ光(5)はステム(1)に固定され九モニターフォ
トダイオード(6)で検出され、光強度がモニターされ
る。一方、ステ411》の主向(上面)側には金属製の
キャップ(7)がプロジエクシ:Iy溶接で溶接されて
おり、このキャップ(7)の上部は開口され、この開口
部は透明なガラス板(8)で塞がれて、LDチップ(3
;は気密封止されている。又、ステム(1)には3〜4
本のリード(9)が必要に応じて絶縁されて貫通固定さ
れており、ここでは図示しないワイヤーでそのリード端
がモニターフォトダイオード(6).LDチップ(3)
の電極部と各々結ばれて、電気的な動作を可能ならしめ
ている。ここで第2図と第3図の従来装置の4差はステ
ム11)の形状にあって、第2図の装置ではキャップ(
7)をガイドする為の段がステム(1)に設けられてい
る。第3図の装置にはこの段が無く、ステムil+の形
状が単純化されている。
(Prior art) Figures 2 and 3 show conventional semiconductor light emitting devices, which are used as light sources for optical pickups in optical disk devices.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a laser diode device in which a photodiode for monitoring laser light is incorporated into the same stem. In the figure, (1) is a stem made of metal, (2)
is a heat dissipation block made of a metal with good thermal conductivity brazed to the center of the main surface (}. surface of the stem (1), and (3) is a heat dissipation block made of a metal with good heat conductivity) via the side K submount (4) of the heat dissipation block 12). The OLD chip (3), which is a Leb diode chip (hereinafter referred to as an LD chip) fixed in place, emits laser light (5) from its upper and lower ends, the operation of which will be described next. The laser beam (5) directed downward is fixed to the stem (1) and detected by nine monitor photodiodes (6), and the light intensity is monitored. On the other hand, a metal cap (7) is welded to the main direction (upper surface) of the ST411 by Iy welding, and the upper part of this cap (7) is opened, and this opening is made of transparent glass. The LD chip (3) is blocked by the plate (8).
; is hermetically sealed. Also, the stem (1) has 3 to 4
A book lead (9) is insulated as required and fixed through the wire, and the end of the lead is connected to a monitor photodiode (6) using a wire (not shown). LD chip (3)
are connected to the electrode portions of each to enable electrical operation. Here, the difference between the conventional devices shown in FIG. 2 and FIG. 3 lies in the shape of the stem 11), and in the device shown in FIG.
7) is provided on the stem (1). The device of FIG. 3 does not have this step, and the shape of the stem il+ is simplified.

この第3図の装置では、キャップ(7)を溶接する装置
にヤヤツプをガイドするための機構上の工夫が必要とな
るが、第2図の装置に比べて、単純なステム形状により
安価に製作できる利点がある。
The device shown in Fig. 3 requires some mechanical ingenuity to guide the needle to the device that welds the cap (7), but compared to the device shown in Fig. 2, it is manufactured at a lower cost due to its simpler stem shape. There are advantages that can be achieved.

〔発明が解決しようとする騨題〕[The problem that the invention seeks to solve]

従来の第3図の装置は放熱用ブロックをろう付部分とキ
ャップを溶接する部分とが同一平面上であるため、放熱
用ブロックのろう付用ろう材の濡れ性が良好であるとろ
う材が拡がり過ぎてキャップの溶接部分まで達して、キ
ャップの溶接ができなくなるか、又は溶接部の気密性が
損なわれる欠点があった。特に、ステムやキャップの直
径を小さくして装置を小形化する場合に重大な問題とな
つており、第2図の装置でさえも、ろう材の段下への拡
がり、流れ落ちが生じ易く、小形化を制限するという問
題点を有していた。
In the conventional device shown in Fig. 3, the part where the heat dissipation block is brazed and the part where the cap is welded are on the same plane. The problem is that it spreads too much and reaches the welded part of the cap, making it impossible to weld the cap or impairing the airtightness of the welded part. This is a serious problem, especially when downsizing the device by reducing the diameter of the stem or cap. This had the problem of limiting the amount of information available.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、比較的単純な形状にて、ステム上にブロック
をろう付する際のろう材の拡がりがキャップの溶性部に
達しない様に制限でき、小形化が容易で安価な半導体発
光(レーザダイオード)装置を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and has a relatively simple shape that prevents the spread of the brazing material from reaching the soluble part of the cap when brazing the block onto the stem. The object of the present invention is to obtain a semiconductor light emitting (laser diode) device that can be easily miniaturized and inexpensive.

〔n題を解決するためのチ段〕[Steps to solve n problems]

この発明に係る半導体発光装置はステムの王面上に放熱
用ブロックをろう付する箇所を囲んで、キャップのリン
グ状の溶接部の内側に凸部を設けたものである。
In the semiconductor light emitting device according to the present invention, a convex portion is provided on the inside of the ring-shaped welded portion of the cap, surrounding the area where the heat dissipation block is brazed on the crown surface of the stem.

〔作用〕[Effect]

この発明におけるステム主面(上面)1の放熱用ブロッ
クをろう付する箇所を囲んで設けられた凸部は、放熱用
ブロックをろう付する際の余分なろう材が周囲へ拡がる
のを凸部で防止し、キャップのだ接部にろう材が付着す
るのを防止する。
In this invention, the convex portion provided surrounding the area where the heat dissipation block is brazed on the main surface (upper surface) 1 of the stem prevents excess brazing material from spreading to the surrounding area when the heat dissipation block is brazed. This prevents the brazing metal from adhering to the solder joint of the cap.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は金川から成るステム、(2)はス
テム(1)の王面(上面)中央部にろう付した熱伝導性
の良好な金属から成る放熱用ブロック、(3)は放熱用
ブロック{2}の側面に、サブマウント(4)を介して
固定されたレーザダイオードチップ(以下LDチップと
称す)である。このLDチップ(3)は上端及び下端か
らレーザ光(5)を出射する。下方に向かうレーザ光(
5)はステムtl)に固定されたモニターフォトダイオ
ード(6)で検出される。一方、ステム(1)の主面側
には、金属製のキャップ(7)がグロジエククヨン溶接
で溶接されておシ、キャップ(7》の上部は開口され、
この開口部は透明なガラス板(8)で塞がれて、LDチ
ップ(3)は気密封止されている。又、ステムll)に
は3〜4本のリード(9)が必要に応じて絶縁されて貫
通固定されており、ここでは図示しないワイヤーでその
リード端がモニターフォトダイオード+61.LDチッ
プ(3)の電極部と結ばれて、電気的な動作を可能とし
ていることは、第2図.第3図で示したものと同じ。し
かしながら、第1図示の装置においては、ステムt1)
の主向(上面)上に、中央部にろう付された放熱用ブロ
ック(2)を囲んで、かつ、キャップ(7)の円形の溶
接部の内側に位置する凸部0呻が設けられている。この
凸部<IIはステム{υの中央部に放熱用ブロック12
》をろう付する際に発生した余分なろう材のキャップ(
7)の溶接部へ向けての拡がり、流れ出しを防止し、溶
接部にろう材が付着してキャップ(7)の溶接を不可能
にしたり、又可能であっても気密性が損なわれるのを有
効に防止するができる。又、この凸部(11はろう材の
拡がシを防止する充分な効果があれば良く、ろう材の量
を適当に選択すれば、低いものでも充分で、ステム(1
)の−IEi[iに容易にかつ安価に形成することがで
きる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
In the figure, (1) is a stem made of Kanagawa, (2) is a heat dissipation block made of a metal with good thermal conductivity brazed to the center of the crown (upper surface) of stem (1), and (3) is a heat dissipation block. This is a laser diode chip (hereinafter referred to as an LD chip) fixed to the side surface of the storage block {2} via a submount (4). This LD chip (3) emits laser light (5) from its upper and lower ends. Laser light directed downward (
5) is detected by a monitor photodiode (6) fixed to the stem tl). On the other hand, on the main surface side of the stem (1), a metal cap (7) is welded by Grozier-Equation welding, and the upper part of the cap (7) is open.
This opening is closed with a transparent glass plate (8), and the LD chip (3) is hermetically sealed. In addition, three to four leads (9) are insulated as necessary and fixed through the stem ll), and the lead ends are connected to the monitor photodiode +61. The fact that it is connected to the electrode part of the LD chip (3) to enable electrical operation is shown in Figure 2. Same as shown in Figure 3. However, in the device shown in the first diagram, the stem t1)
A convex portion 0 is provided on the main direction (upper surface) of the cap, surrounding the heat dissipation block (2) brazed to the center and located inside the circular welded portion of the cap (7). There is. This convex portion <II has a heat dissipation block 12 in the center of the stem {υ
》Excess filler metal cap generated when brazing (
7) to prevent it from spreading or flowing out toward the welding area, and preventing the brazing metal from adhering to the welding area and making it impossible to weld the cap (7), or even if it is possible, the airtightness will be compromised. It can be effectively prevented. In addition, this protrusion (11) only needs to have a sufficient effect of preventing the spread of the brazing material, and if the amount of brazing material is selected appropriately, a low one is sufficient, and the protrusion (11)
) can be easily and inexpensively formed into -IEi[i.

これにより、この凸部(1昧はろう材の周囲への拡がり
を有効に防止する為、ステム(l),キャップ(7)の
直径を小さくして装置を小形化することを制限していた
ブロック付用ろう材の拡が夛による困難を解消して、よ
夛小形な装置が得られる幼果があるO 又、ブロック付の余分なろう材は凸部cIIにより、拡
がりを防止され、さらに逆流によりろう材が放熱用ブロ
ック(2)の周囲に集中することから、放熱用ブロック
(2)とステム(1)との密着強度がよシー層強固に得
られる効果がある。
As a result, in order to effectively prevent the brazing material from spreading around the convex portion, it was possible to reduce the diameter of the stem (l) and cap (7) to make the device more compact. There is a young fruit that solves the difficulty caused by the expansion of the brazing filler metal for the blocks and allows for a more compact device. Since the brazing filler metal is concentrated around the heat dissipation block (2) due to the backflow, the adhesion strength between the heat dissipation block (2) and the stem (1) can be strengthened.

なお、上記実施例ではレーザダイオード装置の場合につ
いて説明したが、他の半導体発光装置であっても同様の
構成を持つものであればと記実施例と同様の効果を奏す
ることは明白である。
In the above embodiment, a laser diode device has been described, but it is obvious that other semiconductor light emitting devices having the same structure can produce the same effects as the above embodiment.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の様にこの発明によれば、ステムの主曲に放熱用ブ
ロックを取付ける箇所を囲んで凸部を形成したので、ブ
ロック付時の余分なろう材のキャップ#接部への拡が9
t−防止でき、又凸部で余分なろう材が逆流してブロッ
クの周囲に集中する事から、ステムとブロックとの密着
強度はよシー層強固とな9、より小形で、傷頼性の高い
半導体発光装置を安価に得られる効果がある0
As described above, according to the present invention, since the convex part is formed surrounding the part where the heat dissipation block is attached to the main curve of the stem, the spread of excess brazing material to the cap # contact part when the block is attached is prevented.
In addition, excess filler metal flows back at the convex part and concentrates around the block, so the adhesion strength between the stem and block is strong. 9. It is smaller and more reliable. Effective in obtaining high quality semiconductor light emitting devices at low cost0

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例による半導体発光装置を示
す断面図、第2図,第3図は従来のレーザダイオード装
置を示す断面図である。 図において、(l)はステム、(2)は放熱用ブロック
、(3)はレーザダイオードチップ、(4)はサブマウ
ント、(5}はレーザ光、(6)はモニターフォトダイ
オード、(7)はキャップ、(8)はガラス板、(9)
はリード、叫はステム11)の主面上に設けられた凸部
を示すO尚、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示
すO
FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are sectional views showing a conventional laser diode device. In the figure, (l) is the stem, (2) is the heat dissipation block, (3) is the laser diode chip, (4) is the submount, (5} is the laser beam, (6) is the monitor photodiode, (7) is the cap, (8) is the glass plate, (9)
indicates the lead, and the symbol indicates a convex portion provided on the main surface of the stem 11). In addition, in the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ステムの主面にブロックを介して間接的に固定された
主面の上方に光を発する発光素子と、この発光素子を被
うようにステムに溶接されたキャップとを有し、かつこ
のキャップの中央は開口され、この開口部はキャップに
接合された透明なガラス板で塞がれている半導体発光装
置であつて、前記ステムはその主面にブロックを取付け
る箇所を囲んで凸部を有していることを特徴とする半導
体発光装置。
A light-emitting element that emits light above the main surface is indirectly fixed to the main surface of the stem via a block, and a cap is welded to the stem so as to cover the light-emitting element, and the cap is The semiconductor light emitting device has an opening in the center, and the opening is covered with a transparent glass plate bonded to a cap, and the stem has a convex portion on its main surface surrounding a portion where the block is attached. A semiconductor light emitting device characterized by:
JP5662189A 1989-03-08 1989-03-08 Semiconductor light emitting device Pending JPH02235384A (en)

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JP5662189A JPH02235384A (en) 1989-03-08 1989-03-08 Semiconductor light emitting device

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JP5662189A JPH02235384A (en) 1989-03-08 1989-03-08 Semiconductor light emitting device

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ID=13032356

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JP5662189A Pending JPH02235384A (en) 1989-03-08 1989-03-08 Semiconductor light emitting device

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JP (1) JPH02235384A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017010025A1 (en) * 2015-07-16 2017-01-19 三菱電機株式会社 Laser module
JP2018097288A (en) * 2016-12-16 2018-06-21 日本オクラロ株式会社 Optical module and transmission device

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